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Comparacin entre FET y BJT .

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012 ). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes. Existen dos grandes grupos de FET: los de unin (JFET) y los metalxido semiconductor (MOSFET). Dentro de los MOSFET est el de acumulacin, el cual ha propiciado los rpidos avances de los dispositivos digitales.

Ventajas del FET: 1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un C1, pudindose incluir un mayor nmero de FET en un solo chip (requieren menor rea), de aqu que memorias y microprocesadores se implementen nicamente con MOSFET 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. 8) Debido a que los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada (del orden de 10 Mohm a 1 Gohm). Al ser mucho ms alta que la correspondiente a los BJT, se prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa. 9) Los FET de potencia controlan potencia elevadas y conmutan grandes corrientes. 10) Los FET no son tan sensibles a la radiacin como los BJT. Desventajas que limitan la utilizacin de los FET: 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Diferencias entre FET y BJT. Transistor de efecto de campo (FET) Baja ganancia de voltaje Alta ganancia de corriente Alta impedancia de entrada Generacin de ruido baja Tiempo de conmutacin alta Se daa con la esttica Algunos requieren una entrada para apagarlo. Dispositivo controlado por voltaje Mayor costo gm (factor de transconductancia ID es una funcin de Vgs Relacin cuadrtica entre Vgs e Id Transistor bipolar de unin (BJT) Alta ganancia de voltaje Baja ganancia de corriente Baja impedancia de entrada Generacin de ruido media Tiempo de conmutacin media Uso rudo Requiere una entrada de cero para apagarlo Dispositivo controlado por corriente Barato (beta factor de amplificacin) IC es una funcin de IB Relacin lineal entre Ib e Ic