TUGAS ARSITEKTUR DAN ORGANISASI KOMPUTER I

Tugas 4

Disusun Oleh: Riza Rosyunanto 123100076

Kelas: C Dosen : Hidayatullah Himawan

JURUSAN TEKNIK INFORMATIKA FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI UNIVERSITAS PEMBANGUNAN NASIONAL VETERAN YOGYAKARTA 2012

PENDAHULUAN TENTANG RAM Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.

Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM.MRAM INI akan memutar elektron elektron untuk mengganti kutub magnet.Hal ini juga dikenal sebagai spin torque MRAM ( Torsi Putar MRAM ) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur jerman. Dengan membangun pilar pilar kecil berukuran 165 nano meter akan mengakibatkan magnet variable pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elekron.Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet.Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.yang pasti kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM kecepatan ini masih bias terus dikembangkan dimasa depan KEUNGGULAN MRAM MRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori computer DRAM flash dan bahkan cakram keras.MRAM Juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM ( CPU CACHE MEMORY) MRAM diaktifkan computer akan dapat segera terpasang ( karena tidak ada perlu beberapa tipe memori ) MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan .

MRAM JENIS BARU Ada beberapa "jenis baru" MRAM (STT-RAM, NV-RAM, dll), yang menjanjikan untuk memberikan kepadatan lebih tinggi dan lebih manufaktur yang lebih murah. Saat ini beberapa perusahaan (Hynix, Grandis, STT, Samsung) yang bekerja di STT-RAM (MRAM Spin Transfer), yang mungkin menjanjikan teknologi MRAM terbaru, meskipun terlalu dini untuk mengatakan hal itu

Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.

FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.

Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran.