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Fsica Electrnica

EJERCICIO UNION P - N
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

DILFOR ZEVALLOS ZARATE 10/08/2012

Diodo de unin P-N Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico

Cuando el voltaje se encuentra en 0 voltios y hay una perdida energa es -3.28 V/cm En donde la distancia entre cargas de los elementos de sodio y neodimio es xp=2.14 cm Mientras que en la distancia es mucho menor la energa es mxima hasta llegar a 0 V/cm

La unin P-N la encontramos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unin P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el material tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unin P-N. En la grafica 1 se observa la carga espacial en donde el neodimio tiene una carga de positiva y mayor que en el sodio, mientras en la grafica 2 se observa que las dimensin del elemento es menor, la relacin es directamente proporcional .El voltaje es mayor las dimensiones son menores

En este caso para un voltaje de -2.0 voltios la Energa es 6.64 V/cm

La diferencia de potencial se hace ms grande mientras que el voltaje inicial disminuya.

En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales. Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin). En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los tros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada. Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no podr ser modificado por el usuario.

La ley de Shock ley El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna. Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. Este modelo que nos brindan es la que relaciona la intensidad de corriente en el diodo, es uno de los modelos empleados es el shock ley que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. En el caso de la fig 1 se tiene una descripcin de cualidades del flujo de corriente en la unin, como se ve en el siguiente grafico hay una polarizacin con el elemento de tipo p de carga

positiva y el de tipo n de carga negativa. Si nos damos cuenta le estamos dando una polarizacin de 4 voltios a una temperatura de 300 K

Por ende las partculas se dirigen en sentido anti horario. Para el transistor de efecto de campo la relacin entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal, debido al trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Las relaciones lineales resultan en lneas rectas cuando se dibujan en una grfica de una variable en funcin de la otra, mientras que las relaciones no lineales dan como resultado curvas como las que se obtuvieron para las caractersticas de transferencia de un JFET. A partir de neodimio de una concentracin de electrones hacia una concentracin de electrones minoritarios, que luego se dirigen a una concentracin de huecos que le sigue a una concentracin de huecos minoritarios y as sucesivamente. Aqu se muestra una representacin grfica de la unidad de corriente con respecto a la corriente donde la unidad de corriente es representada por el logaritmo natural de dicha grfica.

Conmutacin del diodo Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o lgico que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado de conduccin y el estado de bloqueo, y a la inversa.

Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en

modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Para el caso siguiente lo factible seria reducir la corriente

En la grafica nos muestra tensin, corriente, carga y diferencia de potencial con respecto al tiempo, mientras que la siguiente grafica tras en el caso contrario

que

En este caso la distancia se va acortando, mientras que en el caso anterior disminuye.