FACULTAD: INGENIERIA ESCUELA: SISTEMAS E INFORMATICA CURSO:FISICA ELECTRONICA TEMA: UNION P-N ESTUDIANTE: ESTEBAN CUSIHUATA HUAMAN CICLO:IV CODIGO:UT01900032 TUTOR: JUAN MENDOZA NOLORBE SICUANI-CUSCO-PERU 2012
El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un crculo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).
Y de la un SC tipo p:
Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn". Una unin pn consiste en un nico cristal semiconductor al cual se le han aadido impurezas de manera que se obtiene una zona p y otra n.
FISICA ELECTRONICA
En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.
FISICA ELECTRONICA Alumno: Esteban C. H Pgina 3
LEY DE SHOCKLEY
En este applet se simula el transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene ms similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos de polarizacin acerca de los transistores bipolares se aplican a los transistores de efecto de campo con ciertas restricciones. Para el transistor de efecto de campo la relacin entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal, debido al trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Las relaciones lineales resultan en lneas rectas cuando se dibujan en una grafica de una
FISICA ELECTRONICA Alumno: Esteban C. H Pgina 5
FISICA ELECTRONICA