ELECTRNICA BSICA INFORME DE LA PRCTICA DE TRANSISTORES

CONTENIDO

LISTA DE FIGURAS

Nombre

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Figura 1 Ejercicio 4.1 Circuito de polarizacin fija. Figura 1.2 EJERCICIO 4.1. Circuito de polarizacin fija. Figura 2 EJERCICIO 4.4. Circuito de polarizacin establecido en el emisordel ejercicio 4.2. Figura 3 EJERCICIO 4.7. Circuito de beta. Figura 3.2 EJERCICIO 4.7. Circuito de beta.

IDICE TEMTICO

Nombre del tema 1.- INTRODUCCIN 2.- PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA 3.-OBJETIVO 4.- FUNDAMENTOS TERICOS 5.- DESARROLLO TERICO 6.- DESARROLLO EXPERIMENTAL 7.- CONCLUSIONES 8.- REFERENCIAS 9.- ANEXO I. INFRAESTRUCTURA

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1.- INTRODUCCIN El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter HouserBrattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. En el presente trabajo se analizan las propiedades bsicas del transistor como son la ganancia, las impedancias de entrada y salida, la zona de amplificacin y saturacin y adems se presentan una serie de circuitos en los que se analizan las ventajas e inconvenientes, como as tambin sus posibles implementaciones. Entre los circuitos analizados se encuentran el transistor actuando como llave, el seguidor por emisor y el amplificador emisor comn.

2.- PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

Nos encontramos con que un grupo de alumnos que no conoce que aplicaciones tiene los transistores, por ello se desarrollar la prctica de manera precisa y de forma secuencial que permita aprender el uso y manejo de los mismos.

3.- OBJETIVO En esta prctica nos familiarizaremos con el transistor bipolar. En primer lugar identificaremos sus tresterminales: emisor, base y colector. En la segunda parte estudiaremos las tres zonas de trabajo del transistor:corte, activa y saturacin. Se recuerda al alumno que el transistor bipolar funciona como una fuente decorriente controlada por tensin. Por debajo de un voltaje mnimo entre base y colector (voltaje de activacin)el transistor no conduce. En la zona activa el transistor amplifica la corriente de base por un factor llamado (ganancia de corriente). Se implementaran circuitos lgicos basados en componentes discretos utilizando resistencias y transistores, se evaluar su funcionamiento as como la comprobacin del funcionamiento de las principales compuertas lgicas. Identificacin de los terminales P/N del diodo LED. Explicar cmo se podran identificar experimentalmente los terminales del transistor. Realizar el montaje correctamente. Puede darse la circunstancia de que el diodo LED luzca an con los terminales del transistor conectados errneamente. Explicar el montaje en que se podra dar esta circunstancia y porqu se produce. Clculo de la ganancia del transistor. Identificar las zonas de trabajo del transistor.

4.- FUNDAMENTOS TERICOS Transistor El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter HouserBrattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (ComplementaryMOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e

inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

5.- DESARROLLO TERICO

El comportamiento del transistor puede analizarse tomando en consideracin suscaractersticas de entrada (terminales base-emisor) y sus caractersticas de salida, es decir,el control ejercido sobre los terminales colector-emisor por el circuito de entrada. Desde el punto de vista de su funcionamiento elctrico, los terminales base y emisor seasemejan a un diodo. Se producir circulacin de corriente, solamente cuando la polaridad de los potenciales aplicados corresponda a la polaridad del diodo base-emisor. O sea que cuando la diferencia de potencial del elemento representado por un diodo (base-emisor), sea mayor que la tensin de juntura, ste conducir. Si se aplica una fuente de tensin de polaridad adecuada a los terminales base-emisor se producir una corriente de base IB, determinada por la tensin de alimentacin, la resistencia de base RB y la resistencia propia del diodo (en general esta resistencia ser reducida por tratarse de un diodo polarizado en su sentido de conduccin). Se observa que la corriente del colector IC depende en forma directa de la corriente IB de manera tal que: Si no circula corriente por el circuito base-emisor, tampoco circula corriente por colector-emisor (la corriente IC es prcticamente nula). Todo aumento (o disminucin) de la corriente IB se traduce como un aumento (o disminucin) de la corriente IC. Se puede afirmar que existe una relacin proporcional entre la corriente de base y la corriente de colector. Por otra parte, tambin se observa que valores pequeos de corriente en la base producen una circulacin de corriente en el colector apreciablemente mayor. Esta caracterstica de control entrada-salida se especifica por medio de la relacin entre las corrientes IC e IB, denominada ganancia (=IC/ IB). Resumiendo, el transistor es un elemento de circuito que admite un control sobre los terminales de salida que depende de la seal aplicada a su entrada. Este control se realiza por circulacin de corriente en la base. Adems, el transistor puede operar como una llave donde los dos casos posibles de operacin sern: El transistor como llave abierta: si la corriente de base es nula, la corriente de colector ser prcticamente cero. El transistor como llave cerrada: A medida que se aumenta la corriente de base, se incrementa consecuentemente la corriente de colector hasta que se llega a la zona de saturacin.

6.- DESARROLLO EXPERIMENTAL

EJERCICIOS DE EJEMPLO: EJEMPLO 4.1: Determine lo siguiente para la configuracin de polarizacin Fija. (a) IBQe ICQ . (b) VCEQ, (c) VB y VC, (d) VBC.

IBQ= 47.08A
ICQ= 2.35mA. VCEQ= 6.83 V VB= VC=
0.7V 6.83V -6.13V

VBC=

Figura Grafica1Ejercicio 4.1 Circuito de polarizacin fija.

Figura 1 Ejercicio 4.1 Circuito de polarizacin fija.

Figura 1.2 Ejercicio 4.1. Circuito de polarizacin fija.

EJEMPLO 4.4: Para la red de la polarizacin en emisor de la figura 2 determine:

(a)IB

(b)IC

(c)VCE

(d)VC

(e)VE

(f)VB

(g)VBC.

(a)IB= 4.1A (b)IC= 2.1mA (c)VCE=13.97V (d)VC=15.98V (e)VE=2.01V (f)VB=2.71V (g)VBC.= -13.97V

Figura 2 Ejercicio 4.4. Circuito de polarizacin establecido en el emisor del ejercicio 4.2.

Figura Grafica 2 Ejercicio 4.4. Circuito de polarizacin establecido en el emisor del ejercicio 4.2.

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EJEMPLO 4.7: Determine el voltaje de polarizacin de VCE y la corriente IC para la configuracin por divisor de voltaje de la figura 3.

(a) VCE = 0.85mA (b) IC = 12.22V

Figura Grafica 3 Ejercicio 4.7. Circuito de beta.

Figura3 Ejercicio 4.7. Circuito de beta.

Figura Grafica 3 Ejercicio 4.7. Circuito de beta.

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7.- CONCLUSIONES

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras capacidades investigativas nos aport importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura general, y otras ocasiones conocimientos especficos acerca de los diodos y cada uno de los tipos mas conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la electrnica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con componentes elctricos y con presencia de transistores. Primero podemos destacar que el transistor se puede utilizar en dos maneras como llave en la que trabaja en la zona de saturacin y como amplificador que se distingue debido a que dentro de esta zona la corriente de colector es veces mas que la de base. La ganancia calculada fue de 222, que se corresponde con los valores tpicos (alrededor de los 300). Se debe destacar que la ganancia del transistor medido puede ser algo distinta de las medidas sobre otros transistores del mismo modelo (BC548) ya que es un parmetro que depende fuertemente del espesor de la base. Resulta til recordar que la ganancia por lo general disminuye para transistores de potencia pudiendo ser del orden de 10 para transistores de alrededor de 1Watt. El seguidor por emisor, si bien su ganancia de tensin es aproximadamente 1 puede resultar prctico cuando se tiene un sensor al que se desea extraer poca corriente para medir la seal que capta, porque posee una impedancia de entrada alta (Zi medida 172k) y una impedancia de salida pequea (Zo medida<<500). El seguidor con fuente nica tiene la ventaja de mantener la base a un potencial que est alrededor de los 6 V (en nuestro caso, ver el tem correspondiente: Seguidor con fuente de alimentacin nica), haciendo que el transistor este siempre cerca del punto de trabajo ptimo. En el amplificador emisor comn con capacitor de bypass se observa las diferencias entre la ganancia de corriente continua y alterna.

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8.- REFERENCIAS

1.- Electrnica - Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 8E (R.L. Boylestad, L. Nashelsky) (Pearson) (2003) (9789702604365) 2.- Principios de la electrnica, A. Malvino Ed Mc Graw-Hill, 1994 3.- Elementos de electrnica, H. Hickey y W. Villines, ,Boixareu editores. 1972. 4.- http://www.electronica2000.com
5.- http://areaelectronica.com/ Transistores/Transistores, transistor, teora..htm

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9.- ANEXO I. INFRAESTRUCTURA Lista de materiales requeridos para la elaboracin de la practica.

Equipo de cmputo:

# DEL EQUIPO #4 #9

MARCA

MEMORIA

WINDOWS

DISCO DURO

COMPAQ DELL

512MB 513MB

XP XP

160GB 160GB

Componentes electrnicos:

CANTIDAD NOMBRE 1 3 32 4 2 7 PROTOBOARD RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS

VALOR N/A 0.3K 2.2K 10K 20K 4.7K remplazadas por3300K 2K 1.2K 4.7K 2K 6.8K 3.3K 1K 56K

MARCA PROSKIT

8 8 6 6 2 2 4 1 1 1

RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS RESISTENCIAS CARGADOR CAMARAFOT.

STEREN 8.1 MEGAPIXELES SAMSUNG

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BIbliografria:

AUTOR

NOMBRE DEL LIBRO Principios de electrnica

EDITORIAL Mc Graw Hill Pearson Prentice Hall

EDICION 7THEDITION 8TH EDICIN

R.L. Boylestad, L. Nashelsky

Electrnica - Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos

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