Transistores de Potencia

T
r
a
n
s
i
s
t
o
r























































B
J
T






T
r
a
n
s
i
s
t
o
r











M
O
S
F
E
T
El transistor bipolar de potencia
i
B
i
C
i
E
Base de pequeo espesor aumenta
Base de pequeo espesor menor tensin de ruptura
SMBOLO
DISEO: Especificar DOPADOS y ESPESORES (p.ej.: el espesor de la capa N
-
determina la tensin de
ruptura)
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
u
CE
u
BE
i
B
i
C
i
E
BASE
EMISOR
COLECTOR
u
CE
u
BE
BASE
EMISOR
COLECTOR
Presentan varias bases y emisores entrelazados, para evitar la concentracin de corriente.
montaje darlington
Estructura vertical maximiza el rea de conduccin minimiza res. hmica y trmica
NPN
PNP
COLECTOR
BASE
EMISOR EM. EMISOR
COLECTOR
EMISOR BASE
COLECTOR
N
+
N
-
P
N
+
10m
5-20m
50-200m
250m
10
19
t/cm
2
10
14
t/cm
2
10
16
t/cm
2
V
CE0
: u
CE
de ruptura con la base abierta (I
B
=0)
I
C
: Corriente mxima de colector
P
MAX
: mxima potencia capaz de ser disipada por el transistor.
Las zonas de avalancha deben evitarse.
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
i
b
=0
i
b1
i
b2
i
bMAX
i
c
u
ce
SATURACIN
CORTE
V
ce0
ZONA ACTIVA
P
MAX
I
c
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
COLECTOR
EMISOR BASE
N
+
N
-
P
N
+
La corriente de base provoca cadas de tensin
interna en la zona de base que se suman a la tensin
externa entre emisor y colector.
Esta tensin es mayor cuanto menor sea
La concentracin de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en
avalancha secundaria cuando I
C
es grande. Para
minimizar este fenmeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores
entrelazados.
Avalancha secundaria
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
-
-
- - -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
La corriente de base provoca cadas de tensin
interna en la zona de base que se suman a la tensin
externa entre emisor y colector.
Esta tensin es mayor cuanto menor sea
La concentracin de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en
avalancha secundaria cuando I
C
es grande. Para
minimizar este fenmeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores
entrelazados.
Avalancha secundaria
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
COLECTOR
EMISOR BASE
N
+
N
-
P
N
+
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
-
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
i
c
u
ce
V
ce0
P
MAX
I
cMAX-DC
S.O.A.R.
Zona de
avalancha
secundaria
continua
100us
1
0
0
u
s
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: SOAR
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Circuitos equivalentes estticos.
Para estimar la potencia disipada en el bipolar:
Circuito equivalente en saturacin
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+
V
CC
R
CARGA
SATURA-
CIN
CORTE
SATURA-
CIN
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
V
CC
u
B
V
BE
V
CE-SAT
V 7 , 0 V
BE
~
V 3 , 0 V
SAT CE
~

B
B
C B BE C SAT CE SAT Est
R
7 , 0 V
7 , 0 I 3 , 0 I V I V P

+ = + ~

R
CARGA
R
B
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Circuito equivalente en corte
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
V
CC
u
B
V
CE
R
CARGA
R
B
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Encendido con carga resistiva.
La gran cantidad de carga espacial necesita tiempo para ser creada y destruida. El paso de corte a
saturacin, y viceversa, es lento. Cuanta menos carga espacial ms rpida ser la conmutacin pero
tambin mayores sern las prdidas estticas.
Con el fin de acelerar la conmutacin y disminuir sus prdidas, puede suministrarse una I
B
negativa
para pasar de saturacin a corte.
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+
V
CC
R
CARGA
90%
t
dON
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
10%
t
rise
t
ON
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Apagado con carga resistiva.
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+
V
CC
R
CARGA
90%
t
st
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
10%
t
fall
t
OFF
t
st
: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conduccin contina a costa de los portadores
almacenados en la base.
Las prdidas en conmutacin en el apagado son MAYORES que las del encendido (debido al tiempo de
bajada)
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Clculo de la potencia disipada en la conmutacin: APAGADO
u
ce
i
c
i
C MAX
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
t
fall
V
CC
Durante t
fall
:
t
t
V
) t ( u
fall
CC
CE
=
fall
fall
MAX C C
t
t t
i ) t ( i

=
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se acta de manera anloga.
}
=
=
=
fall
t t
0 t
CE C OFF
dt ) t ( u ) t ( i E
6
t V i
E
fall CC MAX C
OFF
=
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
2
2
MAX C C
t
t t
I ) t ( i

=
En t
1
:
En t
2
:
(Mientras exista circulacin de corriente por el
diodo, soporta tensin nula).
Apagado con carga inductiva:
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
u
ce
i
c
t
off
t
2
t
1
u
ce
u
B
i
c
V
CC
L
1
CC CE
t
t
V ) t ( u =
}
=
=
=
OFF
t t
0 t
CE C OFF
dt ) t ( u ) t ( i E
2
t V i
E
off CC MAX C
OFF
=
V
CC
i
C MAX
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Encendido con carga inductiva:
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
u
ce
i
c
t
on
t
2
t
1
u
ce
u
B
i
c
V
CC
L
i
RR
V
CC
i
C MAX
( )
1
RR MAX C C
t
t
i i ) t ( i + =
En t
1
:
En t
2
:
CC CE
V ) t ( u =
2
2
RR MAX C C
t
t t
i i ) t ( i

+ =
2
2
CC CE
t
t t
V ) t ( u

=
}
=
=
=
on
t t
0 t
CE C ON
dt ) t ( u ) t ( i E
3
2
t
t V i
2
t V i
E
1
on CC RR
on CC MAX C
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Diodo externo para aplicaciones de
medio puente y puente completo.
Diodo externo para aumentar la
velocidad de conmutacin.
Aumento de |: |
TOT
= |
1
*|
2
+|
1
+|
2
.
La conmutacin es an ms lenta.
Caractersticas
El transistor bipolar de potencia: Montaje Darlington
i
B
i
C
i
E
BASE
EMISOR
COLECTOR
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Estructura
Alta impedancia de entrada (C
GS
).
SMBOLO
Dispositivo fundamental como interruptor controlado por tensin. Suele usarse casi exclusivamente
los de canal N.
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
Compuesto por muchas clulas de enriquecimiento conectadas en paralelo.
Siempre de ACUMULACIN; no tienen el canal formado. El sustrato est siempre conectado a la
fuente.
CANAL N
CANAL P
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P P P
SUS
XIDO
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Si u
GS
es menor que el valor umbral, u
GS TH
, el MOSFET est abierto (en corte). Un valor tpico de
u
GS TH
es 3V. u
GS
suele tener un lmite de 20V. Suele proporcionarse entre 12 y 15 V para
minimizar la cada de tensin V
DS
.
V
DS MAX
: Tensin de ruptura mxima entre drenador y fuente.
I
D MAX
: Corriente de drenador mxima (DC).
R
DS ON
: Resistencia de encendido entre drenador y fuente.
u
GS
<u
GS TH
i
D
u
DS
SATURACIN
CORTE
V
DS MAX
ZONA
ACTIVA
P
MAX
I
D MAX
El MOSFET de potencia: caractersticas estticas
u
GS
=u
GS1
u
GS2
>u
GS1
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
El MOSFET de potencia: caractersticas estticas
i
D
u
DS
P
MAX
S.O.A.R.
Zona limitada
por R
DS ON
1
0
0
u
s
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: S.O.A.R.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Circuitos equivalentes estticos.
Circuito equivalente en corte
u
DS
u
GS
u
GS
u
DS
i
D
i
D
+
V
CC
R
CARGA
SATURA-
CIN
CORTE
SATURA-
CIN
El MOSFET de potencia: Caractersticas estticas
V
CC
u
DS
R
CARGA
R
DS ON
Circuito equivalente en saturacin
V
CC
u
GS
R
CARGA
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
La unin PN
-
est inversamente polarizada.
La tensin drenador-fuente est concentrada en la unin PN
-
.
La regin N
-
est poco dopada para alcanzar el valor requerido de tensin soportada (rated
voltage).
Tensiones de ruptura grandes requieren zonas N poco dopadas de gran extensin.
MOSFET en corte (u
DS
>0)
El MOSFET de potencia: Caractersticas estticas
u
DS
Zona de transicin:
La zona P-N
-
es un diodo
polarizado inversamente.
DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P
P P
SUS
XIDO
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
MOSFET saturado (i
DS
>0)
El MOSFET de potencia: Caractersticas estticas
u
GS
Con suficiente u
GS
se forma un canal bajo la puerta
que permite la conduccin bidireccional.
Aparece una resistencia R
DS ON
, entre drenador y
fuente, que es suma de resistencias: canal, contactos
de fuente y drenador, regin N
-
...
Cuando la tensin de ruptura aumenta, la regin N
-
domina en el valor de R
DS ON
.
En una zona poco dopada no hay muchos
portadores, por lo que R
DS ON
aumenta rpidamente
si la tensin de ruptura se quiere hacer de varios
centenares de voltios.
Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o iguales a 500V. Ms all es preferible,
en general, un IGBT.
El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante superiores a su valor medio mximo (rated
current).
DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P
P P
SUS
XIDO
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El diodo se polariza directamente cuando V
DS
es negativa.
Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.
La mayora son lentos. Esto provoca picos de corriente de
recuperacin inversa que pueden destruir el dispositivo.
Diodo parsito entre drenador y fuente.
El MOSFET de potencia: Caractersticas estticas
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
Puede anularse o sustituirse el diodo parsito mediante diodos
externos rpidos.
Anulacin Sustitucin
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
C
DS
Los tiempos de conmutacin del MOSFET se deben
principalmente a sus capacidades e inductancias parsitas, as
como a la resistencia interna de la fuente de puerta.
C
ISS
: C
GS
+ C
GD
Capacidad de entrada Se mide con la salida en
cortocircuito.
C
RSS
: C
GD
Capacidad Miller o de transferencia inversa.
C
OSS
: C
DS
+ C
GD
Capacidad de salida; se mide con la entrada
cortocircuitada
L
D
: Inductancia de drenador
L
S
: Inductancia de fuente.
Parmetros parsitos.
Parmetros parsitos
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
C
GD
C
GS
C
DS
C
GD
C
GS
L
S
L
D
C
GS
: Grande, constante
C
GD
: pequea, no lineal
C
DS
: moderada, no lineal
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
t
delay
t
rise
t
on
t
disch
t
fall
t
off
Conmutaciones con carga resistiva pura
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
R
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
90%
90%
10%
10%
p
MOS
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
EFECTO MILLER
O I F
U U U =
I U O
U A U =
A
u U
I
U
O
U
F
Z
F
I U I F
U A U U = ( )
I U
U A 1 =
U
F
A 1
Z

( )
F
U
I
F
F
F
Z
A 1
U
Z
U
I

= =
EFECTO MILLER EN LA ENTRADA
O
U
O
F
U
A
U
U =
O
U
U
U
A
A 1
|
|
.
|

\
|
=
F
U
U
O
F
F
F
Z
A
A 1
U
Z
U
I
|
|
.
|

\
|
= =
U
U
F
A
A 1
Z

A
u
U
I
U
O
EFECTO MILLER EN LA SALIDA
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
t
rise
t
on
t
disch
t
fall
t
off
t
delay
Conmutaciones con carga resistiva pura
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
R
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
90%
90%
10%
10%
p
MOS
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
t
on
t
off
t
1
t
2
t
3
t
4
Conmutaciones con carga inductiva
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
L
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
I
RR
p
MOS
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Clculo de la potencia disipada en la conmutacin: APAGADO con carga resistiva
u
DS
i
D
i
D MAX
El MOSFET de potencia: Clculo de prdidas
t
fall
V
DD
Durante t
fall
:
t
t
V
) t ( u
fall
DD
DS
=
fall
fall
MAX D D
t
t t
i ) t ( i

=
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se acta de manera anloga.
}
=
=
=
fall
t t
0 t
DS D OFF
dt ) t ( u ) t ( i E
6
t V i
E
fall DD MAX D
OFF
=
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
EJEMPLO:
El MOSFET de potencia: Clculo de prdidas
Evalense las prdidas en el MOSFET de R
DS
ON
=0,55 W para el caso de que su tensin y
corriente sean las de la figura. Hgase el
clculo cuando d=0,3 y con frecuencias de
10kHz y 150 kHz.
u
DS
i
D
5A
100 ns
150V
100 ns
dT (1-d)T
( ) W 125 , 4 d 5 55 , 0 I R P
2 2
Drms ON DS 1
= = =
Puesto que T>>100ns, puede aproximarse
J 5 , 12
6
10 100 150 5
6
t V i
E E
9
fall DD MAX D
ON OFF
= = = =

1 ON MOS
P ) f ( E 2 ) f ( P + =
W 38 , 4 W 125 , 4 W 25 , 0 ) kHz 10 ( P
MOS
= + =
W 6 , 41 W 125 , 4 W 5 , 37 ) kHz 150 ( P
MOS
= + =
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
2
2
MAX D D
t
t t
I ) t ( i

=
En t
1
:
En t
2
:
(Mientras exista circulacin de corriente por el
diodo, soporta tensin nula).
Apagado con carga inductiva:
El MOSFET de potencia: Clculo de prdidas
u
DS
i
D
t
off
t
2
t
1
1
DD DS
t
t
V ) t ( u =
}
=
=
=
OFF
t t
0 t
DS D OFF
dt ) t ( u ) t ( i E
2
t V i
E
off DD MAX D
OFF
=
V
DD
i
D MAX
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
u
DS
i
D
t
on
t
2
t
1
i
RR
V
DD
i
D MAX
( )
1
RR MAX D D
t
t
i i ) t ( i + =
En t
1
:
En t
2
:
DD DS
V ) t ( u =
2
2
RR MAX D D
t
t t
i i ) t ( i

+ =
2
2
DD DS
t
t t
V ) t ( u

=
}
=
=
=
on
t t
0 t
DS D ON
dt ) t ( u ) t ( i E
3
2
t
t V i
2
t V i
E
1
on DD RR
on DD MAX D
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
Encendido con carga inductiva:
El MOSFET de potencia: Clculo de prdidas
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
1.- Circuito para disminuir el efecto Miller.
2.- Los transistores de puerta son de seal y por tanto ms rpidos.
3.- La resistencia de puerta, r, es muy pequea (<10W) y se coloca para proteger la puerta
de posibles picos de tensin.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente constante.
5.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy pequea.
Sin aislamiento
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
C
DS
C
GD
C
GS
+V
CC
V
GG
R
r
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Con aislamiento
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
1.- Siempre hay un interruptor cerrado generndose una
onda cuadrada sobre R.
2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G y en S debe
haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en su fuente
aparecen 500V.
4.- En ese momento, para mantener el MOSFET cerrado, en
puerta debe haber 515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las fuentes de
tensin deben estar referidas a masa, pues provienen de VG.
6.- Se necesita una tensin superior a la propia VG.
7.- En la resolucin de este problema, los circuitos de bomba
de carga se han impuesto a los transformadores de
impulsos.
G
S
D
R
INT
500V
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
BOOTSTRAP
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
G
S
D
R
INT
500V
D
BOOT
V
CC
C
BOOT
1.- Al cerrarse el interruptor inferior, C
BOOT
se
carga a 15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo D
BOOT
impide que C
BOOT
se descargue; dicho diodo
debe ser capaz de bloquear toda la tensin del
circuito.
4.- Con dos transistores auxiliares se aplica la
tensin de C
BOOT
a la puerta del MOSFET de
potencia.
5.- CBOOT debe tener una capacidad muy
superior a la de puerta para que apenas se
descargue.
V 12 V 5 , 1 V
Q
C
CC
G
BOOT

>
Q
G
: carga de puerta
V
CC
: 15V
1,5V: cadas de tensin en los transistores auxiliares
12V: tensin mnima de puerta
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
IRF510 100V 5,6A 0,54 O 5nC
IRF540N 100V 27A 0,052 O 71nC
APT10M25BVR 100V 75A 0,025 O 150nC
IRF740 400V 10A 0,55 O 35nC
APT4012BVR 400V 37A 0,12 O 195nC
APT5017BVR 500V 30A 0,17 O 200nC
SMM70N06 60V 70A 0,018 O 120nC
MTW10N100E 1000V 10A 1,3 O 100nC
Referencia V
DS,MAX
I
D,MAX
R
ON
Q
G
(tpica)
47ns
74ns
50ns
40ns
67ns
66ns
120ns
290ns
t
c
(tpico)
Algunos MOSFET de potencia
El MOSFET de potencia: Caractersticas reales
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
Semitrans 2
Semitrans 1
TO247 TO220 TO3
Semitop 2
El MOSFET de potencia: Encapsulados
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA