MEMORIAS

Una memoria es cualquier dispositivo fsico capaz de almacenar informacin. Las podemos clasificar desde distintos puntos de vista, por ejemplo: Naturaleza Fsica del sistema de almacenamiento: Magnticas: la informacin se almacena polarizando adecuadamente pequeas regiones sobre una superficie magntica. Ej: Discos rgidos, discos flexibles (diskettes), cintas magnticas. pticas: la informacin se almacena en una superficie plstica (policarbonato), sobre la cual se crean diferentes estratos que representan la secuencia de bits a almacenar y por medio de una capa metlica posibilita la reflexin del laser al sensor ptico. Ej: CD y DVD. Semiconductoras: Constituidas a partir de materiales semiconductores. EJ: Memorias RAM, ROM, flash, etc. Modo de acceso a la informacin almacenada: De acceso Aleatorio: se puede acceder a una posicin de memoria independiente de la posicin que se encuentre. Ej: Memorias ROM, RAM. De acceso Secuencial: para acceder a una posicin de memoria es necesario pasar por las posiciones previas. Ej: Cintas magnticas. Capacidad de mantener la informacin almacenada: Voltiles: la informacin se almacena temporalmente o mientras se mantenga la alimentacin del sistema. Ej: Memorias RAM. No voltiles: la informacin se almacena durante un tiempo indefinido, e incluso sin la presencia de la alimentacin del sistema. Ej: Memorias Magnticas, pticas, ROM y Flash. Tiempo de acceso a la informacin: es decir, el tiempo que transcurre desde que se solicita el acceso al sistema de memoria hasta que dicha in formacin est disponible. Bajo Tiempo de acceso. Ej: Memorias semiconductoras [ns]. Alto Tiempo de acceso. Ej: Memorias pticas y magnticas [us y ms].

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
Debido a la flexibilidad, a los tiempos de acceso reducidos, al bajo consumo de energa y a una capacidad de almacenamiento cada vez mayor a partir de los avances tecnolgicos, hacen a las memorias semiconductoras las predominantes en todos los diseos electrnicos de hoy en da. Nuevamente, las memorias semiconductoras se las puede dividir, de acuerdo al modo de acceso a la informacin (de igual modo que en el caso general): De acceso Secuencial: Memorias FIFO (First Input First Output): el orden de acceso a los datos es el mismo en que fueron escritos, es decir el primer dato introducido en la memoria, es el primero en leerse. Una memoria FIFO puede implementarse con Reg. de desplazamientos estticos (aquellos que pueden anular los pulsos de desplazamiento sin que la informacin se pierda) y una unidad de control. Memorias LIFO (Last Input First Output): el orden de acceso a los datos esta invertido segn a como fueron escritos, ahora es el ltimo dato introducido en la memoria, el primero en leerse.
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Una memoria LIFO puede implementarse a partir de un registro de desplazamiento reversible. Reg. De desplazamiento: es un conjunto de n flip flops asociados que permiten almacenar temporalmente una palabra o un grupo de bits. De acceso Aleatorio (RAM): Lectura y escritura: estas memorias de acceso aleatorio cuyas posiciones pueden ser ledas y escritas cuantas veces sea necesario. Su principal inconveniente es que son voltiles. Hay dos tipos: SRAM (Static RAM): sus celdas consisten en flip flops que almacenan un bit. Pueden estar constituidas a partir de lgica bipolar o MOS. DRAM (Dynamic RAM): sus celdas estn formadas por uncapacitor cuya carga representa el bit de informacin. Tienen el inconveniente de precisar un refresco que compense las perdidas del capacitor.

Solo Lectura: este tipo de memorias se caracterizan por ser no voltiles. Originalmente la informacin se almacenaba durante su proceso de fabricacin (programacin por mascara), no pudindose ser modificada posteriormente. ROM MASK. Posteriormente surgieron las memorias de solo lectura programables, en donde el propio usuario poda almacenar informacin en la memoria por nica vez. PROM. Con los avances en la tecnologa, surgieron las memorias EPROM. Estas memorias adems de ser programables se caracterizaban por poder borrar la informacin almacenada, por medio a la exposicin de una luz ultravioleta. Seguidamente aparecieron las memorias EEPROM, en donde el borrado se realizaba elctricamente y de posicin a posicin. Finalmente surgieron las memorias FLASH, en donde el borrado tambin se realiza elctricamente, pero a diferencia de la anterior, la informacin se borra por completo.

Magneticas

FIFO

Nat. fisica

Opticas

De Acceso Secuencial

LIFO

Semiconductoras
Memorias Semiconductoras

Reg. de Desp.

SRAM R/W DRAM

Aleatorio

Modo de acceso
Secuencial Memorias
De acceso Aleatorio (RAM)

ROM MASK

Volatiles Capac. de Mant. la info. No Volatiles

R (ROM) PROM

EPROM

Bajo
Tiempo de acceso Alto

EEPROM

FLASH

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ARQUITECTURA ROM: La arquitectura de una memoria ROM consiste generalmente en un nmero fijo de trminos AND que alimenta una matriz OR. Cada compuerta AND decodifica una combinacin del cdigo binario de entrada. Las salidas de cada AND con las entradas de cada OR determinan una matriz programable, en donde el usuario puede decidir en ella, a que OR ir conectada cada salida. De esta manera se generan para las n variables de entrada, 2 miniterminos, que al unirse con las compuertas OR, se obtienen las respectivas funciones booleanas. Decodificador 2 a 4 Matriz OR La combinacin de entrada se llama direccin y la de salida palabra. Una ROM de n entradas y m salidas tendr una capacidad de 2 [bits].

En el momento de concretar la configuracin del conexionado, se destruyen en forma reversible o no (segn que la ROM sea programable o no) aquellas conexiones para las cuales deben resultar ceros en las salidas. TIPOS DE INTERCONEXIONES Diodos Transistores BJT: (ROM) La presencia o no del elemento de interconexin es realizado por el fabricante (al cual hay que suministrarle la informacin requerida). Diodos Transistores BJT con Fusibles en serie: (PROM) Inicialmente la memoria presenta todas las interconexiones establecidas. La programacin consiste en destruir el fusible en aquellos lugares en donde se quiere almacenar un 0 lgico.
Diodo + Fusible Vdd Vcc

Transistores MOS: (EPROM) Las celdas estn constituidas por puertas flotantes de transistores MOS, la descarga se realiza exponiendo a la celda a luz ultravioleta por unos minutos. La reprogramacin es elctrica aplicando tensiones superiores a las de funcionamiento. El borrado es total. Transistores MOS: (EEPROM) Similares a la anterior con la diferencia que el borrado se produce elctricamente, posicin a posicin. Transistores MOS: (FLASH) Similares a la anterior solo que el borrado se realiza simultneamente a todas las posiciones.

DIRECCIONAMIENTO (

COMPLETAR

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ARQUITECTURA RAM: La estructura interna de cualquier RAM presenta en primer trmino (al igual que una ROM) un circuito decodificador al cual entran n lneas de direccin , , 2 , 1 , 0 cuyas 2 salidas permiten acceder directamente a igual nmero de posiciones de memoria, siendo que cada una contiene k celdas de almacenaje de un bit. En el caso de las memorias SRAM cada celda est constituida por un flip flop, usualmente puede ser D. En el caso de las memorias DRAM cada (Celda con Flip Flop) (Celda con Transistor MOS) celda est constituida por un transistor MOS que oficia de llave, cuya pequea capacitancia parasita de su terminal Source se usa para almacenar un bit.

La arquitectura de una Memoria RAM genrica est representada en la siguiente imagen:

In Bit 3

In Bit 2

In Bit 1

In Bit 0

Bus Direccin A1 A0 DECO 2a4

ACCION

1 0 0
Out Bit 3 Out Bit 2 Out Bit 1 Out Bit 0

X 1 X 0

X X 0 1

HI Z HI Z Write Read

In Buffer

Out Buffer

=/

(Write) (Read)

Bus de Datos D3 D0

=/ /

Para el funcionamiento de una memoria RAM genrica se precisan tres tipos de seales, adems de la alimentacin. SEALES DE DIRECCIONAMIENTO (o bus de direcciones): A1-A0 En ellas se especifica la direccin de la posicin de memoria a la cual se desea acceder. El numero () de lneas que conforman el bus de direcciones determina la cantidad de posiciones de memoria (2 ). SEALES DE DATO (o bus de datos): D3-D0 En ellas se puede introducir informacin desde el exterior, o bien, sacar informacin al exterior. SEALES DE CONTROL: /, , . Forman el bus de control y estn dedicadas a indicar a la memoria la operacin que debe realizar. Las ms comunes son:

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: () Su activacin permite el funcionamiento de la memoria, mientras que su desactivacin lo prohbe (coloca en alta impedancia al bus de datos). : () Esta seal debe estar activa durante el proceso de lectura (no participa en la escritura). /: (/ ) Ordena a la memoria si se debe leer o escribir la posicin de memoria direccionada. ESPECIFICACIONES TEMPORALES Los fabricantes indican la secuencia temporal en que debe darse la activacin de las entradas de direcciones y de control, como as tambin los tiempos que deben respetarse para que la memoria funcione correctamente. Operacin de Lectura: El bus de control se configura con: = 0; = 0; / = 1. El bus de direccionamiento se coloca la posicin de memoria a la cual se desea leer. El bus de dato aparecer la informacin almacenada de dicha posicin luego de un cierto tiempo de acceso.

Tiempo de Acceso : desde que se aplica una direccin de memoria hasta que aparece en las salidas la palabra. Tiempo de Acceso : desde que se activa hasta que aparece en las salidas la palabra. Tiempo de Acceso : desde que se activa hasta que aparece en las salidas la palabra. Tiempo de deshabilitacin de salidas : desde que se desactiva hasta que las salidas pasen al tercer estado (Hi Z). Tiempo extra de permanencia de salidas : es el tiempo en que se mantiene (Hold) el valor de las salidas luego que cambie cualquier entrada. Tiempo de Ciclo de Lectura : es el que debe transcurrir como mnimo entre dos lecturas sucesivas y en principio debe ser mayor o igual que el tiempo de acceso . La desactivacin de algunas de las seales de control implica el fin de dicho ciclo. Operacin de Escritura: El bus de control se configura con: = 0; / = 0. El bus de direccionamiento se coloca la posicin de memoria a la cual se desea escribir.

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El bus de dato se coloca la informacin que se desea almacenar en dicha posicin. Luego de un cierto tiempo Adress Setup : tiempo mnimo de aplicacin de una direccin antes de la escritura. : ancho (mnimo) del pulso de escritura para que sta sea confiable. : tiempo (mnimo) que debe estar activa antes del fin de una escritura. : tiempo de aplicacin del dato a escribir antes del fin de la escritura. : tiempo adicional que debe mantenerse (hold) el dato despus del de escritura. : tiempo adicional que debe mantenerse la direccin despus del fin de la escritura. Tiempo de Ciclo de Escritura : es el que debe transcurrir como mnimo entre dos escrituras sucesivas.

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