FACULTAD CARRERA PROFESIONAL CURSO SEMESTRE ACADMICO DOCENTES

: INGENIERA : INGENIERA ELECTRNICA : TALLER DE CIRCUITOS DIGITALES : 2012-01 : Ing. Ovidio Hildebrando Ramos Rojas : Ing. Marco Tulio Trujillo Silva : Ing. Kalun Jose Lau Gan

TALLER No. 09 CIRCUITO DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION (MEMORIAS)

1. INTRODUCCIN Una de las partes ms importantes de los sistemas digitales es la dedicada a almacenar informacin. Esta es la tarea de las memorias: Dispositivos que son capaces de proveer el medio fsico para almacenar esta informacin. Tambin se pueden utilizar para la implementacin de circuitos combinacionales y pueden sustituir la mayor parte de la lgica de un sistema. 2. OBJETIVO: Realiza la implementacin de un circuito de lectura y escritura de informacin 3. MATERIALES Y EQUIPOS Los materiales de los talleres anteriores 16 resistencias de 4.7k, (8) de 470 01 Memoria RAM 6116 o 2114 01 circuito integrado 74LS244 (01) 74LS04 01 Protoboard 01 Multmetro 02 Cables para fuente Cablecillos de conexin

4. PROCEDIMIENTOS: 4.1 Disponer de manera impresa la ficha tcnica de los circuitos integrados 74LS244, MEMORIA 6116; se puede obtener de un manual ECG o del manual digital http://www.datasheetarchive.com/ o http://www.datasheetcatalog.com/.

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4.2

Identificar la distribucin y propsito de los pines de cada uno de los integrados.

CIRCUITO A IMPLEMENTAR:

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ANEXO

Memorias
o o o o Las memorias son circuitos integrados que permiten almacenar informacin en forma digital (0 y 1). Toda memoria posee celdas donde se almacena la informacin. El tamao de esta celda es de 1bit. Normalmente las memorias organizan el almacenamiento de informacin en un arreglo o matriz de bits. Ejemplo : 1, 4 u 8 bits, 16, etc. Cada una de estas unidades de almacenamiento de informacin se referencia por medio de una direccin (Bus de Direcciones). La informacin viaja a la memoria a travs del Bus de Datos. Toda memoria posee tambin lneas de control : Lectura (Read) y Escritura (Write).

Diagrama Bloques
M E M

Direcciones

O R I

Datos N

Lneas Control R/W CS

Terminal de Direccin: selecciona una de las M palabras. o M ser potencia de 2 = 2m = M Terminal entrada/salida de datos: en ellos colocamos /sacamos los datos (N lneas) Terminal de control: Son los que permiten especificar si se desea realizar una operacin de escritura o de lectura, seleccionar el dispositivo. o Cs (chip select): Terminal para habilitar o deshabilitar datos o R/W o WE: selecciona la operacin de lectura o escritura.

o o

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Matriz de Almacenamiento de una memoria

celda

8 x1

8 x4

16 x4

Matriz 8 palabras de 1bits, matriz de 8 y 16 palabras de 4 bits o o o o o o

La informacin se almacena en una celda dispuesta por una fila y columna. Celda : elemento bsico de almacenamiento que contiene un 1 o un 0 Matriz de M filas y N columnas. Cada fila = palabra Cada Columna = longitud de palabra en bits. Ejemplo: memoria de 16x4 = 16 palabras de 4 bits. 1kbits = 1024 bits = 210 bits

Secuencia de operaciones bsica en una memoria.

Lectura: o Colocar la direccin de la palabra en las lneas de direccin. o Activar CS en 0 o Seleccionar operacin de lectura o Leer salida Escritura: o o o o Colocar la direccin de la palabra a escribir en las lneas de direccin. Colocar el dato en la entrada Activar chip Seleccionar escritura (datos anteriormente se perderan)

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SRAM: 6116

Bus de direcciones: Ao A10 = 211 = 2048 direcciones. Bus de datos: I/O0 I/O7 = longitud de palabra = 8bits Nro de bits capaz de almacenar = 2kx8 = 2048 x 8 = 16384 /CS: patilla de seleccin de chip /W : patilla de lectura/escritura