Anda di halaman 1dari 6

Diodo BARITT

(Del ingls: BARrier Injected Transit Time)Diodo semejante al diodo IMPATT donde los portadores de carga llamados a atravesar la regin de deplexin no provienen de una avalancha sino que son engendrados por inyeccin de portadores minoritarios en uniones polarizadas en el sentido de la conduccin.

Diodo de avalancha
Diodo de rectificacin en el que, mediante una tcnica apropiada, se reparte la ruptura inversa, debida al fenmeno de avalancha, en todo el volumen de la unin. El diodo soporta, as, grandes corrientes en conduccin inversa sin destruirse.

Diodo de capacidad variable (VARACTOR o VARICAP)


Diodo semiconductor con polarizacin inversa cuya capacidad entre los terminales disminuye en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos.

Diodo de conmutacin
Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado de conduccin y el estado de bloqueo, y a la inversa.

Diodo rectificador.
Diodo de potencia media o alta que se utiliza para rectificar las corrientes alternas.

Diodo semiconductor.

Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones.

Diodo de seal
Diodo semiconductor empleado para la deteccin o el tratamiento de una seal elctrica de baja potencia.

Diodo de unin
Diodo formado por la unin de un material semiconductor de tipo n y otro semiconductor de tipo p.

Diodo Esaki
Ver diodo tnel

Diodo Gunn
Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas de tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia.

Diodo IMPATT
(Del ingls: IMPAct Avalanche and Transit Time) Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador.

Diodo lser
Diodo electroluminescente (LED) cuya estructura contiene una cavidad ptica y que est concebido de modo que permita la emisin estimulada, y por tanto la radiacin de una onda luminosa quasimonocromtica y coherente (laser).

Diodo PIN
(Del ingls P region-Intrinsic region-N region) Unin pn semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zonaintrnseca de dopado muy dbil.

Diodo Schottky
Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300 MHz.

Diodo Schokley
Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones.

Diodo TRAPPAT
(Del ingls, TRAPped Plasma Avalanche Transit time) Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que, cuando su unin se polariza en avalancha, presenta una resistencia negativa a frecuencias inferiores al dominio de frecuencias correspondiente al tiempo de trnsito del diodo. Esta resistencia negativa se debe a la generacin y desaparicin de un plasma de electrones y huecos que resultan de la ntima interaccin entre el diodo y una cavidad de hiperfrecuencias de resonancias mltiples.

Diodo tnel
Diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador).

Diodo unitnel
Diodo tnel cuyas corrientes de pico y valle son aproximadamente iguales.

Diodo Zener
Diodo optimizado, mediante la eleccin del ndice de dopado, para su funcionamiento en una regin de ruptura inversa, a una tensin ampliamente independiente de la intensidad. Los diodos Zener se utilizan en reguladores de tensin.

Un diodo es un dispositivo electrnico compuesto por dos terminales a travs de las cuales fluye la corriente elctrica. El diodo semiconductor es el ms utilizado en la actualidad. Este consta de una unin P-N, junto con un terminal de conexin a cada extremo y el encapsulado. DIODOS RECTIFICADORES: su caracterstica esencial consiste e que la unin P-N (nodo-ctodo) es de carcter unilateral, por lo que la corriente elctrica fluir en un solo sentido. Constituye una de las clases ms sencillas de diodos. La capsula del mismo estar condicionada por la potencia que emanen. Su propsito es apartar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Un

sistema rectificador de corriente se efecta por medio de la utilizacin de varios diodos conectados a travs de puentes. DIODOS DE SEAL: es utilizado con el fin de detectar seales dbiles, por lo que son de baja potencia. El encapsulado de los diodos de seal corresponde a un pequeo cilindro de materia plstica o vidrio, y las dos terminales de conexin se ubican a los extremos del mismo. La tensin a partir de la cual el diodo conduce electricidad (tensin umbral) es de 0,3 voltios. DIODOS DE ALTA FRECUENCIA: son denominados de alta frecuencia debido a que son colocados en las secciones de un circuito, donde la frecuencia debe ser mayor a 1 megahertz. Tienen una capacidad baja de difusin entre las regiones semiconductoras que conforman la unin nodo y ctodo (P-N), cuando las mismas se encuentran polarizadas en sentido directo. DIODOS DE CONMUTACIN: son aquellos que tienen un tiempo de respuesta muy breve, con respecto al cambio del sentido de la corriente elctrica. Es decir, que el tiempo de recuperacin inverso (TRR) es inferior a 400 nanosegundos en diodos de media potencia, y 5 nanosegundos en aquellos de potencia baja. DIODOS ZENER: su nombre proviene del creador de esta clase de diodos Clarence Zener. Son diodos de silicio, cuyo fin es hacer fluir corriente elctrica en las regiones del circuito donde se perciban rupturas. Adems, suelen utilizarse para estabilizar un determinado nivel de tensin a fin de mantenerlo fijo.

La mayor parte de la informacin que facilita el fabricante en las hojas de caractersticas es solamente til para los que disean circuitos, nosotros solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que describe parmetros que aparecen en este texto. Tensin inversa de ruptura Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que convierten una tensin alterna en una tensin continua). La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa sus caractersticas son distintas. Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el diodo es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva. Corriente mxima con polarizacin directa Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as en la hoja de caractersticas:

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarizacin directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5 A en cualquier condicin de funcionamiento. Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1, para 1N4001 ser de 0,1 A o menos. Cada de tensin con polarizacin directa Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin es de 25 C. Corriente inversa mxima En esta tabla esta la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua indicada (50 V para un 1N4001).

Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente inversa de 0,05 A trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C.