Captulo

Estrutura da Matria - Cristais

Neste captulo, estudaremos uma das formas da estrutura da matria, a chamada estrutura cristalina. Na estrutura monocristalina, todos os tomos ocupam posies regulares no espao, que se repetem indefinidamente, como ilustrados na Fig. 4.1a. Quando tomos ocupam posies regulares sem se repetirem indefinidamente, mas apenas em pequenas regies, temos uma estrutura policristalina. Em material policristalino temos um agregado de pequenos gros, cuja estrutura interna cristalina, sendo que a direo do arranjo cristalino de um gro no apresenta relao com a direo dos seus vizinhos, como indicado na Fig. 4.1b. Aumentando o grau de desordem ao extremo temos o que chamado de material amorfo. Neste caso, no h regularidade nenhuma nas posies ocupadas pelos tomos, como ilustrado na Fig. 4.1c. Assim, podemos classificar os slidos em materiais monocristalinos, policristalinos e amorfos. Os materiais utilizados em engenharia eltrica podem estar em uma destas estruturas. Essencialmente todos os metais, parte relevante das cermicas e certos polmeros cristalizam-se quando so solidificados. Neste captulo estudaremos conceitos de cristalografia e defeitos em cristais, motivado pelo fato dos semicondutores usados nos componentes eletrnicos serem do tipo monocristalino.

a) Monocristal

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b) Policristal

c) Amorfo

Fig. 4.1 Representao do arranjo atmico de materiais em estrutura a) monocristalina, b) policristalina e c) amorfa.

4.1 Conceitos de Cristalografia

a) Rede, base e estrutura cristalina: Uma estrutura cristalina pode ser descrita pela combinao de uma rede cristalogrfica e de uma base. A rede cristalogrfica uma descrio geomtrica e a base descreve como os tomos so alocados em torno de cada ponto da rede geomtrica. A Fig. 4.2 ilustra esta definio (estrutura cristalina = rede + base). A rede definida por r r r meio de trs vetores a , b , e c , tal que:

r r r r' = r + u.a + v.b + w.c

(4.1)

com u, v e w inteiros, resultando que os pontos r e r sejam idnticos, ou seja, ambos com os mesmos arranjos de tomos ao seu redor. Na Fig. 4.3 apresentamos um outro exemplo de estrutura cristalina, descrito neste caso, por uma rede cbica de faces centradas (um ponto de rede em cada vrtice do cubo em um outro ponto em cada centro de face) e uma base de dois tomos distantes entre si por metade de um lado do cubo. Esta estrutura corresponde a cristais de NaCl, entre outros. Podemos alocar, por exemplo, um tomo de Na em cada ponto da rede e um tomo de Cl correspondente distante metade do lado do cubo numa das direes x, y ou z. Desta forma teremos todos os tomos de Na (pontos cheios) e de Cl (pontos vazios) da Fig. 4.3.

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Fig. 4.2 Ilustrao de uma rede cbica simples (a) e de uma base composto por um nico tomo (b), como descrio de estrutura cristalina (c).

Fig. 4.3 Ilustrao de uma rede cbica de faces centradas de base 2, como no caso do cristal de NaCl. b) Clulas Cristalogrficas e Sistema Cristalinos: Clula unitria: Uma rede pode ser descrita tambm por uma clula (paraleleppedo) que transladado n vezes nas direes x, y e z, gera toda a rede cristalogrfica. Clula primitiva: a menor clula unitria que transladada n vezes nas trs direes, gera toda a rede. Clulas de Bravais: Bravais demonstrou que s podem existir 14 tipos de clulas unitrias, ou seja, todas as redes cristalogrficas possveis podem ser geradas por 14 tipos de clulas. Estas clulas so chamadas de clulas de Bravais e podem ser agrupadas em 7 sistemas de clulas: 1) sistema cbico (simples, de corpo centrado e de
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faces centradas); 2) sistema tetragonal (simples e de corpo centrado); 3) sistema ortorrmbico (simples, de bases centradas, de corpo centrado e de faces centradas); 4) sistema monoclnico (simples e de bases centradas); 5) sistema triclnico; 6) sistema trigonal ou rombodrica e 7) sistema hexagonal. A Fig. 4.4 mostra as 14 clulas de Bravais agrupados nos 7 sistemas, juntamente com as suas definies de tamanhos relativos dos lados e dos ngulos.

Sistema cbico: a) cbico simples; b) cbico de corpo centrado; c) cbco de faces centradas Sistema tetragonal: a) tetragonal simples; b) tetragonal de corpo centrado

Sistema ortorrmbico: a) ortorrmbico simples; b) ortorrmbico de bases centradas; c) ortorrmbico de corpo centrado; d) ortorrmbico de faces centradas

Sistema monoclnico: a) monoclnico simples; b) monoclnico de bases centradas

Sistema triclnico

Sistema trigonal

Sstema hexagonal

Fig. 4.4 Apresentao das 14 clulas unitrias de Bravais agrupadas em 7 sistemas. c) Exemplos de redes e materiais: Como j foi dito, os diferentes materiais podem formar-se em estruturas cristalinas descritas por uma das redes de Bravais. Como exemplos de materiais cristalinos nas diferentes redes temos: rede cbica simples e base 2: CsCl rede cbica de corpo centrado e base 1: Cr, Li, Ba, Nb, Cs, W rede cbica de faces centradas e base 1: Al, Cu, Au, Pb, Ni, Ag rede cbica de faces centradas de base 2: C (diamante), Si, Ge, GaAs, InP, NaCl

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Discutimos agora a rede tipo diamante em maior detalhe. Ela uma rede cbica de faces centradas com base 2, sendo que um tomo alocado nos pontos da rede e o segundo tomo alocado nas direes da diagonal do cubo, a uma distncia de 1/4 da dimenso desta diagonal. A Fig. 4.5 mostra os tomos alocados em um cubo da rede do diamante. Alm dos tomos alocados nos pontos da rede observa-se 4 tomos internos ao cubo em direes paralelas diagonal e distantes do seu par, de 1/4 da dimenso da diagonal, como j dissemos acima. Uma descrio similar j foi apresentada no captulo anterior, ver Fig. 3.6b. A rede do diamante pode ser vista tambm como duas redes cbicas de faces centradas de base 1 e entrelaadas, com distncia de uma rede em relao outra de 1/4 da dimenso da diagonal do cubo, como ilustrado na Fig. 4.6. A clula unitria cbica de face centrada e base dois no no entanto a nica clula unitria e nem a clula primitiva para descrever o cristal de diamante. A clula primitiva uma clula rombodrica ou trigonal mostrada na Fig. 4.7. Esta clula possui vetores axiais de a/2 (a o lado do cubo) com ngulo de 60 entre eles. O volume da clula corresponde a 1/4 do volume do cubo. Embora esta clula seja a primitiva e de menor volume possvel, ela no a mais prtica para ser utilizada. O sistema cbico mais conveniente e por isto mais utilizado.

Fig. 4.5 Clula unitria do diamante, composta por rede cbica de faces centradas e base 2. A importncia da estrutura cristalina do diamante deve-se ao fato dos semicondutores Si, Ge, GaAs e outros semicondutores compostos tipo III-V, apresentarem a mesma estrutura cristalogrfica do diamante. No caso dos semicondutores compostos tipo III-V como o GaAs, InP e outros, a base constituida por um tomo de Ga (elemento da coluna III) e um tomo de As (elemento da coluna V). Neste caso podemos visualizar como sendo uma rede cbica de faces centradas simples de tomos de Ga entrelaada com uma rede similar composta por tomos de As. No caso dos semicondutores compostos, esta rede ainda recebe a denominao de zincblende.

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Fig. 4.6 Ilustrao da rede do diamante como formada por duas redes entrelaadas de redes cbicas de faces centradas e base um.

Fig. 4.7 Ilustrao da clula primitiva do cristal tipo diamante, sendo uma clula rombodrica.
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d) Polimorfismo e relao estrutura cristalina - propriedades Polimorfismo um fenmeno que significa uma mesma substncia poder ser encontrada em mais de um tipo de rede cristalina. Alguns materiais apresentam polimorfismo e outros no. No caso da substncia ser composta por um nico elemento qumico, o polimorfismo chamado de alotropia. Como exemplos de formas alotrpicas de materiais temos: cristais de carbono: podem ser encontrados na forma de rede tipo diamante, como discutido acima, bem como na forma de rede cristalina de grafite, ou seja, em anis hexagonais de carbono. cristais de ferro: podem apresentar-se em estrutura cristalina cbica de corpo centrada, normal temperatura ambiente, bem como em estrutura cristalina cbica de faces centradas, normal para temperatura acima de 912 C. Cabe ressaltar que as propriedades dos cristais dependem fortemente da forma de rede cristalina da sua estrutura. Materiais em suas diferentes estruturas polimrficas ou alotrpicas apresentam propriedades distintas. Como exemplo claro desta afirmao temos a comparao entre as propriedades do diamante e do grafite. Enquanto o diamante um material extremamente duro e isolante eltrico, o grafite mole e um bom condutor eltrico.

4.2 Definies de Planos e Direes Cristalogrficas

Os tomos de um cristal definem uma srie de planos. Tomemos por exemplo uma rede cristalina cbica, como ilustrado na Fig. 4.8. O plano dos tomos da face do cubo forma o plano batizado de (100), o plano passando pela diagonal vertical do cubo forma o plano batizado de (110) enquanto que um plano passando pela diagonal inclinada do cubo como na Fig. 4.8c define o plano chamado (111).

Fig. 4.8 Ilustrao dos planos cristalogrficos a) (100), b) (110) e c) (111). O conhecimento dos planos de cristais importante, dado que, muitas das propriedades dos materiais variam conforme o plano usado para medir a propriedade. Como exemplo de propriedade que varia conforme o plano, temos os chamados planos de clivagem dos cristais, conhecido empiricamente desde os primrdios da humanidade. Os cristais podem ser clivados com maior facilidade ao longo de certos planos cristalogrficos. Esta propriedade est relacionada com o nmero de ligaes qumicas e
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as foras destas ligaes perpendiculares ao plano em questo. Quanto menor este nmero e/ou menor as intensidades das ligaes, mais fcil a separao do cristal ao longo deste plano. Os planos so identificados por um conjunto de trs nmeros constituindo os ndices de Miller do plano. Estes ndices so formados pela seguinte regra: calcula-se as distncias origem dos pontos das intersees do plano com os eixos x, y e z, em nmero de unidades de parmetros de rede, a. Assim, relativo ao plano da Fig. 4.9 temos as seguintes distncias: a) no eixo x, OA = 2; b) no eixo y, OB = 2 e no eixo z, OC = 1. toma-se os inversos dos valores encontrados acima, no caso temos: 1/OA = 1/2, 1/OB = 1/2 e 1/OC = 1. reduz-se agora as fraes acima a nmeros inteiros que guardam entre si as mesmas relaes. No nosso exemplo teremos que multiplicar todos por 2, obtendo-se os ndices 1,1,2. Desta forma, o plano fica definido como o plano (1,1,2).

Fig. 4.9 Ilustrao do plano (1,1,2) como exemplo da definio dos ndices de Miller. Analogamente podemos definir direes cristalogrficas. Estes so expressos tambm por trs nmeros inteiros que mantm a mesma relao que os componentes de um vetor na direo considerada. Os componentes de um vetor so dados como mltiplos dos vetores de base da rede geomtrica, como indicado na Fig. 4.10. Por exemplo, a direo da diagonal de um paraleleppedo tem as componentes 1a, 1b e 1c. Como conseqncia, esta direo definida com [1,1,1].

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Fig. 4.10 Representao das direes dos vetores da base de uma rede cristalina. Enquanto um plano definido pelos ndices de Miller indicados entre parnteses, os ndices da direo so expressos entre colchetes. simples demonstrar a seguinte propriedade dos ndices que vlido para as redes cbicas: a direo [l,m,n] perpendicular ao plano (l,m,n). imediato ver por exemplo que a direo [1,0,0] perpendicular ao plano (1,0,0). Do ponto de vista cristalogrfico, existem vrias direes e planos que so equivalentes, cuja ordem dos ndices de Miller s dependeram da escolha arbitrria da origem e dos eixos x, y e z. Desta forma, as direes [1,0,0], [0,1,0] e [0,0,1] so cristalograficamente equivalentes. Estas direes equivalentes devem ser expressas entre os smbolos < e >. No caso das trs direes equivalentes citadas, devemos escrever direes <1,0,0>. Analogamente, como exemplo de planos cristalograficamente equivalentes temos os planos (1,0,0), (0,1,0) e (0,0,1). Planos cristalogrficos equivalentes devem ser expressos entre parnteses. No caso dos trs planos equivalentes citados, devemos escrever planos {1,0,0}. No caso, os planos {1,0,0} englobam os planos formados pelas seis faces do cubo como ilustrado na Fig. 4.11.

Fig. 4.11 Ilustrao do conjunto de planos equivalentes {1,0,0} incluindo os seis planos da faces do cubo.7
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4.3 Determinao da Estrutura de um Cristal

O aluno deve-se perguntar: como afinal sabemos que um dado material cristalino e qual a sua rede e base correspondentes? A resposta a esta questo dada pela tcnica de difrao de raio X. Difrao de raios X produz difratogramas que permitem a determinao das respostas da questo acima. Detalhes desta tcnica podem ser aprendidas em disciplinas especficas de cursos de Fsica. Apresentaremos aqui apenas o princpio da tcnica. Se incidirmos uma radiao de raio X sobre um slido, esta ir espalhar-se nos diversos planos formados pelo cristal. Se as ondas espalhadas nos diversos planos, tiverem diferenas de caminho como mltiplo do comprimento de onda, teremos uma interferncia construtiva, como ilustrado na Fig. 4.12. A interferncia construtiva ou destrutiva (no caso da diferena de caminho ser mltiplo impar de meio comprimento de onda) ocorre dependendo do ngulo de incidncia e de difrao, do comprimento de onda a da distncia entre os planos paralelos, de acordo com a lei de Bragg: n = 2d sin (4.2)

onde n um nmero inteiro, d a distncia entre planos paralelos, o comprimento de onda do raio X e o ngulo de incidncia.

a)

b)

Fig. 4.12 a) Ilustrao do fenmeno de difrao de raio X por planos cristalogrficos e b) um exemplo de difratograma produzido.

4.4 Defeitos em Cristais

Podemos afirmar que no existem cristais perfeitos na prtica. Todos os cristais possuem defeitos em maior ou menor densidade e dimenso. Neste item descreveremos os vrios defeitos possveis de serem encontrados. Em termos de dimensionalidade podemos classificar os defeitos em a) pontuais, b) lineares, c) planares e d) volumtricos. a) Defeitos pontuais: Os defeitos pontuais so defeitos a nvel atmico, ou seja de dimensionalidade 0, como ilustrados na Fig. 4.13. Entre os defeitos pontuais listamos: vacncia, uma posio da rede sem tomo. Este defeito gerado sempre que tivermos temperatura maior que 0 K, ou seja, ele gerado por consideraes
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termodinmicas. Sua concentrao aumenta exponencialmente com a temperatura, dada pela seguinte relao do tipo Arrhenius:

nv = N 0e Eav kT

(4.3)

onde: No o nmero de posies de ponto da rede cristalina por cm3, Eav a energia de ativao, ou seja, a energia necessria para gerar o defeito, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta.

Fig. 4.13 Indicao dos tipos de defeitos pontuais: vacncia, auto-intersticial, par Frenkel, impureza substitucional e impureza intersticial.
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 auto-intersticial, um tomo do prprio material (Si, por exemplo) em posio fora da posio de ponto da rede. Sua densidade no material tambm determinada termodinamicamente e dada por:

ni = N 0 e E ai

kT

(4.4)

onde os termos so similares ao caso da expresso 4.3. par Frenkel, corresponde formao do par vacncia / auto-intersticial. anti-stio, um defeito que pode ocorrer quando temos um cristal formado por um composto, como o caso do semicondutor GaAs e outros. A troca de posies de um tomo de Ga com um tomo As resulta num defeito que chamado de anti-stio. impureza substitucional, corresponde presena de um tomo estranho ao material em posio de ponto da rede. Muitas vezes desejada a presena de certas impurezas, em concentraes especificadas, em posies substitucionais, como o caso das impurezas tipo dopante do semicondutor. impureza intersticial, corresponde presena de um tomo de elemento estranho ao material em posio fora de ponto da rede. Normalmente no se deseja este tipo de defeito. A maioria de defeitos de impurezas intersticiais, tais como metais, so prejudiciais ao funcionamento da maioria dos dispositivos. Dos defeitos pontuais descritos acima, estes so do tipo intrnsecos, exceto os ltimos dois que so extrnsecos (elementos estranhos ao material do cristal). Os defeitos intrnsecos sempre esto presentes no cristal em nveis determinados por consideraes termodinmicas. Estes defeitos so at necessrios para permitir a entrada no cristal de impurezas tipo dopantes, usados na fabricao dos dispositivos, os quais por sua vez tambm constituem defeitos necessrios. b) Defeitos lineares: So defeitos de dimensionalidade 1. So linha de defeitos produzidos por discordncia de um plano de tomos, como ilustrado na Fig. 4.14. Estes defeitos podem ser do tipo: discordncia de cunha ou de borda, onde um dado plano cristalogrfico termina abruptamente, deixando seus ltimos tomos com ligaes qumicas incompletas. Estas discordncias podem mover-se no cristal se houver energia trmica suficiente, indo por exemplo para a superfcie. Vem da o nome de discordncia de borda. discordncia tipo parafuso ou espiral. Neste caso temos um deslocamento de parte do cristal em relao ao resto, torcendo as ligaes qumicas como mostrado na Fig. 4.14b. A discordncia o eixo em torno do qual temos a toro do cristal. discordncia em anel. Este um caso particular de discordncia de cunha, onde o plano cunha no alcana a superfcie, mas est totalmente embebido no cristal.

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a)

b)

Fig. 4.14 Ilustrao de uma discordncia a) de cunha ou de borda e b) tipo parafuso ou espiral. A maioria dos defeitos lineares tipo discordncias terminam nas superfcies na forma de um ponto atmico, invisvel portanto mesmo por microscpio ptico ou eletrnico de varredura. As discordncias podem ser formadas durante o processamento do material e/ou de dispositivo. Por exemplo, se depositarmos sobre uma lmina de cristal uma camada de outro material com coeficiente de dilatao trmica bem distinta e submet-lo a um ciclo trmico, o esforo criado na interface pode ser suficiente para deslizar partes do cristal ao longo de algum plano cristalogrfico, criando assim a discordncia. O aquecimento no uniforme do material cristalino tambm pode gerar uma tenso mecnica suficiente para enverg-lo e assim criar discordncias. c) Defeitos Planares: Neste caso temos defeitos em forma bi-dimensional, ou seja, formando um plano. Como defeitos planares temos os seguintes: defeitos de empilhamento (stacking faults em Ingls), refere-se ao crescimento de um plano extra dentro do cristal. Este erro pode ser formado durante o crescimento do cristal ou mesmo durante o processamento posterior do mesmo, onde um excesso de auto-intersticiais pode agrupar-se de forma gradual e ordenada, para crescer um plano extra. A falha de empilhamento pode ser do tipo extrnseco, quando temos um plano extra, ou do tipo intrnseco, quando falta um pedao de plano, como ilustrados na Fig. 4.15. plano de simetria de cristais gmeos. O cristal pode crescer simetricamente em torno de certo plano, com todas as suas ligaes completas como mostrado na Fig. 4.16. Este defeito representa tambm uma anomalia do cristal. contorno de gros em estrutura policristalina. O contorno de um gro representa uma descontinuidade da ordem cristalina e forma um plano. Neste plano tem-se um grande nmero de ligaes qumicas incompletas. A Fig. 4.17 mostra esta este tipo de defeito.
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Fig. 4.15 Defeitos planares tipo falha de empilhamento, a) representao dos planos tipo intrnseco e b) extrnceco. C) ilustrao do crescimento de falha de empilhamento tipo extrnseco, a partir de defeito na superfcie resultando em plano extra na direo <1 1 1> com corte na superfcie na direo <1 1 0>.

Fig. 4.16 Plano de simetria de cristais gmeos. d) Defeitos volumtricos: Os defeitos volumtricos so defeitos em nvel de trs dimenses. Como defeitos volumtricos temos: precipitados de impurezas, como oxignio, carbono, metais. As impurezas podem ficar diluidas no cristal, sem uma interao entre elas, desde que sua concentrao no exceda ao limite de sua solubilidade slida. Na Fig. 4.18 apresentamos os limites de solubilidade slida de vrios elementos em cristal de silcio. Vrios dopantes apresentam limites de solubilidade bastante alto, a nveis compatveis com as necessidades para a construo de dispositivos. Outros elementos no entanto, como metais e oxignio, apresentam relativa baixa solubilidade slida, o que os tornam propensos a formarem aglomerados ou precipitados no slido. A formao de um precipitado e a sua estabilidade trmica depende dele alcanar um raio crtico onde a
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soma das energias de superfcie e de volume seja negativa, como indicado na Fig. 4.19a. A Fig. 4.19 b e c ilustram as impurezas diluidas e precipitadas respectivamente. vazios, formados por exemplo pela aglomerao de vacncias regies locais amorfas dentro do cristal.

Fig. 4.17 Plano de contorno de gro em estrutura policristalina.

Fig. 4.18 Curvas de mxima solubilidade slida de diversas impurezas no Si em funo da temperatura.
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Fig. 4.19 a) Curvas de energia de superfcie, de volume e total associado a um precipitado, mostrando que o mesmo estvel para seu raio maior que um raio crtico, b) impurezas diluidas no cristal e c) impurezas formando um precipitado. A maioria dos defeitos descritos so detrimentais ao funcionamento dos dispositivos. Alguns deles podem ser mesmo fatais. O conhecimento destes defeitos e a otimizao dos processos de fabricao dos materiais e dispositivos, sem introduzir defeitos, fundamental para produzir componentes de boa qualidade. Como j mencionamos acima, os defeitos cristalogrficos no so visveis normalmente, nem com ajuda de microscpio ptico ou eletrnico de varredura. Uma alternativa a revelao qumica dos defeitos. Isto realizado por meio de um ataque qumico por soluo (limitada por reao) que ataca com maior velocidade o cristal onde houver um defeito de dimensionalidade maior que 0. Desta forma, uma discordncia que termina como um ponto na superfcie do cristal transforma-se num poo ou disco agora visvel no microscpio, como mostrado na Fig. 4.20a. Neste exemplo, as discordncias foram geradas pela deposio de filme de Si3N4 diretamente sobre lmina de Si, seguido por um recozimento a aproximadamente 800 C (stress trmico). Discordncias formadas prximas e paralelas superfcie de lmina de Si e reveladas qumicamente apresentam uma rede de linhas como se fosse um tecido, como ilustrado na Fig. 4.20b. Neste exemplo, as discordncias foram produzidas por uma forte difuso de impurezas de fsforo, que alteram o parmetro de rede do Si na camada dopada, produzindo um stress mecnico entre o substrato e a camada. Falhas de empilhamento podem ser formadas durante uma etapa de oxidao da superfcie de Si dependendo das condies. Neste caso a falha de empilhamento do tipo extrnseco, formando um plano extra em forma de disco que corta a superfcie na forma de uma linha, com uma discordncia nas extremidades. Aps a etapa de revelao qumica deste defeito, obtm-se uma linha terminada em pontos maiores nas extremidades, como mostrado na fotografia da Fig. 4.21a. Caso a revelao qumica for realizada por longo perodo de tempo de ataque qumico, resulta uma meia lua, referente ao disco do plano extra formado, como ilustra a Fig. 4.21b. Processamentos de dispositivos de forma adequados no entanto podem resultar em regies de Si sem nenhum defeito visvel, como mostra a fotografia da Fig. 4.22, correspondendo a um crculo de um capacitor MOS fabricado de rea grande com dimetro de 420 m (estas fotografias foram tirados pelo autor durante seu trabalho de pesquisa de doutorado).
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a)

b)

Fig. 4.20 Fotografias por microscpio ptico de superfcie de Si aps revelao qumica de defeitos mostrando a) discordncias terminadas na superfcie (aumento de 280 x) e b) discordncias formadas paralelas superfcie (aumento de 55 x).

a)

b)

Fig. 4.21 Fotografias por microscpio ptico de superfcie de Si aps revelao qumica de defeitos mostrando a) defeito de empilhamento aps 2 min de revelao (aumento de 55 x) e b) aps 25 min de revelao (aumento de 280 x).

Fig. 4.22 Fotografia por microscpio ptico (aumento de 280 x) de Si aps revelao qumica de defeitos mostrando uma rea grande sem nenhum defeito visvel.

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Exerccios
4.1 Quais so e defina as 3 formas bsicas dos materiais slidos. 4.2 Como podemos descrever uma estrutura cristalina ? 4.3 O que so as clulas unitria e primitiva. 4.4 Em quantos sistemas e quantas clulas unitrias podem ser agrupadas todas as redes cristalogrficas ? 4.5 Descreva a estrutura cristalogrfica do diamante, Si e Ge ( rede + base ). 4.5 Porque importante saber a estrutura cristalogrfica de um material (considere o polimorfismo e direes ) ? 4.6 Como se define os ndices de Miller de um plano ? 4.7 Considere o cristal de Si, com parmetro de rede a = 0.543 nm : - qual o volume da clula unitria ? - qual o nmero de tomos por clula ? - qual a densidade de tomos por cm3 ? - qual a densidade do material ( massa atmica = 28.09 ) ? - qual a densidade de tomos por cm2 na superfcie de plano (100) ? - idem para os planos (110 e (111) . - qual o nmero de ligaes por cm2 saindo de cada um destes planos e qual destes seria o plano de clivagem natural ? 4.8 Qual a tcnica usada para determinar a estrutura cristalogrfica de um material? 4.9 Quais so os tipos de defeitos na classificao geral ? 4.10 Descreva os defeitos possveis em cada classe. 4.11 Quais os tipos de defeitos inevitveis e necessrios para a fabricao de dispositivos e quais so os indesejveis e prejudiciais ao desempenho dos mesmos? 4.12 Considere um difratmetro de raio X com comprimento de onda de 0.154 nm. A primeira difrao observada num ngulo de incidncia de 15.8 em relao ao plano de uma amostra cristalina de NaCl. Qual a distncia entre os planos paralelos superfcie do material?

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