MOSFET E IGBT
Es posible clasificar a este tipo de transistores en 2 debido a su modo de operacin: de tipo incremental o enriquecimiento y de tipo decremental o agotamiento. Para cada uno de estos tipos existen dos categoras adicionales: de canal n y canal p. Los MOSFET poseen tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. CARACTERSTICAS GENERALES A continuacin se enumeran algunas de las caractersticas generales de los MOSFET ms importantes: 1) Impedancia de entrada muy alta, debido a la capa aislante de xido de silicio. 2) Corriente de fuga (en compuerta) muy pequea, del orden de los nanoamperes. 3) Ganancia en corriente (relacin entre la corriente de drenaje y corriente entrada de la compuerta) muy alta, tpicamente de 109. 4) No existe conexin elctrica directa entre la compuerta y el canal (ya sea n o p). TIPOS DE MOSFET Agotamiento Canales n y p. En la figura 1 se muestra la estructura t smbolo de este MOSFET. Est conformado de un substrato (normalmente conectado a la fuente) de silicio tipo p y dos tipo n dopados. La compuerta se asla del canal mediante una pequea capa de xido. El voltaje de compuerta a fuente, denominado VGS, puede ser positivo o negativo. Si es suficientemente negativo, el canal se agotar y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente, denominada IDS. En cambio, si VGS es positivo el canal se ensancha e IDS aumenta.
Para un MOSFET de agotamiento canal p solamente se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS, mostrando su estructura la figura 2.
Enriquecimiento Canales n y p. Un MOSFET de enriquecimiento canal n no posee un canal fsico, mostrado en la figura 3. Si VGS es positivo, existir una acumulacin importante de electrones debajo de la capa de xido y si es mayor o igual a un voltaje de umbral VT, se formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la fuente.
En un MOSFET de enriquecimiento canal p, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten, mostrando su estructura en la figura 4.
ITC
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rpido que un BJT, pero su velocidad de conmutacin es menor a la presentada en los MOSFET.
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] M. Rashid. Electrnica de Potencia: Circuitos y Aplicaciones. 2da Edicin. [2] R. Boylestad. Electrnica: Teora y Circuitos. 6ta Edicin.
Figura 4. Estructura del MOSFET de enriquecimiento canal p
DISPOSITIVOS COMERCIALES A continuacin se nombrarn algunos de los MOSFET comerciales: SCH2815 (canal n de propsito general), IRF7750 (canal p dual), IRFY9130C (canal p de potencia), CP357X (canal n de pequea seal), IRF840 (canal n de potencia).
2 QUE ES UN IGBT?
Un IGBT es un dispositivo que combina las ventajas de los BJT y los MOSFET. Posee una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como los BJT. En la figura 5 se muestra la estructura interna de un IGBT. Dicha estructura es idntica a las de los MOSFET, excepto en el substrato p.
Su comportamiento es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET, debido a que tal substrato se encarga de colocar los portadores minoritarios en la regin n. Un IGBT est fabricado con cuatro capas alternadas PNPN y se puede enganchar como un tiristor. EL IGBT se controla por voltaje como un MOSFET. Posee menores prdidas de conmutacin y conduccin. Por su parte, comparte varias caractersticas de los MOSFET: facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, capacidad y resistencia. Un IGBT es ms