Anda di halaman 1dari 10

Teknologi Integrated Circuit (IC)

Evolusi Teknologi Elektronik


(Rockett, 1991; McCanny & White, 1987)

1900-an: Tabung Vakum.


1905 Tabung vakum dioda elektronik pertama dikembangkan (Fisikawan Inggris J. Ambrose Fleming)
Mengizinkan perubahan arus AC arus DC.

1906 Tabung vakum trioda elektronik pertama dikembangkan (insiyur Amerika Lee DeForest)
Mengizinkan sinyal dapat terkontrol dan dikuatkan Teknologi elektronik lahir.

Akhir 1940-an: Transistor.


1947 Transistor bipolar (dwikutub) pointcontact ditemukan (Tim Lab Bell Bardeen, Shockley, and Brattain Nobelprize in physics) 1951 Junction field-effect transistor (JFET) ditemukan 1952 Fabrikasi single-crystal silicon. 1954 Pengembangan Oxide masking process

Akhir 1950-an: Penemuan-2 Kunci IC


1958 IC silikon pertama dikembangkan (Texas Instrument's Jack Kirby). 1959 Planar process u/ mendistribusi transistor pda Siilikon, dgn lapisan oksida pasif u/ memproteksi persambungan (junctions), dikembangkan (Fairchild Semiconductor's Noyce and Moore.
A modern version of this process is used today.

1960's: Small Scale Integration (SSI), termuat sampai 20 gates per chip.
1960 Transistor Metal-Oxide-Silicon (MOS) transistor ditemukan. 1962 Logik Transistor-transistor (TTL) dikem-bangkan 1963 Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) ditemukan.

Teknologi Komponen Diskrit (tahun 50-an awal 60-an)

bipolar

TRL

DTL

Teknologi IC (tahun awal 60-an - sekarang)

bipolar

MOS

RTL

TTL

I2L

ECL

PMOS biCMOS

NMOS

CMOS

Teknologi Bipolar
TRL (Transistor Resistor Logic)
Jumlah resistor dimaksimalkan (resistor devais termurah)

DRL (Dioda Transistor Logic)


Kinerja ditingkatkan dgn mengganti kebanyakan resistor dgn dioda semikonduktor

RTL (Resistor Transistor Logic)


Teknologi mikroelektornika pertama Menggunakan banyak transistor dan hanya sedikit resistor

TTL (Transistor Transistor Logic)


transistors berjumlah banyak dan terkait la ngsung satu sama lain; Sampai sekarang tetap menjadi teknologi bipolar paling populer

I2L (Integrated-injection logic)


technology mereduksi kerapatan packing dari devais bipolar devices ke suatu ukuran mendekati ukurannya devais MOS melalui compressing suatu rangkaian logika yang terdiri dari dua transistor menjadi suatu satuan tunggal (a single unit).

ECL (emmitter-coupled logic)


Devais dikembangkan u/ aplikasi-2 yg membutuhkan kecepatan yang sangat tinggi (extremely high speed). Mengkonsumi lebih banyak energi/power, digunakan secara ekslusif pada komputer-2 Cray

Teknologi MOS
Menawarkan reduksi dalam hala persyaratan ruang yang besar dan konsumsi daya/energi yang tinggi dari devais-2 bipolar. Rangkaian elektronik MOS pertama devais MOS p-channel (PMOS) karena paling mudah dibuat. Tek. MOS lebih maju, devais MOS n-channel (NMOS) menggantikan devais PMOS karena teknologinya menawarkan kinerja kec. yg lebih tinggi u/ kerapatan, kompleksitas dan biaya yg sama. Kebutuhan akan konsumsi daya yg lebih rendah pengembangan devais-2 complementary MOS (CMOS) devices yg lebih besar tapi konsumsi dayanya lebih efisien

Perbedaan IC menurut:
1. Struktur 2. Fungsi 3. Tingkat integrasi

Pembagian menurut struktur:


Semikonduktor IC Bipolar, MOS IC lapisan (monolitik) IC hybrid lapisan tipis dan lapisan tebal

Pembagian menurut Fungsi:


IC Digital DTL (dioda-transistor logic),
TTL (transistor-transistor logic), CML (cuurent mode logic), dll

IC Linier Penguat bidang lebar, Penguat


operasional (Op-Amp),dll.

Pembagian menurut tingkat integrasi:


IC SSI mengandung < 24 gate IC MSI mengandung 24 100 gate IC LSI mengandung > 100 gate dst

Rangkaian Terintegrasi (IC) Monolitik


Definisi Rangkaian Terintegrasi (IC):
Realisasi secara fisik dari elemen-elemen rangkaian yang secara terpisah tetapi merupakan kesatuan yang berada di atas atau di dalam sebuah badan yang kontinyu ( a continuous body) untuk membentuk satu rangkaian
Misalkan, dalam sebuah potongan kristal tunggal Si, diatasnya terbentuk rangkaian yang memiliki fungsi tertentu dengan, transistor, dioda, kapasitor, dll, disebut rangkaian terintegrasi (IC)

Karakteristik IC:
1. 2. 3. 4. Ukuran kecil Harganya murah Keandalan tinggi Tepat untuk mempertinggi kinerja (performance)

Definisi Monolitik:
Mono: tunggal; lithos: batu batu tunggal Pada IC monolitik sejumlah komponen aktif (mis transistor) dan komponen pasif (mis. resistor, kapasitor, dll) berada dalam sekerat Si (biasa disebut CHIP, DIE, atau PELLET) Dalam fabrikasi:
Basis-basis dan emitor-emitor dari transistor-2 dan komponen-2 lain dibentuk bersamaan Dalam hal transistor planar tunggal :

sejumlah transistor mem- punyai common collector (kolletor yg bersama-sama) dibentuk pada keping (wafer), kemudian dipotong-potong menjadi satu persatu Dalam hal IC monolitik: isolasi dan interkoneksi setelah dibentuk kemudian dipotongpotong dari wafer itu

Catatan:
IC Hybrid: komponen-2 (spt transistor) dibuat diatas substrat keramik yg terhubung satu sama lain membentuk rangkaian dgn jalur kawat logam dsb. IC Monolitik sangat baik u/ rangkaian yg memiliki fungsi yg sama Interkoneksi dilakukan hanya dgn 1 atau proses harganya lebih murah dan reabilitasnya lebih tinggi, ketimbang IC-hybrid