BAB IV SEMIKONDUKTOR

BAB IV SEMIKONDUKTOR
Perkembangan kemajuan elekronika sangat pesat dan telah menjadi tulang punggung dalam dunia modern. Kemajuan yang sangat cepat terjadi setalah ditemukannya komponen semikonduktor (zat padat) yang memberikan bayak sifatsifat listrik yang unik yang hampir dapat memecahka semua persoalan elektronika. Dengan ditemukannya semikonduktor maka komponen menjadi sangat ringan, murah dan sangat kompak, inilah dan persatuan luas mempunyai kepadatan rangkaian yang sangat tinggi, inilah yang mendorong penggunaan semikonduktor secara meluas, seperti teknologi komputer. Dalam bab ini menjelaskan secara sederhana mengenai material semikonduktor.

4.1. SEMIKONDUKTOR INTRINSIK

Semikonduktor dan Isolator dibedakan berdasarkan ukuran sela energi terlarang dalam semikonduktor, besar sela energi sedemikian sehingga jumlah elektron yang berarti dapat melompat melalui sela antara pita valensi yang terisi ke pita konduksi yang kosong (Gambar 4.1). Dalam semikonduktor sebagian elektron velensi melompati sela energi terlarang. Elektron adalah pembawa muatan negatif dalam pita konduksi. Lubang elektron merupakan pembawa muatan positif dalam pita valensi. Elektron dengan energi tambahan sekarang dapat membawa muatan ke elektron positif, disamping itu lubang elektron yang terjadi dalam pita valensi dapat menghantarkan muatan karena elektron yang terletak di bagian yang lebih dalam dari pita dapat bergerak ke atas mengisi level yang dikosongkan tadi.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

48

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Pita Konduksi

E = Eg
Sela

E=0

Elektron Konduksi Lubang elektron

Pita Valensi

Gambar 4.1 Pita valensi dan pita konduksi dalam Semikonduktor.

Tabel 4.1 Sela energi dalam unsur semikonduktor Pada 20o C Sela energi (energi gap) Unsur C (intan) Si Ge Sn(kelabu) 10-18 0,96 0,176 0,112 0,016 J eV ~6 1,1 0,7 0,1 Bagian dari elektron valensi dengan energi > Eg ~ 1/30 x 1021 ~ 1/1013 ~ 1/1010 ~ 1/5000 konduktivitas ohm-1.m-1

< 10 -16 5 x 10-4 2 106

Pada Gambar 4.2 terlihat sela energi untuk C (intan), Si, Ge, dan Sn (kelabu). Sela dalam intan terlalu besar untuk dapat menghasilkan sejumlah pembawa muatan, sehingga intan termasuk kelompok isolator (Tabel 4.1). Jumlah pembawa muatan meningkat kalau kita lihat dari kelompok IV susunan periodik ke silikon, germanium, dan timah putih; akibatnya konduktivitas meningkat.

Konduktivitas ini merupakan sifat dasar dari bahan dan tidak ditimbulkan oleh ketidakmurnian. Oleh karena itu disebut semikonduktivitas intrinsik.
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

49

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Struktur kristal intan diulangi dalam Gambar 4.3 (a). Setiap atom karbon mempunyai bilangan koordinasi 4 dan setiap pasangan atom tetangga membawa sepasang elektron. Semua unsur ini dapat mempunyai struktur yang sama dan mempunyai pita yang terisi. Karena timah putih memiliki sela energi yang terkecil, pada suhu ruang, ia mempunyai elektron yang terbanyak dalam pita konduksi (CB), oleh karena itu mempunyai konduktivutas tertinggi (lihat Tabel 5 4.1.).

CB

6 eV

1,1 eV

0,7 eV

0,1eV

VB Karbon (a) Silikon (b) Germanium (c) Timah putih (kelabu) Germanium (d) (c)

Gambar 4.2. Sela energi dalam unsur kelompok IV (Skematik).

a 3 4

(a)

(b)

Gambar 4.3. Struktur kristal dari semikonduktor yang terkenal. (a) Intan, Silikon, germanium, dan timah putih. (b) ZnS, GaP, GaAs, InP dsbnya. Kedua struktur ini serupa, kecuali ada dua jenis atom pada kedudukan yang berlainan dalam senyawa semikonduktor valensi per atom dan dua elektron per ikatan.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

50

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Silikon, germanium dan timah kelabu mempunyai struktur yang sama. Timah putih adalah polimorf yang dikenal. Stabil di atas suhu 13o C (tetapi dapat mengalami pendinginan lanjut). Timah putih (tpr) lebih padat daripada timah kelabu (
w

= 7,3 Mg/m3 = 7,3 g/ cm3 , sedang

= 5,7 Mg/ m3); oleh karena itu

pita energi timah putih saling tumpang tindih dan fase ini merupakan konduktor logam. Pada Gambar 4.4. terlihat secara skematis mekanisme semikonduktivitas untuk germanium. Keempat unsur Kelompok IV tersebut di atas merupakan satu-satunya unsur yang bersifat semikonduktor dengan struktur seperti Gambar 4.3(a). Beberapa senyawa III IV mempunyai struktur yang sama (Gambar 4.3b). Atom-atom unsur kelompok III dari tabel periodik (B, Al, Ga, In) bertukar letak dengan atom-atom Kelompok V (N, P, As, Sb). Hampir semua senyawa unsur dari ke-16 senyawa III V merupakan semikonduktor karena setiap atom memiliki empat tetangga, dan jumlah rata-rata elektron valensi yang terbagi adalah empat.

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge Ge Ge Ge

Ge Ge
Pita Konduksi

Ge
Sela

0,7eV

Ge Ge
Pita Valensi

(a)

(b)

(c)

Gambar 4.4. Semikonduktor intrisik (germanium). (a) Gambaran skematik. Menampilkan elektron dalam ikatan kovalen ( dan pita valensinya) (b) pasangan elektron hole (c) Sela energi, suatu elektron harus ditingkatkan energinya sehingga menghasilkan konduksi

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

51

BAB IV SEMIKONDUKTOR

4.1.1 Mobilitas Muatan Rumus mengenai konduktivitas harus diubah sehingga memenuhi Gambar 4.1 karena semikonduktor intrinsik mempunyai pembawa negatip dan positip. Elektron yang melompat ke pita konduksi disebut pembawa muatan jenis negatif. Konduktivitas yang dihasilkan tergantung pada mobolitas
n

dalam pita

konduksi semikonduktor. Lubang elektron yang terjadi dalam pita valensi merupakan pembawa muatan
p

jenis-positif.

Konduktivitas

yang

dihasilkan

tergantung pada mobilitas

dalam pita valensi semikonduktor. Konduktivitas

seluruhnya merupakan gabungan dari keduanya.

nnq

n pq

(4.1)

Dengan sendirinya, baik lubang maupun elektron membawa muatan dasar yang sama yaitu 0,16 x 10-18 Coulomb. Dalam semikonduktor intrinsik, dimana terdapat perbandingan

pembentukan elektron konduksi dan lubang, sama banding satu; nn = np ; pers. (4.1) dapat disederhanakan. Untuk semikonduktor ekstrinsik nn tidak sama dengan np sehingga bentuk pers. (4.1) tetap digunakan. Pada tabel 4.2 terdapat sifat-sifat dari beberapa semikonduktor. Kita dapat membuat dua pernyataan umum. 1. Besar sela energi biasanya berkurang bila kita bergerak dari (C Sn) atau (GaP periodik. 2. Mobilitas elektron dalam suatu semikonduktor lebih besar daripada mobilitas lubang elektron dalam semikonduktor yang sama ). Hubungan ini berlaku untuk semua semikonduktor yang ada di tabel 4.2, dengan kemungkinan pengecualian AlSb, karena data mobilitas belum dapat ditentukan dengan teliti. Perbedaan ini penting artinya ketika membahas kegunaan semikonduktor jenis - n dibandingkan dengan semikonduktor jenis - p .
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

Si

Ge

GaAs

GaSb), atau (AISb

GaSb

InSb) dalam Tabel

52

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Tabel 4.2. Sifat beberapa semikonduktor umum (20o C)* Mobilitas M2 /Volt/detik Bahan Sela Energi Eg , 10-18 J eV
n p

Konduktivitas intrinsik ohm-1.m-1 <10-16 5 x 10-4 2 106

Konstanta kisi a,nm 0,357 0,543 0,566 0,649

Unsur C(intan) Silikon Germanium Timah putih Senyawa AlSb GaP GaAs GaSb InP InAs InSb ZnS 0,26 0,37 0,22 0,11 0,21 0,058 0,029 0,59 1,6 2,3 0,02 0,019 0,012 0,04 0,08 0,015 0,026 0,17 500 104 10- 6 0,613 0,545 0,565 0,612 0,587 0,604 0,648 0,9 0,176 0,112 0,016 ~6 1,1 0,7 0,1 0,17 0,19 0,36 0,20 0,12 0,0425 0,23 0,10

1,4 0,88 0,7 1,3 0,36 0,18 3,7 3 0,60 0,47 2,26 8,2

0,014 0,0005 0,01 0,002

SiC(heksagonal) 0,48

* dikumpulkan oleh B. Matters.

4.1.2 Semikonduktivitas (intrinsik) sebagai fungsi dari suhu Tidak seperti logam, yang mengalami kenaikan tahanan dalam penurunan konduktivitas bila suhu lebih tinggi, konduktivitas semikonduktor intrinsik meningkat dengan naiknya suhu. Hal ini dapat dijelaskan sebagai berikut: jumlah pembawa muatan, n, bertambah sebanding dengan jumlah elektron yang dapat melompati sela. Pada suhu 0o K, tidak ada elektron yang mampunyai cukup energi untuk melompat; akan tetapi dengan naiknya suhu, energi; elektron bertambah.
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

53

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Pada 20o C, sejumlah elektron valensi dalam silikon, germanium dan timah memilki energi melebihi Eg , yaitu energi sela. Hal yang sama terjadi pada semikonduktor senyawa. Distribusi elektron yang mendapat energi termal adalah

ni

(g E)/kT

(4.2a)

dimana, ni adalah jumlah elektron/ m3 dalam pita konduksi (atau jumlah lubang/ m3 dalam pita valensi). Dalam sela energi terlarang dari semikonduktor intrinsik. Energi rata-rata E terdapat ditengah-tengah sela, Eg/2. Oleh karena itu

ni

Eg/2kT

(4.2b)

T adalah suhu absolut (K) dan k adalah konstanta Bolztman dan dinyatakan dalam 86,1 x 10- 6 eV/K dan bukan 13,8 x 10 Konduktivitas karena itu;
0
24

J/K.

berbanding lurus dengan jumlah pembawa muatan, n ; oleh

Eg / 2 kT

(4.3a)

dimana
0

adalah konstanta pembanding yang mencakup faktor-faktor, q dan . Mobilitas memang tergantung pada suhu akan tetapi perubahan tersebut berada dalam

batas-batas daerah kerja semikonduktor umumnya dan kecil dibandingkan dengan perubahan eksponensil dari jumlah pembawa muatan n. Jadi kita dapat menuliskan kembali persamaan terakhir dalam bentuk Arrhenius;

In

In

Eg / 2kT .

(4.3b)

Bila konduktivitas (atau tahanan) semikonduktor diukur di laboratorium maka Eg dapat ditentukan dari kemiringan kurva, InT terhadap Eg yaitu kemiringan =-Eg/2k. Sebaliknya bila diketahui Eg dan , kita dapat menghitung pada suhu tertentu.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

54

BAB IV SEMIKONDUKTOR

4.1.3 Foto Konduksi Kemungkinan bagi suatu elektron pita valensi silikon untuk memperoleh energi tambahan dengan agitasi termal sehingga dapat melompati sela energi dan masuk ke pita konduksi adalah kecil sekali (~ 1 dalam 1013 , sesuai tabel 4.1). Sebaliknya, foton sinar merah ( = 660 nm) mempunyai energi sebesar 1,9 eV

yang jauh lebih besar dari energi yang diperlukan suatu elektron untuk melompati sela energi 1.1 eV dalam silikon (Gamb. 4.5). Jadi konduktivitas silikon meningkat dengan menyolok karena aktivitas foto bila terkena cahaya.
Pita Konduksi Eg Sela 0 Foton Pita Valensi

Gambar 4.5. Fotokonduksi, Suatu foton (yaitu energi cahaya) memacu elektron agar melompati sela energi. Mengahasilkan sepasang elektron konduksi dan lubang Valensi atau pasangan pembawa muatan. Penggabungan Kembali terjadi ketika elektron masuk Kembali ke dalam pita valensi. 4.1.4 Penggabungan kembali Reaksi yang menghasilkan pasangan elektron-lubang, sebagaimana terlihat pada Gambar 4.5 dapat ditulis sebagai: E n+p (4.4a)

Dimana E adalah energi, n adalah elektron konduksi dan p adalah lubang dalam pita valensi. Dalam hal ini energi berasal dari cahaya, akan tetapi dapat pula berasal dari sumber energi lain seperti panas atau elektron berkecepatan tinggi.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

55

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Karena semua bahan lebih stabil bila energi berkurang, pasangan elektron lubang, cepat atau lambat akan menggabung kembali:

n+p

(4.4b)

Elektron masuk kembali ke pita valensi dari pita konduksi, terjadi kebalikan dari Gambar 4.4(c). Karena cahaya atau sumber energi lainnya terus-menerus menghasilkan pasangan elektron-lubang tambahan, pita konduksi tidak kehabisan pasangan. Waktu yang diperlukan untuk penggabungan kembali berbeda dari bahan ke bahan. Namun mengikuti pola yang sama, dalam bahan tertentu, setiap elektron konduksi mempunyai kemungkinan yang sama untuk bergabung kembali dalam batas tertentu (detik atau menit). Hal ini menghasilkan persamaan :

N
yang dapat disusun kembali menjadi :

N 0e

t/

(4.5a)

In( N 0 / N )

t/

(4.5b)

Pada persamaan ini, No adalah jumlah elektron dalam pita konduktor pada saat tertentu (misalkan, saat cahaya dipadamkan). Setelah waktu t tertentu jumlah elektron konduksi yang tersisa adalah N. disebut waktu relaksasi atau waktu

penggabungan kembali merupakan karakteristik beban. 4.1.5 Perpendaran cahaya Energi yang dilepaskan pada pers. (4.4b) dapat berbentuk kalor atau cahaya. Bila demikian halnya, maka disebut perpendaran cahaya (Gambar 4.6) Kadang kadang perpendaran cahaya dibagi dalam beberapa kelompok.
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

56

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Perpendaharaan cahaya foto adalah cahaya yang dipancarkan setelah elektron di aktivi oleh foton cahaya dan memasuki pita konduksi. Istilah perpendaraan cahaya kimia digunakan bila aktivasi mula berasal dari reaksi kimia. Perpendaraan cahaya elektro terjadi pada tabung TV, disini suatu berkas elektron (berkas sinar katoda ) menyusuri layar, mengaktivi elektron dalam fosfor sehingga memasuki pita konduksi. Pada saat yang bersamaan, elektron dan lubang bergabung kembali, memancarkan energi dalam bentuk cahaya tampak.

Pita Konduksi Eg Sela 0 Foton Pita Valensi

Gambar 4.6. Perpendaran cahaya. Tiap detik, sebagian dari elektron yang memperoleh energi tambahan dan mencapai pita konduksi kembali ke pita valensi. Pada saat elektron turun melalui sela, energi dibebaskan dalam bentuk toton cahaya.

Karena laju penggabungan kembali sebanding dengan jumlah, elektron yang diaktivi, intensitas perpendaran cahaya memenuhi persmaan 4. 5b: In(Io /I) = t/ (4.7)

Untuk tabung TV, ahli teknik memilih fosfor dengan waktu relaksasi sedemikian sehingga cahaya dipancarkan terus menerus sampai penyusuran berikutnya. Jadi mata kita tidak akan mengamati kilauan terang-gelap. Namun,

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

57

BAB IV SEMIKONDUKTOR

identitas cahaya dari runutan sebelumnya harus lemah sehingga tidak melebihi runutan berikutnya dengan selang waktu 1/30 detik. Sarana pembantu belajar (semikonduktor intrinsik). Dalam buku study Aids for Introductory Material Courses terdapat satu bagian mengenai semikonduktor intrinsik dimana dibahas pita energi, konduktor, semikonduktor, Isolator,

hubungan antara konduktivitas dengan ukuran sela dan suhu. Beberapa gambar tambahan menjelaskan cara kerja beberapa alat semikonduktor intrinsik.

4.2. SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK

4.2.1 Semikonduktor jenis n Ketidakmurnian mempengaruhi karakteristik bahan semikonduktor dengan menimbulkan elektron dan lubang elektron tambahan. Ambillah silikon yang mengandung fosfor sebagai contoh. Fosfor mempunyai lima elektron valensi sedang silikon memiliki empat elektron. Pada Gambar 4.7(a), elektron tambahan tetap ada, terpisah dari pasangan elektron yang merupakan ikatan antara atom yang berdekatan elektron ini dapat membawa muatan ke arah elektroda positif (Gambar 4.7b). Sebaliknya, dalam Gambar 4.7(c) elektron tambahan yang tidak dapat tinggal dalam pita valensi karena pita ini sudah penuh menempati kedudukan dekat puncak sela energi. Dari tempat ini yaitu level donor Ed elektron tambahan tadi dengan

mudah dapat diaktivitasikan memasuki pita konduksi. Tanpa mengindahkan jenis model yang digunakan, Gambar 4.7(b) atau 4.7(c), Atom-atom kelompok V (N, P, As dan Sb) dari tabel periodik dapat menghasilkan pembawa muatan negatif, atau jenis n, untuk semikonduktor.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

58

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si P Si Si (a)

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si

Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si (b)

Si Si

Pita konduksi

Ed
Sela

Eg +
0 Level donor

Pita valensi (c)

Gambar 4.7. Semikonduktor ekstrinsik (jenisn). Atom grup V merupakan elektron valensi tambahan disamping keempat lainnya, seperti terlihat pada Gamb. 4.3 Elektron yang kelima dapat terlepas dari atom induk dengan energi tambahan sedikit saja, dan diberikan pada pita konduksi sebagai pembawa muatan. Level energi donor, Ed, sedikit dibawah puncak sela Energi. (a) jenis n, seperti fosfor. (b) Atom fosfor yang terionisir (elektroda positif berada disebelah kiri).(c) Model pita.

4.2.2 Semikonduktor jenis p Kelompok III (B, Al, Ga dan In) hanya mempunyai tiga elektron valensi. Oleh karena itu bila unsur tersebut ditambahkan pada silikon sebagai ketidakmurnian, terjadilah lubang elektron. Pada Gambar 4.8(a) dan (b) terlihat bahwa setiap atom aluminium dapat menerima sebuah elektron. Dalam proses ini, suatu muatan positif bergerak mendekati elektrode negatif. Menggunakan pita Gambar 4.8(c) tercatat bahwa perbedaan enersi untuk elektron agar dapat pindah dari pita valensi ke level akseptor, Ea, jauh kurang dari sela energi penuh. Oleh karena itu, elektron lebih mudah diaktivasikan untuk menduduki tempat akseptor

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

59

BAB IV SEMIKONDUKTOR

dibandingkan dengan pita konduksi. Lubang elektron yang tertinggal dalam pita valensi dapat menjadi pembawa muatan positif untuk semikonduktor jenis p.

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si
Al

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si
Al

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si (a)

Si Si
(b)

Pita konduksi Sela Ea

Eg

Pita valensi (c)

Gambar 4.8. Semikonduktor ekstrinsik (jenis-p). Atom-atom unsur kelompok III kurang satu elektron valensi dari rata-rata empat elektron seperti terlihat pada Gamb. 4.3. Atom ini dapat menerima sebuah dari pita valensi, sehingga Akseptor elektron meninggalkan sebuah lubang elektron level sebagai pembawa muatan. Level energi akseptor,Ea, sedikit di atas bagian bawah sela energi. (a) ketidakmurnian jenis-p seperti aluminium yang teriosinir (elektroda negatif di sebelah kanan), (c) Model pita.

4.2.3 Kehabisan donor (dan kejenuhan ekseptor) Karena elektron donor hanya memerlukan lompatan kecil saja untuk memasuki pita konduksi, mereka menimbulkan konduktivitas ekstrinsik pada suhu yang relatif rendah. Bila suhu ditingkatkan, kemiringan kurva Arrhenius menjadi (Eg Ed )/k sebagai mana terlihat pada Gambar 4.9.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

60

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Bila ketidak-murnian donor terbatas (misalnya: 1021 P/m3 dalam silikon), hampir semua elektron donasi bergerak memasuki pita konduksi pada suhu di bawah suhu pemakaian biasa. Persediaan ini telah terkuras habis. Persediaan telah habis terkuras. Pada contoh 1021/ m3 di atas, konduktivitas ekstrinsik adalah :
ex

= (1021 /m3) (0,16 x 10-18 A.sek) (0,19 m2 /V.sek) = 30 ohm -1.m-1.

Kemiringan Eg /zk Jangkau terkuras

Konduktivitas, In

Pembawa ketidak-murnian Kemiringan ( Eg Ed ) /k

Pembawa Intrinsik

Tinggi

1/293 K Suhu, Skala 1/ T

Rendah

Gambar 4.9. Kehabisan donor. Konduktor intrinsik (kurva sebelah kiri) dan ekstrinsik (kurva sebelah kanan ) masing- masing memerlukan energi Eg dan (EgEd), untuk meningkatkan elektron ke pita konduksi. Pada suhu yang lebih rendah, elektron donorlah yang menjadi penghantar. Pengurasan terjadi bila semua elektron donor telah memasuki pita konduksi, dan suhu belum cukup tinggi untuk memungkinkan elektron valensi melompati sela energi. Konduktivitas hampir tetap pada daerah suhu ini. Konduktivitas ekstrinsik tidak akan naik terus menerus dengan naiknya suhu dan akan dijumpai dataran konduktivitas. Sementara itu, konduktivitas intrinsik sangat rendah pada semikonduktor seperti silikon (5x10
4 1, 1 o

ohm

pada 20

C sesuai Tabel 4.1). kurva

Arheniusnya terdapat disebelah kiri Gamb. 4.50, dengan kemiringan intrinsik -Eg
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

61

BAB IV SEMIKONDUKTOR

/2k, yaitu,

1,1 eV/ 2k = 6400 K. Hanya pada suhu tinggi saja konduktivitas

keseluruhan naik mencapai nilai diatas dataran terkuras. Pengurasan donor semikonduktor jenis n mirip dengan penjenuhan akseptor semikonduktor jenis p (Pembaca dipersilahkan merujuk pada pasal-

pasal sebelumnya untuk analogi kejenuhan). Pengurasan donor dan penjenuhan akseptor penting bagi ahli teknik bahan dan listrik, karena keadaan ini menghasilkan daerah dimana konduktivitas dapat dianggap konstan. Hal ini berarti bahwa tidak perlu diadakan kompensasi untuk perubahan suhu dalam rangkaian listrik kecuali jika karakteristik log menerus naik. 4.2.4 Semikonduktor cacat Oksida besi memilki ion Fe3+ disamping ion Fe2+. Hal yang sama terdapat pada Gambar 4.10(a) dimana NiO teroksidasi membentuk ion Ni3+, suatu hal yang lazim pada oksidasi logam transisi yang memiliki valensi ganda. Pada oksida nikel, tiga Ni2+ digantikan oleh dua Ni3+ dan satu kekosongan . Dengan demikian terhadap 1/ T mengikuti garis yang terus

keseimbangan muatan terpelihara; dan difusi lebih mudah demikian pula konduktivitas ion. Akan tetapi hal lebih penting adalah kenyataan bahwa elektron dapat melompat dari ion Ni2+ ke letak akseptor dalam ion Ni3+. Sebaliknya, suatu lubang elektron bergerak dari ion nikel yang satu ke ion lainnya dalam pergerakannya ke elektroda negatif. Oksida nikel dan oksida lainnya dengan struktur M1
x

O yang tercatat adalah semikonduktor jenis

p.

Selain itu terdapat pula oksida jenis

n. Oksida seng, bila berada dalam

atmosfir reduksi, menjadi Zn1+yO dengan hilangnya oksigen. Akan tetapi dalam hal ini kekosongan oksigen tidak terbentuk. Ion seng menduduki letak interstisi (Gamb. 4.10b). Ion Zn+ yang timbul untuk mengimbangi muatan memiliki kelebihan satu elektron dibandingkan dengan ion-ion Zn2+ lainnya. Ion-ion lainnya ini dapat memberikan elektron pada pita konduksi menghasilkan semikonduktivitas jenis n.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

62

BAB IV SEMIKONDUKTOR

O2-

Ni3+

Kekosongan

Ni3+

O2-

Zn2+

Zn+

CB

Donor

Akseptor
VB

(a)

(b)

Gambar 4.10. Semikonduktor cacat. (a) Ni1-xO. Ion Ni3+ menjadi akseptor elektron, sehingga lubang O terbentuk dalam pita valensi. (b) Zn1+yO. Ion Zn+ merupakan donor elektron, , pada pita konduksi untuk semikonduktor jenis n.

4.3 PERANGKAT SEMIKONDUKTOR(SEMICONDUCTOR DEVICES)

Semikonduktor banyak digunakan dalam alat-peralatan elektronika. kita akan membahas beberapa diantaranya 4.3.1 Alat konduksi dan tahanan Telah kita ketahui bahwa konduktivitas dari foto konduktor tergantung pada jumlah sinar datang. Kemampuan inilah yang digunakan dalam alat penginderaan cahaya. Radiasi tidak perlu dapat dilihat dapat berupa sinar ultraviolet atau

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

63

BAB IV SEMIKONDUKTOR

inframerah, asalkan foton memiliki energi yang setara atau lebih besar daripada sela energi. Alat jenis kedua adalah termistor, yaitu suatu semikonduktor dengan tahanan yang telah dikalibrasi terhadap suhu. Bila sela energi besar, sehingga kurva In terhadap 1/ T terjal , maka dapat dirancang suatu termistor yang dapat
40 o

mencatat perubahan bahan suhu sebesar 10

C.

Karena banyak bahan semikondktor mempunyai faktor tumpukan yang rendah, mereka memiliki kompresibilitas yang tinggi. Percobaan menunjukkan bahwa bila volum ditekan, ukuran sela energi turun; hal ini dengan sendiirinya meningkatkan jumlah elektron yang dapat melompati sela energi. Dengan demikian tekan dikalibrasikan terhadap tahanan untuk alat pengukur tekanan. Alat foto multiflier bekerja berdasarkan aktivitas elektron, pertama oleh foton dan kemudian oleh elektron-elektron sendiri. Sebagai contoh, misalkan ada sumber cahaya yang sangat lemah, berupa sebuah foton yang mengenai elektron valensi. Mata kita tidak mungkin dapat mengamatinya. Akan tetapi bila elektron tadi ditingkatkan sampai pita konduksi dan sekaligus berada dalam medan listrik yang kuat sekali, elektron itu akan dipercepat sampai mencapai kecepatan tinggi dan energi tinggi. Elektron ini juga dapat mengaktivasi elektron atau beberapa elektron lainnya yang juga dapat dipengaruhi oleh medan yang kuat. Efek penggandaan ini dapat dimanfaatkan. Suatu signal cahaya yang sangat lemah dapat diperbesar. Melalui pengfokusan yang baik, suatu benda dalam kegelapan akan dapat dilihat.

4.3.2 Alat junction (dioda) Beberapa peralatan menggunakan sambungan antara semikonduktor jenis n dan jenis p, yang paling sering digunakan adalah LED (dioda pemancar cahaya) LED ini digunakan pada display digital (merah) yang ditempatkan di

kalkulator. Prinsip kerja LED terlhat pada Gambar 4.11. Pembawa muatan pada

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

64

BAB IV SEMIKONDUKTOR

sisi-n dan sisi p dari junction adalah elektron dan lubang. Bila arus melalui alat dalam arah seperti terlihat pada gambar, lubang dalam pita valensi bergerak melalui junction kedalam bahan jenis n, sebaliknya elektron pita konduksi memasuki bahan jenis p, Berdekatan dengan junction terdapat pembawa muatan yang berlebihan yang bergabung kembali dan menghasilkan perpendaran cahaya. n+p foton (4.8)

Bila digunakan GaAs, foton yang dikeluarkan dalam daerah penggabungan kembali berwarna merah; GaP akan menghasilkan foton hijau.
Daerah penggabungan kembali foton

Elektron

Arus

(a)

(b)

Gambar 4.11. Dioda pemancar cahaya, (a) suatu LED adalah alat yang terdiri dari junction antara semikonduktor jenis n dan jenis p, (b) Bila terdapat kecenderungan kemuka pada pada junction, kedua jenis pembawa muatan melintasi junction dimana keduanya bergabung dan menghasilkan sebuah foton. Junction pada Gambar 4.11 dapat juga digunakan sebagai penyearah arus (rectifier); yaitu menjadi suatu check valve yang dapat melakukan arus dalam suatu arah dan tidak sebaliknya. Dengan bias maju sesuai Gambar 4.12(a), arus dapat lewat karena pembawa muatan baik elektron maupun lubang bergerak melalui junction. Dengan bias balik sesuai Gambar 4.12(b), pembawa muatan

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

65

BAB IV SEMIKONDUKTOR

tertarik menjauhi kedua sisi junctin, meninggalkan daerah yang kekurangan pembawa muatan atau daerah isolasi pada pada junction.

Bila tegangan ditingkatkan daerah yang kosong betambah besar. Arus hanya dapat mengalir pada bias maju.

Daerah penggabungan kembali (recombination zone)

Daerah Isolasi

Elektron

Arus

(a) Bias maju.

(b) Bias terbalik.

Gambar 4.12. Penyearah arus (rectifier). (a) Arus mengalir denga bias maju karena pembawa muatan melalui junction. (b) Dengan bias terbalik, pembawa muatan meninggalkan daerah junction. konduktivitas ekstrinsik menghilang dari daerah junction dan hanya tersisa sejumlah kecil konduktivitas Intrinsik.

Hal ini berlaku untuk jangkau tegangan balik yang cukup besar. Akan tetapi, ada suatu titik, di mana arus dapat lewat karena terjadi suatu hubung-singkatan ada di daerah kosong. Khususnya, beberapa pembawa muatan yang ada di daerah kosong dipercepat hingga mencapai kecepatan tinggi oleh perbedaan potensial yang tajam. Sama halnya dengan alat fotomultilflier yang telah diuraikan tadi, elektron berenergi tinggi dapat melepaskan elektron lainnya. Terjadi banjir yang menghasilkan arus yang besar. Pada hakikatnya, kita-kini memiliki pengaman yang terbuka pada tegangan tertentu. katup

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

66

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Dioda, berdasarkan prinsip tersebut di atas, dapat dirancang untuk tegangan tembus antara 1 atau 2 Volt hingga beberapa ratus volt dengan arus yang berkisar dari milliamper hingga beberapa amper. Dioda yang disebut dioda zener, dapat digunakan sebagai filter, gate dan pengontrol voltage tetap.

4.3.3 Transistor Transistor adalah alat junction yang dapat memperkuat sinyal yang lemah menjadi besaran yang lebih kuat dan dapat dimanfaatkan. Transistor paling sederhana memanfaatkan daerah yang kekurangan pembawa-muatan untuk memperkuat keluaran (output) suatu rangkaian. Ini disebut transistor-efek medan (FET. field-effect-transistor ). Pada Gambar 4.13, junction p-n, oleh sinyal masuk menjadi bias balikan. Dengan perubahannya sinyal, daerah yang kekurangan

pembawa-muatan berubah dan dengan demikian mengubah resistivitas antara sumber dan penerima. Sebalikya, arus yang mangalir ke luar berubah secara terkendali. Sinyal yang lemah dapat menghasilkan fluktuasi arus yang berarti.

Gate

p Daerah yang kekurangan Saluran konduksi n Masukan

Penerima

Sumber

Gambar 4.13. Transistor (efek-medan). Di sini digunakan junction n-p tunggal. Tegangan pada gate yang bersifat bias-balikan mengubah lebar daerah yang kekurangan dan kerenanya penampang saluran konduksi antara sumber dan penerima. Perubahan kecil saja pada tegangan masuk menghasilkan perubahan besar pada arus yang melalui saluran konduksi.
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

67

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Dikenal transistor umum dengan dua junction yang dihubungkan secara seri. Jenisnya adalah p-n-p atau n-p-n dan disebut transistor junction. Jenis pertama banyak digunakan pada waktu dahulu ; akan tetapi, kita akan membahas transistor n-p-n, karena lebih mudah menggambarkan pergerakan elektron dibandingkan dengan pergerakan lubang. Namun prinsipnya sama saja. Sebelum membahas susunan transistor, perlu diingat kembali bahwa jika lubang bergerak melintasi junction dengan bias maju (Gambar 4.12a), mereka akan bergabung kembali dengan elektron dalam bahan jenis-n sesuai pers. (4.4b). Elektron bergabung dengan lubang ketika elektron melintasi junction dan memasuki bahan jenis-p. Namun, reaksi Pers. (4.4b) tidak terjadi seketika itu. Sebenarnya, kelebihan jumlah pembawa-muatan positif dan negatif dapat bergerak cukup jauh melewati junction, Jumlah pembawa-muatan yang tidak bergabung kembali yang berlebihan merupakan fungsi eksponensial dari tegangan terpasang dan penting untuk operasi transistor.
n
p

Pemancar

Basis

Kolektor

Ve

Ve

Gambar 4.14. Transistor (n p n) jumlah elektron yang melintas dari junction pemancar sangat peka terhadap tegangan pemancar. Bila basis sempit, pembawa muatan ini bergerak ke junction basis kolektor dan lebih jauh lagi sebelum menggabung kembali. Jumlah arus fluks total, dari pemancar ke basis, dibesarkan oleh fluktuasi dalam tegangan pemancar.
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

68

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Suatu transistor terdiri dari pemancar, basis, dan kolektor. (Gambar. 6.14). Untuk sementara, baiklah ditinjau junction pemancar saja yang biased

sedemikian rupa sehingga elektron bergerak ke basis (dan menuju ke kolektor). Sebagai mana telah diuraikan sebelumnya, jumlah elektron yang melintasi junction ini dan memasuki bahan jenis p merupakan fungsi eksponensil dari tegangan pemancar, Ve. Dengan sendirinya, elektron-elektron tersebut serentak mulai bergabung dengan lubang-lubang dalam basis, akan tetapi bila base sempit, atau bila waktu penggabungan kembali lama ( pada pers. 4.5). elektron akan terus bergerak bebas kerena kolektor merupakan semikonduktor jenis n, Arus total yang mengalir melalui kolektor dikendalikan oleh tegangan pemancar, Ve. Bila tegangan pemancar berubah-ubah, arus kolektor, lc berubah secara eksponensil. Secara logaritmis dapat ditulis sebagai berikut :

In Ic In Io + Ve /B, atau

(4.9a)

IC

I O e Ve /B ,

(4.9b)

dimana I o dan B merupakan konstan. Jadi, bila tegangan dalam pemamcar dinaikkan sedikit saja, pertambahan arus cukup besar. Hubungan inilah yang menyebabkan mengapa transistor digunakan sebagai amplifier.

4.4 PEMROSESAN SEMIKONDUKTOR

Komposisi semikonduktor sangat menentukan. Beberapa jenis

ketidakmurnian merupakan pembawa donor dan pembawa negatif (jenis-n); jenis lain lagi merupakan pembawa akseptor dan pembawa negatif (jenis-p). Dopant ini meskipun sengaja ditambahkan, jumlahnya harus terkontrol dengan ketat hingga level perjutaan (ppm) bahkan kurang. Oleh karena itu, biasanya silikon dimurnikan

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

69

BAB IV SEMIKONDUKTOR

(atau semikonduktor lainnya) semurni mungkin, kemudian baru ditambahkan dopant tepat sesuai diinginkan.

4.4.1 Pertumbuhan kristal Untuk sebagian besar pemakaian semikonduktor diperlukan kristal tunggal, karena batas butir mengurangi mobilitas pembawa muatan dan mengurangi waktu rekombinasi pembawa muatan terlebih. Pengurangan waktu rekombinasi

mempengaruhi daya guna sejumlah peralatan junction. Penumbuhan kristal biasanya memanfaatkan salah satu dari dua teknik yang dikenal dalam teknologi semikonduktor, yaitu metode penarikan kristal dan metode zona-mengambang (Gambar 4.15).

(b ) Gambar 4.15. Pertumbuhan kristal tunggal semikonduktor (a) metode penarikan kristal, benih berupa kristal tunggal ditarik ke atas perlahan-lahan. Cairan berkristalisasi pada permukaan bawah, (b) Prosedur zona mengambang. Zona atau daerah cair diangkat sepanjang semikonduktor yang membeku pada bagian bawah sebagai suatu kristal tunggal. Cairan tetap berada pada posisinya oleh tegangan permukaan dan tidak bersinggungan dengan wadahnya. (a)

Pertama-tama bahan semikonduktor lebur; kemudian benih kristal tunggal dikenakan kepermukaan dan ditarik keatas dengan perlahan-lahan (~ 1 mm/menit) sambil diputar (~ 1/ det). Bila cairan sedikit di atas titik cairnya, maka akan
Diktat Kuliah Material Elektroteknik

70

BAB IV SEMIKONDUKTOR

membeku pada kristal benih ketika benih ditarik ke atas. Atom bersolidifikasi sesuai dengan struktur kristal benih. Dapat ditambahkan bahan dopant kelompok III atau kelompok V pada bahan cair dalam jumlah (~ 10 diperlukan untuk menghasilkan produk jenis-p dan n. Teknik tersebut (Gambar 4.15a) cukup memuaskan untuk germanium dan bahan lain yang mencair di bawah 1000 oC. Namun, kurang sesuai untuk silikon. Silikon mencair di atas 1400 oC dan, oleh karena itu lebih mudah terkena kotoran yang berasal dari tempat dan dinding dapur. Selain itu, dopant mudah menguap hingga pengendalian komposisi lebih sulit, oleh karena itu digunakan proses daerah mengambang. Zona mengambang diawali dengan batang (diameter > 5 cm ) dari silikon polikristalin yang telah dimurnikan. yang berada di atas piring kristal tunggal yang telah dipersiapkan. Keduanya mencair ditempat bersinggungan dengan pemanasan r-f. kumparan r-f diangkat perlahan-lahan (Gambar 4.15b) untuk menggerakkan daerah yang cair ke arah atas. Bahan polikristal mencair mengikuti pergerakan ke atas dan mengumpan zona cair. Kristal tunggal awal tumbuh ke atas mengikuti pergerakan daerah bawah yang cair yang kemudian mencair. Sama dengan proses penarikan kristal, pergerakan ke atas dari zona cair adalah sekitar ~1 mm/menit. Kemudian batang dipotong-potong menjadi keping yang halus (~ 0,25 mm). keping tersebut dipolis dan diberikan secara kimia, kemudian ditambahkan dopant pada lapisan epitaksial. Lapisan ini adalah lapisan yang tumbuh pada permukaan sebagai kelanjutan kristal yang berada di bawahnya. Pertumbuhan berasal dari campuran gas dengan komposisi sedemikian rupa sehingga lapisan jenis-n atau jenis-p. SiCl4H2 dan PH3 untuk silikon jenis-n, dan SiCl4, H2, dan B2H6 untuk silikon jenis-p.
6

% atom) yang

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

71

BAB IV SEMIKONDUKTOR

4.5. CONTO-CONTOH SOAL

1. (a) Beberapa bagian dari muatan dalam silikon intrinsik berasal dari elektron ? (b) Dari lubang elektron ? Jawab: Dari Pers. (4.1) dan tabel 4.2 dengan nn = nP untuk semikonduktor intrinsik
n

/(

p)

= (0,19 m2 /V. det )/(0,2325 m2 /V .det) = 0,82

p

= 0,18.

Catatan: Konduktivitas dalam pita konduksi lebih tinggi dari konduktivitas lubang elektron dalam pita valensi.

2. Dari Tabel 4.2, diketahui bahwa senyawa arsen gallium mempunyai konduktivitas intrinsik sebesar 10
6

ohm-1.m-1 pada

20 0C. Berapa jumlah

elektron yang melompati celah energi ? Jawab : Dari pers. (4.1.). n = (10-6 ohm-1 m-1)/(0,16 x 10-18 amp.detik)(0,88+0,04 m2/V. detik) = 6,8 x 1012 /m3 Catatan: Terdapat 1,36 x 1013 pembawa / m3 kerena untuk setiap elektron yang diaktivir melompati sela energi tersedia satu lubang elektron.

3.

Setiap atom timah kelabu memiliki 4 elektron valensi. Ukuran sel satuan (Gamb. 4.3a) adalah 0,649 nm. Perhitungan tersendiri menunjukkan bahwa ada 2x 025 elektron konduksi perm3. Berapa bagian dari elektron telah diaktivir hingga pita konduksi ? Jawab: Menurut Gamb. 4.3. terdapat 8 atom per sel satuan Elektron valensi /cm3 =
(8atom / selsatuan)(4cl / atom) (0,649x10 9 cm)3 / selsatuan

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

72

BAB IV SEMIKONDUKTOR

= 1,17 x 1029 /m3. Bagian yang diaktivir =

2 x1025 1,17 x1029 0,0002

4. Tahanan germanium pada 20 0C adalah 0,5 ohm.m. Berapa tehanannya pada 400 C ? Jawab : berdasarkan Pers. (4.3) dan sela energi sebesar 0,7 eV (Tabel 4.2):
2 1 1 2 0e 0e Eg / 2 kT2 Eg / 2 kT1

In

Eg
2

2k

1 T1

1 . T2
1 3I3K

=
2/ 1

0,7eV 1 6 2, (86,1 10 eV / K ) 293K

0,9.

= ~ 2,5.

Jadi bila

20

= 0,5 0hm.m.

40 0 C

= 0,2 ohm.m.

5. Berkas tabung TV menyusuri layar dengan kecepatan 30 rangka per detik. Berapa waktu relaksasi dari elektron fosfor yang diaktivir bila intensitas sisa adalah 20% pada penyusuran berikutnya ? Jawab : Dari pers. (4.7). In(1,00/0,20) = (0,033 detik )/ = 0,02 detik. Catatan: Kita gunakan istilah pendar fluor bila waktu relaksasi pendek

dibandingkan dengan waktu relaksasi visual kita. Bila perpendaran cahaya memiliki waktu pijar sisa yang berarti, kita menggunakan istilah pender fosfor.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

73

BAB IV SEMIKONDUKTOR

6. Sesuai dengan Tabel ohm 1.m

1

4.2. silikon mempunyai konduktivitas sebesar 5x10

1

dalam keadaan murni. Seorang ahli teknik ingin menghasilkan bila ditambahkan aluminium sebagai

konduktivitas sebesar 200 ohm 1.m

ketidakmurnian. Berapa jumlah atom aluminium per m3 ? Jawab: Karena konduktivitas intrinsik rendah dibandingkan dengan 200 ohm 1,m 1, hampir semua konduktivitas dihasilkan oleh lubang yang berasal dari atom akseptor : np = (200 ohm 1,m 1)/(0,16 x 10 = 3 x 1023 /m3 . Catatan : setiap aluminium menghasilkan satu letak akseptor dan satu lubang elektron. oleh karena itu diperlukan 3x1022 atom aluminium perm3. Jumlah yang cukup besar, akan tetapi masih kecil (0,6 ppm) dibandingkan dengan jumlah atom silikon per-m3 (lihat soal 1a).
18

amp sek )(0,0425 m2/volt sek)

7. Transistor terdahulu menggunakan germanium dengan tahanan ekstrinsik sebesar 0,02 ohm.m dan konsentrasi elektron konduksi sebesar 0,87x1021 /m3 (a) Hitunglah mobilitas elektron dalam germanium (b) Sebutkan unsur ketidak murnian yang dapat ditambahkan pada germanium agar menghasilkan elektron konduksi. Jawab: Karena kita sedang membahas konduktivitas ekstrinsik elektron, yaitu jenis-n. a)
n

= 1/(0,02 ohm.m) (0,87 x 1021 /m3 ) (0,16 x 10 = 0,36 m3 /volt.sek

18

amp sek)

b)

Unsur Kelompok V: N, P,As, Sb.

Catatan: Mobilitas elektron tidak tergantung pada unsur kelompok V yang ditambahkan karena elektron, sekali mamasuki pita konduksi, bergerak melalui kisi silikon tidak tergantung pada donor.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

74

BAB IV SEMIKONDUKTOR

Unsur Kelompok VI dapat juga ditambahkan. Karena mereka memiliki elektron tambahan kedua (disamping empat lainnya utuk ikatan ), hanya dipulukan 0,4x1021/m atom untuk menghasilkan 0,8x1021/m3 elektron konduksi. 8. Terdapat 1022 Al/m3 dalam silikon untuk menghasilkan semikonduktor jenis-p. Pada suhu berapa konduktivitas intrinsik silikon akan sama dengan konduktivitas ekstrinsik maksimum. Jawab: Pada saat jenuh
ex

= =

(1022 /m3)(0,16 x 10 68 ohm

4 1

18

A. sek)(0,0425 m2 / v. sek)

,m

dari Tabel 2.
In

5 x 10
1

ohm 1.m
o

pada 20oC ;
1 : T

5 10 4 ohm 1m pers (3) 68ohm 1m 1 In (5 x 10

4

e
o

1,1 / 2 k ( 293 K )

1.1 / 2 kT

/ 68) =

11,8 =

1,1eV 1 6 2(86,1 10 eV / K ) 293K

T = 640 K (atau 367o C). catatan :Persamaan umum untuk konduktivitas dalam semikonduktor adalah: =
In

+ ( n) ex + ( p) ex
n

= (nInq)(

) + (nnq n) ex + (npq p) ex

Biasanya, hanya satu dari ketiga suhu tersebut yang penting pada suatu waktu tertentu dan lainnya dapat diabaikan. Pada contoh ini , hanya ( pada 20oC. 9. Sulfida seng digunakan sebagai termistor. Berapa tingkat ketelitian, pengukuran tahanan agar dapat dicatat perubahan suhu 0,001 oC ? Jawab: karena ukuran konstan
p)ex

yang penting

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

75

BAB IV SEMIKONDUKTOR

R1 R1

R2

1 1

2 1

1 2

1 2 Oe

3, 7 eV / 2 kT Oe 3, 7 eV / 2 k (T 0 , 001)

In (1 karena
1 T

3,7eV 1 6 2(86,1 10 eV / K ) T

1 T 10

1 T 10

(T 10 3 ) T T (T 10 3 )

10 3 . T2

In (1

)= ( =

21,500 K) (10-3 K/[293 K]2 ) 2,5 x 10

4

= 0,00025

(atau 0,025%)

Catatan : diperlukan alat pengukur jenis jembatan.

10. Suatu transistor mempunyai arus kolektor sebesar 4,7 miliamper bila tegangan pemancar = 17 milivolt. Pada 28 milivolt arus besarnya 27,5 miliamper. Bila diketahui bahwa tegangan pemancar = 39 milivolt, berapa besar arus ? Jawab: Berdasarkan (4.9). In 4,7 In 27,5 Penyelesaian memberikan : Pada 39 milivolt. In Io + 17/B = 1,55 In Io + 28/B = 3,31 In Io In Ic Ic 1,17 dan B 6,25 5.07.

1,17 + 39/ 6,25 160 miliamp.

Catatan: Seorang ahli listrik mengubah Pers. (4.9) untuk menentukan efek arus tambahan. Hal ini ternyata tidak merubah hubungan dasar: Variasi arus kolektor jauh lebih besar dibandingkan dengan perubahan tegangan sinyal.

Diktat Kuliah Material Elektroteknik

76

This document was created with Win2PDF available at http://www.daneprairie.com. The unregistered version of Win2PDF is for evaluation or non-commercial use only.