Anda di halaman 1dari 14

meli_muchlian@yahoo.co.

id

APLIKASI STATISTIK FERMI DIRAC DALAM MOS TRANSISTOR


Metal Oxida Semiconductor Transistor (MOS Transistor), adalah divais semikonduktor yang bekerja berdasarkan transport elektron ataupun hole dalam pita energi. Gambar 1 di bawah adalah model sebuah MOS Transistor yang berada di atas subtrat Silikonn. MOS Transistor memiliki tiga penghubung diantaranya Source, Drain dan Gate yang bekerja dengan prinsip: jika ada tegangan diberikan pada elektroda gate, maka transistor akan hidup dan arus akan mengalir dari Source menuju Drain, kebalikannya jika tegangan pada Gate dimatikan, maka transistor akan mati sehingga tidak ada arus yang mengalir dari Source ke Drain.

Gambar 1. Disain sebuah MOS Transistor

MOS Transistor yang kadang disingkat dengan MOSFET, sering diaplikasikan sebagai komponen elektronika sebagai komponen gerbang logika (inverter, NAND, NOR, AND dan OR), IC (integrated circuit), C (micro controller) dan P (micro processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini. Prinsip dari sebuah MOS Transistor sama dengan proses-proses yang terjadi dalam sebuah semikonduktor. Sehingga, untuk membahas MOS Transistor berdasarkan fisisnya cukup dengan membahas semikonduktor dan Statistik Fermi Dirac pada Bab A. Selanjutnya materi yang terkait dengan MOS Transistor dalam elektronika akan di uraikan pada Bab B.

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

A. SEMIKONDUKTOR DAN STATISTIK FERMI DIRAC 1. Pembawa Muatan Pada Semikonduktor Gambar 2 adalah diagram pita energi dari semikonduktor, yang memperlihatkan pita konduksi, vita valensi dan celah pita. Elektron pada pita valensi terikat pada atom Kristal. Mereka membutuhkan beberapa energi tambahan untuk melintasi pita terlarang menuju pita konduksi. Untuk mengukur konsentrasi elektron, kita hitung jumlah elektron pada pita konduksi tiap satuan volume (cm3). Ini disimbolkan dengan n. Ketika sistem dalam kesetimbangan, ditunjukkan dengan n0.

Gambar 2. Diagram pita energi

Ketika elektron meninggalkan pita valensi menuju pita konduksi, terbebas dari ikatan utama, meninggalkan tempat kosong dibelakangnya untuk electron lain yang berada pada pita valensi. Daerah yang kosong ini disebut hole dan efektivitas yang dimilikinya menyerupai partikel bermuatan positif. Jumlah hole pada pita valensi tiap satuan volume disebut dengan konsentrasi hole dan disimbolkan dengan p. Pada kesetimbangan kita sebut p0. Jika dimisalkan, medan listrik luar diberikan pada material, elektron pada pita konduksi akan bebas pindah ke arah berlawanan dari medan karena banyak tempat sekitar yang cocok dengan level energinya. Dibawah pengaruh dari medan yang sama, elektron pada pita valensi juga dapat pindah, tapi hanya jika keadaannya cocok dengan level energinya (keadaan yang cocok dengan pita valensi), dan mereka berkontribusi
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 2

terhadap konduksi pada pita valensi jika mereka adalah hole. Saat mengamati beberapa elektron pada pita valensi, kita anggap gerak efektif dari hole, dengan arah yang sama terhadap medan listrik, seperti terlihat pada Gambar 3.

Gambar 3. Elektron dan hole pada pita valensi dan konduksi

2. Material Intrinsik dan Ektrinsik Semikonduktor intrinsik idealnya adalah kristal sempurna. Ketika elektron di semikonduktor mendapat sedikit saja energi, maka dia bisa pindah menuju pita konduksi dan meninggalkan hole. Proses ini disebut Elektron Hole Pair (pasangan elektron hole) EHP. Untuk material intrinsik, karena elektron dan holenya selalu berpasangan, maka: n = p = ni dimana ni adalah simbol untuk pembawa konsentrasi intrinsik Pada temperatur ruang, secara relatif sedikit elektron dengan sedikit energi termal untuk membuat lompatan ini. Faktanya, kadang hanya satu elektron tiap 6,91012 atom silikon. Sehingga pembawa konsentrasi intrinsik silikon dalam (1)

temperatur ruang dapat ditulis dengan pendekatan: ni = 1,451010 * + silikon, 300 K (2)

Semikonduktor intrinsik awalnya dibuat dari atom yang berbeda, disebut atom dopant dalam kristal. Ada dua jenis material intrinsik: a. Tipe-n. Atom dopanT ditambahkan ke kristal semikonduktor yang disebut atom donor.
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 3

Untuk silikon, kita bisa menggunakan Fospor (p), Arsenik (As) atau Antimonium (Sb) sebagai donor. Mereka adalah elemen golongan 5, yang mempunya 5 elektron di kulit terluar. Ketika atom ini dimasukkan ke dalam kristal silikon, satu elektron di kulit dapat dengan mudah melompat ke pita konduksi meninggalkan muatan positif. Proses ini kadang-kadang disebut aktivasi atau ionisasi atom donor. Gambar 4 memperlihatkan energi yang dibutuhkan atom tersebut dalam silikon, dapat kita lihat mereka sangat kecil dibandingkan celah pita silikon. Atom donor muatan positif yang ditinggalkan setelah ionisasi tak

bergerak dan tidak berkontribusi terhadap konduksi. Elektron meninggalkan atom dengan ionisasi, dihitung sebagai konsentrasi elektron n. Karena aktivasi elektron rendah pada temperatur ruang, hampir semua atom donor yang dimasukkan dalam kristal memberikan elektron ke pita konduksi. Sehingga jika ND adalah konsentrasi donor untuk material tipe-n, maka persamannya: * + (3)

Gambar 4. Level energi ionisasi donor dan penerima.

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

b. Tipe-p. Atom dopant pada kasus ini sebagai atom penerima Untuk silikon, kita bisa menggunaan Boron (B), Alumunium (Al) dan Galium (Ga) sebagai penerima. Mereka adalah elemen golongan 3, yang

mempunyai tiga elektron di kulit terluar. Ketika atom ini dimasukkan ke dalam kristal silikon, satu elektron pada pita valensi silikon dapat dengan mudah melompat ke kulit valensi atom penerima, meninggalkan hole dan membuat atom penerima menjadi bermuatan negatif. Gambar 4 memperlihatkan keadaan level energi kulit valensi atom relatif terhadap pita valensi silikon. Atom penerima bermuatan negatif setelah elektron bergabung dengan kulit valensi, dia tidak bergerak dan tidak berkontribusi terhadap konduksi. Hole yang ditinggalkan oleh elektron, dapat dihitung dalam konsentrasi hole p. Karena energi aktivasi rendah pada temperatur ruang, hampir semua atom penerima yang dimasukkan akan menerima elektron dari pita valensi. Sehingga jika NA adalah konsentrasi penerima untuk material tipe-p persamaannya: * + (4)

3. Hukum Aksi Massa Untuk kedua jenis material intrinsik dan ektrinsik, digunakan persamaan: (5) Jadi untuk material tipe-n sebagai atom donor: (6) dan untuk material tipe p sebagai atom penerima: (7)

4. Kompensasi Ketidakmurnian Karena batasan pembuatan, dalam beberapa kasus kedua atom donor dan atom penerima memberikan bagian pada kristal semikonduktor. Tipe akhir dari material dan konsentrasi elekton/ hole bergantung pada tipe atom dopan yang lebih padat. Keadaan tersebut dapat dilihat pada Tabel 1.
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 5

Tabel 1. Kompensasi ketidakmurnian Jika Material Konsentrasi elektron pada kesetimbangan Konsentrasi hole pada kesetimbangan > Jika <

Tipe-n
n0 =

Tipe-p

p0 =

5. Statistik Fermi Dirac Dalam statistik Fermi Dirac, partikel-partikel di dalam sistem (ensemble) dianggap sebagai partikel-partikel yang tak terbedakan, tetapi partikel tersebut harus memenuhi prinsip larangan Pauli yang menyatakan bahwa partikel tidak dapat berada pada keadaan kuantum (keadaan energi) yang sama, artinya setiap partikel akan berada pada keadaan tertentu yang diperbolehkan tetapi keadaan masing-masing partikel berbeda diantara satu dengan lainnya. Harga statistik Fermi Dirac dinyatakan dengan: (8) ( dimana : Banyaknya keadaan-keadaan mikro yang mungkin terjadi pada keadaan makro k : bilangan okupasi : keadaan makro pada tingkat energi ke-j Fermi Dirac menurunkan persamaan fungsi distribusi jumlah bilangan okupasi rata-rata untuk setiap keadaan pada tingkat energi ke j sebagai: ( dimana

dalam

(9) )

: Jumlah partikel rata-rata untuk setiap keadaan makro pada tingkat

energi ke j
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 6

: Harga kuantum energi pada tingkat keadaan ke j : potensial kimia perpartikel : konstanta Boltzman = 1,38 10-23 J/K T : Temperatur sistem Partikel yang memenuhi fungsi distribusi Fermi Dirac digolongkan sebagai fermion, dan yang tergolong sebagai fermion (partikel dengan spin kelipatan ganjil dari ) adalah elektron, proton, dan inti atom dengan jumlah nukleon ganjil.

6. Fungsi Distribusi Fermi-Diract dan Level Fermi Pita konduksi adalah bagian dari semikonduktor yang terisi disediakan oleh level energi yang kosong. Ketika menghitung jumlah elektron yang akan mengisi level tersebut dan dihitung dalam n, berkontribusi pada konduktivitas, kita mengacu pada dua faktor: Berapa jumlah energi level yang ada dalam memberi range energi, dalam kasus kita yaitu pita konduksi Kemungkinan masing-masing level penuh akan elektron. Kemungkinan bagian kedua memberikan fungsi probabilitas yang disebut fungsi distribusi Fermi-Diract. f(E) adalah kemungkinan level dengan energi E akan terisi oleh elektron, ditunjukkan dalam persamaan: ( ) dimana
(( ) ( ))

(10)

adalah konstanta boltzmann, 8.6210-5 [eV/K], dan T adalah

temperatur dalam Kelvin. EF adalah energi Fermi atau level Fermi. Dia ditentukan dari titik energi dimana probabilitas okupasi oleh elektron hampir 50%, atau 0,5: ( )
(( ) ( )) ( )

(11)

6.1 Makna dari (1-f(E)) Karena fE adalah kemungkinan energi pada level E1 akan terisi elektron, (1-fE1) adalah kemungkinan level energi E menjadi kosong. Atau jika E1 adalah pita valensi, (1-f(E1) adalah kemungkinan level energi E1 mempunyai hole.
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 7

6.2 Simetri dari f(E) sekitar EF Dengan mudah dapat dilihat bahwa ( ) ( ) (12)

6.3 Level Fermi pada Semikonduktor Intrinsik dan Ektrinsik Semikonduktor intrinsik, n = p. Jika kita menggunakan pendekatan simetri pita, dengan mengasumsikan bahwa jumlah keadaan dalam ukuran pita energi yang sama pada tepi pita konduksi dan pita valensi, n = p menyatakan bahwa ada peluang yang sama untuk menemukan elektron di tepi pita konduksi seperti menemukan hole pada tepi pita valensi: ( ) ( ) (13)

Dari persamaan 12 kita dapat menarik kesimpulan bahwa level Fermi EF harus berada di pertengahan celah pita untuk semikonduktor intrinsik, seperti pada Gambar 5. Faktanya, level ini disebut level Fermi Intrinsik, dan ditunjukkan dalam Ei: (14) dimana adalah energi celah pita.

Untuk semikonduktor tipe-n, terdapat lebih banyak elektron di pita konduksi daripada hole di pita valensi. Ini mengisyaratkan bahwa kemungkinan untuk mnemukan elektron dekat tepi pita konduksi lebih besar daripada kemungkinan untuk menemukan hole di tepi pita valensi. Kemudian, Level Fermi semakin dekat terhadap pita konduksi pada semikonduktor tipe-n.

Gambar 5. Level Fermi yang berada di tengah celah pita

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

Untuk semikonduktor tipe-p, lebih banyak hole di pita valensi daripada elektron di pita konduksi. Ini mengisyaratkan bahwa kemungkinan untuk menemukan elektron dekat tepi pita konduksi lebih kecil daripada menemukan hole di tepi pita valensi. Kemudian, level Fermi semakin dekat terhadap pita valensi pada semikonduktor tipe-p. Hubungan di berikut ini adalah kesimpulan dari bagian terakhir paragraf di atas: Tipe-n : f(EC) > (1 f(EV ) |EC EF | < |EF EV | EF > Ei Tipe-p : f(EC) < (1 f(EV ) |EC EF | > |EF EV | EF < Ei Gambar 5 memperlihatkan keadaan untuk material intrinsik. (15) (16)

Gambar 6. Level Fermi ektrinsik. Kurva fungsi distribusi Fermi-Dirac bebih menegaskan perbedaan antara f(EC) dan 1 f(EV) pada material tipe-n dan tipe-p. Akhirnya, karena celah pita energi konstan, dengan Eg = EC EV, hubungan antara Eg, Ei, EC, EV dan EF dapat disimpulkan dengan melihat Gambar 6. Tabel 2 adalah kesimpulan dari hubungan tersebut.

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

Tabel 2. Hubungan antara Eg, Ei, EC, EV dan EF pada material tipe-p dan tipe-n Tipe Material Tipe-n EF < Ei Tipe-p ( ) Hubungan EF > Ei ( )

7. Keefektifan Densitas Keadaan dan Konsentrasi Pembawa Faktor utama tersebut pada bagian 6, berapa jumlah keadaan energi untuk elektron dalam pita konduksi, digambarkan sebagai densitas fungsi keadaan N(E). N(E) dE diberikan sebagai jumlah keadaan dalam range energi [E,E+dE]. Untuk menemukan jumlah elektron di pita konduksi, kita kalikan densitas keadaan dengan probalilitas terhadap masing-masing level energi yang akan diduduki elektron (f(E)) dan mengintegralkan terhadap pita konduksi. Namun, dengan asumsikan level Fermi cukup jauh dari tepi pita konduksi (|ECEF | >4kBT), kita dapat mempertimbangkan semua level energi yang tersedia dalam pita konduksi akan berkumpul tepat di tepi pita. Dalam melakukannya, kita mendefinisikan densitas efektif dari keadaan, ditunjukkan dengan NC untuk pita konduksi dan NV untuk pita valensi. Kemudian pada pita konduksi, kita harus menemukan jumlah elektron tiap satuan volume dengan menghitung jumlah keadaan di tepi pita tiap satuan volume (NC) dan mengalikannya dengan probabilitas tingkat keadaan tersebut akan diisi (f (EC)). ( ) ( )) (17)

Jika diasumsikan |EC EF | > 4kBT, kita dapat mendekatkan fungsi distribusi Fermi Dirac dengan fungsi distribusi Boltmann: ( )
( ))

( (

) (

))

(18)

Pada semikonduktor tipe-n, jika kita mengetahui level doping ND, dan menganggap n0 = ND, menggunakan pendekatan Boltzmann:

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

10

( (

) (

))

(19)

Demikian pula, untuk hole pada pita valensi, kita ambil densitas efektif dari keadaan (NV) dan mengalikannya dengan probabilitas keadaan yang akan kosong ((1-f(EV))): ( ( )) ( ( ) ( )) (20)
Dan ini juga menggunakan pendekatan Boltzmann untuk f(EV).

B. MOSFET/ MOS Transistor 1. MOSFET/ MOS Transistor Dalam perkembangannya, MOSFET terdiri atas MOSFET depletion-mode (generasi pertama) dan MOSFET enhancement-mode (generasi kedua). Perbedaan yang mendasar dari kedua MOSFET tersebut adalah, subtrat pada Transistor MOSFET enhancement-mode dibuat sampai menyentuh Gate, seperti terlihat pada Gambar 7.

Gambar 7. Struktur MOSFET enhancement-mode Gambar 7 adalah MOS Transistor tipe enhancement mode kanal n. Jika tegangan Gate VGS dibuat negatif, maka arus elektron tidak dapat mengalir. Dan ketika VGS=0 ternyata arus belum bisa mengalir karena tidak ada lapisan deplesi maupun celah yang bisa dialiri elektron. Jika VGS diberi tegangan positif maka tegangan Gate terhadap subtrat akan positif. Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik ke arah subtrat p. Elektron-elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada subtrat p. Karena potensial Gate lebih positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di
Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor 11

sisi subtrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju Gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2 (kaca). Jika tegangan Gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan terbentuknya semacam lapisan n yang negatif sehingga arus drain dan source dapat mengalir. Lapisan ini disebut dengan inversion layer, (lapisan dengan tipe yang berbalikan). Gambar 7 memperlihatkan subtract dari tipe p yang mengakibatkan lapisan inversion bermuatan negatif atau tipe n. Tegangan minimum pada lapisan inversion n disebut tegangan threshold VGS(th). Biasanya nilai tegangan VGS(th) tertera di dalam datasheet.

2. Pabrikasi MOSFET enhancement-mode Transistor MOSFET enhacement mode dalam beberapa literatur disebut juga dengan nama E-MOSFET.

Gambar 8. Penampang E-MOSFET (enhancement-mode)

Gambar 8 diatas adalah bagaimana transistor MOSFET enhancement-mode dibuat. Kanal n akan terbentuk (enhanced) dengan memberi tegangan VGS diatas tegangan threshold tertentu. Struktur transistor inilah yang paling banyak diterapkan dalam IC digital.

3. Kurva Drain MOSFET enhacement-mode Kurva drain transistor E-MOSFET ditunjukkan pada Gambar 9 berikut. Semua VGS bernilai positif dan garis kurva paling bawah adalah garis kurva saat transistor mulai ON. Tegangan VGS pada garis kurva ini disebut tegangan threshold VGS(th).

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

12

Gambar 10. Kurva drain E-MOSFET Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch), parameter yang penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source. Biasanya yang tercantum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor ON. Resistansi ini dinamakan RDS(on). Besar resistansi bervariasi mulai dari 0.3 Ohm sampai puluhan Ohm. Untuk aplikasi power switching, semakin kecil resistansi RDS(on) maka semakin baik transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas. Selain itu juga penting diketahui parameter arus drain maksimum ID(max) dan disipasi daya maksimum PD(max).

4. Simbol transistor MOSFET Simbol garis putus-putus pada MOSFET menunjukkan struktur transistor yang terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah panah pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor ON sekaligus menunjukkan type kanal transistor seperti terlihat pada Gambar 11.

Gambar 11. Simbol MOSFET, (a) kanal-n (b) kanal-p

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

13

5. NMOS dan PMOS Dua jenis MOS Transistor yaitu tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS terlihat pada Gambar 12. Simbol untuk menggambarkan MOS tipe depletion-mode dibedakan dengan tipe enhancement-mode. Pembedaan ini perlu untuk rangkaian-rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis transistor tersebut.

Gambar 12. Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe enhancement mode

Aplikasi Statistik Fermi Dirac Dalam MOS Transistor

14