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INGENIERA DE SISTEMAS E INFORMTICA IV CICLO Fsica Electrnica Presentado por: Vctor J.

Gonzales

UNION P-N Diodo de unin PN polarizado


Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

El siguiente diagrama muestra la polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa

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Utilizando el control de voltaje permitir los huecos de la regin P y los electrones de la regin N son empujados hacia la unin por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n) de ambas regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando la anchura de la zona de transicin.

Se observa que hay variacin conforme va cambiando los voltajes. Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los portadores minoritarios y a los pares electrn-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se denomina corriente inversa de saturacin (Io).1

http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema4.pdf

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Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD Vo entonces se produce una corriente debida a los huecos que son empujados por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones n que son empujados por el terminal negativo de VD hacia la zona P.

En polarizacin directa si VD aumenta implica que aumenta la concentracin de minoritarios en ambos lados, y entonces aumenta la carga almacenada Q producindose tambin en este caso un efecto capacitivo

La Ley de shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente

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hasta la corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb.2

El diagrama interactivo permite mostrar la polarizacin lineal de la concentracin de electrones minoritarios tipo P y la concentracin de electrones tipo N. Utilizando los botones parar y pausa podemos visualizar lo que suceden dicha polarizacin.

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Shockley

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DESCRIPCIN CUALITATIVA DEL FLUJO DE CORRIENTE

Mientras que las relaciones no lineales dan como resultado curvas entre la concentracin de huecos y la concentracin de huecos minoritarios. Describir cualitativamente el flujo de corriente en una unin, como se observa la concentracin de electrones minoritarios, concentracin de huecos, a mayor concentracin de electrones menor es la concentracin de huecos, se observa en el flujo de corriente.
CONMUTACIN DEL DIODO

Se puede realizar la conmutacin de un diodo cambiando la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior

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derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo clic con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito;

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la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornes del diodo. stas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornes del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo, pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.

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PGINAS VISITADAS

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Unio n_PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_le y_de_Shockley/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet 3/DiodoConmutaApplet.html http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Shockley

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