SE463 Web

editorial
Editora Saber Ltda.

Diretor Hlio Fittipaldi
Editorial
Nesta edio destacamos a soluo da Texas Instruments para transmisso de dados pela rede de energia (PLC). Com o avano da tecnologia e o crescimento da populao mundial, notamos que em muitos pases h falta crescente de vrios insumos, entre eles, a energia eltrica. A indstria, preocupada e sentindo essa oportunidade, est, nos ltimos anos, disponibilizando novos produtos que so mais econmicos no consumo de energia, possibilitando assim novas aplicaes que aumentam a demanda energtica. As oportunidades de gerao e distribuio de energia esto crescendo, e o nosso papel mostrar aos leitores como se d isso e onde cada um pode atuar dentro das suas caractersticas para tirar o melhor proveito. H um ano publicamos o projeto do veculo eltrico, o E-Kart, abrindo pela primeira vez no mundo, atravs de uma revista tcnica, todo o projeto incluindo o cdigo-fonte do mdulo de comando. Conseguimos at hoje que 573.000 downloads fossem feitos pelos profissionais da rea (do Brasil e de diversas partes do mundo). Isto mostra o grande interesse pelo assunto, e, quando o pblico comear a comprar esses veculos, mais energia eltrica ser necessrio gerar. O Brasil precisar gerar energia provinda de diversas fontes, seja elica, biocombustvel etc... Veja quantas oportunidades para voc que nos l! A internet das coisas, e a entra tambm o Smart Grid, aumentar as oportunidades e inclusive o consumo de novos produtos, com novas tecnologias. Esperamos continuar abordando estes novos caminhos para atender voc da melhor forma possvel e desvendando material tcnico que nem na web se consegue encontrar, como foi o caso do veculo eltrico. Continue a nos prestigiar e a fazer da Saber Eletrnica um dos melhores veculos tcnicos impressos do mundo.
Hlio Fittipaldi
www.sabereletronica.com.br twitter.com/editora_saber Editor e Diretor Responsvel Hlio Fittipaldi Conselho Editorial Joo Antonio Zuffo Redao Augusto Heiss Reviso Tcnica Eutquio Lopez Designers Carlos C. Tartaglioni, Diego M. Gomes Publicidade Caroline Ferreira, Nikole Barros Colaboradores Alexandre Capelli, Andresa Deocldea Soares Crtes, Csar Cassiolato, Eutquio Lopez, Hamilton Kosaka Igncio, Hlio Fittipaldi, Newton C. Braga, Naur Arjonas, Ricardo Pantoja.
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Associao Nacional das Editoras de Publicaes Tcnicas, Dirigidas e Especializadas
2012 Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 3
ndice
12
Reportagem
12 Instituto de Estudos Avanados completa 30 anos
Tecnologias
18 Grupo purifica silcio para fabricao de clulas solares
Energia
20 Proteo Contra Surtos Transitrios Eltricos 26 Influncia das Harmnicas na Alimentao de Dispositivos Eletrnicos Parte 2
Telecomunicaes
30 Solues Texas Instruments para Transmisso de Dados pela Rede de Energia (PLC)
Conectividade
33 O que uma Rede de Sensores sem Fio?
Industrial
36 Redes Industriais Parte 3
Desenvolvimento
44 Uso do DSP como Sistema de Controle Digital
Componentes
48 Cabos pticos Autossustentveis e o Efeito Corona 52 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 60 Conversores de Dados Parte I
24 52
ndice de anunciantes
Feira Electronica 2012 ........................ Metaltex ............................................. Feira Power Electronics ...................... Cika ........................................................ Key s t o n e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 05 09 11 17 25
03 06
Editorial Acontece
06 Processadores SitaraTM ARM agora com suporte ao Android 4.0 07 Nova fbrica da Altus responsvel por produzir painis de automao e de potncia 08 O primeiro supercomputador comercial resfriado com gua quente, da IBM 09 Novo Conector Mini Edge Card para alta velocidade 10 Nova Interface Homem-Mquina 10 Nova srie de Capacitores Cilndricos Trifsicos para Eletrnica de Potncia
Ta t o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Patola ...................................................... Globtek .................................................... Blucolor ................................................... Novasaber .................................................
29 29 35 43 51
Novasaber .................................................. 59 National .................................................. 2 capa Novasaber ............................................... 3 capa Texas ........................................................ 4 capa
4 I SABER ELETRNICA 460 I Maro/Abril 2012
acontece
Processadores Sitara ARM agora com suporte ao Android 4.0 Ice Cream Sandwich
Novo kit de desenvolvimento de software traz o Android 4.0 aos processadores Sitara AM335x e AM37x ARM Cortex-A8, atendendo a mercados que requerem SoCs de baixo custo e baixa potncia A Texas Instruments Incorporated anunciou a disponibilidade de um novo kit para desenvolvedores de software (SDK) que traz o Android 4.0 (Ice Cream Sandwich) aos processadores Sitara AM335x e AM37x ARMCortex-A8. Esta oferta completa de software permite aos inovadores avaliarem na sua totalidade o Android 4.0 em aplicaes integradas em execuo nos processadores Sitara. Para mais informaes ou para baixar o SDK gratuito. Pela primeira, os desenvolvedores do Sitara ARM podem tirar proveito do Android 4.0 para aplicaes de baixo custo e baixa potncia, incluindo aparelhos eletrnicos como relgios, visores, displays para eletrodomsticos e automao, educao e tablets corporativos, terminais de ponto de venda, dispositivos de navegao portteis e aplicaes de controle industrial. O suporte ao Android 4.0 na nossa plataforma Sitara demonstra o compromisso da Texas Instruments com o avano das oportunidades para a comunidade do cdigo aberto, diz Adrian Valenzuela, diretor de marketing dos processadores Sitara ARM, da Texas Instruments. Trazer o Android 4.0 plataforma Sitara permite aos desenvolvedores usarem os recursos impressionantes que a sua nova verso entrega a aplicaes integradas, como vdeo inovador, imagem e efeitos grficos, interfaces de uso robustas e muito mais. ampla gama de produtos de processadores Sitara. Para ajudar os desenvolvedores a integrarem e avaliarem rpida e facilmente aplicaes baseadas em Android, o SDK tem funcionalidade totalmente testada usando o teste de compatibilidade com Android no mdulo de avaliao AM335x e nas plataformas Beagleboard-xM, BeagleBone, AM37x EVM e Flash Board. O SDK inclui: Kernel Linux; Boot loaders (uboot/x-loader); Sistema operacional (OS) Android 4.0.3 Ice Cream Sandwich; Grficos 3D usando o driver e as bibliotecas POWERVR SGX OpenGL da Imagination Technologies; Drivers de conectividade combinados WiLink 6.0 da Texas Instruments para as tecnologias Wi-Fi (802.11 b/g/n) e Bluetooth v2.1; RowboPERF, uma medida de desempenho e aplicao de benchmarking; Ferramentas de servidor para depurao no Android com o ambiente de desenvolvimento integrado Code Composer Studio; Notas de aplicao, guias e resultados de testes para ajudar os desenvolvedores com seus projetos.
Processador Sitara AM335x, da Texas Instruments.
dos microcontroladores, incluindo as seguintes solues: Suporte para os sistemas operacionais Linux, Android e Windows Embedded Compact 7 Solues de segurana compatveis e sistemas operacionais em tempo real disponveis a partir de terceiros, permitindo maior customizao de produtos e desenvolvimento simplificado O software StarterWare permite aos desenvolvedores programarem estes microprocessadores como um microcontrolador, sem a necessidade de um sistema operacional O kit para desenvolvedores de software EZ, da Texas Instruments, permite a gerao de um demo em minutos e o desenvolvimento em menos de uma hora.
Avalie com facilidade e rapidez as aplicaes baseadas em Android
Completo com conectividade pr-integrada e capacidades de grficos 3D, o SDK oferece uma base de software estvel que pode ser utilizada em uma
Suporte adicional de software
Os processadores Sitara ARM oferecem suporte de software para os sistemas operacionais mais utilizados para permitir programao similar
6 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
acontece
Altus inaugura fbrica responsvel por produzir painis de automao e painis de potncia
Unidade localizada em Sapucaia do Sul / RS tem a capacidade de produo de 3 mil colunas de painis eltricos por ano Na manh de 16 de julho, o Governador do Estado do Rio Grande do Sul, Tarso Genro, inaugurou a Fbrica de Painis da Altus, na cidade de Sapucaia do Sul. J em atividade, a unidade voltada para a produo de painis de automao e painis de potncia para atender o setor de automao industrial e controle de processos. Alm disso, a fbrica responsvel pela produo dos painis para automao das plataformas de petrleo P-58 e P-62, bem como das oito primeiras plataformas para produo em larga escala do Pr-sal, contrato conquistado pela Altus com a Petrobras em 2011. Cerca de R$ 2 milhes foram investidos na estrutura, que conta com uma grande rea de fabricao e salas especiais para realizao de Testes de Aceitao em Fbrica (TAF). A filial dispe de 3.500 m de um ambiente moderno, que permite o desenvolvimento de projetos com tecnologia de ponta. De acordo com o presidente da Altus, Luiz Gerbase, passou o tempo em que uma indstria podia competir baseada em comandos manuais. Hoje necessrio colocar nossa inteligncia dentro da mquina, e a mquina dentro da indstria. Os equipamentos que essa fbrica produz fazem que qualquer processo industrial moderno seja vivel, afirma.
Ricardo Felizzola e Luiz Gerbase na inaugurao da nova unidade da Altus em Sapucaia do Sul.
A unidade est situada a uma distncia de 5 km da matriz da Altus, em So Leopoldo. Uma equipe formada por cerca de 100 profissionais atua na fbrica, desenvolvendo atividades especficas de engenharia: instalao, montagem, superviso, comissionamento e start-up dos produtos. Estiveram presentes na solenidade de inaugurao o Governador do Estado do Rio Grande do Sul, Tarso Genro, o Secretrio de Desenvolvimento e Promoo do Investimento do Estado, Mauro Knijinik, a Secretria da Cincia, Inovao e Desenvolvimento Tecnolgico em exerccio, Ghissia Hauser, o Secretrio da Indstria e Comrcio de Sapucaia do Sul, Jos Kuhn, entre outras autoridades.
Painis de automao e de Potncia.
Tarso Genro visitou as instalaes da Unidade de Painis da Altus e falou sobre o comprometimento do Estado do RS com o desenvolvimento da indstria eletrnica. A alta tecnologia embarcada nos equipamentos que a fbrica da Altus produz, faz do estado do Rio Grande do Sul referncia no processo de automao para o setor de gerao de energia em projetos como a automao das plataformas do Pr-sal e de Usinas Hidreltricas em todo Brasil. A concretizao de negcios como esse, de acordo com Gerbase, viabilizada pelo evoludo sistema de financiamento para tecnologia desenvolvido pelo Brasil. Os fundos setoriais, o BNDES e a FINEP so chaves para a continuidade da poltica industrial de alta tecnologia, sem eles no estaramos aqui, explicou. O presidente da Altus concluiu seu discurso afirmando que possvel exportar e competir em alta tecnologia com gigantes, graas a uma boa educao e ambiente favorvel. Quando aprendi que a usina de Paulo Afonso era a maior do Brasil, nunca imaginei que uma empresa nacional pudesse controlar algo assim, agora tenho certeza.
Julho/Agosto 2012 I SABER ELETRNICA 463 I 7
acontece
O primeiro supercomputador comercial resfriado com gua quente, da IBM, consome 40% menos energia
O SuperMUC da Leibniz considerado o supercomputador mais rpido da Europa A Leibniz Supercomputing Centre (LRZ), em conjunto com a IBM, anunciaram hoje o primeiro supercomputador resfriado com gua quente comercialmente disponvel, com um sistema eficaz projetado para ajudar pesquisadores e instituies industriais em toda a Europa a investigar e solucionar alguns dos desafios cientficos mais intimidantes. O novo sistema SuperMUC da LRZ foi elaborado com servidores IBM System x iDataPlex Direct Water Cooled dx360 M4 com mais de 150.000 ncleos a fim de proporcionar um desempenho mximo de at trs petaflops, o equivalente ao trabalho de mais de 110.000 computadores pessoais. Simplificando, trs bilhes de pessoas usando uma calculadora de bolso teriam que desempenhar um milho de operaes por segundo (cada uma) para atingir um desempenho equivalente ao SuperMUC. Alm disso, uma nova forma de tecnologia de resfriamento com gua quente inventada pela IBM permite que o sistema seja elaborado 10 vezes mais compacto, melhorando substancialmente seu desempenho mximo ao consumir 40 por cento menos energia que uma mquina similar com resfriamento por ventilador. Este ano, toda a eletricidade consumida pelas instituies financiada pelo estado na Alemanha e elas so obrigadas a comprar energia 100% sustentvel, declarou o Prof. Dr. Arndt Bode, presidente do conselho da Leibniz Supercomputing Centre. O SuperMUC nos ajudar a manter nosso compromisso, proporcionando, ao mesmo tempo, o melhor sistema de sua categoria comunidade cientfica para testar teorias, projetar experimentos e prever resultados como jamais se viu.
O super computador comercial SuperMUC, da Leibniz Supercomputing Center.
Tecnologia de resfriamento
Atualmente, at 50% do consumo de energia e pegada de carbono de uma central de dados resfriada por ventilador comum no causada pela computao, e sim, para alimentar os sistemas de resfriamento necessrios. Os cientistas e desenvolvedores da IBM decidiram tratar desse desafio com um conceito de resfriamento com gua quente, o que elimina a necessidade de sistemas de resfriamento de centrais de dados convencionais. A tecnologia de resfriamento com gua quente da empresa resfria diretamente os componentes ativos no sistema, tais como processadores e mdulos de memria, com temperaturas de refrigerao que podem atingir at 113 F ou 45 C. medida que continuamos cumprindo com nossa viso de longo prazo de uma central de dados com emisso zero, podemos, finalmente, atingir uma reduo de at um milho de vezes no tamanho do SuperMUC, a fim de que ele possa ser reduzido ao tamanho de um computador desktop
com uma eficincia muito maior que a de hoje, declarou Dr. Bruno Michel, gerente de embalagens trmicas avanadas da IBM Research. O SuperMUC combina sua capacidade de resfriamento com gua quente, que remove o calor de maneira 4.000 vezes mais eficiente que o ar, com 18.000 processadores Intel Xeon com eficincia energtica. Alm de ajudar com a descoberta cientfica, a integrao de resfriamento com gua quente e software de gerenciamento de sistemas dinmico orientado ao aplicativo IBM permite que a energia seja capturada e reutilizada para aquecer os prdios durante o inverno no vasto campus da Leibniz - uma economia de 1 milho de euros/ano.
O supercomputador mais poderoso da Europa
O sistema SuperMUC o computador mais rpido da Europa, de acordo com a lista TOP500 dos computadores mais rpidos do mundo. Esse desempenho usado para impulsionar uma ampla gama
acontece
de pesquisa - desde a estimulao do fluxo sanguneo por trs de uma vlvula cardaca, at o planejamento de avies mais silenciosos para escavar nossos insights em geofsica, incluindo a compreenso dos terremotos. O sistema SuperMUC tambm est conectado a sistemas de visualizao, incluindo uma ampla parede de energia estereoscpica de 4K e um ambiente de realidade virtual ou CAVE artificial de cinco lados para visualizar conjuntos de dados em 3D de campos, incluindo a cincia da Terra, astronomia e medicina. A LRZ a central de computadores para as universidades de Munique e para a Academia Bavariana de Cincias e Humanidades. Ela cuida da rede de dados cientficos em Munique, oferece uma ampla gama de servios de dados, e proporciona instalaes de informtica de ponta para a comunidade cientfica em toda a Europa. O novo sistema SuperMUC da central o maior da Europa e um dos sistemas mais eficazes do mundo. parte da infraestrutura de computao de alto desempenho da Parceria para a Computao Avanada na Europa (PRACE) para pesquisadores e instituies industriais em toda a Europa.
Novo Conector Mini Edge Card para alta velocidade

A Samtec expandiu sua linha de solues High Speed Edge Card com o Conector Mini Edge Card de passo 2,0 mm (0,0787), que ideal para aplicaes de computao em alta velocidade e armazenamento, bem como para outros sistemas complexos com nveis mais elevados de interconectividade. Esse Edge Card Socket uma soluo flexvel para alta velocidade, compatvel com diversas espessuras de carto e j vem com uma seleo de caractersticas severas. O Mini Edge Card Socket (MEC2 Series) de passo 2 mm (0,0787) um sistema de fileira dupla (double row) com formatao polarizada e orientao de placa. O sistema disponvel com 5 a 50 contatos por fileira para um nmero mximo de 98 I/Os. O conector acomoda ambas espessuras de carto (1,60 mm (0,062) e 2,36 mm (0,093)) e oferece um range de capacidade de corrente de at 3,5 A por contato para uma elevao de temperatura de 30 C (dependendo do n total de contatos alimentados). Especificaes severas incluem abas de soldagem opcionais e pinos de alinhamento padronizados para melhoria da estabilidade. A linha completa dos High Speed Edge Card Sockets encontra-se disponvel em uma variedade de passos e orientaes de forma a responder adequadamente s necessidades de aplicaes especficas, standard e de alta densidade. Solues especficas abrangem projetos para sistemas PCI Express, Serial ATA, micro pitch e de alta velocidade, bem como para aqueles otimizados visando performance da integridade do sinal. Acesse www.samtec.com/MEC2-DV e obtenha mais especificaes.
acontece
Nova Interface Homem-mquina
cesso. Com aplicaes mais intuitivas que ajudam os operadores a tomar as decises corretas, a operao torna-se mais segura e a produtividade aumenta.
Nova srie de Capacitores Cilndricos Trifsicos para Eletrnica de Potncia

Os dispositivos apresentam altas capacidades de corrente, faixa de tenses de operao entre 400 VAC e 1650 VAC, e uma grande variedade de opes de alturas e dimetros A Vishay Intertechnology, Inc. apresentou hoje uma nova srie de capacitores cilndricos trifsicos para eletrnica de potncia com alta capacidade de corrente, nove tenses padronizadas entre 400 VAC e 1650 VAC, e uma vasta gama de valores de capacitncia e opes de embalagem. Os capacitores EMKP esto disponveis em quatro alturas de 160 mm a 265 mm e cinco dimetros de 64 mm a 136 mm. Os dispositivos oferecem elevados valores de corrente at 3 x 56 A e 3 x 104 A (dependendo do tipo de bucha), correntes de pulso at 21,3 kA, muito baixa autoindutncia (<100 nH), baixa resistncia-srie (abaixo de 0,6 mohms), e valores de capacitncia de 4,0 F a 600 F, com uma tolerncia de 5%. Otimizados para correo do fator de potncia, filtragem de AC, aplicaes de filtragem de harmnicas da rede trifsica, drives industriais e de trao, conversores, turbinas elicas, e inversores solares, os capacitores trifsicos EMKP so dispositivos de filme de polipropileno metalizado com a tecnologia de autocura. Eles oferecem uma especificao de alta confiabilidade igual a 120 FIT, e uma expectativa de longa vida til de 100.000 horas a + 70 C na tenso nominal. Os capacitores so especificados para uma temperatura de funcionamento entre - 40 C a + 85 C e atendem s normas tcnicas IEC 61071-1, IEC 61881 e IEC 60831. A tenso de prova terminal- terminal de 1,5 vezes a tenso nominal AC por 10 segundos.
Novas maneiras para a personalizao
Nova soluo de IHM iX 2.0, da Beijer Electronics
A tecnologia da interface homem-mquina deu um grande passo em direo ao futuro com o lanamento do novo software iX 2.0 para a interface homem-mquina e dos painis de operador da nova gerao da Beijer Electronics. A soluo iX HMI, que foi incorporada no conceito da interface homem-mquina impulsionada pelo mercado, acelera o desenvolvimento dos projetos, torna a aplicao mais rpida e a navegao mais eficiente. O software de desenvolvimento iX 2.0 minimiza a distncia entre a ideia da interface homem-mquina e a aplicao intuitiva e totalmente desdobrada. As ferramentas de engenharia mais inteligentes e um conjunto de menus melhorados num ambiente familiar baseado no Windows garantem uma poupana de tempo substancial aos criadores de projetos. Nunca uma interface homem-mquina industrial foi to intuitiva como a nova soluo iX HMI. Com a implementao de ferramentas de navegao usadas nas aplicaes dirias, tais como dispositivos mveis, a iX 2.0 cria novas maneiras de interagir com as mquinas usando os gestos de deslocar e deslizar. As caractersticas do software, tais como o menu Ao nico, que permite um sistema de menus de vrios nveis e uma rpida execuo das aes, e o bem conhecido painel rolante ajudam a colocar a informao mais importante no local onde o operador mais precisa dela, poupando espao na tela e permitindo uma operao sem mos durante o pro-
As empresas procuram novos meios para aumentar o valor dos negcios e fortalecer as suas marcas. A Beijer Electronics vai ao encontro desta tendncia do mercado com o lanamento do software HMI iX 2.0, oferecendo muitos modos de personalizar a aplicao incluindo a personalizao dos dilogos do sistema. Uma expresso visual que corresponde marca da mquina e da empresa ajuda os construtores de mquinas e outros a destacarem-se em nvel competitivo. O software iX garante uma funcionalidade total da interface homem-mquina e est pronto a ser utilizado, oferecendo tambm a possibilidade de adicionar, por exemplo, componentes .NET e de criar funcionalidades personalizadas atravs do script C#, uma vez que o software baseado no Microsoft .NET Framework. Os painis de operao da Beijer Electronics conseguem partilhar informao entre eles atravs das redes do painel, qualquer que seja o tamanho ou o desempenho, o que torna mais fcil partilhar informao entre os usurios e mais seguro o controle de mquinas complexas, mesmo a longas distncias. Os painis podem agir como servidor OPC UA e client, permitindo a distribuio de informaes entre a sala de produo e o sistema comercial ou planejamento, e o criador de relatrios incorporado transforma os dados em relatrios Excel para serem guardados ou impressos diretamente. Como servidores web, os painis da Beijer Electronics permitem aos engenheiros criarem livremente pginas web s quais os operadores e supervisores podem aceder, por exemplo, atravs de dispositivos mveis, facilitando as operaes mais eficientes.
reportagem
Instituto de Estudos Avanados - IEAv -
completa 30 Anos
Hlio Fittipaldi
Autoridades presentes na solenidade (a partir da esquerda para a direita): Brig Eng Carlos Antonio de Magalhes Kasemodel, Diretor do IAE; Brig Ar Wander Almodovar Golfetto, Chefe do Subdepartamento Tcnico do DCTA; Maj Brig Ar Alvany Ado da Silva, Vice Diretor do DCTA; Ten Brig Ar Ailton dos Santos Pohlmann, Diretor-Geral Departamento de Cincia e Tecnologia Aeroespacial; Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD, Diretor do IEAv; Hugo de Oliveira Piva, ex-diretor do DCTA; Antnio Hugo Pereira Chaves, ex-diretor do IEAv; Prof. Fernando Toshinori Sakane, Vice-Reitor do ITA.
Conhea o importante papel no ensino, pesquisa, desenvolvimento, inovao e servios tcnicos aeroespaciais do IEAv - Instituto de Estudos Avanados, de So Jos dos Campos, que comemorou 30 anos em 2012.
uito se deve no Brasil a uma estrutura montada h alguns anos em So Jos dos Campos e que, pioneiramente, em nosso pas e na Amrica do Sul foi a responsvel pelo desenvolvimento e liderana na rea aeroespacial e diramos, tambm, em vrias outras reas como na eletrnica. A ideia partiu de Santos Dumont h mais de 100 anos atrs. Antes de fazer o seu primeiro voo, em 1906, j defendia o importante papel que os dirigveis e avies seriam chamados a desempenhar, em futuro breve, logo nas primeiras dcadas do sculo XX, recomendando, assim, a criao de instituies de ensino de aerodinmica, de materiais e processos, de estruturas, construes de aparelhos areos, de pesquisa de materiais e motores, bem como de ensino de comunicaes areas e de meteorologia. Cada pas, dizia ele, deveria desenvolver sua prpria tecnologia a par com o avano da cincia aeronutica, dirigida para projetos e produo de aparelhos, e tambm para desenvolver produtos e materiais de acordo com processos e mtodos tcnicos dos
respectivos parques industriais. Muitos anos se passaram e logo aps a Segunda Guerra Mundial, finalmente a ideia de Santos Dumont se materializou com o primeiro instituto: o Instituto Tecnolgico de Aeronutica (ITA). Em seguida foram fundados o Instituto de Aeronutica e Espao (IAE), o Instituto de Fomento Industrial (IFI), e em 2 de junho de 1982 foi criado o Instituto de Estudos Avanados, IEAv. Em 2 de junho passado, o IEAv comemorou 30 anos de existncia. Este instituto que faz parte do DCTA - Departamento de Cincia e Tecnologia Aeroespacial (antigo CTA), em So Jos dos Campos, junto com os outros institutos forma o departamento com a misso de contribuir para o progresso da sociedade brasileira por meio do ensino, pesquisa, desenvolvimento, inovao e servios tcnicos aeroespaciais. Participaram da solenidade vrios funcionrios, ex-diretores, ex-funcionrios e autoridades convidadas, como o leitor poder ver nas fotos. O editor da Revista Saber Eletrnica, Hlio Fittipaldi, entrevistou a seguir, o diretor do IEAv: Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD.
reportagem
Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD. Atual Diretor do IEAv:
Auxiliar Tcnico em Eletrnica formado na antiga Escola Tcnica Federal do Par, em 1983. Bacharel em Cincias Aeronuticas e Oficial Aviador formado pela Academia da Fora Area, em 1987. Engenheiro eletrnico formado no ITA em 1997, com Distino Acadmica Lurea Magna Cum Laude. Mestre em Cincias em Micro-ondas e Optoeletrnica em 1998, tambm pelo ITA. PhD em Engenharia Eltrica, com foco em Nanofotnica em Silcio, pela Cornell University, Ithaca - NY, EUA, em 2004. Possui dezenas de publicaes internacionais na rea de Fotnica em geral e sete patentes nos Estados Unidos na rea de Fotnica Integrada, especialmente com o uso de silcio. sores multiespectrais, desenvolvimento de girmetros e acelermetros a fibra ptica, simulao computacional e matemtica aplicada, acelerador de eltrons, etc. Como o senhor qualifica a interao entre o IEAv e outros institutos do DCTA, como o ITA, IAE e IFI? O DCTA (antigo CTA) foi criado com base em trs pilares: Ensino, Pesquisa e Desenvolvimento. O ensino atribuio do ITA que fornece grande parte dos recursos humanos para os outros institutos; a pesquisa , em grande parte, a atribuio do IEAv; o desenvolvimento de Sistemas Aeronuticos e Espaciais , na maior parte, atribuio do IAE. No entanto, essas atribuies so bastante interligadas e, por isso, existe uma grande interao entre esses institutos. Devemos falar tambm de outros institutos do DCTA, como o IFI que responsvel pelo fomento industrial, propriedade intelectual, homologao e certificao de produtos. H ainda o IPEV, que realiza ensaios de equipamentos aeronuticos que requerem engenheiros, pilotos, alm de grande estrutura de apoio. O IEAv tem atividade na rea de ensino e formao de recursos humanos? O IEAv tambm detm o status de Instituio de Ensino Superior (IES), com enfoque particular em Ps-Graduao. Recentemente, em 2011, o IEAv, juntamente com o IAE e o ITA teve aprovado pela CAPES um
Apresentao do livro comemorativo dos 30 anos do IEAv pelo atual diretor Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD e pelo ex-diretor Marco Antnio Sala Minucci.
Como o senhor colocaria a importncia do IEAv no cenrio nacional? O IEAv um lugar criado para gerar conhecimento de fronteira em reas de interesse aeroespacial. Os cientistas no IEAv tm infraestrutura laboratorial, biblioteca, servios de informtica, oficinas mecnica e eletrnica, restaurante, etc. tudo isso a 10 quilmetros do centro de So Jos dos Campos. Isso garante um timo ambiente para a criatividade dos cientistas e colaboradores. Os trabalhos de P&D no IEAv representam o que o Brasil faz de mais avanado em vrias reas de importncia tecnolgica estratgica e, consequentemente, econmica no contexto atual ou futuro. Quais tecnologias desenvolvidas no IEAv o senhor considera as mais expressivas do ponto de vista da sociedade brasileira? O IEAv participou ativamente no desenvolvimento da urna eletrnica. O pesquisador principal desse desenvolvimento tecnolgico esteve em diversos pases da Amrica Latina a servio do governo brasileiro, prestando assistncia na utilizao de urnas eletrnicas. Recentemente, o IEAv produziu vrios girmetros (dispositivos sensores inerciais capazes de medir velocidade angular de rotao, sem a necessidade de um referencial ou sinal externo ao sensor) usando fibras pticas especiais, que podero ser utilizados em
vrios produtos inerciais como, por exemplo, dispositivos portteis multifuncionais ou de entretenimento, msseis, foguetes, automveis e avies. O IEAv desenvolve trabalhos de navegao autnoma e de sensoriamento remoto que tero grande importncia econmica, pois essas tecnologias so utilizadas para controle de plantio e de safras, preservao de florestas, combate ao narcotrfico, preveno de catstrofes, manuteno de estradas, etc. As pesquisas na rea de lasers tm gerado conhecimento que utilizado no desenvolvimento de novas tcnicas para tratamento de materiais e para a explorao de petrleo em guas profundas. As pesquisas nas reas nuclear e em velocidades hipersnicas podem contribuir para a explorao do espao nas prximas dcadas. Quais as principais reas de atuao do IEAv? O IEAv foi criado para desenvolver competncia na rea nuclear, mais especificamente na rea de separao isotpica e no levantamento de dados nucleares. Nos ltimos anos, por causa de novas diretrizes estratgicas, o IEAv desenvolveu novas competncias derivadas do esforo inicial na rea nuclear. Podemos dizer que o IEAv lder em vrios nichos avanados da C&T (Cincia & Tecnologia). Por exemplo: aplicaes de lasers, experimentos em aerotermodinmica de veculos hipersnicos, utilizao de navegao autnoma e sen-
reportagem
Programa de Ps-Graduao em Cincias e Tecnologias Espaciais (PG-CTE), vinculado para fins acadmicos ao ITA, em reas de competncias mais especficas do IEAv e do IAE; vide www.ieav.cta.br/CPPG_IEAv/ pg-cte.php. Isso foi necessrio em face da carncia de recursos humanos com qualificaes requeridas para a realizao das pesquisas no Instituto. Podemos dizer tambm que o IEAv agora est colaborando para a formao de recursos humanos de alto nvel em diversas reas da C&T para o Pas como um todo. O IEAv tambm promove trabalhos de Iniciao Cientfica (vide www.ieav.cta.br/pibic/), incluindo a disponibilizao de bolsas PIBIC e do CNPq; recentemente, tambm passou a disponibilizar Bolsas de Iniciao em Desenvolvimento Tecnolgico e Inovao - PIBITI. Como o senhor qualifica a produo cientfica e tecnolgica do IEAv? A produo cientfica do IEAv representa os resultados de pesquisas e desenvolvimentos tecnolgicos realizados dentro do Instituto. Recentemente, o MCT iniciou a avaliao de pesquisadores com indicadores um pouco mais voltados para o desenvolvimento tecnolgico. Isso fez com que ICTs como o IEAv, a EMBRAPA, a FIOCRUZ e a CNEN ganhassem um grande nmero de bolsas para seus pesquisadores, similares s bolsas de produtividade em pesquisa do CNPq, que tm caractersticas mais acadmicas. Isso possibilitou aos nossos pesquisadores condies para concorrer a recursos financeiros oferecidos por agncias de fomento. Nesse ponto, podemos dizer que essa valorizao do pesquisador brasileiro est proporcionando uma maior transferncia de conhecimento para as empresas e aumentando a atividade econmica do Pas. O recm-aprovado PG-CTE certamente trar um incremento coordenado do nosso nvel de produo cientfica e tecnolgica. O fato de a CAPES ter conceituado nossos programas de Mestrado e Doutorado com nota inicial 4, denota a qualidade do nosso trabalho cientfico-tecnolgico (vide www. ieav.cta.br/CPPG_IEAv/pg-cte.php). Os aportes de recursos financeiros pelo governo federal so suficientes para os trabalhos de P&D no IEAv? Sim. Podemos dizer que o IEAv trabalha no limite superior de sua capacidade e competncia. Esse limite ditado pela quantidade de recursos humanos, que diminuiu sensivelmente nos ltimos anos em virtude de uma lacuna
A Histria da Criao do DCTA em So Jos dos Campos

Santos Dumont procurou atrair a ateno dos membros do governo e, de 1915 a 1918, fez diversos pronunciamentos e trabalhos escritos com a proftica anteviso do futuro sobre o importante papel que os avies iriam desempenhar no mundo. Em 1918, a Editora A Encantada publicou o livro O que vi, o que veremos, onde Santos Dumont registrou a ideia de criao de uma escola tcnica no Brasil, voltada para a aviao, antevendo um centro de tecnologia que s se efetivaria em 1948, com a fundao do ITA. Em um pargrafo desse livro, Santos Dumont escreveu: Eu, que tenho algo de sonhador, nunca imaginei o que tive ocasio de observar, quando visitei uma enorme fbrica nos EUA. Vi milhares de hbeis mecnicos ocupados na construo de aeroplanos, produzindo diariamente de 12 a 18. Quando o Congresso Americano acaba de ordenar a construo de 22.000 dessas mquinas, ns, aqui, no encaramos ainda esse problema com a ateno que merece. A principal dificuldade para a navegao area est no progresso dos motores... J o ao tem sido melhorado... Outra dificuldade que se apresenta navegao area a de localizar-se o aeroporto... tempo, talvez, de se instalar uma escola de verdade em um campo adequado... Margeando a linha da Central do Brasil, especialmente nas imediaes de Mogi das Cruzes, avistam-se campos que me parecem bons. Os alunos precisam dormir junto Escola, ainda que para isso seja necessrio fazer instalaes adequadas... Penso que, sob todos os pontos de vista, prefervel trazer professores da Europa e dos EUA, em vez de para l enviar alunos. Meu mais intenso desejo ver verdadeiras Escolas de Aviao no Brasil.Ver o aeroplano, hoje poderosa arma de guerra, amanh meio timo de transporte, percorrendo as nossas imensas regies, povoando nosso cu, para onde, primeiro, levantou os olhos o Pe. Bartolomeu Loureno de Gusmo. Em 1941, tanto o Dr. Joaquim Pedro Salgado Filho (primeiro Ministro da Aeronutica) como o ento Contra-Almirante Armando Figueira Trompowsky de Almeida (Diretor de Aeronutica Naval) tinham, pessoalmente, plena convico de que, para se desincumbir de sua atribuio mista, civil e militar, o Ministrio da Aeronutica dependeria, essencialmente, dos modernos avanos e do desenvolvimento da tecnologia aeronutica no pas. Nos anos seguintes e com o envolvimento do Brasil na 2 Guerra Mundial, o Ministrio da Aeronutica sentiu a necessidade de se montar uma slida base tcnica. A princpio, em 1941, foi criada por decreto a Diretoria de Tecnologia Aeronutica, mas ao ser efetivada, meses depois, assumiu o nome de Subdiretoria de Material. Foi indicado para assumir aquela Subdiretoria o Ten.-Cel.-Av. (Eng.) Casimiro Montenegro Filho, oficial j consciente da evoluo da cincia e da tecnologia aeronutica. Em 1945, Montenegro vai aos EUA, com o Cel.-Av. (Eng.) Telles Ribeiro, o Cel.- Av. Faria Lima e mais um grupo de Oficiais da FAB em visita a diversas Bases Areas Americanas. L, so procurados pelo Maj.-Av. Oswaldo Nascimento Leal, que realizava o curso de Engenharia Aeronutica no Massachussets Institute of Technology (MIT). Este sugere a Montenegro que fosse a Boston para conhecer o MIT e trocar ideias com o Prof. Richard H. Smith, chefe
reportagem
de abertura de concursos pblicos. No futuro prximo, a maior parte de nosso corpo de pesquisadores seniores estar aposentada. Recentemente, no entanto, o governo voltou a acenar fortemente com a possibilidade de abertura expressiva de vagas para concurso pblico, j no curto prazo, para servidores civis incluindo pesquisadores para o IEAv. Por que o Brasil no tem um programa espacial de sucesso compatvel com sua importncia poltica e econmica mundial? O Brasil um pas cheio de contrastes e potencialidades. Nosso programa espacial poderia ter gerado mais benefcios para a sociedade, mas isso depende de diversos fatores, dentre os quais a definio de longo prazo das prioridades nacionais, que so
Cerimnia de entrega de medalhas comemorativas a funcionrios do IEAv.
do Departamento de Aeronutica daquele instituto, antes que Montenegro tomasse qualquer deciso. O Maj.-Av. Leal acreditava que o necessrio, ao Brasil, era uma escola de alto nvel para a formao de engenheiros aeronuticos para a aviao civil e militar, e no apenas para a Fora Area. Seria imperiosa a formao de engenheiros para atender tambm o que os americanos chamavam de spin-off, ou seja, o usufruto de benefcios indiretos que a indstria aeronutica poderia trazer s indstrias correlatas, como o controle de qualidade de produtos e material de aplicao no campo aeronutico, a homologao de projetos e prottipos e a otimizao de operao de empresas do transporte areo comercial, incluindo-se as exigncias de segurana tcnica sobre a aviao civil em geral, etc. A criao de uma instituio desse gnero era uma aspirao do Prof. Smith e uma necessidade real, no Brasil, para o Cel. Montenegro. Em agosto de 1945 ficou definido o Plano Geral do Centro, considerando-se o MIT como modelo para a organizao
Cena do documentrio Santos Dumont: Pr-Cineasta? de Carlos Adriano, onde Dumont explica seu balo dirigvel a C.S. Rolls (futuro fundador da Rolls Royce) em 1901.
do futuro Centro Tcnico do Ministrio da Aeronutica. O Brigadeiro do Ar Armando F. Trompowsky, ciente da necessidade e oportunidade do empreendimento, apresentou ao Presidente da Repblica, Dr. Jos Linhares, o plano de criao do CTA em 16 de novembro de 1945, que foi imediatamente aprovado. O plano estabelecia que o Centro Tcnico seria constitudo por dois institutos cientficos coordenados, tecnicamente autnomos: um para o ensino tcnico superior (ITA) e outro para pesquisa e cooperao com a indstria de construo aeronutica,
com a aviao militar e com a aviao comercial (IPD). O primeiro Instituto criado, o ITA, de incio teria a seu cargo, nos limites de suas possibilidades, todas as atividades do Centro. Do ITA se desenvolveriam, gradualmente, os servios do outro Instituto. Assim, quando as possibilidades materiais e as necessidades de servio justificassem a criao do segundo Instituto, a este seriam dadas todas as atribuies, at ento conferidas ao ITA, de colaborao com a aviao militar, comercial e com a indstria aeronutica. Saiba mais visitando www.cta.br/cta.php.
reportagem
Histrico do IEAv
A Diviso de Estudos Avanados do ento Instituto de Atividades Espaciais do CTA, idealizada para a pesquisa e desenvolvimento de vanguarda, foi instituda em 28 de outubro de 1976 para atuar, principalmente, no Programa Autnomo de Tecnologia Nuclear (Programa de tecnologia nuclear que possibilitou o desenvolvimento de tcnicas nacionais de enriquecimento de urnio). Nascia, assim, o embrio do que viria a ser o IEAv. Com o crescimento acelerado da Diviso de Estudos Avanados, surgiu a necessidade de um novo instituto, e, em 2 de junho de 1982, foi assinado o Decreto n 87.247, criando o Instituto de Estudos Avanados. As atividades do IEAv nos seus primeiros vinte anos concentraram-se no desenvolvimento de mtodos alternativos de enriquecimento de urnio a laser, no desenvolvimento de processos de medida e avaliao de dados nucleares, enfim, nas diversas tecnologias sensveis e estratgicas em torno da energia nuclear, atingindo um patamar de desenvolvimento cientfico reconhecido internacionalmente (IEAv, 2008). Nesse perodo, o financiamento das pesquisas do IEAv provinha do ento Ministrio da Aeronutica e da Secretaria de Assuntos Estratgicos (SAE), vinculada Presidncia da Repblica. Entretanto, a partir de 1994, houve um decrscimo do interesse governamental pela rea nuclear, obrigando o IEAv a profundas transformaes. A capacitao na rea nuclear foi mantida, porm o instituto procurou investir tambm em outras reas estratgicas de interesse mais imediato do COMAER. Tecnologias e capacitaes desenvolvidas anteriormente foram, ento, adaptadas ou redirecionadas para outras aplicaes, demonstrando o alto nvel de adaptao dos pesquisadores do IEAv s tecnologias emergentes. Por exemplo, tecnologias de enriquecimento de urnio a laser para a produo de combustvel nuclear passaram a ser aplicadas no processamento de materiais para diversas reas, como nas indstrias aeronutica e automotiva, odontologia e dermatologia. Atualmente, o IEAv concentra esforos nas seguintes reas: fotnica, nanotecnologia, hipervelocidade, aerotermodinmica, sistemas de apoio deciso, comando e controle, processamento de alto desempenho, sensoriamento remoto, energia nuclear e sistemas eletromagnticos. Dentre os produtos e tecnologias gerados pelo IEAv podem ser citados: giroscpios a fibra ptica, software para processamento de imagens de radar de abertura sinttica (SAR), software de planejamento de misso de defesa area, software para anlise de dispositivos eletromagnticos, sensor imageador infravermelho termal, tnel de vento hipersnico, sistemas micro-eletro-mecnicos (MEMS), etc. Alm disso, vale ressaltar que o IEAv, por meio da atuao de seu pesquisador Osvaldo Catsumi Imamura, contribuiu significativamente para o desenvolvimento da urna eletrnica brasileira, sucesso em praticidade e confiabilidade, demonstradas em inmeras eleies. O IEAv tambm participa de vrios projetos de grande importncia para o Pas, como, por exemplo, a especificao do satlite geoestacionrio brasileiro, o desenvolvimento de plataformas inerciais para satlites e aeronaves, a avaliao de risco de coliso entre aeronaves nas regies do Caribe e Amrica do Sul. Vale lembrar que o IEAv participou em colaborao com a Marinha do Brasil, do esforo para o desenvolvimento de reatores nucleares de propulso naval. Todas as reas de estudo do IEAv so do interesse do Ministrio da Defesa e do Ministrio de Cincia e Tecnologia, evidenciando a vocao do instituto para o desenvolvimento de conceitos e tecnologias de uso aeroespacial. O IEAv destaca-se, tambm, entre as instituies brasileiras dedicadas a altos estudos em Cincia e Tecnologia. O amplo espectro de atividades e competncias atualmente existentes no IEAv lhe confere um perfil de alta adaptabilidade e capacidade para participar do processo nacional de inovao tecnolgica, potenciais que devem ser explorados com efetividade para o progresso nacional. avaliadas e priorizadas pela nossa sociedade por meio de nossos governantes, que definem as necessidades mais urgentes. Posso dizer que o IEAv, os outros institutos do DCTA, o INPE, a EMBRAER e vrias empresas na regio de So Jos dos Campos so indicadores de sucesso do que podemos chamar de um programa espacial amplo. Um aluno que formado no ITA, uma previso meteorolgica realizada pelo INPE, um foguete de sondagem lanado pelo IAE, um avio produzido pela EMBRAER, etc., todos esses produtos e servios so possveis hoje porque algum pensou no passado que o domnio cientfico-tecnolgico seria consequncia final do objetivo inicial da construo do complexo aeroespacial de So Jos dos Campos. Esse homem foi o Marechal do Ar Casimiro Montenegro Filho. O senhor engenheiro eletrnico formado no ITA. O que a Eletrnica representa dentro das atividades de seu instituto? Como engenheiro eletrnico, eu posso ser considerado suspeito para responder. Mas o leitor sabe que todo sistema tecnolgico nossa volta envolve, em maior ou menor grau, subsistemas eletrnicos. Isso no diferente no IEAv. Nossas pesquisas em Fotnica envolvem Eletrnica, nossos laboratrios esto cheios de equipamentos eletrnicos. Pesquisas em Fsica Aplicada, Geointeligncia, Aerotermodinmica, radiaes ionizantes e no ionizantes, lasers, sensores, etc. Tudo est repleto de dispositivos e subsistemas eletrnicos. O que o senhor diria para os futuros engenheiros para motiv-los a construir uma grande carreira? Os desafios para conseguir alcanar a especializao, uma profisso, valem a pena. Eu gostaria de recomendar a todos que busquem estudar e se especializar com afinco, que lutem sem medo por seus sonhos e objetivos, pois sero certamente recompensados no futuro. A carreira de engenharia lhes dar o conhecimento e o ferramental bsico para desempenharem suas funes e, eventualmente, para se aprofundarem nos diversos caminhos da Cincia e da Tecnologia; isso os encher de orgulho e satisfao no futuro. Alm disso, o Brasil necessita urgentemente de mais engenheiros, de todas as reas. E
Referncias:
IEAv. Atividades de Pesquisa e Desenvolvimento Instituto de Estudos Avanados. So Jos dos Campos: IEAv, 2008. www. ieav.cta.br/wai8/pdf/Caderno_Institucional.pdf Site: www.ieav.cta.br/historico.php
tecnologias
Grupo purifica silcio para fabricao de
clulas solares
Andresa Deocldea Soares Crtes
O Brasil importa lminas usadas na produo de painis, apesar de ter as maiores reservas de quartzo do mundo, do qual se extrai a matria-prima
m grupo de cientistas da Unicamp acaba de obter, pela primeira vez no Brasil, o silcio purificado para a fabricao de clulas solares fotovoltaicas (FVs). Apesar de possuir as maiores reservas mundiais de quartzo a matria-prima bruta para o silcio o pas importa, com altos custos, as lminas do elemento qumico purificado para a produo dos painis FVs. Os dispositivos FVs so responsveis pela captao e transformao da energia solar em eltrica. Matriz limpa, gratuita e inesgotvel, a energia solar fotovoltaica tem conquistado relevo mundial. Os trabalhos so coordenados pelos docentes Francisco das Chagas Marques, do Laboratrio de Pesquisas Fotovoltaicas, do Instituto de Fsica Gleb Wataghin (IFGW), e Paulo Roberto Mei, do Laboratrio de Fuso por Feixe de Eltrons e Tratamentos Termomecnicos, do Departamento de Engenharia de Materiais da Faculdade de Engenharia Mecnica (FEM). O Brasil possui tecnologia para a fabricao de clulas solares, mas importa o silcio purificado, encarecendo o custo dos painis solares. Ns temos, no entanto, as maiores jazidas de quartzo do mundo, localizadas, principalmente, em Minas Gerais e na Bahia. Somos tambm um dos maiores produtores e exportadores de silcio metalrgico, produzido a partir do quartzo, mas que tem um ndice de pureza muito baixo. Aps a purificao, principalmente nos Estados Unidos e na Europa, compramos o silcio a um preo maior do que a matria-prima exportada. As clulas solares precisam de silcio de alta pureza para que funcionem de
forma eficiente, refora o fsico e docente Francisco das Chagas Marques, que investiga esta rea na Unicamp desde a dcada de 1980. O silcio purificado obtido nos laboratrios da Universidade apresenta os requisitos necessrios para a fabricao de clulas solares eficientes. Francisco Marques explica que, at certo nvel, quanto maior a pureza do silcio, mais eficiente ser a clula solar. O ndice de pureza ideal comea a partir de 99,9999%, segundo o cientista. Ns conseguimos purificar o silcio at o nvel de 99,9993%, que suficiente para a produo de painis fotovoltaicos se adicionarmos outras tcnicas de reduo de impurezas durante o processo de fabricao das clulas solares, revela. Estas tcnicas permitiram, segundo ele, atingir um elevado grau de eficincia para as clulas solares. No momento, estamos fabricando clulas solares com silcio nacional com eficincias entre 10% e 13%, que representam os maiores valores obtidos no Brasil e semelhantes aos melhores ndices reportados na literatura em todo mundo, utilizando processos similares aos empregados na Unicamp. Tais valores indicam que este material pode ser aplicado na fabricao de clulas solares comerciais para produo de painis FVs, demonstra. A purificao do silcio e a fabricao de clulas solares na Unicamp, em escala experimental, conta com a colaborao voluntria do grupo empresarial Rima. Instalado em Minas Gerais, o grupo possui jazidas de quartzo e produz o chamado silcio metalrgico. Este material fornecido Universidade, que faz a purificao at o nvel apropriado para a utilizao nos painis.
Outra empresa do ramo, aTecnometal, que possui fbrica em Campinas, tambm mantm parceria com a Unicamp.A companhia mineira, cuja sede fica na cidade de Vespasiano, a nica que fabrica, comercialmente, os painis FVs no Brasil, mas ainda a partir de clulas importadas.A associao com a Universidade j rendeu um projeto para a produo em escala-piloto do silcio purificado, abrindo a possibilidade para a fabricao industrial de painis fotovoltaicos utilizando somente matria-prima nacional. No momento, a empresa pleiteia junto ao Banco Nacional de Desenvolvimento Econmico e Social (BNDES) um financiamento de aproximadamente R$ 13 milhes para desenvolver o projeto. Pr-selecionada pelo Banco em janeiro deste ano, a iniciativa tambm prev investimentos em laboratrios e compra de equipamentos de pesquisa para a Unicamp.
Mercado
O contexto mundial para a produo de painis FVs bastante oportuno, circunstancia o fsico Francisco Marques. Apenas na ltima dcada, o mercado de energia solar fotovoltaica tem crescido, em mdia, 40% ao ano, estimulado, principalmente, pelos pases europeus e asiticos. um crescimento extraordinrio, que est relacionado a diversos fatores, entre os quais a custos cada vez mais elevados do petrleo e ao temor pelo aquecimento global. Alguns pases esto trocando suas matrizes energticas que poluem por fontes alternativas limpas. As principais so a solar e a elica, situa.
tecnologias
De acordo com ele, pases como Alemanha e Japo esto empenhados em desativar algumas de suas usinas nucleares, principalmente aps o acidente radioativo em Fukushima, causado pelo terremoto e tsunami de 2011. Isso vai dar outra disparada na produo de painis fotovoltaicos. E quanto mais se aumenta a escala de produo, mais os custos so reduzidos. Estudos indicam que, entre cinco e dez anos, a energia fotovoltaica j estar competitiva com quase qualquer outra fonte de energia, prev.
Antonio Scarpinetti - ASCOM-Unicamp / Divulgao
Silcio de grau solar
O silcio purificado possui diversas aplicaes. O elemento, identificado pela primeira vez em 1787 pelo qumico francs Antoine Laurent de Lavoisier, pode ser utilizado tanto para a produo de ligas metlicas e preparao de silicones, como nas indstrias cermica, eletrnica e fotovoltaica. O elemento qumico purificado a principal matria-prima dos microprocessadores de computadores fabricados por empresas gigantes da eletrnica e informtica, instaladas nas cidades norte-americanas de Palo Alto, Santa Clara e San Jos, na Califrnia, regio que ficou conhecida como Vale do Silcio. O mtodo Siemens, desenvolvido na Alemanha na dcada de 1950, amplamente utilizado na indstria para a produo do silcio purificado. Complexo e um dos mais caros, o processo d ao silcio um grau de pureza altssimo, concorda o docente da Unicamp. Por isso, o procedimento usado, principalmente, para a produo de dispositivos eletrnicos, que necessitam de quantidades menores de silcio e possuem um valor agregado maior do que os painis FVs. Para o emprego em painis solares, este tipo de silcio com alto teor de pureza acaba sendo comercialmente invivel. Uma alternativa a este mtodo a rota metalrgica, processo utilizado na Unicamp para obter o chamado silcio de grau solar. Mais acessvel financeiramente, o procedimento consiste em um melhoramento do silcio metalrgico, que possui baixo teor de pureza. O silcio para as clulas fotovoltaicas requer certo grau de pureza que no precisa ser, necessariamente, to alto quanto o obtido por meio do mtodo Siemens, esclarece Francisco Marques. Neste mtodo alternativo, o silcio metalrgico submetido a uma desgaseificao a vcuo, realizada em um forno de feixe de
F1. Da esquerda para a direita: o Orientador, Co-orientador e a autora do artigo, em laboratrio da FEM.
Antonio Scarpinetti - ASCOM-Unicamp / Divulgao Antonio Scarpinetti - ASCOM-Unicamp / Divulgao
F2 . O Silcio metalrgico (acima), a lmina ( equerda) e as clulas solares ( direita).
F3. O Co-orientador ao lado do forno para difuso de fsforo, no IFGW.
eltrons, tambm conhecido pelo nome de electron-beam,do termo em ingls.Este processo reduz as impurezas com presso de vapor maior que a presso do silcio. Impurezas com presso de vapor menor no so eliminadas. Aps esta etapa, produzimos tarugos de silcio em um sistemaCzochralski da empresa Rima e outro do laboratrio do IFGW. Os tarugos so, ento, cortados em forma de lminas para a fabricao das clulas solares. Na fabricao de clulas solares, uma nova etapa de purificao do silcio realizada por um processo de armadilhamento de impurezas em altas temperaturas, utilizando tomos de fsforo introduzidos por difuso, detalha.
metalrgico melhorado, foi defendido por Andresa em julho de 2011. Atualmente, o pesquisador e doutorando Rafael Borges Merlo d sequncia aos estudos, que so financiados pelo CNPq (Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico).
Publicao
Doutorado
O processo por rota metalrgica, que no Brasil tambm vem sendo utilizado pelo Instituto de Pesquisas Tecnolgicas (IPT), foi tema do doutorado da pesquisadora da Unicamp Andresa Deocldea Soares Crtes. O trabalho, intitulado Desenvolvimento de clulas fotovoltaicas utilizando silcio
Tese: Desenvolvimento de clulas fotovoltaicas utilizando silcio metalrgico melhorado Autora: Andresa Deocldea Soares Crtes Orientador: Paulo Roberto Mei Co-orientador: Francisco das Chagas Marques Unidades: Faculdade de Engenharia Mecnica (FEM) e Instituto de Fsica Gleb Wataghin (IFGW) Originalmente publicado no Jornal da Unicamp Edio 530 - www.unicamp.br/ unicamp/ju/530/grupo-purifica-silicio-para-fabricacao-de-celulas-solares E
Eletrnica Aplicada
Energia
Proteo contra surtos transitrios eltricos

Vocs com certeza j observaram equipamentos sem o pino de aterramento em seus cabos de energia, ou at mesmo j instalaram o terra da tomada interligado com o neutro sem observar a forma correta para esta prtica segundo as normas. Estas so negligncias que podem ocorrer, ou seja, a instalao errada ou at a completa falta de proteo contra os surtos eltricos, lembrando o grau de prejuzo que pode causar, por exemplo, durante uma descarga atmosfrica, onde pode provocar danos indiretos at a 15 km do ponto de queda e um choque eltrico de aproximadamente 4000 V atravs de um aparelho telefnico situado a 10 km deste mesmo ponto. Desta forma, acredito que este deveria ser um item melhor analisado por todos ns. Neste artigo, vocs conhecero as origens e os elementos de uma proteo contra surtos eltricos para que possam identificar os principais fatores que auxiliam na proteo, os quais vo desde as condies da infraestrutura at o tipo/modelo do protetor que iremos utilizar.
Naur Arjonas
O que um Surto Transitrio Eltrico?
Distrbio resultante de sbitas descargas de energia eltrica armazenada, que provoca efeitos de induo eltrica e magntica em face aos altos valores de corrente no circuito de descarga ocorridos em um pequeno intervalo de tempo. Esta a definio completa de um STE (surto transitrio eltrico), sendo que o primeiro exemplo e um dos mais preocupantes o famoso relmpago, constitudo pelas descargas eltricas.
Tipos de STE
Os STEs so divididos em dois tipos, o randmico, do qual eu j citei o seu maior exemplo (descargas atmosfricas), sendo que podemos identificar este tipo da seguinte forma: Ocorrem em pontos inesperados; No tm uma periodicidade definida; So de uma natureza complexa. Compare estas caractersticas com o nosso exemplo: aonde vai ocorrer? De quanto em quanto tempo? Como produzida uma descarga? Um outro parmetro que poderamos lembrar tambm que para detectarmos um transitrio randmico, necessitamos de instrumentos de monitorao com rpida resposta a frentes de ondas e com caractersticas que os habilitem a trabalhar com nveis de tenso e corrente elevadas. Um outro exemplo de transitrio randmico consiste nas descargas eletrostticas. O segundo tipo o transitrio repetitivo, sendo que podemos identific-los por ser: Frequentemente observados Provocados por fenmenos conhecidos. Um exemplo desse tipo o Spike composto pelos picos de energia eltrica
resultante dos chaveamentos eltricos, por exemplo: o chaveamento de cargas indutivas, excitao de motores, entre outros. Os transitrios repetitivos so mais simples de suprimir por terem suas causas facilmente definidas, sendo que para este caso podemos utilizar estabilizadores e nobreaks para a proteo dos equipamentos eletroeletrnicos. Lembramos que alm do problema de queima de equipamentos, os transitrios repetitivos tendem a diminuir o tempo de vida dos equipamentos. Para podermos proteger os circuitos devemos analisar causa por causa, ento vamos comear pelo maior problema.
Descargas Atmosfricas
As descargas atmosfricas so um fenmeno natural que acompanha o homem em toda a sua histria e devido destruio causada pelas descargas de energia que acontece, at hoje impem respeito e temor. E deve ser uma das preocupaes para quem vai instalar ou j instalou um sistema eltrico/eletrnico (alm da prpria proteo patrimonial). Para podermos nos proteger, primeiramente temos que entend-las.
Como ocorrem?
As grandes responsveis pelas descargas eltricas so as nuvens do tipo cumulus nimbus, tambm denominadas CB (figura 1). Usualmente as descargas atmosfricas se iniciam dentro destas nuvens, nas quais os valores eltricos so bem maiores que no solo. Um problema que temos que at hoje h vrias controvrsias entre as teorias de como ocorre a formao das cargas eltricas positivas e negativas dentro da nuvem. A mais usual que inicialmente a nuvem possui cargas positivas e negativas, e quando se inicia
a tempestade ocorrem fortes correntes ascendentes de ar mido dentro das CBs. Em resultado da condensao do vapor de gua formam-se gotas de gua que, atingidas certas dimenses, comeam a cair carregadas de eletricidade, negativamente em sua parte inferior e positivamente na sua parte superior. Em sua queda encontram gotculas em ascenso, cedendo a elas sua carga positiva, nas quais so violentamente arrastadas para as bordas superiores das nuvens. Como consequncia final, apresentam-se as nuvens com cargas eltricas positivas em sua parte superior, ficando a parte de baixo carregada negativamente. Desta forma se inicia o processo de descarga eltrica, aumentando o campo eltrico na nuvem. N.A. Medies efetuadas nas nuvens atravs de bales atmosfricos identificaram que as densidades de cargas variam bastante, sendo que o valor mximo medido foi de 100 volts por centmetro. Mesmo com tempo bom, foi possvel encontrar valores onde se fizeram presentes tenses da ordem de 20 a 30 V/cm.
F1. Nuvens do tipo Cumulus Nimbus.
O primeiro componente visvel da descarga o denominado stepped leader, que se movimenta em direo da terra em saltos variando de 10 a 200 metros. Quando este alcana a terra, intensa luminosidade ento vista, como se estivesse deslocando-se do solo para a nuvem: esta a chamada descarga de retorno com alta corrente circulando, fazendo inclusive que a temperatura do ar chegue a 3000 Celsius, provocando a expanso rpida do mesmo ao redor do canal e, consequentemente, criando uma onda de choque sonora ( o trovo). No entanto, depois de um certo intervalo de tempo uma segunda descarga-lder descendente pode ocorrer seguida tambm por uma de retorno: este ento no mais o lder e muito mais rpido que o primeiro, sendo ento chamado de dart leader. Quando sucedem vrias dart leaders seguidas de suas descargas de retorno, ns temos as chamada descargas atmosfricas mltiplas (figura 2).
A Descida
F2. Descargas atmosfricas mltiplas.
O Poder das Pontas
Em 1749, Benjamin Franklin escreveu uma srie de cartas para a Royal Society
(uma sociedade cientfica, em Londres) descrevendo as suas experincias eltricas e as suas interpretaes. Numa delas referiu-se ao extraordinrio poder das pontas observado nos objetos pontiagudos eletrizados, poder esse que permitia extrair ou projetar o fogo eltrico, que se manifestava nos fenmenos chamados eltricos, de atrao e de repulso, e que provocavam fascas de uns corpos para outros. Este poder funciona da seguinte forma, imagine um condutor vertical (uma haste de para-raios por exemplo): durante as tempestades os campos eltricos aumentam os seus valores, desta forma ocorre uma concentrao de campo na ponta da haste, se a intensidade de campo na ponta da haste ultrapassar certo valor crtico haver um curto-circuito com parte do campo eltrico da nuvem, pois ir ocorrer a ionizao por coliso, em consequncia ocorrendo o transporte de ons positivos da terra (atravs da haste para a atmosfera), (figura 3).
Proteo
Um sistema completo de proteo contra descargas atmosfricas (SPDA) pode ser dividido em duas partes: Earthing - responsvel pela absoro e transferncia da energia proeminente das descargas atmosfricas, compreendido portanto pelo sistema de hastes verticais e eletrodos horizontais. Grounding - referente aos meios e princpios de vinculaes eltricas que devem preservar a segurana, dissipao para os sistemas de proteo contra surtos e criao de potenciais referentes.
Earthing
Foi em 1752 que Benjamim Franklin verificou que entre um corpo eletrizado e outro pontiagudo apenas saltava fasca quando este ltimo estava ligado terra, e na sequncia ele realizou uma das suas mais famosas experincias, quando utili-
2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 21
Eletrnica Aplicada
Energia
F3. Ionizao da terra para a atmosfera atravs da haste.
F4. Ocorrncia de fascas durante uma trovoada.
F5. Captor Franklin ou de ngulo de Proteo.
zando um dispositivo baseado nos papagaios de papel e com uma chave presa na outra extremidade da linha (e conectada terra), quando pode comprovar a descarga recebida pelo papagaio ao carregar uma garrafa de Leyden permitiu-lhe verificar que as nuvens estavam carregadas de eletricidade. N.A. - A garrafa de Leyden um tipo de capacitor de alta tenso de uso comum em eletrosttica. Na forma usual atualmente (ltimos 200 anos...), consiste em um pote cilndrico de material altamente isolante, com uma folha metlica fixada por fora e outra fixada por dentro. Um terminal atravessando a tampa do pote faz contato com a folha interior, e um anel metlico faz contato com a folha exterior, constituindo assim os dois terminais do capacitor. Esta primeira experincia deu base a uma segunda, que foi realizada na Frana. Sendo montado um mastro metlico isolado da terra, um fio de cobre foi ligado terra e um dos experimentadores presentes (isolado do cobre com vidro) aproximou o cobre do mastro durante uma trovoada, observando fascas a saltar entre o mastro e o cobre, o que comprovou a teoria de Franklin (figura 4). Esta experincia serviu tambm para mostrar a capacidade de proteo que este para-raios proporciona, desde que o mastro seja ligado a terra. O que hoje constitui a base do sistema de proteo pelo mtodo de ngulo de proteo, tambm chamado mtodo Franklin.
Captores
O captor tem a funo de interceptar a descarga atmosfrica, sendo que os mtodos mais utilizados de captores so: Mtodo Franklin ou de ngulo de proteo que consiste na instalao de um captor sobre um mastro colocado na parte mais alta do telhado. Este mastro possui ligao com cabos de descida colocados nos cantos externos da casa, que tem como funo levar a descarga eltrica at o solo (figura 5). Condutores em Malhas ou gaiolas o contorno de todo o telhado feito por uma malha de fios metlicos intercalados por pequenas hastes responsveis pelo recebimento de descargas eltricas, que descem atravs dos cabos ligados malha (figura 6).
tenso, e desta forma diminuindo ao mximo a probabilidade de riscos a rea/ pessoas. Na figura 7 podemos observar as diferentes configuraes de uma malha de aterramento.
Efeitos Indiretos
Descidas
So os cabos, ou outros meios, responsveis por conduzir a descarga eltrica desde o captor at o sistema de aterramento.
Aterramento
formado pelo conjunto de eletrodos, cabos e conexes fabricados em cobre, que constituem o caminho de escoamento e disperso da corrente recebida pelos captores e conduzida ate o sistema para a terra, sem provocar tenses de passos perigosas e mantendo baixa a queda de
Como j estudamos, uma descarga eltrica com a potncia gerada pode causar enormes danos aonde atinge, por isso necessrio o uso de captores, descidas e aterramento, evitando que as estruturas e edifcios sejam total ou parcialmente destrudas pelos raios. No entanto, os danos causados indiretamente pelos raios so to importantes quanto os diretos, pois quando ocorre a queda de um raio em um prdio adequadamente protegido contra descargas diretas, so geradas sobretenses nas redes da empresa concessionria (tanto nas linhas de mdia quanto nas linhas de baixa tenso), nas instalaes eltricas do prprio edifcio e naquelas dos edifcios vizinhos. Um prdio a centenas de metros de um outro que recebeu a descarga pode ter seus equipamentos danificados ou, nos casos mais graves, at serem totalmente destrudos. E, na maioria dos casos, mais crtica e importante a interrupo das comunicaes ou ainda a perda de programas em processamento do que os prprios equipamentos em si que precisam ser substitudos devido ao raio.
F6. Malha ou gaiola de fios metlicos.
F7. Diversas configuraes para uma malha de aterramento.
importante lembrar que no so apenas as tenses, mas tambm nos nveis de energia que determinam a avaria de um equipamento.
Nveis de Exposio e Suportabilidade
A aplicao de um determinado tipo de circuito de proteo contra surtos depende, principalmente, do grau de exposio a descarga atmosfrica da instalao ou qualquer outro STE, ou seja, o quanto o equipamento a ser protegido est exposto a um surto (STE).
Caractersticas dos nveis de exposio
Exposio elevada: situaes
com alta probabilidade de imp a c t o d i r e t o o u o c o r r n c i a s muito prximas de descargas atmosfricas. Ex.: Topo de montanhas, altas estruturas, linhas areas etc. Exposio moderada: instalaes eletrnicas em prdios pouco sujeitos a ao direta, mas ainda sujeitos a interferncia de descargas atmosfricas prximas. Exposio baixa: equipamentos em uma nica sala ou abrigo, alimentados atravs de um mesmo quadro de distribuio, com cabos de comunicao tambm confinados na mesma sala.
F8. Curva de Suportabilidade: (Tenso Nominal X N Ciclos) para equipamentos eletrnicos.
Suportabilidade
Suportabilidade a tolerncia mxima, em nveis de tenso e corrente, aplicados sem a degradao das caractersticas originais de um equipamento, seja em aplicao repetitiva ou no. Os equipamentos eletrnicos possuem uma curva de suportabilidade de tenso dependente do tempo de durao do impulso ou sobretenso do surto.
O estudo publicado pela CBEMA (Computer Business Equipment Manufacturers Association) estabelece uma orientao segura para operao de equipamentos de informtica, baseada nas caractersticas tcnicas das suas fontes de alimentao, sendo uma forma eficiente de preparar uma operao tima de equipamentos no que tange a alimentao eltrica (figura 8).
Eletrnica Aplicada
Equipamentos que operam nas regies A e B podem ter seu funcionamento comprometido.
Energia
Baixa distoro evitando assim
problemas como rudos na linha telefnica. O tempo de resposta teoricamente de 1 a 5 ns, mas esse tempo raramente conseguido devido a indutncia dos terminais. Em relao aos varistores os diodos so mais rpidos, de menor tamanho e do melhor proteo, mas em contrapartida tm menor capacidade de dissipar potncia e so mais caros. Desta forma eles so usados como proteo fina, ou em locais onde as energias so baixas e precisamos de um elevado nvel de proteo.
Caractersticas Desejveis dos Mdulos Protetores
Centelhador a Gs
Para podermos especificar qual a melhor proteo para cada tipo de STE, foram definidos alguns parmetros e caractersticas eltricas desejveis destes equipamentos: Tenso de Clamping o valor de tenso medido pico a pico, aps o tempo de atuao da proteo, ou seja, a tenso garantida aps a proteo ter sido acionada; Sobretenso residual o mximo valor medido pico a pico no instante anterior a atuao da proteo - a tenso mxima em que o equipamento fica exposto antes da atuao do protetor; Tempo de resposta o tempo decorrido entre a aplicao do pulso e a atuao da proteo. O ponto de atuao da proteo caracteriza-se pela passagem do pulso pelo valor de Clamping, sendo que aps este instante a tenso nos terminais do protetor mantida nos limites especficos da atuao do mesmo. Fator de Clamping a razo entre a sobretenso residual e a tenso de clamping:
Os centelhadores so constitudos por dois ou trs eletrodos dentro de um tubo de vidro ou cermica, separados por uma distncia bem determinada, na ordem de 1 mm, sendo o volume preenchido por um gs raro. Ele atua quando os limites de corrente forem excedidos (seja em corrente, durao ou nmero de aplicaes) podendo ter seus eletrodos fundidos. Para entender melhor, quando ocorre um aumento brusco da tenso (por um surto que atinge o centelhador), inicia-se um processo denominado avalanche, e que conduz a disrupo do gs. Uma vez estabelecido o arco entre os eletrodos, a tenso de alimentao pode cair que o arco se mantm ( uma descarga autossustentada). O arco s ser extinto se a fonte no conseguir fornecer correntes da ordem de 1 mA, ou se a tenso da fonte ficar abaixo da tenso do arco (entre 10 V e 20 V). Devido a essas caractersticas, os centelhadores devem ser usados em circuitos protegidos por fusveis ou disjuntores junto a eles e do lado da fonte.
Proteo hbrida
Varistores
Baseados nestes parmetros, agora podemos definir as caractersticas desejveis dos protetores contra STE: Grande capacidade energtica para que possa suportar grandes descargas de corrente e tenso; Velocidade rpida de atuao com baixa sobretenso residual quanto mais rpido ele atuar, menor ser a sobretenso que o equipamento protegido ir receber; Tenso de Clamping condizente com a classe de suportabilidade do equipamento protegido; Baixa atenuao para que os equipamentos no tenham suas capacidades alteradas;
Os varistores so resistores cuja resistncia varia com a tenso aplicada, por isso, tambm denominados VDR. Os varistores tm uma aplicao bastante ampla devido a larga faixa de tenses (desde 4 V at 4 kV) e de correntes de impulso (100 A at 120 kA), podendo ser fornecidos para soldagem direta SMD, nas placas de circuito impressa (PCB Power Circuit Board), com terminais, ou ainda sem terminais (os chamados blocos para uso nos para-raios).
Diodos Supressores
Os diodos supressores so baseados nos diodos Zener que so usados normalmente como diodos estabilizadores de tenso, mas para serem empregados como proteo sua construo deve ser especial para obterem maiores junes entre gros de silcio e maior massa nos terminais e, desta forma, aumentando a dissipao de calor. Comercialmente recebem diversos nomes, sendo os fabricados respectivamente pela Siemens (TAZ) e pela General Semiconductors (TRANSZORB) os mais facilmente encontrados no comrcio.
Como podemos observar, um nico dispositivo de proteo no atende simultaneamente aos requisitos de tempo de atuao, capacidade de conduo de corrente e as caractersticas de suportabilidade de tenso dos equipamentos que normalmente precisamos proteger. Surge ento a opo de usarmos uma proteo hbrida, onde usamos as qualidades de cada elemento de proteo para atenuar as desvantagens do outro, sendo normalmente dividida em proteo primria, proteo secundria e filtros. Sendo que a proteo primria deve atender as caractersticas do surto, principalmente quanto a capacidade de conduo de corrente. E apresenta nveis de tenso de operao superiores queles suportados pelos equipamentos protegidos e sua velocidade de atuao sempre menor que a requerida. Os prximos estgios j apresentam sempre velocidades de atuao superiores e nveis de atuao (tenso de disparo) precisos e compatveis com os nveis de suportabilidade de tenso dos componentes a serem protegidos, porm possuem baixa capacidade de conduo de energia. Para atuar como elemento de retardo de corrente e divisor de potncia so utilizados filtros, normalmente indutivos, que defasam e dividem a corrente e a tenso em tempo suficiente para permitir que o estgio subsequente opere com baixos nveis de energia at que ocorra a atuao da proteo primria.
Equalizao de potencial
Para nos assegurarmos quanto proteo contra STE, um sistema de aterramento equalizado, ou seja, nico, se constitui como a proteo mais completa, isto , ele garante uma proteo contra descargas atmosfricas, proteo das instalaes de baixa tenso, dos sistemas eletrnicos e de telecomunicaes. A equalizao de potencial necessria principalmente onde existam muitos equi-
F9. Equalizao de potencial em um ponto, ou distribuda em vrios pontos.
pamentos eletrnicos sensveis, e em alguns casos a nica proteo de equipamentos e operadores. A equalizao de potencial obtida mediante a interligao equipotencial, interligando: Sistema de proteo contra descargas atmosfricas; Armao metlica da estrutura; Instalaes metlicas; Massas e blindagens de condutores; Sistemas eltricos; Sistemas eletrnicos; Sistemas de telecomunicaes; Lembrando que os condutores vivos devem, obrigatoriamente, ser conectados atravs de protetores contra surtos. A equalizao deve ser efetuada tanto em um nico ponto, quando as distncias forem pequenas, como em vrios pontos, quando h grandes distncias ou vrios equipamentos em um mesmo ambiente (figura 9).
Concluso
Os sistemas de proteo contra surtos so visivelmente negligenciados durante uma manuteno ou at mesmo durante a instalao de sistemas eletroeletrnicos, ento, espero ter demonstrado de uma forma geral que a instalao de uma proteo no simplesmente uma norma legal, e sim uma segurana para os equipamentos eletroeletrnicos e, principalmente, para ns mesmos que trabalhamos uma boa parte do dia perto de um micro ou uma mquina conectada a sistemas eltricos. E
Eletrnica Aplicada
Energia
Influncia das Harmnicas na Alimentao de
Dispositivos Eletrnicos:
Efeitos, e como elimin-los
Na primeira parte deste artigo vimos que a energia da rede que alimenta dispositivos em indstrias, comrcios e residncias no pura, contendo harmnicas que podem causar srios problemas a esses equipamentos. Nessa 2 parte veremos quais so esses efeitos e, uma vez constatados, como podem ser eliminados.
Newton C. Braga
omponentes de uma instalao, equipamentos e a prpria instalao eltrica podem ser afetados pela presena de harmnicas. Danos irreversveis podem ocorrer em muitos dos casos. Os efeitos da presena de harmnicas em uma rede se manifestam de diversas formas. Em alguns casos, eles podem ser ouvidos na forma de oscilaes ou vibraes estranhas dos aparelhos alimentados. Em outras situaes, podem ser percebidos pelo sobreaquecimento ou mesmo oscilaes da tenso afetando o brilho das lmpadas que iluminam o local. No entanto, a maioria s poder ser detectada de forma eficiente com a utilizao de instrumentos apropriados. Analisemos esses efeitos.
do alimentados por uma rede comum e equipamentos que tenham caractersticas capazes de gerar harmnicas e, com isso, disparar disjuntores com frequncia. Circuitos separados ou no-breakes so recomendados para que no ocorra a perda de informaes em caso de interrupo do fornecimento de energia.
Ressonncia
Cargas indutivas em paralelo com cargas capacitivas podem formar um circuito ressonante LC, conforme ilustra a figura 2. Os bancos de capacitores usados na correo do fator de potncia de certas instalaes formam com as cargas indutivas, circuitos ressonantes capazes de amplificar certas harmnicas presentes nessas redes.
Sobreaquecimentos
As harmnicas podem ter frequncias muitas vezes maiores do que o sinal fundamental. Pelo efeito pelicular, as correntes de frequncias mais elevadas tendem a circular pelas camadas exteriores do condutor. Isso significa que a resistncia encontrada (pela distribuio no uniforme da corrente) ser maior, com um aquecimento consequentemente maior, conforme mostra a figura 1.
Alteraes de Tenso e Fator de Potncia
Como um outro efeito provocado pela presena de harmnicas numa rede, temos o aumento das quedas de tenso e a reduo do fator de potncia.
O que Fazer para Corrigir os Problemas?
Atuao de Sistemas de Proteo
Os valores eficazes das correntes podem ser pequenos, mas se o fator de crista for elevado, dada a presena de harmnicas, teremos o disparo dos dispositivos de proteo, mesmo que a corrente no circuito seja aparentemente menor do que o necessrio para isso. Veja que esse fato importante nos casos onde tenhamos computadores sen-
Constatando-se problemas causados pela presena de harmnicas em uma rede, diversas so as aes a realizar no sentido de se fazer sua correo. A seguir, detalhamos algumas delas.
Cuidados com os condutores de Fase e Neutro
Os critrios da norma NBR5410 devem ser a base para o dimensionamento dos condutores. Na norma previsto o caso ideal em que no existem harmnicas. Entretanto, a corrente do circuito deve considerar a presena das harmnicas,
levando-se em conta que ela pode chegar a ter at trs vezes o valor das correntes das fases, veja a figura 3. Assim, em lugar da recomendao da norma para que o condutor de neutro tenha metade da seco das fases, em alguns casos esse condutor dever ser at mais grosso que os condutores de fase, dada a presena das harmnicas. Um descuido nesse dimensionamento pode levar a sobreaquecimentos e at a problemas com o prprio dispositivo alimentado. Isso nos leva a procedimentos bsicos para a determinao das seces dos condutores para circuitos trifsicos em que estejam presentes harmnicas, principalmente de 3 ordem nas fases. Considerava-se ainda que os condutores sejam dos mesmos materiais. Esses procedimentos consistem em se corrigir as bitolas recomendadas de acordo com a presena de harmnicas conforme a seguinte tabela 1. Essa correo vlida para circuitos trifsicos de 4 condutores. Esta tabela deve ser usada em conjunto com as tabelas 31 a 34 da NBR5410/97.
F1. Sobreaquecimento do condutor pelo efeito pelicular.
F2. Circuito ressonante LC.
Filtros
O controle da presena de harmnicas em uma instalao de vital importncia para se ter algumas garantias importantes para o correto funcionamento dos aparelhos alimentados. Uma baixa THD significa ter uma forma de onda mais prxima possvel da senoidal. Internacionalmente, recomenda-se como limite para a presena dessas distores em todos os pontos de uma instalao 5 %. Normas como a IEC 61000 3 2 , IEC 3 4, IEEE 519-2 especificam os limites de THD que devem existir numa instalao eltrica. Os valores de THDU e THDI (Distores Harmnicas de Tenso e Distores Harmnicas de Corrente) esto interligados. Isso significa que os processos utilizados na sua reduo podem operar com as duas grandezas. Os processos usados na reduo da THDI e THDU so basicamente trs.
F3. Presena de harmnicas nos condutores de Fase e Neutro.
F4. Filtro de harmnicas com uso de Indutncia.
positivo alimentado, conforme mostra a figura 4. A indutncia agregada somada indutncia do cabo e da fonte (transformador ou gerador), ocorrendo ento uma atenuao dos sinais de frequncias mais elevadas. que correspondem justamente s harmnicas. Fontes chaveadas usadas em computadores e outros dispositivos fazem uso desta tcnica. Embora esta soluo tenha uma eficincia limitada e dependendo da aplicao suas dimenses possam ser grandes, alm de haver uma certa queda de tenso na linha, as vantagens principais esto na sua simplicidade e possibilidade de uso praticamente em qualquer tipo de fonte.
Porcentagem da 3 harmnica na fase 0 15% 15 33% 33 45% maior que 45%
Neste caso, conforme exibe a figura 5, o que se faz ligar um filtro LC em paralelo com o circuito alimentado, responsvel pela poluio da energia. Os valores dos elementos deste circuito devem ser tais que a impedncia do filtro seja zero na frequncia da harmnica que deve ser eliminada. Esse filtro tambm recebe a denominao de no compensado. Um outro tipo de filtro LC o compensado, que tem a configurao dada na figura 6. Nesse filtro temos uma indutncia a mais ligada em paralelo com o conjunto LC srie. Essa indutncia adicional reduz
Correo da seco com base no neutro 0,86 1,0
Filtro passivo
Correo da seco baseada na fase 1,0 0,86 -
Uso de indutncias
Neste caso, o que se faz ligar uma indutncia em srie com o dis-
T1. Correes das bitolas dos fios FASE e NEUTRO.
Eletrnica Aplicada
a energia capacitiva exigida do gerador, principalmente no momento da partida. Estes filtros passivos apresentam como principal vantagem a sua simplicidade e confiabilidade, alm da facilidade de instalao, sendo bastante eficientes quando a taxa de distoro harmnica inferior a 5 %. Todavia, como desvantagem eles eliminam apenas os sinais sintonizados, no sendo eficazes numa banda mais larga.
Energia
Filtros Ativos
Os filtros ativos ou condicionadores ativos como tambm so chamados, so ligados em paralelo entre a fonte geradora das harmnicas e a fonte de alimentao, atente para a figura 7. Esse tipo de filtro monitora em tempo real as fases do sinal, e a partir dessa anlise ele gera o espectro harmnico. Com as informaes contidas neste espectro harmnico, o filtro gera uma corrente de compensao que a diferena entre a corrente total da carga e a fundamental. Essa corrente (que consiste na soma das correntes fundamental e harmnicas) injetada no circuito, porm em oposio de fase de modo a cancelar os sinais harmnicos. O resultado da combinao dessas correntes um sinal senoidal puro aplicado carga. Veja que, este filtro faz com que no percurso entre a fonte e a carga no existam correntes harmnicas circulando. Note, ento, que outros equipamentos ligados mesma fonte neste percurso no sero afetados pela eventual presena de harmnicas na linha de alimentao. Os filtros ativos so circuitos com semicondutores de potncia, normalmente IGBTs, e so projetados para atuar numa faixa de harmnicas que vai do segundo ao vigsimo quinto.
F5. Filtro Passivo LC.
F6. Filtro LC compensado.
F7. Filtro ou condicionador ativo.
F8. Uso de trafo para bloquear harmnicas.
Transformadores
Em muitas instalaes so usados transformadores que tm por finalidade modificar as tenses e correntes, ou ainda para se obter um neutro de forma diferente, isolando trechos ou ainda proporcionando um nvel segurana maior. No entanto, as propriedades eltricas desses componentes tambm permitem que eles sejam empregados na confinao dos circuitos que alimentam equipa-
mentos geradores de harmnicas. Um transformador pode bloquear a passagem das harmnicas de uma linha para outros trechos, afetando assim outros equipamentos que so alimentados por essa mesma linha, acompanhe na figura 8. O modo como os enrolamentos de um transformador so ligados determina a ordem de bloqueio de certas harmnicas. Logo, temos duas possibilidades. Na primeira, mostrada na figura 9, um transformador com uma ligao tringulo/estrela capaz de confinar ao trecho alimentado pelos secundrios as terceiras harmnicas e suas mltiplas. Esse tipo de aplicao para um transformador especialmente indicado para a alimentao de quadros que tenham como cargas equipamentos com fontes monofsicas, tais como computadores, copiadoras, eletrodomsticos, etc. Para o caso de cargas trifsicas, onde predominam as quintas e stimas harmnicas, a melhor soluo consiste na utilizao de um transformador com secundrio duplo, conforme ilustra a figura 10.
Estes enrolamentos fazem com que haja um deslocamento de fase de 30 graus nas tenses, o que implica com que as correntes harmnicas se somem algebricamente e com isso se cancelem antes do transformador, desaparecendo assim da linha que alimenta o primrio. Este tipo de soluo deve, entretanto, alimentar apenas cargas trifsicas de mesmas caractersticas, ou seja, que tenham o mesmo espectro harmnico alm de carregarem da mesma forma os enrolamentos secundrios do transformador. Isso necessrio para que as correntes de primrio, quando somadas, resultem em um valor o mais prximo de zero quanto seja possvel.
Concluso
A presena de harmnicas numa linha de alimentao um problema que se agrava com o uso de dispositivos comutadores, na maioria das aplicaes. As fontes comutadas, os dispositivos da famlia dos tiristores que trabalham com a rpida comutao de correntes em
F9. Trafo com ligao tringulo/estrela.
F10. Trafo com secundrio duplo para o caso de cargas trifsicas.
inversores de frequncia, os controles de velocidade e muitos mais geram uma grande quantidade de harmnicas que polui as linhas de alimentao, causando diversos tipos de problemas. Nestes dois artigos estudamos como as harmnicas so geradas, o que elas podem causar em uma instalao e
completamos com alguns procedimentos que podem ser adotados para sua eliminao, entre eles o uso de filtros e transformadores. Tambm tratamos da escolha adequada dos cabos de uma instalao onde a presena de harmnicas ocorra de forma mais frequente, podendo causar
problemas de aquecimentos e desarme de dispositivos de proteo. Acreditamos que este artigo tenha sido de grande utilidade para os que fazem instalaes eltricas, manuteno de instalaes, principalmente em indstrias e outros locais onde esses problemas possam se manifestar de forma mais intensa. E
Eletrnica Aplicada
Solues Texas Instruments para

Em importante documentao tcnica, a Texas Instruments (www. ti.com) descreve solues para se implementar comunicaes utilizando a rede de transmisso de energia eltrica ou PLC (Power Line Communications). Estas solues encontram uma enorme gama de aplicaes prticas que procuramos descrever neste artigo, totalmente baseado naquela documentao. Os leitores que tenham um bom conhecimento do ingls podem acessar a documentao original digitando: slay021PLC, no search do site daTexas Instruments.
Telecomunicaes
Transmisso de Dados pela Rede de Energia (PLC)
Newton C. Braga
determinados horrios segundo programao, usando os comandos feitos atravs da prpria rede de energia que as alimenta. Tambm podemos implementar sistemas de segurana com sensores inteligentes que se comunicam com uma central, utilizando a fiao do prprio prdio que deve ser protegido. O monitoramento do consumo de energia, aparelho por aparelho, registrado numa central inteligente que tambm o gerencie, outra possibilidade importante que a PLC apresenta. Com uma preocupao crescente com o consumo consciente da energia e a entrada e utilizao de novas fontes, como os painis solares, o gerenciamento do interfaceamento das diversas fontes, feito atravs da prpria linha de energia que elas fornecem, possvel com o emprego da tecnologia PLC. Um gerenciamento dos inversores utilizados com os painis solares a partir de centrais inteligentes pode ser criado com facilidade de modo a se obter o melhor aproveitamento da energia gerada.
meio ruidoso em que se constitui a rede de transmisso de energia dificulta a sua utilizao em comunicaes a longas distncias e em altas velocidades. No entanto, para curtas e mdias distncias, ou em sistemas que no exijam altas velocidades, a implementao de sistemas se torna vivel permitindo sua utilizao numa ampla gama de aplicaes prticas. Com a possibilidade de se usar o prprio cabeamento de energia para transmitir dados, aplicaes importantes na automao predial, segurana e mesmo links de dados para monitoramento de consumo se tornam simples de implementar, com custos reduzidos e desempenhos que atendem plenamente aos usurios. Dentre as possibilidades que a PLC oferece, destacamos o controle de lmpadas (dimmers) feito a partir de qualquer local de uma instalao eltrica ou de uma central inteligente de controle que gerencie a energia consumida no local. O mesmo sistema pode acionar (ou desligar) lmpadas em
Eletrnica Aplicada
Parmetro Tamanho da Modulao Correo de erro direta Taxa de dados Plano de banda Modo ROBO Mscara de tom Mapa de tom adaptativo MAC Camada de convergncia Aplicao para medida IEC1334 S-FSK Spread frequency shift keying N/A 2,4 kbps CENELEC-A No No No IEC61334 MAC IEC61334-4-32 COSEM/DLMS PRIME (OFDM) DBPSK / DQPSK / D8PSK taxa do cdigo convolucional 21, 42, 64, 84, 64 kpbs (com codificao) Continuo 42-89 kHz (definido pelo cenrio LV) No No Sim PRIME MAC IEC61334-4-32/IPv6 COSEM/DLMS, IP G3 (OFDM) DBPSK / DQPSK / (D8PSK) RS Externo + taxa interna cdigo convolucional 20, 36/34, 76 (46)kpbs (com codificao) 36-91 kHz com mascaramento de tom para SFSK Sim Sim Sim Perfil 802.15 4/63 6LoWPAN/IPv6 COSEM/DLMS, IP P1901.2 / G3-FCC (OFDM) D8PSK/DQPSK/D8PSK/modulao coerente RS Externo + taxa interna cdigo convolucional Escalvel at 250 kbps CENELEC-A, Banda FCC Sim Sim Sim Baseado no 802.15.4 6LoWPAN/IPv6 COSEM/DLMS, IP T1. Principais caractersticas dos diversos padres.
Os Padres
O modo como os dados podem ser enviados atravs da rede de energia estabelecido por diversos padres. Os padres existentes levam em conta os diversos ambientes de operao e tambm as aplicaes possveis. Os mais conhecidos so os G3 e PRIME. Pode-se dizer que o G3 primo do IEEE P19012, visando aplicaes que exigem mais robustez. Dada sua capacidade de trabalhar melhor em ambientes com elevado nvel de rudo, atualmente o G3 tem sido o escolhido para a maioria das aplicaes. Na tabela 1, da documentao da Texas Instruments, damos as principais caractersticas destes padres. A G3 Alliance a responsvel pela evoluo do padro G3 que opera na banda CENELEC-A usada na Europa, de 3 - 95 kHz, e que pode se estendida por toda banda do FCC de modo a possibilitar uma taxa maior de transmisso de dados em outros pases. O padro G3 permite a transmisso bidirecional com uma taxa efetiva de 20 a 40 kbps na banda CENELEC-A e at 200 400 kbps na banda do FCC (G3-FCC). Ele coexiste com a S-FSK e outras tecnologias PLC legalizadas. Para proporcionar uma imunidade maior s interferncias e atenuao, o padro G3 adota a modulao OFDM (Orthogonal Frequency-Division Multiplexing). Como resultado, podem ser conseguidos alcances de at 6 milhas em trechos entre transformadores de mdias tenses. No caso em que existam transformadores de mdia e baixa tenso no percurso do sinal, o alcance ficar na faixa de 2 a 3 milhas, dependendo de diversos fatores adicionais.
muito importante ressaltar a capacidade dos sinais de passar atravs de transformadores, principalmente em reas rurais onde a densidade de populao baixa. O que ocorre que os transformadores consistem em um obstculo para os sinais, exigindo eventualmente o emprego de um concentrador, cuja finalidade passar os sinais atravs dele, aplicando-os a um trecho seguinte da linha. A utilizao de um concentrador com estes transformadores numa localidade de baixa densidade de populao no compensa seu custo. Como o G3 permite a passagem dos sinais atravs dos transformadores, os concentradores podem ser colocados apenas nos locais em que eles possam reunir dados de diversos locais e em que se observe que eles so necessrios. O G3 tambm forma o as partes Annex-A e Annex-D (G3-FCC) do ITU G.9955 (G.9956 pra G3 MAC). O IEEE est desenvolvendo uma verso mundial do G3 com o nome de P1901.2, que dever estar disponvel no final de 2012. Para conseguir maior taxa de dados, o G3-FCC utiliza modulao coerente e diversas demodulaes para o modo rob, BPSK, QPSK, 8PSK e 16QAM com um ganho de at 5 dB.
Alm do G3
Na busca da melhor soluo para implementao da PLC, diversos pases esto fazendo testes no sentido de verificar seu desempenho sob condies ruidosas de operao. Podemos citar o caso da Coreia que faz testes com cabos subterrneos.
Mas no so todos os pases que esto adotando o G3. Pases como a Espanha e Frana escolheram outras tecnologias. Evidentemente, diante da batalha entre os padres, com a possibilidade de cada pas adotar um padro diferente, os OEM que puderem desenvolver produtos multi-padro estaro numa posio privilegiada para colocar seus produtos no mercado. A Texas Instruments disponibiliza uma plataforma que pode operar com todos os padres da tabela que demos. Para isso ela criou a PLC-Lite como plataforma de desenvolvimento no baseada em padres, de baixo custo e muito flexvel para o desenvolvimento de aplicativos PLC. Justamente por no ser uma plataforma de desenvolvimento padronizada, os desenvolvedores podem explorar a flexibilidade da PLC-Lite para otimizar a implementao das caractersticas especficas de canal e, com isso, melhorar a robustez do link em ambientes em que a G3 e PRIME encontram dificuldades devido ao fato de que o nvel de interferncia na linha exige capacidade de manuseio excepcional. A taxa mxima de dados da PLC-Lite de 21 kbps e ela suporta tanto os modos Banda Completa (Full-band) como Meia Banda (Half-band), conforme a tabela 2. Ela possui recursos para proporcionar robustez em relao a determinados tipos de interferncia como as de banda estreita que podem afetar os links G3. A PLC-Lite apropriada para as aplicaes muito sensveis ao custo e onde a complexidade do G3 e PRIME no so exigidas. No entanto, um canal robusto de comunicao necessrio.
Eletrnica Aplicada
Podemos fazer uma comparao com os controles remotos de diversos aplicativos domsticos que no necessitam de todas as capacidades do Wi-Fi para um simples aumento de volume, liga- desliga de um CD, ou troca de canal de um televisor. Isto importante, pois numa aplicao simples como: acender ou apagar uma lmpada, mudar volume, ou trocar canal no se necessita mais do que alguns kbps para executar a funo. A PLC-Lite tambm especialmente indicada para desenvolvimento de dispositivos que devem operar alm do medidor de energia como conversores solares, iluminao industrial e residencial e aplicaes de rede.
Banda Largura de banda Frequncia de amostragem Durao dos dados/caberio Durao do prembulo (cada) Taxa de dados PHY
Telecomunicaes
Meia Banda A/B/C/D, configurvel no compliante CENELEC run-time 23 kHz 500 kHz 2.24 ms 2.048 ms 21 kbps (BPSK) 11 kbps (BPSK + FEC) 2.6 kbps (Robo-4) 1.3 kbps (Robo-8) 1024 96 49 CSMA/CA Banda Completa CENELEC A 47 kHz 250 kHz 2.24 ms 2.048 ms 42 kbps (BPSK) 21 kbps (BPSK + FEC) 5.2 kbps (Robo-4) 2.6 kbps (Robo-8) 512 48 97 CSMA/CA T2. Principais especificaes nos modos suportados: Meia Banda e Banda completa.
Tamanho da FFT Tamanho do CP Nmero de subportadoras MAC
Flexibilidade atravs de Software
Com o seu software plcSUITE, a Texas Instruments proporciona uma soluo totalmente operacional para os principais sistemas PLC com um processamento completo de camadas MAC e PHY, assim como uma API para a aplicao - veja a figura 1. A simplicidade de uso do software plcSUITE da Texas Instruments facilita a criao de um produto em muito menos tempo, o que um fator importante para sua chegada ao mercado antes dos concorrentes. Os desenvolvedores podem pedir uma verso licenciada do cdigo- fonte, dando a opo de utilizar os componentes que desejarem. Um dos pontos de destaque do PLC software PE que ele roda em seus MCUs. Para aplicaes em que o PLC deva ser implementado em subsistemas independentes, o microcontrolador PLC83 proporciona uma abordagem econmica. Caso se exija que a aplicao e o PLC devam rodar no mesmo processador, a plataforma C2000 Concerto de microcontroladores da Texas Instruments uma soluo importante, pois ela oferece uma variedade de opes com diferentes densidades de memria e capacidades de processamento. Uma vantagem importante destes processadores que eles tm ainda a capacidade de suportar maior taxa de dados. Para aplicaes de baixo custo, a Texas oferece ainda o processador F280x da srie C2000 Piccolo que usa a plataforma PLC-Lite.
F1. O software plcSUITEda Texas Instruments proporciona uma soluo para os principais sistemas de PLC.
O desenvolvedor poder escolher a melhor soluo para seu produto em termos de custo e desempenho, uma vez que ele dispe de diversos tipos de microcontroladores.
Kit de Desenvolvimento
Os desenvolvedores podem ter um contato inicial com a tecnologia PLC atravs do kit de avaliao TMDSPCLKIT-V3 da Texas Instruments, o qual inclui a plcSUITE e a ferramenta Zero-Configuration Gui Tool. Trata-se de uma poderosa ferramenta que permite a caracterizao de um canal de link. No modo de configurao zero, os desenvolvedores podem transmitir dados entre nodos sem ter de definir qualquer parmetro de configurao. Isso simplifica substancialmente o processo de avaliao, especialmente pelos desenvolvedores que
ainda no esto familiarizados com detalhes da implementao de PLC. A ferramenta tambm ajuda a acelerar o desenvolvimento de um produto, suportando o modo expert no qual o desenvolvedor pode fazer o ajuste fino de uma configurao de canal de modo a capturar mais dados atravs do canal. Diversos testes foram realizados em pases para se obter informaes que permitam a utilizao da tecnologia PLC de maneira mais eficiente, analisando como os meios especficos podem influir em seu desempenho. Estes testes podem ser visualizados na documentao original da Texas Instruments no link dado no incio do artigo. Mais informaes podem ser obtidas na Texas Instruments do Brasil. E
Eletrnica Aplicada
O que uma Rede de Sensores sem Fio?

Neste artigo, veremos o que uma plataforma WSN, e quais so as suas caractersticas e topologias. Tambm veremos uma Rede de Sensores sem Fio da National Instruments.
National Instruments
ma rede de sensores sem fio (Wireless Sensor Network) uma rede sem fio que consiste de dispositivos autnomos distribudos espacialmente, os quais utilizam sensores para monitorar condies fsicas ou ambientais. Estes dispositivos autnomos, ou ns, so utilizados com roteadores e um gateway para criar um tpico sistema WSN. Os ns de medio distribudos comunicam-se (sem fio) com um gateway central, o qual fornece uma conexo ao mundo cabeado onde voc pode medir, processar, analisar e apresentar seus dados coletados. Para aumentar a distncia e a confiabilidade de uma rede de sensores sem fio, voc pode utilizar roteadores para um link adicional de comunicao entre os ns finais e o gateway. As redes de sensores sem fio da National Instruments oferecem confiabilidade, com ns de medio de baixa potncia que operam por at trs anos com 4 pilhas AA e podem ser utilizados por um longo prazo, operando remotamente. O protocolo NI WSN, baseado nas tecnologias IEEE 802.15.4 e ZigBee, fornece um padro de comunicao de baixa potncia que possui capacidades de roteamento de malha para aumentar a distncia e a confiabilidade da rede. O protocolo sem fio que voc seleciona para sua rede depende dos requisitos de sua
aplicao. Para aprender mais sobre outras tecnologias sem fio para sua aplicao, veja o artigo Selecting the Right Wireless Technology.
Aplicaes WSN
A monitorao integrada abrange vrias reas de aplicao, incluindo aquelas em que limitaes de potncia ou infraestrutura fazem uma soluo cabeada apresentar um custo alto, desafiador, ou quase impossvel. Voc pode posicionar redes de sensores sem fio junto com sistemas cabeados para criar um sistema de medio e controle completo, cabeado e sem fio. Um sistema WSN ideal para uma aplicao como monitorao ambiental, cujos requisitos exigem aquisio de dados por longos prazos para realizar medies de caractersticas da gua, do solo ou do clima. Para utilidades como rede eltrica, iluminao pblica e distribuio de gua, sensores sem fio oferecem um mtodo de baixo custo para coletar dados sobre a sade do sistema, reduzir o consumo de energia e melhorar o gerenciamento de recursos. No monitoramento de sade de estruturas, voc pode utilizar sensores sem fio para monitorar efetivamente rodovias, pontes e tneis. Voc tambm pode implantar esses sistemas para monitorar continuamente edifcios comerciais, hospitais, aeroportos,
Eletrnica Aplicada
Conectividade
2,4 GHz ISM, alm de taxa de dados de at 250 kb/s. O ZigBee projetado para atuar sobre as camadas do 802.15.4 para fornecer segurana, confiabilidade atravs de topologias de rede em malha, e interoperabilidade com outros dispositivos e padres. O ZigBee tambm permite aplicao de objetos definidos pelo usurio, ou perfis, que fornecem personalizao e flexibilidade com o protocolo. Alm dos requisitos de vida longa, voc deve considerar o tamanho, o peso, e a disponibilidade das baterias, bem como as normas internacionais para seu embarque. O baixo custo e grande disponibilidade das baterias alcalinas e de zinco- carbono fazem delas uma escolha comum. Tcnicas de coleta de energia tambm esto se tornando mais comuns em redes de sensores sem fio. Com dispositivos que utilizam clulas solares ou coletam calor de seu ambiente, voc pode reduzir ou mesmo eliminar a necessidade de fornecimento de energia atravs de baterias.
F1. reas de aplicao de WSN.
Tendncias do Processador
F2. Arquitetura de uma rede de sensores sem fio comum.
fbricas, usinas de energia e instalaes de produo. Veja a figura 1.
Padres de Potncia e Rede
Arquitetura de um Sistema WSN
Em uma arquitetura WSN comum, os ns de medio so implantados para adquirir medidas como as de temperatura, tenso ou mesmo de oxignio dissolvido. Os ns so parte de uma rede sem fios administrada pelo gateway, que governa aspectos da rede como autenticao de cliente e segurana de dados. O gateway coleta os dados medidos em cada n e os envia atravs de uma conexo cabeada, tipicamente Ethernet, para uma controladora host. Nesta controladora, um software como a plataforma de programao grfica NI LabVIEW pode fornecer processamentos e anlises avanadas e apresentar seus dados em um estilo que atenda suas necessidades. Observe um exemplo de Arquitetura de Rede na figura 2.
Um n de medio WSN contm vrios componentes incluindo o rdio, a bateria, o microcontrolador, o circuito analgico, e a interface com o sensor. Em sistemas energizados por baterias, voc deve checar constantemente a condio das mesmas e substitu-las quando necessrio, pois maiores taxas de dados e uma utilizao mais frequente do rdio consomem mais energia. Atualmente, baterias e tecnologias de gesto de energia evoluem continuamente devido extensa pesquisa. Em aplicaes WSN comum a necessidade de trs anos de vida das baterias, portanto, muitos destes sistemas hoje so baseados em protocolos ZigBee ou IEEE 802.15.4 devido ao seu baixo consumo de energia. O protocolo IEEE 802.15.4 define as camadas de controle de acesso mdio e fsico no modelo de rede, fornecendo comunicao nas bandas 868 a 915 MHz e
Para prolongar a vida das baterias, um n WSN acorda periodicamente para adquirir e transmitir dados, ligando o rdio e depois desligando-o para conservar energia. O rdio WSN deve transmitir de maneira eficiente um sinal e permitir que o sistema volte a dormir, realizando isso com um mnimo consumo de potncia. Do mesmo modo, o processador tambm deve ser capaz de acordar, energizar-se e voltar a dormir de modo eficiente. As tendncias de tecnologias de microprocessadores para WSNs incluem reduo do consumo de energia enquanto mantm ou aumentam a velocidade do processador. Tal qual a escolha do rdio, trade off de consumo de energia e velocidade de processamento uma preocupao fundamental na seleo de um processador para WSN. Isto faz com que arquiteturas PowerPC e baseadas em ARM sejam uma opo no indicada para dispositivos alimentados por baterias. Uma opo mais comum de arquitetura inclui o TI MSP430 MCU, que foi projetado para operao de baixa potncia. Dependendo do processador especfico, o consumo de energia no sleep mode pode variar de 1 a 50 W, enquanto que em operao o consumo pode variar de 8 a 500 mW.
F3. Topologias de rede WSN.
Topologias de Rede
Voc pode utilizar vrias topologias de rede para coordenar o gateway WSN, os ns finais e os ns roteadores. Estes ltimos so similares aos ns finais, j que podem adquirir dados de medio, mas voc tambm pode utiliz-los para transmitir dados medidos ao longo de outros ns. A primeira e mais bsica topologia a estrela (star), na qual cada n mantm uma nica via de comunicao direta com o gateway. Esta topologia simples, mas restringe a distncia total que sua rede pode alcanar. Para aumentar a distncia que uma rede pode alcanar, voc pode implementar uma topologia cluster, ou rvore. Nesta arquitetura mais complexa, cada n mantm um nico caminho para o gateway, mas pode utilizar outros ns para rotear os dados ao longo desse caminho. Entretanto, esta topologia apresenta uma desvantagem: se um n roteador perder a comunicao, todos os ns que dependem desse n roteador perdero sua via de comunicao com o gateway. A topologia rede de malha remedia este problema utilizando vias de comunicao redundantes para aumentar a confiabilidade do sistema. Em uma rede de malha, os ns mantm mltiplas vias de comunicao com o gateway, de modo que, se um n roteador perder a comunicao, a rede automaticamente redireciona os dados por um caminho diferente. A topologia de malha, embora muito confivel, sofre de um aumento na latncia da rede, pois os dados devem fazer mltiplos saltos antes de chegarem ao gateway. Veja as trs topologias de redes na figura 3.
Vantagem da rede de sensores sem fios da NI
Com a plataforma WSN da National Instruments, voc pode personalizar e melhorar uma tpica arquitetura WSN para criar um completo sistema de medio, cabeado e sem fios, para sua aplicao. A integrao dos softwares da NI fornece a flexibilidade para escolher um controlador host baseado em Windows para seu sistema WSN ou um controlador host de tempo real como o NI CompactRIO, dando-lhe a possibilidade de integrar E/S reconfigurveis com suas medies sem fios. Com ambos os controladores host, voc pode utilizar o LabVIEW e o software NI-WSN com integrao ao projeto no LabVIEW e programao clique e arraste para configurar facilmente seu sistema WSN, de modo a extrair dados de alta qualidade de suas medies, fornecer anlises e apresentar seus dados. Alm disso, a integrao com LabVIEW oferece a possibilidade de ampliar a conectividade de sua aplicao WSN e o nvel de dados por todo caminho atravs da internet para o cliente final, como um iPhone ou um laptop. Voc pode utilizar esta arquitetura de sistema completa para adquirir dados de praticamente qualquer lugar com uma rede de sensores sem fio da NI, process-los e armazen-los em um servidor, e depois acessar os dados convenientemente e remotamente a partir de um dispositivo inteligente sem fio. Para aprender mais sobre as opes em sistemas de medio WSN, veja o artigo NI WSN Measurement Systems.
Eletrnica Aplicada
Redes
Industrial
Industriais
Parte 3
Nesta ltima parte da srie sobre Redes Industriais, veremos a rede digital multi-drop para conexo entre sensores, atuadores e sistemas de automao industrial em geral, DeviceNet. Alm disso, os protocolos HART / 4-20 mA e WirelessHARTTM
Csar Cassiolato
DeviceNet
DeviceNet um rede digital, multi-drop, para conexo entre sensores, atuadores e sistema de automao industrial em geral. Ela foi desenvolvida para ter mxima flexibilidade entre equipamentos de campo e interoperabilidade entre diferentes vendedores. Apresentado em 1994 originalmente pela Allen-Bradley, o DeviceNet teve sua tecnologia transferida para a ODVA em 1995. A ODVA (Open DeviceNet Vendor Association - www.odva.org) uma organizao sem fins lucrativos composta por centenas de empresas ao redor do mundo que mantm, divulga e promove o DeviceNet e outras redes baseadas no protocolo CIP (Common Industrial Protocol). Atualmente mais de 300 empresas esto registradas como membros, sendo que mais de 800 oferecem produtos DeviceNet no mundo todo. A rede DeviceNet classificada no nvel de rede chamada devicebus, cujas caractersticas principais so: alta velocidade, comunicao em nvel de byte englobando comunicao com equipamentos discretos e analgicos, e alto poder de diagnstico dos devices da rede.
A tecnologia DeviceNet um padro aberto de automao com objetivo de transportar 2 tipos principais de informao: dados cclicos de sensores e atuadores diretamente relacionados ao controle, dados acclicos indiretamente relacionados ao controle, como configurao e diagnstico. Os dados cclicos representam informaes trocadas periodicamente entre o equipamento de campo e o controlador. Por outro lado, os acclicos so informaes trocadas eventualmente durante configurao ou diagnstico do equipamento de campo. A camada fsica e de acesso da rede DeviceNet baseada na tecnologia CAN (Controller Area Network) e as camadas superiores no protocolo CIP, que define uma arquitetura baseada em objetos e conexes entre eles. Uma rede DeviceNet pode conter at 64 dispositivos onde cada dispositivo ocupa um n na rede, endereados de 0 a 63. Qualquer um destes pode ser utilizado. No h qualquer restrio, embora se deva evitar o 63, pois este costuma ser utilizado para fins de comissionamento. Um exemplo de rede DeviceNet mostrado na figura 31.
Eletrnica Aplicada
Caractersticas da rede DeviceNet
As caractersticas da rede DeviceNet so: Topologia baseada em tronco principal com ramificaes. O tronco principal deve ser feito com o cabo DeviceNet grosso, e as ramificaes com o cabo DeviceNet fino ou chato. Cabos similares podem ser usados desde que suas caractersticas eltricas e mecnicas sejam compatveis com as especificaes dos cabos padro DeviceNet; Permite o uso de repetidores, bridges, roteadores e gateways; Suporta at 64 ns, incluindo o mestre, endereados de 0 a 63 (MAC ID); Cabo com 2 pares: um para alimentao de 24 V e outro para comunicao; Insero e remoo a quente, sem perturbar a rede; Suporte para equipamentos alimentados pela rede em 24 V, ou com fonte prpria; Uso de conectores abertos ou selados; Proteo contra inverso de ligaes e curto-circuito; Alta capacidade de corrente na rede (at 16 A); Uso de fontes de alimentao de prateleira; Diversas fontes podem ser usadas na mesma rede atendendo s necessidades da aplicao em termos de carga e comprimento dos cabos; Taxa de comunicao selecionvel:125, 250 e 500 kbps; Comunicao baseada em conexes de E/S e modelo de pergunta e resposta; Diagnstico de cada equipamento e da rede; Transporte eficiente de dados de controle discretos e analgicos; Deteco de endereo duplicado na rede; Mecanismo de comunicao extremamente robusto a interferncias eletromagnticas. Para mais informao, visite tambm o site da ODVA: www.odva.org
F31. Exemplo de Rede DeviceNet.
F32. Loop de corrente convencional.
HART/ 4-20 mA
Atualmente muito se fala em termos de redes fieldbus, mas tem-se muitas aplicaes rodando em HART (Highway Addressable
Remote Transducer), tendo vantagens com os equipamentos inteligentes e utilizando-se da comunicao digital de forma flexvel sob o sinal 4-20 mA para a parametrizao e monitorao das informaes. Introduzido em 1989, tinha a inteno inicial de permitir fcil calibrao, ajustes de range e damping de equipamentos analgicos. Foi o primeiro protocolo digital de comunicao bidirecional que no afetava o sinal analgico de controle. Este protocolo tem sido testado com sucesso em milhares de aplicaes, em vrios segmentos, mesmo em ambientes perigosos. O HART permite o uso de mestres: um console de engenharia na sala de controle e um segundo mestre no campo, por exemplo um laptop ou um programador de mo. Em termos de performance, podemos citar como caractersticas do HART:
Comprovado na prtica, projeto simples, fcil operao e manuteno. Compatvel com a instrumentao analgica; Sinal analgico e comunicao digital; Opo de comunicao ponto a ponto, ou multi-drop; Flexvel acesso de dados usando-se at dois mestres; Suporta equipamentos multivariveis; 500 ms de tempo de resposta (com at duas transaes); Totalmente aberto com vrios fornecedores. As especificaes so atualizadas continuamente, de tal forma a atender todas as aplicaes. Veremos a seguir alguns detalhes do protocolo HART.
Eletrnica Aplicada
Industrial
A simplicidade: o HART e o loop de corrente convencional
F33. Loop de corrente acrescido o HART.
F34. Modulao e sinal HART.
F35. Elementos tpicos de uma instalao HART.
As figuras 32 e 33 nos mostram como entender o HART facilmente. Na figura 32 temos um loop de corrente analgica, onde os sinais de um transmissor variam a corrente que passa por ele de acordo com o processo de medio. O controlador detecta a variao de corrente atravs da tenso sob um resistor sensor de corrente. A corrente de loop varia de 4 a 20 mA para frequncias usualmente menores que 10 Hz. A figura 33 baseada na figura 32, onde o HART foi acrescido. Agora ambas terminaes do loop possuem um modem e um amplificador de recepo, sendo que este possui alta impedncia de tal forma a no carregar o loop de corrente. Note ainda que o transmissor possui uma fonte de corrente com acoplamento AC e o controlador uma fonte de tenso com acoplamento AC. A chave em srie com a fonte de tenso no controlador HART, em operao normal fica aberta. No controlador HART os componentes adicionais podem ser conectados no loop de corrente, como mostrado, ou atravs do resistor sensor de corrente. Do ponto de vista AC, o resultado o mesmo, uma vez que a fonte de alimentao um curto-circuito. Note que o sinal analgico no afetado, uma vez que os componentes adicionados so acoplados em AC. O amplificador de recepo frequentemente considerado como parte do modem e usualmente no mostrado em separado. Na figura 33 foi desenhado separadamente para mostrar como se deriva o sinal de tenso de recepo. O sinal de recepo no somente AC, nem no controlador ou mesmo no transmissor. Para enviar uma mensagem, o transmissor ao ligar sua fonte de corrente, far com que se sobreponha um sinal de corrente de 1 mA pico a pico, de alta frequncia, sobre o sinal analgico da corrente de sada. O resistor R no controlador converter este sinal em tenso no loop e esta ser amplificada no receptor, chegando at ao demodulador do controlador (modem). Do mesmo modo, para enviar uma mensagem ao transmissor, o controlador fecha sua chave, conectando sua fonte de tenso que sobrepe um tenso de aproximada-
Eletrnica Aplicada
mente 500 mV pico a pico atravs do loop. Esta vista nos terminais do transmissor e encaminhada ao amplificador e demodulador. Note que existe uma implicao na figura 33 que que o mestre transmita como fonte de tenso enquanto o escravo, como fonte de corrente. A figura 34 mostra detalhes do sinal HART, sendo que as amplitudes podem variar de acordo com as impedncias e capacitncias de cada equipamento e perdas causadas por outros elementos no loop. O HART se utiliza do FSK, chaveamento por mudana de frequncia (Frequency Shift Keying), onde a frequncia de 1200 Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz, representa o 0 binrio. Note que estas frequncias esto bem acima da faixa de frequncias do sinal analgico (0 a 10 Hz) de tal forma que no h interferncias entre elas. Para assegurar uma comunicao confivel, o protocolo HART especifica uma carga total do loop de corrente, incluindo as resistncias dos cabos, de no mnimo 230 ohms e no mximo 1100 ohms. Equipamentos de campo e handhelds (programadores de mo) possuem um modem FSK integrado, onde via port serial ou USB de um PC, ou laptop, pode-se conectar uma estao externamente. A figura 35 mostra uma conexo tpica HART de campo. Veremos, posteriormente, outros tipos de conexes. Em uma conexo do tipo ponto a ponto, como a da figura 36, necessrio que o endereo do equipamento seja configurado para zero, desde que se use o modo de endereo na comunicao para acess-lo. Em sistemas considerado grandes, pode-se utilizar de multiplexadores para acessar grandes quantidades de equipamentos HART, como por exemplo, na figura 37, onde o usurio dever selecionar o loop de corrente para comunicar via Host. Nesta situao em cascata, o host pode comunicar com vrios equipamentos (mais do que 1000), todos com endereos zero. Ainda podemos ter rede em multi-drop e condies de split-range. Na figura 38, na conexo em multi-drop, observe que podem ser ligados no mximo at 15 transmissores em paralelo na mesma linha. A corrente que passa pelo resistor de 250 ohms (foi ocultado na figura) ser alta, causando uma alta queda de tenso.
F36. Conexo HART ponto a ponto.
F37. Conexo HART via multiplexador.
F38. Conexo HART em Multidrop.
Portanto, deve-se assegurar que a tenso da fonte de alimentao seja adequada para suprir a tenso mnima de operao. No modo multi-drop a corrente fica fixa em 4 mA, servindo apenas para energizar os equipamentos no loop. A condio de split-range usada em uma situao especial onde normalmente dois posicionadores de vlvulas recebem o mesmo sinal de controle, por exemplo, um operando com corrente nominal de 4 a 12 mA e o outro de 12 a 20 mA. Nesta condio, os posicionadores so conectados em srie no loop de corrente com endereos diferentes e o host ser capaz de distingui-los via comunicao. Veja figura 39. Como visto anteriormente, o HART se utiliza do sinal de 4-20 mA, sobrepondo
um sinal em tcnica FSK, chaveamento por mudana de frequncia (Frequency Shift keying), onde a frequncia de 1200 Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz representa o 0 binrio. Cada byte individual do telegrama do layer 2 transmitido em 11 bits, usando-se 1200 kHz.
Cabeamento
Utiliza-se um par de cabos tranados onde se deve estar atento resistncia total j que esta colabora diretamente com a carga total, e agindo na atenuao e distoro do sinal. Em longas linhas e sujeitas a interferncias, recomenda-se o cabo com shield, sendo este aterrado em um nico ponto, preferencialmente no negativo da fonte de alimentao.
Eletrnica Aplicada
Industrial
F39. Conexo HART via Split Range.
F40. Frame HART.
F41. Integrao Foundation Fieldbus e HART usando o HI302.
Layer 2
O protocolo HART opera segundo o padro Mestre-Escravo, onde o escravo somente transmitir uma mensagem se houver uma requisio do mestre. A figura 40 mostra de maneira simples o modelo de troca de dados entre mestre e escravo. Toda comunicao iniciada pelo mestre e o escravo s responde algo na linha se houve um pedido para ele. Existe todo um controle de tempo entre envios de comandos pelo mestre. Inclusive existe um controle de tempo entre mestres quando se tem dois mestres no barramento.
41 um exemplo tpico de sistema onde se tem em uma mesma planta os protocolos Foundation Fieldbus e HART. Neste caso, uma interface HART-FF, o HI302, utilizada, permitindo conexes ponto a ponto e multi-drop. O HI302 uma ponte entre equipamentos HART e sistemas Foundation Fieldbus, possui 8 canais HART master e permite ao usurio executar manuteno, calibrao, monitoramento de status do sensor, status geral do equipamento, dentre outras informaes.
A convivncia de vrios protocolos em uma mesma planta
WirelessHART
Daqui para frente esperado que a convivncia entre vrios protocolos torne-se uma constante, principalmente onde o parque instalado for grande e deseja-se preservar os investimentos feitos. A figura
Nos ltimos anos, a tecnologia de redes sem fio sofreu grandes avanos tecnolgicos o que hoje pode proporcionar: segurana, confiabilidade, estabilidade, auto-organizao (mesh), baixo consumo, sistemas de gerenciamento de potncia e baterias de longa vida. Em termos de benefcios podemos citar, entre outros:
a reduo de custos e simplificao das instalaes a reduo de custos de manuteno, pela simplicidade das instalaes monitorao em locais de difcil acesso ou expostos a situaes de riscos escalabilidade integridade fsica das instalaes com uma menor probabilidade de danos mecnicos e eltricos (rompimentos de cabos, curto-circuitos no barramento, ataque qumico, etc). Hoje, no mercado, vemos vrias redes proprietrias e tambm algumas padronizadas. Existem muitos protocolos relacionados com as camadas superiores da tecnologia (ZigBee, WirelessHART, ISA SP100) e o protocolo IEEE 802.15.4 (2006) para as camadas inferiores. O protocolo IEEE 802.15.4 define as caractersticas da camada fsica e do controle de acesso ao meio para as LR-WPAN (Low-Rate Wireless Personal Area Network).
Eletrnica Aplicada
F42. Estrutura de uma rede WirelessHART.
A padronizao para redes sem fio mostra que, ainda que existam diferenas, as normas esto convergindo e a principal dentre elas, a SP100 e WirelessHART, da ISA e HCF (HART Foundation e que hoje vem sendo adotado como padro para a Foundation Fieldbus e Profibus). Vamos comentar um pouco sobre o WirelessHART. A estrutura de uma rede WirelessHART est representada no diagrama da figura 42, onde a comunicao de uma rede WirelessHART feita atravs de uma gateway. Consequentemente, o gateway precisa ter a funcionalidade de um roteador de pacotes para um destino especfico (instrumento da rede, aplicao hospedeira ou gerenciador da rede). O gateway usa o padro de comandos HART para comunicar com os instrumentos na rede e aplicaes hospedeiras (host applications). Incluso ao HART 7 est o Wireless-HART, o primeiro padro aberto de comunicao sem fio desenvolvido especificamente para atender as necessidades da indstria de processo. Opera na frequncia de 2,4 GHz ISM usando o Time Division Multiple Access (TDMA) para sincronizar a comunicao entre os vrios equipamentos da rede. Toda a comunicao realizada dentro de um slot de tempo de 10 ms. Slots de tempo formam um superframe. Suporta chaveamento de canais (channel hopping) a fim de evitar interferncias e reduzir os efeitos de esvanecimento multipercurso (multi-path fadings). O protocolo HART foi elaborado com base na camada 7 do protocolo OSI. Com a introduo da
F43. Sistema Wireless com o DF100 (Controlador HSE- WirelessHART).
tecnologia sem fio ao HART tem-se duas novas camadas de Data Link: token-passing e TDMA. Ambas suportam a camada de aplicao HART. Na figura 43 temos o primeiro controlador HSE (High Speed Ethernet) WirelessHART. um controlador da Smar que traz ao mercado mais uma inovao. um controlador com tecnologia digital aberta e integrvel em sistemas baseados em HSE. Uma rede de comunicao WirelessHART estruturada em malhas, onde cada sensor funciona como um router, ou como um repetidor. Deste modo, o alcance de uma rede no depende apenas de uma gateway central, o que permite a configurao de uma ampla estrutura de rede distribuda. uma forma inteligente de se garantir que em uma situao de obstruo que possa causar a interrupo de um caminho de comunicao, o sistema remaneje e consiga rotas alternativas, aumentando e garantindo assim a disponibilidade da rede. O WirelessHART adota uma arquitetura utilizando uma rede Mesh baseado no IEEE 802.15.4 operando na faixa de 2,4 GHz. Os rdios utilizam o mtodo de DSSS (espalhamento espectral com sequenciamento direto) ou salto de canais FHSS (Spread Spectrum de salto de frequncias) para uma comunicao segura e confivel,
assim como comunicao sincronizada entre os dispositivos da rede utilizando TDMA (Time Division Multiple Access). As redes Mesh permitem que os ns da rede se comuniquem entre si estabelecendo caminhos redundantes at a base, aumentando a confiabilidade, pois se um caminho est bloqueado, existem rotas alternativas para que a mensagem chegue ao seu destino final. Este tipo de rede tambm permite escalabilidade simplesmente adicionando mais ns ou repetidores na rede. Outra caracterstica que quanto maior a rede, maior a confiabilidade porque mais caminhos alternativos so automaticamente criados. Uma rede WirelessHART possui trs dispositivos principais: Wireless Field devices: equipamentos de campo Gateways: permitem a comunicao entre os equipamentos de campo e as aplicaes de controle Network Manager: responsvel pela configurao da rede, gerenciamento da comunicao entre os dispositivos, rotas de comunicao e monitoramento do estado da rede. O Network Manager pode ser integrado em um gateway, aplicao no host ou em um controlador de processo.
Eletrnica Aplicada
Industrial
F44. Exemplo de um Sistema Digital Aberto, baseado em redes industriais: SYSTEM302, Smar.
Sistema de automao aberto baseado em redes industriais
A figura 44 mostra um exemplo de um sistema verdadeiramente aberto baseado em redes industriais. O SYSTEM302, sistema de automao e controle da Smar, fornece uma plataforma de automao com ampla capacidade de conectividade com as mais diversas tecnologias (Foundation Fieldbus, Profibus-DP, Profibus-PA, HART/4-20mA, DeviceNet, AS-i, I/O convencional, Modbus, DNP3, HSE, etc), criando um ambiente amigvel, flexvel, escalonvel, integrado e colaborativo. O ambiente integrado facilita a engenharia, comissionamento, manuteno e gesto de redes de campo. Sua interface intuitiva permite a fcil operao e diagnstico de todo o sistema. uma arquitetura poderosa de informaes e a soluo para: Sistemas de automao para os mais diversos segmentos industriais Aplicaes de pequeno, mdio e grande porte Sistemas hbridos de controle de processo, combinando o melhor dos dois mundos, SDCD e CLP
Controle contnuo e discreto, controle avanados, tempos de varreduras menores, arquiteturas redundantes Melhoria da eficcia operacional atravs de informaes integradas Gerar solues eficazes atravs da engenharia simplificada e integrada Gerenciamento de informaes e alarmes Gerenciamento de Ativos e gesto de Negcios (MES) Conectividade, modularidade e facilidade de expanso Segurana aliada confiabilidade de hardware e software Excelncia operacional Para mais detalhes, consulte: www. smar.com/brasil2/system302/
Concluso
As Redes de Comunicao Industrial tm um papel fundamental para as indstrias em geral. Hoje a automao extrapola o cho de fbrica e chega ao mundo dos negcios. Vimos vrios padres abertos e suas caractersticas. O fator tecnolgico imprescindvel para a sustentabilidade de uma unidade indus-
trial. A inovao tecnolgica responsvel pelo rompimento e/ou aperfeioamento das tcnicas e processos de produo. Pode, desta forma, trazer ganhos em termos de competitividade. Neste caso, deve-se romper com a tecnologia convencional e ampliar as possibilidades de sucesso com a inovao demandada pelo mercado, neste caso sistemas de automao verdadeiramente abertos, com tecnologia digital, baseados em redes industriais e com vrias vantagens comparadas aos convencionais SDCDs: Reduo do erro de medio com a eliminao da converso A/D do sinal vindo do transmissor de campo; Visibilidade acrescida de toda a instrumentao digital, isto , desde o cho de fbrica at a automao dos negcios; Diagnsticos em linha, em qualquer ponto do sistema; Expanso da rede com o sistema em funcionamento; Reduo de materiais na fase de montagem: eletrocalhas, eletrodutos, condulets, caixas de juno, cabos, etc;
Eletrnica Aplicada
Redues de tempo e custo de comissionamento e partida de sistemas; Reduo no uso de armrios de rearranjo; Interoperabilidade entre equipamentos de fabricantes diferentes; Atualizao de firmware; Instrumentos multivariveis; Reduo do cabeamento, painis, borneiras, fontes de alimentao, conversores e espao na sala de controle; Alimentao do instrumento pelo mesmo cabo de sinal; Opes de segurana intrnseca; Capacidade de auto-sensing (autor reconhecimento) do instrumento, permitindo fcil instalao e download de parmetros; Reduo dos custos de engenharia, instalao e manuteno. Alm do controle de fluxo de informaes e processos; Gesto de ativos. A mudana do controle de processo da tecnologia 4-20 mA para as redes digitais e sistemas abertos j se encontra num estgio de maturidade tecnolgica e usurios colhendo seus benefcios. Essa mudana encarada como um processo natural demandado pelos novos requisitos de qualidade, confiabilidade e segurana do mercado. A sua utilizao traz uma vantagem competitiva, no sentido que essa nova tecnologia traz aumentos de produtividade pela reduo das variabilidades dos processos e reduo dos tempos de indisponibilidade das malhas de controle. E
Bibliografia Material de Treinamento Profibus - Csar Cassiolato. Artigos tcnicos Foundation Fieldbus, HART, Profibus, Wireless - Csar Cassiolato Manuais Smar www.system302.com.br www.smar.com.br
Csar Cassiolato Diretor de Marketing, Qualidade e Engenharia de Projetos & Servios da da Smar Equipamentos Ind. Ltda., foi Presidente da Associao Profibus Brasil Amrica Latina de 2006 a 2010, Diretor Tcnico do Centro de Competncia e Treinamento em Profibus, Diretor do FDT Group no Brasil, Engenheiro Certificado na Tecnologia Profibus e Instalaes Profibus pela Universidade de Manchester.
Pesquisas na internet Obs.: Todas as ilustraes, marcas e produtos usados aqui pertencem aos seus respectivos proprietrios, assim como qualquer outra forma de propriedade intelectual.
Desenvolvimento
Uso do DSP como Sistema de Controle Digital

Saiba como controlar motores atravs desta ferramenta, tanto no mtodo V/f como no orientado a campo
Neste artigo, descreveremos como fazer a anlise e desenvolvimento de um projeto de controle digital de sistemas desde a modelagem at a concepo de tcnicas avanadas de controle usando um DSP (processador digital de sinais), comparando as solues V/Hz (tenso/frequncia) versus FOC (controle orientado a campo), que podem ser implementadas para controlar um motor eltrico. O potencial de mercado para desenvolver um sistema de controle digital de motores imenso. Pois bem, vamos comear, dividindo a definio da soluo em etapas.
Hamilton Kosaka Igncio
Anlise e desenvolvimento de um sistema de controle
Vamos partir de um conceito bem simples de entender. Queremos medir a altura do nvel de gua de um tanque (vide figura 1). Assim sendo, em nosso sistema temos a sada (altura do nvel de gua h), o sensor (flutuador), um atuador (vlvula ajustvel que relaciona com a velocidade do fluxo de gua v) e, finalmente, o controlador (mecanismo que converte a posio medida do flutuador; o chamado feedback em abertura de vlvula; o controle). O entendimento dessa situao nos ajuda a modelar a soluo.
O que um sistema de controle?
Um sistema de controle composto de um processo ou planta, um controlador ou controladores, juntamente com sensores e atuadores (veja a figura 2). A grande preocupao ao desenvolver um sistema de controle a sada se comportar de acordo com o desejado e esperado, ou seja, Manter a sada (ou sadas) constantes; Mudar a sada (ou sadas) do modo desejado.
F1. Tanque de gua com nvel na altura h.
F3. Sistema de um Controle Digital de Motor.
F2. Diagrama de um Sistema de Controle.
Desenvolvendo um Controle Digital de Motor
De posse do conceito acima, podemos definir o sistema de controle digital de motor, conforme mostrado na figura 3. Note os principais elementos necessrios para implementar a soluo proposta, incluindo as formas de onda em cada etapa do modelo para melhor visualizar o processamento em sua plenitude, ou seja, para falarmos com o mundo real (que analgico) atravs do mundo digital (por exemplo, um controlador digital DSP), colocaremos componentes que faam essa interface (conversores A/D e D/A, amplificadores operacionais) e a atuao sobre o motor ser realizada pela parte de potncia (por exemplo, IGBTs ou MOSFETs). Pronto, j temos um modelo para controlar um motor eltrico, bem simples.
F4. Etapas do desenvolvimento de um Sistema de Controle.
Tempo rpido de resposta para eventos e excees para garantir segurana e adaptao ao processo e mudanas no ambiente de contorno. Alta preciso para minimizar erros de quantizao e evitar introduo de rudo no sistema. Alta taxa de amostragem para minimizar o fenmeno do aliasing, ou seja, evitar a introduo dos efeitos de amostragem (rudo) no sistema.
Quais so os requerimentos de um controlador digital?

Passada a etapa do modelo de controle, precisamos agora definir quais so as especificaes necessrias de um controlador digital. Abaixo, seguem alguns requerimentos necessrios. Alto poder de processamento para implementar algoritmos avanados de controle;
Quais so os requerimentos de um processador digital?

Em linhas gerais, necessitamos das seguintes especificaes: Grande poder de processamento para desenvolver algoritmos complexos de controle e respostas rpidas (instrues MAC/MACD executadas em um nico ciclo de instruo) Tamanho de palavra longa para faixa dinmica e resoluo necessria
Baixa latncia de interrupo, lgica rpida e operaes de salto para respostas rpidas a eventos e excees Alta integrao de perifricos para reduzir o overhead da CPU, tais como timers, conversores A/D, gerador de sadas PWM, etc. Interfaces de comunicao. Note que o DSP uma boa escolha para desempenhar a funo de controlador em um sistema de controle digital de motor. Vrios deles possuem arquitetura Harvard modificada (parte de memria de dados pode ser alocada para operar como memria de programa), multiplicador por hardware, pipeline de vrios nveis, vrios perifricos integrados ao silcio, facilitando a implementao desses algoritmos complexos de controle.
Projetando um sistema de controle
A seguir, apresentamos as etapas de desenvolvimento de um sistema de controle (observe a figura 4 para detalhes de interdependncia).
Desenvolvimento
F5. Sistema com Resposta Rpida a transientes.
F7. Modelo dinmico de motor com transformao de coordenadas.
F6. Grficos (V x ) e (Te x ) para o Controle Digital de Motor.
Exemplos de modelos de controle Equaes diferenciais Leis bsicas da fsica Frequentemente simplificado
Modelagem: descrever o comportamento de um sistema (ou processo) atravs de expresses matemticas. Anlise e projeto: analisar o sistema e projetar o controlador baseado em certos critrios. Simulao e teste: simular o sistema proposto e testar segundo as condies de contorno. Implementao: implementar o projeto. Veja alguns exemplos de modelos de controle no box ao lado.
Equaes de transferncia Transformada de Laplace Plos e zeros
Critrios para projeto

Abaixo, citamos os principais critrios para projetar o sistema de controle digital de motor: Estabilidade; O sistema deve ser estvel; Resposta de transiente (figura 5); Rpido, overshoot limitado, pequeno erro de estado steady; Sensibilidade a variao de parmetros, robustez; Atenuao a rudo e distrbios. Em termos de solues de controle para um determinado motor, temos alguns possveis approaches, indo da clssica ideia onde o foco posio dos polos e zeros, resposta em frequncia (diagrama de
Equaes de estado Transformada de Laplace Plos e zeros
Bode) e margem de estabilidade (critrio de Nyquist), cujo controlador PID um bom exemplo, at ideias mais modernas e avanadas como realimentao e observador de estado, controles estocstico e adaptativo, lgica fuzzy e redes neurais. Note que a implementao de algumas tcnicas de controle ainda est muito limitada ao poder de processamento do componente escolhido, porm o uso de DSP facilita a implementao de algoritmos avanados de controle, dando asas ao projetista para voar e desenvolver novos produtos com grande valor agregado, diferenciando-os no mercado. Para ilustrar toda essa narrativa, escolhemos um exemplo de controle de velocidade de um motor AC de induo (ACIM), onde discutimos duas possveis solues: Tenso/Frequncia (V/Hz) versus Controle Orientado a Campo (FOC). Quais so os prs e contras de cada uma das solues. Algumas vezes, esse um dilema que vrios projetistas tm que resolver para satisfazer o binmio custo/benefcio. Em termos gerais, segundo o princpio de controle de velocidade, controlando o torque, ns conseguimos controlar a acelerao. Para compreender melhor o princpio de controle Tenso/Frequncia (V/Hz), vide figura 6 com dois grficos. O primeiro o perfil da tcnica V/Hz e o segundo no domnio do torque. Na regio de baixa velocidade, Vmin aplicada para compensar a reduo de fluxo. Na regio de debilitao do campo, fluxo e torque so reduzidos, V=Vnom. Entre ambas as regies, um fluxo constante aplicado (fluxo nominal).
Quais so as limitaes dessa tcnica?
O valor Rs no pode ser esquecido em baixas velocidades, o modelo de fluxo constante apenas uma aproximao, overshoots de corrente descontrolados devido a oscilao do torque, entre outras. Vamos agora analisar o princpio de controle orientado a campo (FOC). Essa tcnica baseia-se no uso de modelo dinmico de motor AC de induo juntamente com a transformao de coordenadas, migrando das coordenadas do estator a-b-c para o sistema de referncia do fluxo do rotor chamado referncia s-q (atente para figura 7). Nesse sistema, o controle do motor AC de induo torna-se muito similar a uma simples mquina DC (separately-exited DC machine), visto que imR mantida constante. Temos que isq controla o torque da mesma maneira que a corrente de armadura faz em motor DC.
F8. Diagrama de Blocos do Controle Orientado a Campo para Inversor Trifsico.
Na figura 8, encontra-se um diagrama de blocos do controle orientado a campo para um inversor trifsico, controlando um motor AC de induo. Em termos de torque versus velocidade para a tcnica FOC, veja a figura 9 com detalhes da expresso torque-controle instantneo.
Quais so as vantagens dessa tcnica?
Torque mximo em toda faixa de rotao at a velocidade nominal: baseada em um modelo dinmico de motor, controle de torque contnuo, as correntes do estator so controladas em amplitude mxima, entre outras. A concluso a que chegamos que o controle FOC apresenta a melhor soluo tcnica, pois tem controle de fluxo e torque contnuo ao passo que o controle V/Hz no possui controle de torque contnuo, alm de apresentar potenciais problemas com o motor (perdas traduzidas em calor, saturao do material magntico, ripples de torque, desbalanceamento). Quem estiver interessado em conhecer com mais detalhes a soluo V/Hz para motores AC de induo, visite o link abaixo para baixar o application note: http://focus.
F9. Grfico (Torque x Velocidade) para um motor AC de induo.
ti.com/docs/apps/catalog/resources/appnoteabstract.jhtml?appId=120&abstract Name=spra284a. Agora, para aqueles leitores interessados em conhecer a soluo FOC para motores AC de induo, visitem o link a seguir para baixar o application report: http:// focus.ti.com/docs/apps/catalog/resources/ appnoteabstract.jhtml?appId=120&abstra ctName=bpra073. Esperamos que este artigo atinja o objetivo de discutir algumas tcnicas de controle e como implement-las. A nossa ideia abrir a discusso do uso de DSP para o controle digital de motores. E
Hamilton Ignacio engenheiro eletrnico com ttulo de MBA, com diversos cursos de especializao em DSP e microcontroladores nos EUA, e Gerente de Produtos e Aplicaes da Texas Instruments para a Amrica do Sul. Responsvel pela famlia de DSP TMS320C2000, microcontroladores MSP430, Stellaris ARM Cortex M3 e M4, e conversores de dados, gerencia as reas de automao industrial, instrumentao, smart grid, controle digital de sistemas e motores, linha branca, segurana eletrnica, automotiva e no-breaks, entre outras. Tambm gerencia o programa universitrio na Amrica do Sul.
Componentes
Cabos pticos Autossustentveis e o
Efeito Corona
O
efeito Corona (figura 1) tambm conhecido como fogo de Santelmo. Esse efeito um fenmeno relativamente comum em linhas de transmisso com sobrecarga. Devido ao campo eltrico muito intenso nas vizinhanas dos condutores, as partculas de ar que os envolvem tornam-se ionizadas e, como consequncia, emitem luz quando da recombinao dos ons e dos eltrons. O nome Fogo de Santelmo vem de Santo Elmo, padroeiro dos marinheiros, e surgiu quando antigos marinheiros observavam navios com os mastros envolvidos por uma tnue luz. A superstio cuidou de transformar esse fenmeno em apario divina. Posteriormente, porm, observou-se que tal apario ocorria principalmente nas regies tropicais, em condies que precediam as tempestades. As nuvens eletrizadas induziam cargas nas pontas dos mastros, produzindo o efeito Corona. O efeito Corona aparece na superfcie dos condutores de uma linha area de transmisso quando o valor do gradiente de potencial a existente excede o valor do gradiente crtico disruptivo do ar. Mesmo em um campo eltrico uniforme, entre dois eletrodos planos paralelos no ar, uma srie de condies controlam essa tenso disruptiva, tais como a presso do ar, a presena do vapor dgua, o tipo de tenso aplicada e a fotoionizao incidente. No campo no uniforme em torno de um condutor, a divergncia do campo exerce influncia adicional, e qualquer partcula contaminadora, como poeira, por exemplo, transforma-se em fonte pontual de descargas (figura 2). Descargas eltricas em gases so geralmente iniciadas por um campo eltrico que acelera eltrons livres a existentes. Quando esses eltrons adquirem energia suficiente do campo eltrico, podem produzir novos eltrons por choque com outros tomos. o processo de ionizao por impacto. Durante a sua acelerao no campo eltrico, cada eltron livre colide com tomos de oxignio, nitrognio e outros gases presentes, perdendo, nessa coliso, parte de sua energia cintica. Ocasionalmente, um eltron pode atingir um tomo com fora suficiente de forma a excit-lo. Nessas condies, o tomo atingido passa a um estado de energia mais elevado. O estado orbital de um ou mais eltrons muda e o eltron que colidiu com o tomo perde parte de sua energia, para criar esse estado. Posteriormente, o tomo atingido pode reverter ao seu estado inicial, liberando o excesso de energia em forma de calor, luz, energia acstica e radiaes eletromagnticas. Um eltron pode
Ricardo Pantoja*
igualmente colidir com um on positivo, convertendo-o em tomo neutro. Esse processo, denominado recombinao, tambm libera excesso de energia. Toda a energia liberada ou irradiada deve provir do campo eltrico da linha, portanto, do sistema alimentador, para o qual representa perda de energia e, por conseguinte, prejuzo. Essas perdas e suas consequncias econmicas tm sido objeto de pesquisas e estudos h mais de meio sculo, no obstante, s recentemente se alcanaram meios que permitem determinar, com razovel segurana, qual o desempenho que se poder esperar para as diversas solues possveis para uma linha de transmisso, no que diz respeito a essas perdas. De um modo geral, elas se relacionam com a geometria dos condutores, tenses de operao, gradientes de potencial nas superfcies dos condutores e, principalmente, com as condies meteorolgicas locais. Constatou-se, por exemplo, que as perdas por Corona em linhas com tenses
F1. O efeito Corona.
F2. Explicao do Efeito Corona.
extraelevadas podem variar de alguns quilowatts por quilmetro at algumas centenas de quilowatts por quilmetro, sob condies adversas de chuva ou garoa. As perdas mdias, como se verificou, podem constituir apenas pequenas partes das perdas por efeito Joule, porm as perdas mximas podem ter influncia significante nas demandas dos sistemas, pois a capacidade geradora para atender a essa demanda adicional dever ser prevista, ou a diferena de energia importada. Tanto as perdas com tempo bom como aquelas sob chuva dependem dos gradientes de potencial na superfcie dos condutores. As perdas sob chuva dependem no s do ndice de precipitaes, como tambm do nmero de gotculas dgua que conseguem aderir superfcie dos condutores. Esse nmero maior nos condutores novos do que nos usados, nos quais as gotas dgua aderem mais facilmente geratriz inferior dos condutores. As linhas areas de transmisso de energia eltrica h muito tm sido consideradas como causadoras de impacto visual sobre o meio ambiente em que so construdas. Uma espcie de poluio visual que os conservadores, urbanistas e estetas h muito vm combatendo. O advento da transmisso em tenses extraelevadas e as perspectivas de transmisso em tenses ultraelevadas enfatizaram dois outros tipos de perturbao do meio, provocados pelo efeito Corona, sendo-lhes atribudo tambm carter de poluio: A radiointerferncia (RI) e o rudo acstico (RA). Descargas individuais de Corona provocam pulsos de tenso e corrente de curta durao que se propagam ao longo das linhas, resultando em campos eletromagnticos em suas imediaes. Essas descargas ocorrem durante ambos os semiciclos da tenso aplicada, porm aquelas que ocorrem durante os semiciclos positivos que irradiam rudos capazes de interferir na radiorrecepo nas faixas de frequncia das transmisses em amplitude modulada (AM), em particular nas faixas das ondas mdias. Eflvios de Corona tambm ocorrem em outros componentes das linhas, tais como ferragens e isoladores, porm a intensidade dos rudos gerados bastante inferior dos gerados pelos condutores. Ferragens defeituosas, pinos e contrapinos mal ajustados ou soltos podem igualmente
gerar pulsos eletromagnticos. Estes, no entanto, ocorrem nas faixas das frequncias de FM e TV, provocando interferncia ou rudos nas recepes de FM e TV (TVI). A gerao desses rudos interfere com os direitos individuais dos moradores das vizinhanas das linhas de transmisso, uma vez que os rudos se podem propagar alm das faixas de servido das linhas. Ainda no possvel projetar-se economicamente uma linha de transmisso area em tenses acima de 100 kV e que no produza radiointerferncia. No obstante, critrios corretos e ateno aos aspectos relevantes do projeto podem produzir um sistema que resulte pelo menos em nveis aceitveis de perturbao. O estudo do comportamento das linhas no que se refere a RI bastante complicado em virtude dos inmeros fatores que afetam seu comportamento, muitos dos quais ainda so indefinidos e nem mesmo completamente entendidos, de forma que os efeitos cumulativos so considerados em bases estatsticas. Nos projetos de pesquisa sobre Corona em tenses extra e ultraelevadas verificou-se, igualmente, que outra manifestao sua no mais poderia ser descurada nas linhas de 500 kV ou tenses mais elevadas, dado o carter de poluio ambiental que apresenta. a poluio acstica causada pelo rudo caracterstico provocado pelos eflvios do Corona. Esse aspecto tambm vem merecendo crescente ateno no dimensionamento das linhas, a fim de que o grau de perturbao seja mantido em nveis aceitveis. Tais estudos mostraram que o rudo auditivo funo dos mxi-
mos gradientes de potencial na superfcie dos condutores. Em vista do exposto, pode-se concluir que, para as linhas de transmisso em tenses extras e ultraelevadas, o dimensionamento econmico das linhas est diretamente relacionado com a escolha do gradiente de potencial mximo admissvel na superfcie dos condutores das linhas de transmisso. Gradientes para uma mesma classe de tenso somente so reduzidos mediante o emprego dos condutores de dimetros maiores, ou maior espaamento entre fases, ou pelo emprego de condutores mltiplos, com nmero crescente de subcondutores, ou pela forma com que so distribudos sobre o crculo tendo como centro o eixo do feixe. Alternativamente, vm sendo pesquisados outros mtodos para a reduo da radiointerferncia e rudos audveis, como a colocao de espiras ao longo dos condutores ou o seu envolvimento em capas de neoprene. A disposio dos subcondutores em forma de polgono irregular tambm vem sendo investigada como meio de reduzir os gradientes de potencial, e parece ser a forma mais promissora: possvel encontrar uma posio para cada subcondutor na periferia de um crculo, de forma que a gradiente em todos os subcondutores seja mnima. O emprego dos condutores mltiplos assimtricos tem apresentado problemas de estabilidade mecnica sob ao do vento, e a melhor soluo sob esse aspecto poder conflitar com a melhor soluo sob o aspecto de distribuio de gradientes de potencial. Atente para a figura 3.
F3. Cabo de Fibra tica poludo prximo a linha de alta tenso. 2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 49
Componentes
Clculo de trao e frmula de design para cabo autossustentvel de fibra ptica
Durante o perodo do teste, o alongamento da fibra que medido em termos de tenso no deve exceder 0,20%. O cabo de fibra ptica no deve sofrer danos permanentes durante o teste. O revestimento exterior do cabo de fibra ptica deve ser cuidadosamente examinado para quaisquer rachaduras ou danos.
Creep test
O clculo da tenso em um cabo de fibra ptica um processo um pouco difcil para um engenheiro de design para cabos pticos de fibra. A resistncia trao (T) de todos os tipos de cabos dieltricos autossustentveis pode ser calculada usando-se a seguinte frmula e condies: Flexa em condies normais: 0,5 m. Presso do Vento: 700 Pa. Temperatura mxima: 55 C. Mnima temperatura: - 6 C. Distncia entre Postes: 70 m. T ser calculada a partir da seguinte frmula:
A amostra do cabo de fibra ptica usada no teste de trao deve ser utilizada e o teste de configurao pode ser o mesmo. Aplicar uma carga Tc = (T + T1) / 2, onde Tc = tenso de Creep. Veja os mtodos de instalaes dos cabos, nas figuras 4, 5 e 6.
Onde: T1 = tenso de instalao, sem vento (N) T = tenso resultante sob pior carga (N) w = massa de cabo (kg/m) g = acelerao gravitacional (9,81 m / s2) L = comprimento do vo entre os polos (m) S = flexa do cabo, sem vento (m) E = mdulo de elasticidade de membro da fora (MPa) a = rea da seco transversal de membro da fora (mm2) k = coeficiente de expanso linear de membro da fora (/ C) t1 = temperatura em que T calculado (C) t = temperatura em que T1 calculada (C) P = presso de vento (Pa) D = rea projetada por metro de cabo (mm2) F = Fator de forma (0,6 por cabo redondo)
F4. Dois Mtodos utilizando o Carretel Mvel.
Condies do teste de trao para um cabo de fibra tica autossustentvel
F5. Mtodo Carretel Fixo usando um Cabo pr-instalado.
O comprimento do cabo de fibra tica em teste ter um mnimo de 70 m. Terminar ambas extremidades do cabo de fibra ptica em teste com um tipo dedal, pr-formado em torno da braadeira de terminao. Ancorar a extremidade um, ao aplicar a carga T. Manter a carga de trao por 10 minutos enquanto se mede o alongamento da fibra.
F6. Mtodo do Carretel fixo puxando o cabo.
Como sugesto ser apresentado na tabela 1, o modelo de cabo TELDOR para vos de 70 metros, considerando o SAG de 0,7% com PART NUMBER F902040612B. Este modelo composto de 6 tubos LOOSE TUBE contendo 4 fibras monomodo por tubo. Na sua construo todas as fibras so protegidas e reforadas com kevlar e tambm bloqueadas contra umidade e gua waterblocking.
ADSB-9-06X04-D-KP-D 70M_120KM_H_0.7%Sag Part Number: Applications:
Sendo muito importante nestas aplicaes, acrescenta-se uma capa externa confeccionada em polietileno de alta densidade HDPE resistente a extremos de temperatura, impacto, torso e raios UV. E
(*) Ricardo Pantoja fundador e diretor da empresa Pantoja Engineering & Consultant - Ethernet Industrial: www.pantojaindustrial.com
F90240612B The Teldor P/N and Description Aerial Installations This All Dielectric Self-Supporting (ADSS) cable contains 24 SM color coded optical fibers. The cable contains 6 loose tubes filled with thixoropic gel, 4 fibers in each tube. The loose tubes are stranded around a dielectric central strength member. The cable core is reinforced and protected by dry waterblocking strength yarns, and an outer jacket with a black, UV-resistant HDPE compound completes the cables construction. HDPE 10.5 mm nom. 85 kg/km PBT Per TIA/EIA 598-C FRP SZ Aramid Yarns 6 24 Dry Waterblocking Yes Black Per request IEC 60794, EIA/TIA-455 Guidelines as per IEC 60794-1-1 Annex A 70 m 0.7 % 970 N 3000 N 120 km/hr 3 Nm 20 cycles 400 N/cm 20xD mm 10xD mm +70 C 40 C +35 C 5 C +70 C 40 C T1. Caractersticas do cabo TELDOR para vos de 70 metros. 2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 51
General Construction:
Outer Jacket Material: Outer Diameter: Weight: Design & Materials Buffer Material: Color code: Central Strength Member: Cabling: Strength Elements: Total Number of Tubes: Number of fibers: Waterblocking: Rip-Cord: Outer Jacket Color: Marking: Standards Applicable Standards: Installation: Performance Max. Span: Sag: Max. Installation Tension: Loading Tension: Max. Wind Velocity: Impact Resistance: Impact Resistance: Max. Crush Resistance: Min. Bend Radius for Installation: Min. Bend Radius for Operation: Max. Operating Temperature: Min. Operating Temperature: Max. Installation Temperature: Min. Installation Temperature: Max. Storage Temperature: Min. Storage Temperature:
Componentes
Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT)

Conhea sua estrutura, e a importncia do Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT ) na automao industrial.
Alexandre Capelli
esde a inveno do primeiro tiristor de quatro camadas PNPN pelos laboratrios Bell em 1957, houve um grande avano nos dispositivos semicondutores de potncia. Na verdade, estes substituram as rudimentares vlvulas ignitron, phanatron e thyratron, que j eram capazes de suportar grandes correntes e elevadas tenses reversas de chaveamento. Na maioria dos casos, esses semicondutores devem tambm operar em elevadas frequncias como, por exemplo, na etapa de sada de inversores. Para suprir essa necessidade foi, ento, criado o IGBT. Confira agora seu funcionamento, e entenda qual sua importncia na automao industrial.
Estrutura e Funcionamento
O IGBT rene duas importantes caractersticas: alta velocidade de comutao mesmo em grandes potncias (semelhante aos transistores bipolares); e alta impedncia de entrada (como os MOSFETs). Os transistores bipolares de frequncia possuem caractersticas que permitem sua utilizao no chaveamento de ele-
vadas correntes com muitas vantagens, sendo a principal as baixas perdas no estado de conduo. Sua desvantagem, entretanto, a alta corrente de base, visto que eles operam como amplificadores de corrente. J os transistores de efeito de campo MOS de potncia, por serem excitados por tenso, tm a vantagem de uma alta impedncia de entrada, exigindo correntes nfimas para seu funcionamento. Estes dispositivos, porm, tm como desvantagem a baixa velocidade de comutao, devida s capacitncias parasitas de gate. O IGBT um componente hbrido que rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada impedncia de entrada, com pequenas perdas em conduo dos transistores bipolares de potncia. Assim, a velocidade dos IGBTs semelhante a estes, no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente, permitindo sua operao em frequncias de dezenas de kHz, e centenas de ampres. Com essas duas facilidades, este componente torna-se cada vez mais indicado
F1. Limites de operao de componentes semicondutores de potncia. 52 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
F2. Estrutura do IGBT.
F3. Circuito equivalente.
para comutao de cargas em alta velocidade e corrente. Na figura 1 apresentamos um grfico contendo uma comparao entre os principais dispositivos semicondutores de potncia quanto s suas caractersticas de tenso, corrente e frequncia de operao. Podemos ver que os tiristores so os dispositivos que conseguem superar os maiores valores de corrente e tenso, mas no podem operar em frequncias de chaveamento elevadas. Por outro lado, os IGBTs possuem uma capacidade de suportar maiores tenses e podem operar em mais altas frequncias que os transistores bipolares de potncia, e ainda maiores tenses e correntes que os MOSFETs de potncia. Como observamos, a regio segura do IGBT maior que as regies reservadas ao MOSFET e ao transistor bipolar. A figura 2 ilustra a estrutura tpica de um IGBT de canal tipo N (o canal P tem seu funcionamento anlogo).
arrastamento (Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo PNP. Na estrutura do IGBT importante notar que o terminal de porta est conectado s duas regies (isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio SiO2) ao invs de ser apenas uma nica regio como costumamos ver em MOSFETs. O IGBT, portanto, apresenta a formao de dois canais ao invs de apenas um. Na figura 3 podemos contemplar o circuito equivalente do IGBT, construdo com o MOSFET e um transistor bipolar. Quando uma tenso positiva aplicada ao gate do MOSFET, sua resistncia entre dreno e fonte (representada por Rmod) cai drasticamente. Desta forma a base do transistor bipolar PNP aterrada, levando-o a saturao (VCE 0 V), e, consequentemente, energizando a carga. bom lembrar que o transistor IGBT utilizado, quase sempre, como chave, ou seja, trabalha no corte ou na saturao.
mdulos, conforme podemos observar na figura 4. Outros, entretanto, podem ser comercializados individualmente, em encapsulamento TO 220. A seguir, faremos uma breve anlise dos principais parmetros deste componente:
Corrente contnua de coletor

Esta corrente definida como a corrente mxima direta que pode fluir atravs do dispositivo a uma dada temperatura (geralmente entre 70 e 85C) de encapsulamento, em conjunto com a mxima temperatura de juno (intrnseca ao transistor) durante a mxima potncia dissipada. Este valor funo de: T Jjax = Temperatura mxima de juno RTH(j-c) = Resistncia trmica entre juno e encapsulamento VCE(sat) = VCE na saturao VGE = Tenso aplicada ao gate em relao ao emissor A frmula que relaciona essas grandezas :
Diferenas
A principal diferena entre a estrutura do IGBT e a do MOSFET a incluso de um substrato P + (o smbolo + uma conveno para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto o smbolo - indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal de coletor. Esta mudana tem como efeito a incluso das caractersticas bipolares do componente. A camada P+ tem como objetivo a formao de portadores positivos (lacunas) na regio de
Limites de Operao e Parmetros do IGBT
Os limites de operao (ratings) so os valores mximos que cada parmetro pode assumir tais como: tenso, temperatura, potncia dissipada, etc., recomendados, claro, pelo fabricante. Para garantir uma vida longa para o componente e, consequentemente, ao equipamento de que ele faz parte, imperativo que estes valores sejam respeitados. Cada tipo apresenta seu prprio limite, sendo alguns deles interligados em
*VCE(sat) = considerando IC a uma TJmax mxima.
Conforme podemos observar pela figura 5, e considerando uma fonte cons-
Componentes
tante, quando aumentamos a tenso de gate, a tenso de saturao (VCE) diminui, e a corrente de coletor (IC) aumenta. J a figura 6 mostra como o IC diminui com o aumento da temperatura do encapsulamento (TC).
Capacidade de bloqueio entre coletor e emissor:

A capacidade de bloqueio entre coletor e emissor, conhecida como VCES (continuous collector to emitter voltage), a mxima tenso que a juno entre coletor e emissor pode suportar, estando o gate em curto-circuito com o emissor (sob a mxima temperatura permitida).
Tenso gate/emissor
A tenso VGES (gate to emitter voltage) a tenso que pode ser aplicada entre a juno gate e o emissor sem que ocorra a degradao do componente. O fator que influencia diretamente esse parmetro a espessura da camada de xido de isolao do gate, determinada na fabricao do IGBT.
Potncia total
a mxima potncia (PTOT) que pode ser dissipada pelo componente a uma temperatura TC. A potncia total dissipada = perdas no estado on + perdas no chaveamento + perdas no estado off.
Obs.: Dimenses em mm
F4. Alguns exemplos de mdulos de IGBTs.
Este parmetro est relacionado com a permeabilidade da dissipao da temperatura entre invlucro e o ambiente, bem como a resistncia trmica entre a juno e ele. Outros fatores de influncia so: temperatura da juno, corrente de coletor, e tenso entre gate e emissor.
Temperatura da juno
a faixa (mnima e mxima) de temperatura em que a juno do componente pode operar.
Caractersticas Eltricas Estticas

F5. Tenso Gate x Ic. 54 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012 F6. Temperatura de encapsulamento x Ic.
Estas caractersticas descrevem o comportamento do componente em duas
situaes: on-state (conduo) e off-state (corte).
Off-State ICES: a corrente de bloqueio entre
cowletor e emissor (ou collector cut-off). No datasheet especificado na tenso de corte entre coletor e emissor (VCES) com gate e emissor em curto-circuito a uma temperatura (TJ) de 25 C. Este parmetro uma juno de VCES e TJ. ICES aumenta com o aumento de VCES e TJ. IGES: a corrente residual entre gate e emissor em uma tenso especfica VGE, com coletor e emissor em curto-circuito (VCE = 0) e TJ = 25C.
Estado de conduo (on-state): VGE(th): a tenso mnima entre gate
e emissor requerida para levar o IGBT ao estado de conduo, com uma IC e VCE determinada. VGE(sat): a tenso de saturao entre gate e coletor e emissor, a qual, uma vez atingida, qualquer valor acima no alterar a condio de on-state. Todos os parmetros acima so influenciados diretamente pela temperatura. A figura 7 ilustra a diferena da corrente de coletor para uma temperatura de 25C e de 125C.
Caractersticas Dinmicas
As caractersticas di-nmicas descrevem a performance do componente em dois estados de transio: de off para on; e de on para off. H grande perda durante este chaveamento, portanto importante contemplar esses parmetros a fim de determinar o montante das perdas.
Tenso turn-on
A figura 8 apresenta o comportamento de VCE e IC neste perodo. td(on): o tempo de atraso para o estado on (delay time), e definido como tempo decorrido entre VGE = 0 at IC = 10% do valor final (t1 a t2). t1: o tempo de subida (rise time) para aumentar IC de 10% a 90% do valor final (t2 a t3). Este parmetro funo das caractersticas de cada IGBT. ton: a soma de td(on) + tr Eon: a energia perdida em turn-on tambm exibida na figura 8.
F7. Comparao de Ic a T = 25C e T = 125C. 2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 55
Componentes
Transio turn-off
As formas de onda no perodo de transio turn-off podem ser vistas na figura 9. td(off): o tempo de atraso no desligamento (turn-off delay time), e definido como o tempo decorrido de VGE = 90% do valor inicial at IC = 90% tambm do valor inicial (t8 a t9). tr: o tempo da queda de IC = 90% at 10% do valor inicial (t9 a t10). toff: a soma entre td(off) e tr. Eoff: a energia dissipada na transio (figura 9). Um conceito final, e que resume todo o processo, o fenmeno de formao do canal n- (fracamente dopado) no tempo de estado on, bem como sua extino em off.
Relao entre VCE, VGE, PTOT, IC e TJ
F8. Formas de onda tpicas da transio para o estado ON.
F9. Formas de onda tpicas da transio para estado OFF.
F10. Vce x Vge.
F11. Vce x Ic.
Estes parmetros esto ligados intimamente, e a alterao de um pode afetar os demais. O principal deles a tenso de controle VGE (gate/emissor). Como j foi visto, seu aumento leva o IGBT ao estado de conduo, diminuindo radicalmente VCE. O mximo valor de VGE, usualmente 20 V, porm, o recomendado 15 V. A figura 10 ilustra os efeitos do VGE sobre VCE, e como eles afetam a corrente de coletor e temperatura do dispositivo. Como podemos notar pela figura 11, VCE(sat) aumenta com a elevao da corrente de coletor, o que eleva a dissipao de potncia. VCE(sat) ir aumentar com o acrscimo de temperatura em caso de altas correntes de coletor. Isto o que chamamos de operao na regio de coeficiente positivo de temperatura. Quando, porm, a corrente de coletor pequena, e VCE(sat) diminui com o aumento de temperatura, dizemos que o regime de operao na regio de coeficiente negativo de temperatura. Esta regio muito til, visto que diminui as perdas e aumenta a vida til do componente.
Capacitncias do IGBT
F12. Capacitncias parasitas do IGBT. 56 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
F13. Curva RBSOA.
So trs as capacitncias parasitas apresentadas em um IGBT (figura 12): C RES: a capacitncia reversa de transferncia (reverse transfer capacitance) est disposta entre o coletor e gate, e pode ser analisada de modo
anlogo capacitncia Miller (efeito Miller ) nos transistores bipolares. C IES: A capacitncia de entrada (input capacitance) a soma da capacitncia entre gate e coletor; e a gate com emissor. C OES : A capacitncia de sada (output capacitance) a soma das capacitncias entre gate/coletor e coletor/emissor, considerando o gate em curto-circuito com o emissor.
F14. Circuito de teste RBSOA.
F15. Forma de onda do teste.
RBSOA
A rea segura de operao (Reverse Biased Safe Operating Area) a curva que limita a mxima corrente e a tenso de operao que o componente pode chavear a uma temperatura mxima que respeita as caractersticas do dispositivo. Se o IGBT estiver dentro desta curva, teoricamente, ele no sofrer danos. Normalmente, nos testes para determinar esta curva, os fabricantes aplicam uma corrente 200% a mais da nominal, com 85% de VCES a uma temperatura TJ = 125C. Alm disso, o IGBT trabalha com uma carga indutiva (pior caso). A figura 13 exibe uma curva RBSOA tpica, e a figura 14 um exemplo de circuito de teste. A figura 15 ilustra uma forma de onda tenso x tempo do teste.
F16. Expectativa de vida x temperatura.
F17. Dissipador de calor para IGBT com encapsulamento TO-220.
Dissipadores de Calor
A funo do dissipador de calor em um IGBT (ou em um mdulo de IGBTs) manter a temperatura da juno (ou junes no caso de um mdulo) dentro de um valor seguro (abaixo do mximo). A temperatura da operao do IGBT est relacionada com a expectativa de vida do componente. A figura 16 mostra como o aumento da temperatura diminui a vida do componente de modo exponencial. Por esta razo a escolha de um dissipador deve ser cuidadosa, pois ela define a confiabilidade do sistema. Alguns equipamentos, inversores de frequncia, por exemplo, utilizam coolers para melhorar a conduo de calor entre o componente e o meio ambiente. Os fatores a serem considerados para a escolha de um dissipador de calor (com ou sem cooler) so:
Obs.: Dimenses em mm
F18. Dissipador para mdulo de seis IGBTs.
Qual a mxima temperatura de
juno? Qual a capacidade de sobrecorrente? Qual o custo do sistema de dissipao? Qual o espao fsico ocupado pelo dissipador e ventilador? Qual ou quais tipos so viveis de serem instalados?
A figura 17 ilustra um dissipador tpico de um IGBT em encapsulamento TO-220; j a figura 18 exibe um dissipador para um mdulo de seis IGBTs.
IGBTs e Inversores de Frequncia
A importncia dos equipamentos inversores de frequncia (utilizados como acionamentos de motores AC) na auto-
Componentes
mao industrial tornou-se extremamente significativa nas ltimas dcadas. Atualmente, inversores vetoriais e sensor less j so dispositivos comuns que equipam grande parte das mquinas e sistemas de produo contnuos e da manufatura. At o final da dcada de 80, entretanto, estes aparelhos eram muito caros e utilizados em situaes muito especficas. Naquela poca, os acionamentos em corrente contnua (conversores CC) dominavam o mercado, mesmo com as desvantagens tcnicas quanto ao alto preo da manuteno preventiva e corretiva. Um dos fatores que contribuam para o alto preo dos inversores era sua etapa de potncia, feita com transistor FET de potncia (os famosos V FETs). Estes componentes, alm de caros, no podiam chavear grandes cargas (motores pesados). O advento do IGBT, por outro lado, foi fundamental para a popularizao dos inversores de frequncia, fazendo com que, em uma dcada, quase toda a motorizao industrial se convertesse em corrente alternada. A figura 19 ilustra uma etapa tpica de potncia de um inversor, feita com IGBTs. A tendncia mais moderna integrar estes componentes em mdulos (power block), de modo a otimizar o projeto e espao. O princpio de operao simples, visto que um circuito eletrnico de controle comuta trs IGBTs por vez (cada um em associao em srie diferente com um na parte de cima e outro na parte de baixo), a ordem de chaveamento pode ser vista na figura 20, onde temos as tenses em cada uma das chaves com o tempo e a tenso total entre a fase T e o neutro da associao em Y. Este tipo de inversor chamado de seis passos, onde podemos observar que a forma de onda da tenso da fase T com respeito ao neutro formada por seis segmentos idealmente retos. As formas de onda nas demais fases so iguais a T, defasadas em fase 120 uma da outra. Uma caracterstica interessante dos mdulos de IGBTs a presena dos diodos em antiparalelo com cada componente. Estes dispositivos so conhecidos como diodos free whee ling, e protegem cada elemento
F19. Bloco funcional de um inversor de 6 pulsos.
F20. Fase T em relao ao neutro.
do mdulo da fora contra eletromotriz gerada por cargas indutivas (motores). Geralmente, estes diodos podem suportar 2/3 da corrente nominal de cada transistor, o que confere proteo suficiente para a maioria das aplicaes.
Concluso
Assim como os IGBTs podem ser utilizados como etapa de potncia
de sada para inversores de frequncia, eles podem ser usados como toda e qualquer chave esttica, cujo regime de operao seja severo (alta temperatura, corrente, tenso, e frequncia). Esta caracterstica faz desse transistor um importante elemento para sistemas de alta confiabilidade em automao industrial. E
Componentes
Conversores principaisDados: de caractersticas, Saiba como interpretar suas

e escolher o melhor tipo para sua necessidade
Os conversores de dados fazem parte de uma infinidade de aplicaes eletrnicas modernas. Convertendo dados da forma digital para analgica (DAC) ou da forma analgica para digital (ADC), eles operam em conjunto com microprocessadores, integrando DSP, alm de estarem presentes numa infinidade de aplicaes onde sinais analgicos e digitais devam ser processados e convertidos. Nesta srie de artigos, feitos com base em ampla documentao da Texas Instruments, analisaremos um pouco dos principais problemas que envolvem o uso de conversores de dados, com especial nfase para pontos que muitos projetistas, mesmo experientes, s vezes esquecem ou no conhecem, e que podem comprometer um projeto, que so as interpretaes das especificaes e os erros.
Newton C. Braga
onverter dados da forma digital para analgica e vice-versa no to simples como parece. A infinidade de tipos de conversores, com caractersticas que nem sempre so bem interpretadas, pode complicar as coisas para um projetista e muito mais que isso, induzi-lo a uma escolha errada. Neste primeiro artigo de nossa srie de trs, trataremos dos parmetros que devem ser observados em um conversor de dados ADC ou DAC, fornecendo elementos para que os projetistas tenham condies de interpretar corretamente os dados de suas folhas de especificaes, e assim no errar na escolha do tipo apropriado para seu projeto.
O Conversor ideal
O conversor analgico-digital (ADC) ideal tem uma curva de converso que uma linha reta. No entanto, na realidade, dada a quantidade finita de valores que podem ser representados na forma digital com um determinado nmero de bits, a curva real de um conversor uma escada, conforme ilustra a figura 1. Do mesmo modo, o conversor digital-analgico ou DAC ideal tem tambm uma curva que seria representada por uma linha reta, com infinitos pontos de converso. Contudo, na prtica, essa curva tambm uma escada onde o nmero de degraus ou passos depende do nmero de bits, e, portanto, da quantidade de
F1. Curva de converso real de um Conversor AnalgicoDigital (ESCADA). 60 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
valores individuais que podem ser convertidos, observe a figura 2. Analisemos os dois tipos de conversores separadamente para entendermos melhor o que essa fuga do comportamento ideal pode representar na escolha de um conversor.
O Conversor AnalgicoDigital ou ADC
Um ADC s pode representar uma quantidade de valores finitos do sinal de entrada. Conforme vimos pela figura 1, cada cdigo digital de sada representa apenas uma frao da faixa analgica de entrada. Como a escada de valores analgicos contnua e a faixa de cdigos digitais discreta, h um processo de quantizao na converso que introduz um erro. medida que o nmero de cdigos discretos aumenta, os degraus da escada de converso se tornam menores e a funo de transferncia se aproxima de uma linha reta ideal. No projeto de um ADC os degraus (ou passos) so programados de modo a ter transies que fiquem no ponto mdio de cada um na escada de converses, justamente por onde passa a linha que corresponderia a um conversor ideal. A largura de um degrau definida como 1 LSB (Least Significant Bit) ou bit menos significativo, e utilizada tambm como referncia para outras grandezas nas especificaes dos conversores. Ela tambm pode ser empregada para indicar a resoluo de um conversor, j que define o nmero de divises ou unidades da escala analgica varrida pelo conversor. Isso significa que LSB representa uma quantidade analgica que corresponde metade da resoluo analgica. A resoluo de um ADC normalmente expressa pelo nmero de bits do cdigo digital de sada. Por exemplo, um ADC com n bits de resoluo tem 2n cdigos digitais de sada, os quais definem 2n degraus na escada de converso. Todavia, se levarmos em conta que o primeiro degrau (zero) e o ltimo degrau, tm apenas metade da largura total dos demais degraus, devemos dizer que a escada total (full-range) ou FSR est dividida em 2n -1 degraus.
F2. A curva real de um Conversor Digital Analgico tambm uma ESCADA.
F3. Erro de offset do conversor.
Isso quer dizer que para um conversor de n bits temos:
O Conversor Digital-Analgico
Um conversor digital-analgico s pode representar um nmero limitado de cdigos digitais de entrada. Com isso, ele s pode fornecer um nmero finito de valores analgicos de sada, conforme vimos pela curva de transferncia da figura 2.
Para um DAC, 1 LSB corresponde altura de um passo entre dois valores analgicos de sada (veja a figura 2), e isso vale da mesma forma para um ADC. Um DAC pode ser comparado a um potencimetro controlado digitalmente, no qual a escala de valores de sada determinada pelo cdigo digital de entrada.
Erros
Como os conversores no so perfeitos, fugindo do comportamento ideal pelas caractersticas que vimos, erros so introduzidos. Analisemos alguns desses erros.
Componentes
Fontes de Erros Estticos
Erros estticos so aqueles que afetam a preciso de um conversor quando ele converte sinais estticos (DC). Esses erros podem ser resumidos em quatro espcies: erro de offset, erro de ganho, no linearidade integral e no linearidade diferencial. Cada um deles pode ser expresso em termos de unidades LSB, ou ainda na forma de uma porcentagem. Por exemplo, um erro de LSB em um conversor de 8 bits corresponde a um FSR de 0,2%. Examinemos em detalhes esses erros:
Erro de offset
F4. Erro de Ganho do Conversor.
O erro de offset, observe a figura 3, definido como a diferena entre os pontos nominais e reais de offset. Para um ADC, o ponto de offset o valor de meio degrau quando a entrada digital zero. Para um DAC o valor do degrau quando a entrada digital zero. Esse tipo de erro afeta todos os cdigos da mesma forma (com igual intensidade) e pode normalmente ser compensado com um processo de ajuste ou compensao. Se o ajuste ou compensao no possvel, o erro referido como erro de escala zero ou zero-scale, se indicarmos o termo em ingls.
Erro de Ganho
O erro de ganho ilustrado na figura 4, definido como a diferena entre o ponto nominal e o ponto de ganho real na funo de transferncia, depois de feita a correo do erro de offset para zero. Para um ADC, o ponto de ganho est no centro do degrau quando a sada digital est no final da escala, enquanto que para um DAC o valor do degrau quando a entrada digital est no seu valor mximo. Esse erro representa a diferena entre o desvio real e a funo de transferncia ideal, uma vez que ele tem sempre a mesma porcentagem de erro para cada degrau. Ele tambm pode ser normalmente reduzido para zero atravs de compensao ou ajuste.
Erro de No Linearidade Diferencial ou DNL (Differential Nonlinearity Error)

F5. Erro de No Linearidade Diferencial (DNL) do Conversor. 62 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
O erro de no linearidade diferencial exibido na figura 5, e algumas vezes
F6. Erro Integral de No Linearidade (INL).
F7. Erro Total de um Conversor.
chamado simplesmente de linearidade diferencial. No caso de um ADC, esse erro dado pela diferena entre a largura real do degrau (ou a altura do degrau se for um DAC), e o valor ideal que de 1 LSB. Se a largura ou altura do passo for exatamente 1 LSB, ento o erro de no linearidade diferencial zero. Se o DNL for maior que 1 LSB, ento o conversor poder tornar-se no monotnico, ou seja, a magnitude da sada ser menor para um aumento da magnitude da entrada. Em um ADC existe ainda a possibilidade que ocorra a ausncia de cdigos, ou seja, um ou mais dos 2n cdigos de sada nunca estar presente na sada.
Erro Integral de No Linearidade (INL)
O erro integral de no linearidade (Integral Nonlinearity Error) abreviado por INL mostrado na figura 6.
Esse erro dado pelo desvio da reta ideal do valor na funo real de transferncia. Essa linha reta poder ser a melhor linha reta que seja desenhada para minimizar esses desvios ou uma linha reta traada entre os pontos extremos da funo de transferncia, uma vez que os erros de ganho e offset tenham sido modificados. O segundo mtodo denominado linearidade de pontos extremos. Para um ADC, os desvios so medidos nas transies de um degrau para o seguinte, e para os DAC so medidos a cada degrau. O nome no linearidade integral deriva do fato de que a soma das no linearidades diferenciais de baixo para cima de um degrau especfico determina o valor da no linearidade integral naquele passo.
A preciso absoluta ou erro total de um ADC, representada na figura 7. Trata-se do valor mximo que a diferena de um valor analgico tem em relao ao valor mdio do degrau. Esse erro inclui o os erros de ganho, de offset e de no linearidade integral, assim como o erro de quantizao no caso dos ADCs.
Erro de Preciso Absoluta (Total)
Erro de Abertura
O erro de abertura, tambm conhecido como jitter de abertura, causado pela incerteza no instante em que a amostragem e manuteno passam do modo de amostragem para o modo de manuteno, observe a figura 8. Essa variao causada pelo rudo no clock, ou pelo sinal de entrada. O efeito do erro de abertura uma limitao para a fixao da frequncia mxima de um sinal
Componentes
senoidal aplicado na entrada porque ele define a taxa mxima de crescimento do sinal. As frmulas que determinam esse erro so dadas nessa prpria figura.
Efeitos da Quantizao
F8. Erro (ou jitter) de Abertura do Conversor.
Na prtica, os sinais analgicos na entrada de um ADC formam um espectro contnuo de valores com um nmero infinito de estados possveis. Entretanto, a sada digital uma funo discreta com um nmero finito de estados que so determinados pela resoluo do dispositivo. Em consequncia disso, parte dos valores de tenses diferentes aplicadas na entrada representada pelo mesmo valor digital na sada. Assim, parte da informao perdida, e uma distoro no sinal introduzida. Isso o que denominamos de rudo de quantizao. Para uma escada de transferncia ideal de um ADC, o erro entre o valor real da entrada e a forma digital obtida na sada ter uma densidade de probabilidade uniforme se o sinal de entrada for considerado aleatrio. Ele pode variar na faixa de +/- LSB ou +/-q/2, onde q a largura de um passo, como ilustra a figura 9. Nela, temos as frmulas que permitem calcular esse erro.
Amostragem Ideal
F9. Erro de Quantizao do Conversor. 64 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
Quando se converte um sinal contnuo em relao ao tempo em uma representao digital, o processo de amostragem um requisito fundamental para o bom funcionamento disso. No caso ideal, a amostragem consiste em um trem de pulsos que so infinitamente estreitos e tm uma unidade de rea. A recproca do tempo entre cada impulso chamada taxa de amostragem (sample rate). O sinal de entrada tambm deve ter suas caractersticas limitadas, no contendo componentes acima de certo valor no seu espectro, veja exemplo na figura 10. A condio de amostragem ideal representada tanto no domnio de frequncia quanto de tempo. O efeito da amostragem no domnio do tempo produz um trem modulado em amplitude que representa o valor do sinal no instante da amostragem.
No domnio de frequncias, o espectro do trem de pulsos uma srie de frequncias discretas que so mltiplas da taxa de amostragem. A amostragem convolve o espectro do sinal de entrada de tal forma que o trem de pulsos produz o espectro combinado, exibido na figura, com duas bandas laterais em torno de cada frequncia discreta, que so produzidas no processo de modulao em amplitude. O efeito de algumas frequncias mais altas refletido de tal forma que h a produo de uma interferncia nas frequncias mais baixas. Essa interferncia causa distoro, que chamada tecnicamente aliasing ou falseamento. Se o sinal de entrada manuseado de modo a ter limitaes para uma frequncia determinada fl, numa frequncia de amostragem fa como mostra a figura 10, o desvio e o fenmeno de falseamento no vo ocorrer se:
fl < fa fl
Ou seja:
F10. Representao da Amostragem de um Sinal nos domnios do tempo e Ideal da frequncia.
2fl < fa
Dessa forma, na amostragem realizada em uma frequncia que seja pelo menos duas vezes maior que a frequncia do sinal de entrada, o fenmeno do aliasing ou falseamento no acontece e a informao contida no sinal pode ser extrada. Esse o Teorema da Amostragem de Nyquist, que fornece o critrio bsico para a seleo da taxa de amostragem necessria converso de um sinal de entrada numa determinada faixa de frequncias.
dulados em amplitude conforme ilustra a figura 11. Examinando o espectro do trem de pulsos retangulares, observamos uma srie de frequncias discretas, mas a amplitude dessas frequncias modificada por um envelope. O erro resultante disso pode ser controlado por um filtro que compensa o envelope senoidal. Ele pode ser implementado como um filtro digital num DSP ou utilizando tcnicas analgicas convencionais.
O Efeito de Falseamento e Consideraes
A Amostragem Real
O conceito de pulso til para simplificar a anlise do processo de amostragem. Todavia, trata-se de um ideal terico que pode ser aproximado, mas nunca alcanado na prtica. Em lugar disso, o sinal real uma srie de pulsos com um perodo que igual ao recproco da frequncia de amostragem. O resultado da amostragem com o trem de pulsos uma srie de pulsos mo-
Nenhum sinal realmente determinstico e em consequncia, na prtica, ocupa uma faixa infinita de frequncias. Entretanto, a energia nas componentes de frequncias mais altas diminui gradualmente de tal forma que a partir de certo valor, sua presena pode ser considerada irrelevante. Esse valor pode servir de referncia para a elaborao de um projetista. Como mostrado, a intensidade do falseamento ou aliasing afetada pela frequncia de amostragem e pela largura de faixa relevante do sinal de entrada,
filtrado da forma necessria. O fator que determina quanto de falseamento pode ser tolerado , em ltima anlise, a resoluo do sistema. Se o sistema tem baixa resoluo, ento o piso de rudo relativamente alto e o efeito de falseamento no aparece de modo significativo. Contudo, em um sistema de alta resoluo, o efeito do falseamento pode aumentar o piso de rudo consideravelmente, e ento deve ser controlado de forma mais completa. Uma forma de prevenir o efeito de falseamento aumentar a taxa de amostragem. Todavia, a frequncia est limitada pelo tipo de conversor usado e tambm pela taxa mxima de clock do processador digital que recebe e transmite os dados. Assim, para reduzir os efeitos de falseamento para nveis aceitveis, filtros analgicos devem ser usados de modo a alterar o espectro do sinal de entrada, observe a figura 12.
Escolha do Filtro
Conforme vimos, na amostragem existe uma soluo ideal para a escolha do
Componentes
F11. Resultado da Amostragem Real do Sinal nos domnios do tempo e da frequncia.
filtro e para a realizao prtica que no comprometa o projeto. O filtro ideal considerado uma barreira que no introduz nenhuma atenuao na faixa passante e ao mesmo tempo corta instantaneamente os sinais indesejveis. Na realidade, isso no ocorre, pois todo filtro introduz certa atenuao na faixa passante, tem uma resposta finita e deixa passar algumas frequncias na faixa que deve ser bloqueada. Alm disso, ele tambm pode introduzir distoro de fase e de amplitude nos sinais. A escolha admite diversas possibilidades. Filtro Butterworth Filtro de Chebyshev Filtro Inverso de Chebyshev Filtro de Cauer Filtro de Bessel-Thomson. Cada um desses filtros apresenta caractersticas apropriadas para determinados tipos de projetos, devendo o projetista de conversores de dados conhec-los muito bem para saber qual deve usar numa aplicao. E
F12. Uso de Filtro Analgico para reduo do efeito de falseamento para nveis aceitveis.

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F2 . O Silcio metalrgico (acima), a lmina ( equerda) e as clulas solares ( direita).

F3. O Co-orientador ao lado do forno para difuso de fsforo, no IFGW.

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Proteo contra surtos transitrios eltricos

O que um Surto Transitrio Eltrico?

20 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012

F1. Nuvens do tipo Cumulus Nimbus.

F2. Descargas atmosfricas mltiplas.

O Poder das Pontas

2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 21

F3. Ionizao da terra para a atmosfera atravs da haste.

F4. Ocorrncia de fascas durante uma trovoada.

F5. Captor Franklin ou de ngulo de Proteo.

22 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012

F6. Malha ou gaiola de fios metlicos.

F7. Diversas configuraes para uma malha de aterramento.

Nveis de Exposio e Suportabilidade

Caractersticas dos nveis de exposio

Exposio elevada: situaes

F8. Curva de Suportabilidade: (Tenso Nominal X N Ciclos) para equipamentos eletrnicos.

2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 23

Caractersticas Desejveis dos Mdulos Protetores

24 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012

F9. Equalizao de potencial em um ponto, ou distribuda em vrios pontos.

2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 25

Influncia das Harmnicas na Alimentao de

Alteraes de Tenso e Fator de Potncia

O que Fazer para Corrigir os Problemas?

Atuao de Sistemas de Proteo

Cuidados com os condutores de Fase e Neutro