Componentes electrnicos y medidas

Ejercicios temas 3 y 4: transistores bipolares.

EJERCICIOS TEMAS 3 Y 4: TRANSISTOR BIPOLAR

I. REPASO DE CONCEPTOS BSICOS SOBRE MEDIDAS DE IMPEDANCIAS. 1 Medida de una impedancia de entrada. Describa un procedimiento para medir Rin y Cin de un dispositivo cuyo circuito equivalente en la entrada fuera el mostrado en la figura siguiente. Tenga en cuenta que su procedimiento debe funcionar incluso si la resistencia utilizada para modelar Rin no est unida a tierra, sino que est a un potencial V desconocido a priori.

Pista: este problema puede hacerse de muchas formas. Lo ms conveniente es aplicar una seal cuadrada o una seal senoidal y estudiar lo que ocurre en la entrada.

2 Medida de una capacidad parsita. Un da en el laboratorio, mientras realiza un circuito de prueba en una de las placas de montaje por insercin (las que habitualmente utilizamos en las prcticas), accidentalmente conecta en columnas adyacentes (sin contacto elctrico) dos cables que deberan hacer contacto y por tanto ir a la misma columna. Al probar el circuito descubre que a frecuencias muy altas hay un efecto de filtrado paso-alta: el circuito se comporta como debera a altas frecuencias pero no a bajas frecuencias. Al revisar el circuito descubre el error cometido y se da cuenta de que el efecto observado es debido a la capacidad (muy pequea) existente entre columnas adyacentes, por lo que decide hacer unas medidas para estimar el valor de esta capacidad.
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Describa cmo procedera para medir la pequea capacidad parsita existente entre columnas adyacentes de las placas de montaje de prueba, si dispone slo de un generador de funciones (el generador de seal), un osciloscopio de dos canales, y sondas de osciloscopio. Suponga que al utilizar el osciloscopio con sonda en modo 10 su impedancia de entrada equivale a 10 pF en paralelo con 10 M. Invente algunas medidas hipotticas que pondran de manifiesto la capacidad parsita suponiendo que su valor est entre 0.5 pF y 5 pF. Muestre cmo deducir el valor de Cparsita a partir de esas hipotticas medidas. Pista: se recomienda aplicar una seal senoidal del generador de funciones a una de las columnas de la placa y utilizar el osciloscopio para estudiar la seal que se observa en la columna adyacente.

II. CIRCUITOS CON TRANSISTORES. 3 Fuentes de corriente: activas y pasivas. En este apartado compararemos una fuente de corriente pasiva (es decir, sin componentes activos) con dos tipos de fuentes de corriente activas (con transistores), de modo que podremos apreciar las ventajas de las versiones con transistores. Recuerde que anlogamente a como una fuente de tensin mantiene un voltaje constante en la carga, una fuente de corriente mantiene una corriente constante (en ambos casos dentro de un margen de especificaciones). Suponga que quiere realizar una fuente de corriente que extraiga una corriente constante de una carga conectada a 10 V (en estos casos en los que el sentido de la corriente es hacia fuera de la carga frecuentemente se emplea el trmino de sumidero de corriente en lugar de fuente de corriente). Las especificaciones establecen que el circuito debe mantener una corriente de 10 mA constante por la carga dentro de un 1% de ese valor, mientras que el voltaje al pie de la carga vara entre prximo a 0 V y 10 V.

Icarga

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Se trata de cumplir estas especificaciones en los siguientes tres casos: a) Fuente de corriente pasiva Dibuje el esquema de un circuito que cumpla las especificaciones anteriores slo con componentes pasivos. Para ello tendr que utilizar una fuente de tensin negativa.

b) Fuente de corriente con un transistor. Dibuje el esquema de un circuito que cumpla la misma misin utilizando ahora un transistor bipolar. Tendr que utilizar para ello una fuente de tensin. El problema puede resolverse tanto con una fuente de tensin positiva como negativa. Especifique cunto puede acercarse la salida del circuito a tierra (0 V) hasta que la fuente de corriente deja de funcionar como tal.

c) Espejo de corriente. En este apartado se pide disear el sumidero de corriente de 10 mA con una configuracin de dos transistores bipolares unidos por la base y llamada espejo de corriente. En esta configuracin se obliga a que la tensin base-emisor sea la misma en ambos transistores y por tanto circula aproximadamente la misma corriente por los colectores (ello requiere que los dos transistores sean idnticos y por tanto habitualmente esta configuracin slo se utiliza con transistores integrados).

Utilizando esta configuracin no es necesaria ninguna fuente de tensin adicional, ya que se puede aprovechar la fuente de 10 V a la que est conectada la carga. Cunto puede acercarse la salida del circuito a tierra (es decir, a 0 V) mientras la fuente de corriente contina funcionando como tal?.
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Carga

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4 Seguidor de tensin con transistor bipolar. a) Diseo. Disee un seguidor de tensin con un transistor bipolar npn utilizando una fuente simtrica (proporciona +15 Vy 15 V) y fijando la intensidad de colector IC en 1 mA. Pista: utilice el hecho de que en un transistor bipolar polarizado en regin activa la cada de tensin base-emisor es aproximadamente 0.6 V, coloque una resistencia adecuada en el emisor y tome la salida en esta patilla (por esta razn este circuito tambin se denomina seguidor de emisor). b) Clculo de la ganancia en corriente . Suponga que se aplica una seal senoidal de 1 V de amplitud a la base del seguidor de emisor del apartado anterior y que la impedancia de salida RS de la fuente que suministra esa seal es de 10 k. Imagine que tratamos de medir la impedancia de salida Rout del seguidor de emisor colocando una resistencia de carga de 1 k en la salida, es decir entre el emisor y tierra, y viendo el efecto de la carga sobre la seal. Observamos que esta carga hace que la amplitud de la salida se caiga en aproximadamente un 5 %. Qu podemos deducir que est proporcionando el transistor?. Pista: si hay una resistencia equivalente RS conectada a la base, la impedancia del transistor vista desde el emisor viene dada por RS + r , donde en esta ocasin no vamos a

ignorar la resistencia r del modelo equivalente del transistor entre base y emisor, y cuyo valor es r = Vt . IC

5 Seguidor de emisor en carga. La salida del seguidor de emisor ante una entrada senoidal puede aparecer recortada en los semiciclos negativos a partir de una cierta amplitud inferior a la de polarizacin. Explique por qu ocurre este truncamiento de la seal y a qu voltaje tendra lugar para el circuito de la siguiente figura.

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6 Amplificadores de alta ganancia. Compare los siguientes amplificadores en cuanto a linealidad (ganancia constante en el margen de tensiones de salida). Explique brevemente cul es el mejor de ellos en este sentido. Pista: tres de ellos presentan una falta de linealidad similar, mientras que el cuarto es significativamente mejor en este aspecto.
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Respecto a la estabilidad frente a variaciones en la temperatura, tres de los amplificadores estn protegidos frente a estos efectos. Averige cules son y qu mecanismos proporcionan esa estabilidad frente a la temperatura.

(a)

(b)

(c) 7 Amplificador en emisor comn. (Exam Jun2002).

(d)

Se pide disear un amplificador en emisor comn con transistor bipolar y red de polarizacin de dos resistencias siguiendo los siguientes pasos (vase esquema en la siguiente pgina): (a) Escriba la ecuacin de malla de colector y la ecuacin de malla de base en continua (d.c.). A partir de la ecuacin de malla de colector escriba la ecuacin de la recta de carga.

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(b) Imponiendo la condicin de que la corriente de colector sea 1 mA, calcule el valor de la resistencia de colector RC para que la tensin de salida en continua quede centrada en la caracterstica de salida del transistor. (c) Suponiendo que el transistor tiene una ganancia en corriente F=100 calcule la corriente de base IB en el punto de polarizacin. (d) A partir del valor de IB calcule el valor que deber tener la resistencia RB suponiendo que la cada de tensin base-emisor en zona activa es 0.6 V. (e) Dibuje el esquema del circuito equivalente en pequea seal, para lo cual sustituya el transistor por su modelo equivalente de pequea seal. Calcule el valor de la resistencia equivalente r entre base y emisor (considere Vt =0.026 V). (f) Obtenga la expresin de la ganancia del amplificador (G=vo /vs). Finalmente sustituya los valores de los componentes en la expresin obtenida para calcular el valor numrico de la ganancia. Se trata de un amplificador inversor o no inversor?

Datos: Rs =50 VCC=10 V F=100

8 Amplificador en emisor comn. (Exam Sept2002). Considere el amplificador con transistor en emisor comn y red de polarizacin de cuatro resistencias que se muestra en la siguiente figura. (A) Escriba las ecuaciones de malla de colector y malla de base en continua. Recuerde que para ello lo ms conveniente es sustituir el circuito visto desde la base por su equivalente Thevenin. Realice la aproximacin IE=IB+ICIC. (B) Escriba la ecuacin de la recta de carga en continua y calcule los valores de la tensin colector-emisor y la corriente de colector en el punto de polarizacin.
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(C) Calcule la ganancia en tensin (vo /vin ) y la ganancia en corriente (io /iin ) del amplificador. Para ello sustituya el transistor por su modelo de pequea seal.

iin io

R1 =22 k R2 =6.8 k RC=1 k RE= 470 RL= 1 k VCC= 15 V C= (los condensadores pueden
considerarse circuitos abiertos en continua y cortocircuitos en alterna)

r=hie= 1.5 k =hfe= 100 hoe=0 (ro =)

9 Amplificador en emisor comn. (Exam Dic2002). Para el amplificador de la siguiente figura, determinar el valor de RC para conseguir que la componente de alterna de la salida valga vo =-2sen(0 t) cuando la entrada es vin =0.05sen(o t). Asuma que los restantes valores de las resistencias de la red de polarizacin estn correctamente escogidos. RL= 1 k
Los condensadores pueden considerarse circuitos abiertos en continua y cortocircuitos en alterna.

r=hie= 1 k =hfe= 100 hoe=0 (ro =)

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10 (UPV- Analogica - P3.6, Exam Jun2003). Para el amplificador de la siguiente figura determinar el punto de polarizacin en continua (ICQ, VCEQ, IBQ). En el rango de frecuencias medias (cuando los condensadores pueden considerarse cortocircuitos) determinar la ganancia, la impedancia de entrada y de salida, y la mxima amplitud de la seal de entrada sin que se produzca distorsin en la salida.
Tomar: F=h FE =h fe=50 VBE,Q =0.7 V Vt =25 mV

11 (Prat Vias P7.9, Exam Sep2003). El amplificador en emisor comn de la siguiente figura es un caso intermedio entre el amplificador en emisor comn sin resistencia de emisor (RE cortocircuitada por un condensador de paso CE en el rango de frecuencias de la seal) y el amplificador en emisor comn sin ese condensador CE. (a) Calcule el punto de trabajo del transistor (VCEQ, ICQ, IBQ). (b) Encuentre los parmetros del modelo en pequea seal del transistor. (c) Dibuje el circuito incremental (pequea seal) del amplificador y calcule la ganancia en tensin Gv =vo /vi y la resistencia de entrada Rin en funcin del parmetro x, donde x se define tal que: Re,1=xRE, Re,2=(1-x)RE y Re,1+Re,2=RE. (d) Particularice el resultado del apartado anterior para los casos x=0, x=0.5 y x=1, y comente la influencia de x en la ganancia (Gv ) y en la impedancia de entrada (Rin ).
Datos: Rs =0 Re1=xRE Re2=(1-x)RE Re1+Re2=RE RE =RC=1 k RL =4 k R1 =R2 =100 k VCC =10 V CA =CL =CE = (los condensadores pueden considerarse circuitos abiertos en continua y cortocircuitos en alterna) =200 (=h fe=h FE ) Tomar VBEQ=0.7 V y Vt =25 mV. Ignorar el efecto Early (VAF = ).

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12 (Exam Jun2004). Disee un amplificador con transistor bipolar en emisor comn, red de polarizacin de 4 resistencias y condensador de desacoplo en el emisor, sujeto a las siguientes especificaciones: ganancia en tensin GV = 165 , impedancia de entrada e impedancia de salida de 2 k. Para conseguir el mximo margen dinmico site el punto de operacin en el centro de la recta de carga. Su amplificador debe funcionar con una tensin de polarizacin de 10 V. Los datos del transistor son: =hFE=hfe=220, VAF=100 V. Los condensadores pueden considerarse como cortocircuitos a la frecuencia de la seal. A continuacin suponga que en la planta de fabricacin olvidan conectar el condensador de desacoplo en el emisor. Describa de manera cualitativa (no es necesario encontrar expresiones ni hacer clculos en este apartado) qu consecuencias tiene esto para la ganancia y para la impedancia de entrada de su amplificador.
Se pide encontrar los valores de R1 , R2 , RC, y RE para que se verifiquen las especificaciones dadas. Consejo: encuentre la expresin de Gv , Rin y Rout a partir del modelo de pequea seal. Plantee las ecuaciones de la malla de colector y la malla de base en continua (suponiendo I E I C ). Para el caso de la malla de base utilice el equivalente Thevenin visto desde la base y asuma VBE =0.7. Finalmente utilice esas expresiones y ecuaciones junto con las condiciones dadas para calcular los valores de las resistencias de la red de polarizacin.
C_in v_in Q2N2222 v_in R2 R_E C_E R1 V_CC 10V

Recordatorio:

R_C v_out

Q1

V ro = AF IC V r = t IB I gm = C Vt h fe = g m r I = hFE = C IB

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