FAMILIAS LGICAS
INDICE
1. Familias Lgicas De Circuitos Integrados............................................................................ 3 1.1. Caractersticas Generales ............................................................................................ 4 2. Circuitos Integrados TTL ..................................................................................................... 6 2.1. Caractersticas ............................................................................................................. 6 2.2. Subfamilias................................................................................................................... 7 2.3. Aplicaciones ............................................................................................................... 11 3. Circuitos Integrados ECL ................................................................................................... 12 4.1 Aplicaciones ................................................................................................................ 12 4. Circuitos Integrados IIL I2L ............................................................................................. 13 5. Circuitos Integrados MOS ................................................................................................. 14 4.1. Caractersticas ........................................................................................................... 14 6. Circuitos Integrados CMOS ............................................................................................... 17 3.1. Caractersticas ........................................................................................................... 17 3.2. Subfamilias................................................................................................................. 17 3.3. Ventajas y desventajas .............................................................................................. 19 3.4. Aplicaciones ............................................................................................................... 20 Anexo .................................................................................................................................... 21 Bibliografa ............................................................................................................................ 22
Estas corrientes determinan el fan-out que se puede definir como la cantidad de entradas que se pueden conectar a una sola salida, que para los CIs TTL es de aproximadamente de 10. Los CIs CMOS poseen corrientes de absorcin y de suministro muy similares y su fanout es mucho mas amplio que la de los CIs TTL. Aproximadamente 50.
2.1. Caractersticas
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4.75v y los 5.25V (como se ve un rango muy estrecho). Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0.2V y 0.8V para el estado L (bajo) y los 2.4V y Vcc para el estado H (alto). Los circuitos integrados TTL, en general, operan con una tensin de alimentacin nominal de +5V e interpretan niveles lgicos de voltaje como se indica en la figura 1. Especficamente, cualquier voltaje entre 0V y 0.8V (VIL, MAX) ser interpretado por una entrada TTL como un bajo (0), y cualquier voltaje entre 2.0V (VIH, MIN) y 5.0V como un alto (1). Los voltajes de entrada entre 0.8V y 2.0V se consideran invlidos en TTL porque producen estados de salida indeterminados.
Consecuentemente, los dispositivos TTL entregan voltajes de salida entre 0 y 0.4V (VOL, MAX) para el estado bajo (0) y entre 2.4V (VOH, MIN) y 5.0V para el estado alto (1). La diferencia de 0.4V entre VIL, MIN y VOL, MAX, y entre VOH, MIN y VIH, MIN, se denomina margen de ruido. Este margen de voltaje asegura que un pequeo transitorio de ruido (interferencia) en una lnea de conexin no cambie el estado de la siguiente etapa.
2.2. Subfamilias
Actualmente, la familia TTL comprende varias subfamilias que representan la bsqueda de un compromiso entre la necesidad de obtener altas velocidades de operacin y la de reducir el consumo de potencia. Las ms importantes son la estndar (74), la de baja potencia (74L), la de alta velocidad (74H), la Schottky (74S), la Schottky de bajo consumo (74LS) y las Schottky avanzadas (74AS y 74ALS). A continuacin se resumen las caractersticas generales de cada una.
Familia TTL estndar. Comprende los dispositivos identificados como 74xx, por ejemplo 7402 o 74157. Se caracteriza por su alta velocidad de operacin (tpicamente por encima de 20MHz) y su alto consumo de potencia (1 a 25 mW por compuerta). En la figura 2 se muestra la estructura bsica de una compuerta TTL estndar. Con ligeras modificaciones, esta configuracin se mantiene para las otras familias TTL.
TTL de baja potencia (L). Comprende los dispositivos identificados en forma genrica como 74Lxx, por ejemplo 74L04 o 74L574. Consume 10 veces menos potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms lenta. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente altos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 40kohms y 20k, respectivamente. TTL de alta velocidad (H). Comprende los dispositivos identificados como 74Hxx, por ejemplo 74H08 o 74H368. Consume 2.5 veces ms potencia que TTL estndar pero es 2 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente bajos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 2.8k ohms y 760 ohms, respectivamente. TTL Schottky. Comprende los dispositivos identificados como 74Sxx, por ejemplo 74S30 o 74S244. Consume 1.8 veces ms potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza diodos Schottky entre la base y el colector de cada transistor, constituyendo lo que se denomina un transistor Schottky, figura 3. Estos ltimos trabajan como interruptores no saturados y pueden cambiar rpidamente de un estado a otro. En la figura 4 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-S.
TTL Schottky de baja potencia. Comprende los dispositivos designados como 74LSxx, por ejemplo 74LS51 o 74LS373. Consume 5 veces menos potencia que TTL estndar y es igual de rpida. Esto se debe a que utiliza transistores Schottky no saturados y valores de resistencia relativamente altos comparados con la serie 74S. Es la subfamilia TTL ms utilizada. En la figura 5 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-LS.
TTL Schottky avanzada. Comprende los dispositivos designados como 74ASxx, por ejemplo 74AS157 o 74AS240. Proporciona las ms altas velocidades que el estado actual de la tecnologa bipolar puede ofrecer (ms de 600 MHz) y su consumo es intermedio entre TTL estndar y TTL-LS (menos de 7mW por compuerta). TTL Schottky avanzada de baja potencia. Comprende los dispositivos designados en forma genrica como 74ALSxx, por ejemplo, 74ALS86 o 74ALS574. Consume la mitad de potencia de TTL LS y es dos veces ms rpida. Una compuerta 74ALS tiene tpicamente 9
una disipacin de potencia del orden de 1mW y un tiempo de propagacin del orden de 4 ns. Adems de sus caractersticas de velocidad y potencia, las subfamilias TTL anteriores se diferencian tambin por sus caractersticas de carga, es decir la corriente que demanda una entrada de la fuente de seal y la corriente que puede entregar una salida al circuito de carga. Estas caractersticas, denominadas respectivamente abanico de entrada (fan-in) y abanico de salida (fan-out), determinan el nmero mximo de entradas de una misma subfamilia que pueden ser conectados a una salida de la misma u otra subfamilia. Una entrada TTL estndar, por ejemplo, se comporta como una fuente de corriente de 1.8mA. A este valor se le asigna un fan-in de 1. Una salida TTL estndar, por su parte, se comporta como una fuente de voltaje con una capacidad de corriente mxima de 18mA. Esto implica que puede impulsar hasta 10 entradas TTL del mismo tipo. En otras palabras, tiene un fan out de 10. En la tabla 1 se relacionan las caractersticas de carga tpicas de otras subfamilias TTL comunes.
Tabla 1. Caractersticas de carga de subfamilias TTL comunes Como sus caractersticas de voltaje son las mismas (La familia lgica TTL trabaja normalmente a +5V), analizaremos las velocidades y consumo de potencia de ellas.
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Tabla 2. Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja potencia renen excelentes caractersticas de alta velocidad y bajo consumo de potencia. Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.
2.3. Aplicaciones
Las aplicaciones ms comunes de la tecnologa TTL son las siguientes: Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros. Memorias RAM Memorias PROM PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que interconecta las entradas y cierto nmero de puertas lgicas.
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Los circuitos integrados ECL operan generalmente con una tensin de alimentacin nominal de -5.2V y vienen actualmente en cuatro series, denominadas MECL I, II, III y 10000, todas ellas fabricadas casi que exclusivamente por Motorola. En particular, un dispositivo MECL 10000, por ejemplo el MC10102, interpreta como 1s voltajes entre 0 y 1.105V, y como Os voltajes entre -1.475V y 5.2V. Consecuentemente, produce niveles de salida altos (s) entre 0 y -0.98V, y bajos (Os) entre -1.63V y -5.2V.
4.1 Aplicaciones
Matrices lgicas. Memorias (Motorola, Fairchild). Microprocesadores (Motorola, F100 de Ferranti). Para mejorar las prestaciones de la tecnologa CMOS, la ECL se incorpora en ciertas funciones crticas en circuitos CMOS, aumentando la velocidad, pero manteniendo bajo el consumo total.
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Tpicamente, la corriente de inyeccin est en el rango de 10nA a 100A. Seleccionando adecuadamente dicha corriente usted puede controlar fcilmente el tiempo de propagacin y el consumo de corriente por compuerta. Los dispositivos EL pueden trabajar con tensiones de alimentacin (Vcc) desde 1V hasta ms de 15V e interpretan las entradas flotantes o con ms de 0.7V como altos (1s) y las entradas a tierra o con menos de 0.4V como bajos (0s). Consecuentemente producen niveles de salida altos (1s) del orden de +Vcc y bajos (0s) del orden de 0.4Vcc. La principal desventaja de esta tecnologa radica en que necesita un paso ms en el proceso de fabricacin que la tecnologa MOS, su competidor ms in-mediato en el exclusivo mercado de la integracin a gran escala (LSI).
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4.1. Caractersticas
Velocidad de Operacin Margen de Ruido Factor de Carga Consumo de Potencia 50 ns 1.5 V 50 0.1 mW
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Como podemos ver los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital. Inversor MOS
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Los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes prdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos los instrumentos a tierra fsica, conectarse a s mismo a tierra fsica, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS.
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3.1. Caractersticas
En un circuito CMOS, la funcin lgica a sintetizar se implementa por duplicado mediante dos circuitos: uno basado exclusivamente en transistores pMOS (circuito de pull-up), y otro basado exclusivamente en transistores nMOS (circuito de pull-down). El circuito pMOS es empleado para propagar el valor binario 1 (pull-up), y el circuito nMOS para propagar el valor binario 0 (pull-down). Vase la figura. Representa una puerta lgica NOT o inversor.
Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenaje y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin. Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenaje y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin. Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.
3.2. Subfamilias
Incluye principalmente las siguientes series o subfamilias: 17
CMOS estndar. Llamada tambin serie 4000B. Comprende los dispositivos identificados como 40xxB, 45xxB y 47xxB, por ejemplo 4011B, 4528B y 4724B. Se caracteriza por su baja disipacin de potencia (cerca de 10nW por compuerta) y su moderada velocidad de operacin (menos de 10MHz). Opera con tensiones de alimentacin (VDD) desde 3V hasta 18V e interpreta niveles de voltaje de entrada como se indica en la figura 6, es decir desde 0 hasta 1/3 de VDD como bajos (Os) y desde 2/3 de VDD hasta VDD como altos (1s). Consecuentemente, produce niveles de salida muy prximos a 0V para el estado bajo (0) y muy prximos a +VDD para el estado alto (1). En la figura 7 se muestra la estructura tpica de una compuerta CMOS.
Tambin se dispone de una serie CMOS estndar 4000A, ms econmica, formada por dispositivos identificados como 40xxA o 40xx, digamos 4002A o 4013, que opera con tensiones de alimentacin desde 3V hasta 15V y tiene la misma definicin de niveles de la serie 4000B. Sin embargo, opera a frecuencias ms bajas y tiene una menor capacidad de corriente de salida. Adems, es ms sensible al dao por electricidad esttica. CMOS equivalente a TTL. Comprende los dispositivos designados como 74Cxx, por ejemplo 74C14 y 74C164: Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie TTL 74L y tienen la misma distribucin de pines. Es un 50% ms rpida que la serie 4000B, pero consume un 50% ms de potencia. Opera con tensiones de alimentacin desde 3V hasta 15V, excepto algunos casos particulares, y responde a niveles lgicos CMOS estndares. Muchas funciones 74C no estn disponibles en TTL. CMOS de alta velocidad. Comprende los dispositivos designados como 74HCxx, por ejemplo 74HC74 o 74HC259. Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie TTL 74LS, tienen la misma distribucin de pines y ofrecen velocidades de conmutacin comparables. Opera con tensiones de alimentacin desde 2V hasta 6V y niveles lgicos
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CMOS estndares. Es la tecnologa que proporciona actualmente el mejor compromiso entre velocidad de operacin y consumo de potencia. CMOS de alta velocidad con entradas TTL. Comprende los dispositivos designados como 74HCTxx, por ejemplo 74HCT04 o 74HCT374. Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie 74HC, operan con el mismo rango de tensiones de alimentacin y tienen la misma distribucin de pines, excepto que sus entradas son compatibles con niveles lgicos TTL. Es la mejor alternativa de que se dispone actualmente para convertir sistemas basados en lgica TTL a lgica CMOS.
Otras subfamilias CMOS menos conocidas, caracterizadas principalmente por su alta velocidad, son las series 74HVCxx (CMOS de muy alta velocidad), 74VHCTxx (HVC compatible con TTL), 74ABT (BiCMOS avanzada compatible con TTL), 74ACxx (CMOS avanzada), 74ACT (AC compatible con TTL), 74FCT (CMOS rpida compatible con TTL), etc. Tambin se dispone de dispositivos CMOS y TTL para lgica de 3.3V, como las populares familias 74VCX, 74LCX, 74LVX, 74LVXT, 74LVQ, 74LVCH y 74LVT de Fairchild, Toshiba y otros fabricantes.
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La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.
Desventajas: Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas electrostticas entre un par de pines. Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas. Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o alimentacin. Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).
3.4. Aplicaciones
Memorias. Fabricacin de microprocesadores. ASCI's (Application Specific Integrated Circuits).
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Anexo
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Bibliografa
https://sites.google.com/site/nauravila/familiaslgicas Ing. Naur Avila Estrada http://sergiorendain.blogspot.com/2011/02/familias-logicas-ttl-y-cmos.html Sergio Orendain http://ladelec.com Cursos, servicios, productos y circuitos. http://www.uned.es/cabergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/04_fam_log_mos/transp_fam_logi_mos.pdf Universidad Nacional de Educacin a Distancia. http://html.rincondelvago.com/electronica-digital_9.html
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