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MARCO TEORICO

TRANSISTOR BJT
Un transistor de unin es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupacin da lugar a 2 tipos de transistores segn la disposicin de las capas. Transistor bipolar, de unin o BJT es lo mismo.

Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP. Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN. Los tres terminales son: E = Emisor, B = Base, C = Colector Existen tres zonas de funcionamiento: zona de corte, zona de saturacin y zona activa o de trabajo. 1. ZONA ACTIVA. El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la unin J1 directamente y la unin J2 inversamente.

2. ZONA DE CORTE. En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Un transistor funciona al corte cuando la unin J1 se polariza inversamente (o no se polariza) y la J2 se polariza inversamente.

La corriente de emisor IE es casi nula. Tiene valores de microamperios. 3.- ZONA DE SATURACIN. El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). Para colocar un transistor en saturacin, debemos polarizar ambas uniones directamente.

En la zona activa los transistores funcionan como amplificadores. En la zona de

corte equivalente a un interruptor abierto y en la zona de saturacin a un interruptor cerrado. 4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1.- Se el transistor NPN por un PNP. 2.- Se invierten todos los voltajes y corrientes. Observaciones. La tensin colector - emisor tiene un valor prximo a cero (0 V) Voltios. La IB (corriente de base) puede ser comparable a IE e IC. La ecuacin fundamental del transistor: IC = b IB - (1 + b ) ICSo no se cumple cuando trabaja en saturacin.

Configuracin de base comn. La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Ntese en cada caso que:

IE = IC + IB Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)

Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE ). El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters. Las regiones Activa, de Corte y de Saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

Caractersticas de salida, del colector, para un amplificador de base comn.

Configuracin de emisor comn


La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.

Smbolo y notacin del transistor NPN en configuracin de Emisor comn.

Smbolo y notacin del transistor PNP en configuracin de Emisor comn.

Caractersticas del colector un transistor BJT de Silicio en la configuracin de emisor comn.

Caractersticas de la base un transistor BJT de Silicio en la configuracin de emisor comn.

Configuracin de colector comn


La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el transistor PNP.

Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el transistor NPN.

La configuracin del circuito de colector comn con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn.

Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de impedancia

Lmites de operacin del transistor


Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurar que los valores nominales mximos no sean excedidos y en donde la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor. Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor, ICmx se especific como de 50 mA y VCEO como de 20 V. La lnea vertical de las caractersticas definida como VCEsat especifica la mnima VCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

Definicin de la regin lineal de operacin (sin distorsin) de un transistor: Regin Activa.