Anda di halaman 1dari 24

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1. INTRODUCCIN A LA TEORA DEL DIODO Y SUS APLICACIONES EN CORRIENTE DIRECTA.

El diodo semiconductor es una unin P-N conectada a dos terminales convenientemente encapsuladas para dar al conjunto consistencia mecnica.

Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor cerrado cuando tiene polarizacin directa y un interruptor abierto cuando tiene polarizacin inversa. Por esta cualidad, es til para convertir corriente alterna en corriente continua.

Hay tres tipos de material semiconductor con los que se construyen los diodos y son:

a) Silicio,

b) Germanio,

c) Selenio.

En su cuerpo estar marcada la sealizacin de las regiones y el cdigo de identificacin. Las terminales se denominan:

ANODO (A) conectado a la regin P. CTODO (K) conectado a la regin N.

En la figura 1.1 se observa la relacin entre su representacin esquemtica (a), su aspecto exterior ms generalizado (b) y su representacin simblica (c).

1.1 Modelo matemtico.

El comportamiento del diodo ya sea de silicio (Si) o de germanio (Ge) est dado por la ecuacin 1.1.1.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

A A

K K

(a)

(b)

(c)

Figura 1.1 El diodo semiconductor a) Representacin esquemtica, b) Aspecto exterior y c) Representacin simblica.

I D = I R e qVD / mkT 1

Ec. 1.1.1

donde: ID = Corriente a travs del diodo (Amperes). VD = Voltaje entre las terminales del diodo (Volts). IR = Corriente inversa de saturacin. q = Carga del electrn, 1.68 x 10-19 Coulombs. m = Constante emprica, vara de 1 a 2. K = Constante de Boltzman, 1.38 x 10-23 Joule/K. T = Temperatura absoluta, K.

1.2 Funcionamiento.

El comportamiento del diodo presenta dos casos de polarizacin, directa e inversa. Para analizar el funcionamiento del diodo se debe hacer referencia a la grfica de la figura 1.2.1.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Figura 1.2.1 Curva caracterstica V-I del diodo.

1.3 Polarizacin directa.

Se sita en el primer cuadrante de la grfica de la figura 1.2.1, el diodo no conduce con una intensidad apreciable (menos del 1 % del valor nominal mximo), hasta que el voltaje aplicado no

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

supere la barrera de potencial o voltaje de umbral V (aproximadamente 0.3 volts para el germanio y 0.7 volts para el silicio, como se observa en la figura 1.3.1).

Figura 1.3.1 Voltajes de umbral para el germanio y el silicio.

A partir de ese punto los electrones y huecos empiezan a cruzar la unin en grandes cantidades por lo que a pequeos incrementos de voltaje corresponden grandes aumentos de intensidad de corriente.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1.4 Polarizacin inversa.

Se sita en el tercer cuadrante de la grfica de la figura 1.2.1, la corriente se estabiliza rpidamente y permanece prcticamente constante (corriente inversa de saturacin o de fuga, IR) para grandes aumentos de voltaje inverso (VR). Si se aumenta este voltaje lo suficiente (cientos de volts para casi todos los diodos) se llega al voltaje de ruptura inversa, entonces la intensidad de corriente crece apreciablemente.

El origen de esta corriente se debe a que los portadores minoritarios son arrancados de las zonas donde existen provocando un fenmeno de avalancha o reaccin en cadena sobre los dems portadores produciendo con esto un deterioro irreversible del componente (destruccin del diodo). A este fenmeno se le conoce como ruptura por avalancha o ruptura Zener.

1.5 Consideraciones generales.

Para la verificacin del normal funcionamiento de un diodo se realiza una prueba con el ohmetro. En sentido directo la resistencia es del orden de 10 a 30 ; con polarizacin inversa se pueden observar lecturas de 200 a 300 K para el germanio y de varios M para el silicio.

En el diseo de un circuito habr que seleccionar un tipo de diodo cuyo voltaje mximo aplicable en sentido inverso (VRmax) sea mayor que el mximo que se espere aplicarle en su funcionamiento (del orden de 2 veces ms).

El circuito exterior debe limitar la intensidad de corriente IF ya que debe ser menor a la IFmx del diodo indicada por el fabricante.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad de la potencia nominal. Se debe tener en cuenta que toda disipacin de potencia genera calor, produciendo aumento de temperatura y provocando un aumento de la corriente inversa.

Estableciendo una comparacin entre los diodos semiconductores de silicio y germanio en algunas de sus caractersticas se puede destacar lo que se presenta en la tabla 1.5.1.

Germanio. Silicio. 0.3 Volts 0.7 Volts A A IR se duplica cada 10C IR se duplica cada 6C Deriva trmica. V vara en 2 mV/C V vara en 4 mV/C Resistividad. 60 /cm 230000 /cm Aplicaciones. Seales pequeas. Todos los dems casos.
Tabla 1.5.1 Comparacin de las caractersticas de los diodos semiconductores de germanio y silicio.

Caractersticas. V IR

Ejemplo 1.5.1: Considere el valor de V = 0.7 volts para un diodo de silicio a la temperatura ambiente (25 C). Cul ser el valor de V a una temperatura de 125 C?

La variacin de temperatura es, T = 125 C 25 C = 100 C

y la variacin del voltaje en el diodo es, V = (-4 mV/C) x 100 C = - 0.4 volts

entonces, el voltaje de umbral del diodo de silicio a una temperatura de 125 C es,

V = 0.7 V 0.4 V = 0.3 Volts


M. C. Fernando Vera Monterrosas 6

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1.6 Recta de carga.

El diagrama mostrado en la figura 1.6.1 es un circuito bsico con el cual se obtiene en forma muy sencilla y rpida la ecuacin de la recta de carga del diodo.

ID

Figura 1.6.1 Circuito bsico para obtener la recta de carga de un diodo.

Del circuito de la figura 1.6.1 se obtiene la siguiente ecuacin: V RI D V D = 0

Despejando V se obtiene la ecuacin siguiente: V = RI D + V D Ec. 1.6.1

Despejando ID de la ecuacin 1.6.1 se tiene que: ID = V V VD V = D + R R R R

Ec. 1.6.2

Esta ecuacin representa una ecuacin de la forma: y = mx + b


M. C. Fernando Vera Monterrosas 7

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Donde:

m=

1 , es la pendiente. R

b=

V , representa la ordenada al origen. R

Para la recta de carga de la ecuacin 1.6.2:

ID =

VD V + R R

Ec. 1.6.3

Para VD = 0, se tiene que....

I Dmx =

V R

Para ID = 0, se tiene que....

V Dmx = V

Con los datos obtenidos se procede a graficar la recta de carga, la cual se muestra en la figura 1.6.2.

Analizando la grfica de la figura 1.6.2 se concluye lo siguiente:

Si el voltaje de la fuente (V) incrementa su valor, la recta de carga se desplaza hacia la derecha y hacia arriba, paralela a la pendiente.

Si en lugar de incrementar el voltaje, se decrementa el valor de la resistencia, la recta de carga se har ms vertical (aumenta la pendiente).

Si se aumenta el valor de la resistencia, la recta de carga se har ms horizontal, se inclinar hacia la izquierda.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

La interseccin entre la recta de carga y la curva caracterstica, determina el punto de operacin del diodo.

ID (mA)

m=

1 R

V (volts)

Figura 1.6.2 Recta de carga y punto de operacin (Q) del diodo.

Ejemplo 1.6.1 Determinar el punto de operacin del circuito mostrado en la figura 1.6.3 y dibujar la grfica de la recta de carga correspondiente.

ID

D VD

Figura 1.6.3 Circuito para el ejemplo 1.6.1.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Si V D = 0.7 V , entonces I D =

5 V 0.7 V = 2.866 mA 1.5 K

por lo que, Q (0.7 V, 2.866 mA).

Para la recta de carga:

ID =

VD V + R R

Si VD = 0, I Dmx =

V 5V = = 3.333 mA R 1.5 K

Si ID = 0, V Dmx = V = 5 V

Con los datos obtenidos se procede a graficar la recta de carga, la cual se muestra en la figura 1.6.4.
I (mA) IDmx 2.86 mA 3.33 mA Q

V (volts) VDmx

Figura 1.6.4 Recta de carga y punto de operacin (Q) del diodo para el circuito del ejemplo 1.6.1.

Si para este ejemplo la fuente de alimentacin de corriente directa se cambia por una fuente de corriente alterna que vare entre + 6 V y 6 V, como se muestra en la figura 1.6.5, la recta de carga se va a estar desplazando paralelamente entre + 6 V y 6 V.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

10

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

ID

Figura 1.6.5 Circuito modificado para el ejemplo 1.6.1.

La tabla 1.6.1 muestra los valores de algunos de las diferentes rectas de carga obtenidas al utilizar la fuente variable de corriente alterna. Vin (V) t (ms) VD (V) I D = Vin VD (mA) R 0 t0 0 0 3 t1 0.7 1.53 6 t2 0.7 3.52 3 t3 0.7 1.53 0 t4 0 0 -3 t5 -3 0 -6 t6 -6 0 -3 t7 -3 0
Tabla 1.6.1 Valores de algunas de las diferentes rectas de carga obtenidas al utilizar una fuente de C. A.

La figura 1.6.6 muestra los voltajes de entrada (Vin) y de salida (VD), en un osciloscopio, del circuito del ejemplo 1.6.1, y en la figura 1.6.7 se observa una grfica en donde se presentan dos rectas de carga obtenidas a partir de la tabla 1.6.1.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 11

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Figura 1.6.6 Voltajes de entrada (Vin) y de salida (VD) del circuito modificado del ejemplo 1.6.1.

IDmx (mA)

Vm (volts)

Figura 1.6.7 Rectas de carga para diferentes valores de polarizacin, Vin.

M. C. Fernando Vera Monterrosas

12

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1.7 Aplicaciones de los diodos en corriente directa (C. D.).

1.7.1 Configuracin serie.

Ejemplo 1.7.1.1: Determine los valores de VD, VR e ID del circuito con diodos de la figura 1.7.1.1.

D V

ID R VR

I V R VR

Figura 1.7.1.1 Circuito con diodos en configuracin serie para el ejemplo 1.7.1.1.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 13

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

V D = 0.7 V V R = 8 V 0.7 V = 7.3 V ID = VR 7.3 V = = 3.318 mA R 2.2 K

Ejemplo 1.7.1.2: Determinar VR e ID del circuito mostrado en la figura 1.7.1.2.

VGe DGe ID V

VSi DSi

VR

Figura 1.7.1.2 Circuito con diodos en configuracin serie para el ejemplo 1.7.1.2.

V = V Si + VGe + V R V Si = 0.7 V VGe = 0.3 V V R = V VSi VGe = 12 V 0.7 V 0.3 V = 11V ID =


M. C. Fernando Vera Monterrosas

VR 11V = = 1.96 mA R 5.6 K


14

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Ejemplo 1.7.1.3: Determinar ID, V R1 , V R2 y Vo del circuito mostrado en la figura 1.7.1.3.

V R1

VD

R1

ID

D R2

VR2

Vo

V1 V2

Figura 1.7.1.3 Circuito con diodos en configuracin serie para el ejemplo 1.7.1.3.

V1 + V 2 = V R1 + V D + V R2 V1 + V 2 V D = I D R1 + I D R2 ID = V1 + V2 V D 10 V + 5 V 0.7 V 14.3 V = = = 2.11 mA R1 + R 2 4.6 K + 2.2 K 6.8 K V R1 = I D R1 = 2.11 mA x 4.6 K = 9.66 V V R2 = I D R 2 = 2.11 mA x 2.2 K = 4.62 V Vo = V R2 V 2 = 4.62 V 5 V = 0.38 V
M. C. Fernando Vera Monterrosas 15

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1.7.2 Configuracin paralelo.

Ejemplo 1.7.2.1: Determine los valores de ID, I1 e I2 del circuito con diodos de la figura 1.7.2.1.

I1 R1 V

I2 D R2

ID

Figura 1.7.2.1 Circuito con diodos en configuracin paralelo para el ejemplo 1.7.2.1.

V = V R1 + V R2 = V R1 + V D = V R1 + 0.7 V = 10 V V R1 = 10 V 0.7 V = 9.3 V I1 = V R1 R1 = 9.3 V = 9.3 mA 1 K I2 = V R2 R2 = 0.7 V = 0.7 mA 1 K

I D = I 1 I 2 = 9.3 mA 0.7 mA = 8.6 mA


M. C. Fernando Vera Monterrosas 16

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Ejemplo 1.7.2.2: Determine los valores de I1, I2 e I3 del circuito con diodos de la figura 1.7.2.2.

P R1 I1 V1 V2 I2 I3 R2 D1 D2

Figura 1.7.2.2 Circuito con diodos en configuracin paralelo para el ejemplo 1.7.2.2. V P = V D1 + V D2 = 0.7 V + 0.7 V = 1.4 V

V1 = V R1 + V P = I 1 R1 + 1.4 V I1 = V1 1.4 V 10 V 1.4 V = = 8.6 mA R1 1 K V2 = V R2 + V P = I 2 R2 + 1.4 V I2 = V2 1.4 V 5 V 1.4 V = = 3.6 mA R2 1 K

I 3 = I 1 + I 2 = 8.6 mA + 3.6 mA = 12.2 mA

M. C. Fernando Vera Monterrosas

17

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Ejemplo 1.7.2.3: Determine los valores de Ii, I1 e I2 del circuito mostrado en la figura 1.7.2.3.

Ii I1 V R1

R2 R3

I2

Figura 1.7.2.3 Circuito con diodos en configuracin paralelo para el ejemplo 1.7.2.3.

Analizando la primera malla por la ley de voltajes de Kirchhoff: V + V D + V D + V P = 20 V + 0.7 V + 0.7 V + V P = 0 V P = 20 V 1.4 V = 18.6 V Por lo tanto, I1 = V P 18.6 V = = 18.6 mA R1 1 K

Se obtiene ahora la resistencia equivalente Req = R2 + R3 = 2.2 K + 1.5 K = 3.7 K

M. C. Fernando Vera Monterrosas

18

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la segunda malla, VRe q V P + V D = 0 VRe q = V P V D = 18.6 V 0.7 V = 17.9 V Ahora aplicando la ley de Ohm se obtiene que I2 es,

I2 =

V Re q Req

17.9 V = 4.84 mA 3.7 K

Por la ley de corrientes de Kirchhoff se obtiene Ii, I i = I 1 + I 2 = 18.6 mA + 4.84 mA = 23.44 mA

Ejemplo 1.7.2.4: Determinar I1, I2, I3 e I4 del circuito mostrado en la figura 1.7.2.4.

R1 I1 V I2 R2 I3 I4

Figura 1.7.2.4 Circuito con diodos en configuracin paralelo para el ejemplo 1.7.2.4.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 19

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Considerando que VP es V P = V D + V D = 0.7 V + 0.7 V = 1.4 V

y que este voltaje est en paralelo con R2, se obtiene I3

I3 =

V P 1.4 V = = 1.4 mA R 2 1 K

Ahora, se obtiene el voltaje en los extremos de la resistencia que define a I1 y aplicando la ley de Ohm, V V P 10 V 1.4 V = = 8.6 mA R1 1 K

I1 =

Observando el diagrama se puede ver que la primera rama del circuito que contiene diodos es la que define el valor de VP y no la ltima que cuenta con tres diodos, esto es debido a que las caractersticas de estos dispositivos no permitiran fijar ms de 1.4 V en la primera rama, lo que implica una limitacin a los tres diodos en serie, que no se alcanzan a polarizar directamente con 1.4 V y por lo tanto, I 4 = 0 mA Finalmente se obtiene I2, utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff, I1 = I 2 + I 3 + I 4 I 2 = I 1 I 3 I 4 = 8.6 mA 1.4 mA 0 mA = 7.2 mA

M. C. Fernando Vera Monterrosas

20

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

1.7.3 Configuracin mixta.

Ejemplo 1.7.3.1: Determine los valores de I1, I2, I3 e I4 del circuito con diodos de la figura 1.7.3.1.

P R1 I1 V R2 I2 I3 R3 I4

Figura 1.7.3.1 Circuito con diodos en configuracin mixta para el ejemplo 1.7.3.1.

Para obtener la corriente a travs de la resistencia R1 es necesario conocer el voltaje aplicado en los extremos de esta, siendo 10 V uno de ellos. El voltaje en el extremo derecho es VP, dado que en la tercera rama del circuito hay dos diodos que fijan 1.4 V, por lo que: V V P 10 V 1.4 V = = 4.3 mA R1 2 K

I1 =

Ahora,

I2 =
M. C. Fernando Vera Monterrosas

V P 1.4 V = = 1.4 mA R 2 1 K
21

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Para obtener I4 se aplica un concepto similar al utilizado en la determinacin de I1: V P V D 1.4 V 0.7 V = 0.7 mA = R3 1 K

I4 =

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff: I1 = I 2 + I 3 + I 4 I 3 = I 1 I 2 I 4 = 4.3 mA 1.4 mA 0.7 mA = 2.2 mA

Ejemplo 1.7.3.2: Determine los valores de I1, I2 e I3 del circuito con diodos de la figura 1.7.3.2.

P R1 I1 V1 V2 I2 R2

I3

Figura 1.7.3.2 Circuito con diodos en configuracin mixta para el ejemplo 1.7.3.2.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 22

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

Para obtener la corriente a travs de la resistencia R1 es necesario conocer el voltaje aplicado en los extremos de esta, siendo V1 uno de ellos. El voltaje en el extremo derecho es VP + VD, por lo que: V1 V P V D 10 V 1.4 V 0.7 V = 7.9 mA = R1 1 K

I1 =

Utilizando la ley de voltajes de Kirchhoff en la segunda malla del circuito se tiene que: V R10 K V2 V D V D = 0 V R10 K 5 V 0.7 V 0.7 V = 0 V R10 K = 5 V + 1.4 V = 6.4 V

Por ley de Ohm:

I2 =

V R10 K R2

6.4 V = 0.64 mA 10 K

Por ltimo, utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff: I1 = I 2 + I 3 I 3 = I 1 I 2 = 7.9 mA 0.64 mA = 7.26 mA

M. C. Fernando Vera Monterrosas

23

INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA (REA ELECTRNICA)

2. APLICACIONES DE LOS DIODOS EN CORRIENTE ALTERNA.

2.1 Recortadores (limitadores).

Un recortador, como su nombre lo indica, recorta un voltaje alterno a unos valores predeterminados. Su funcionamiento se basa en el hecho de que un diodo no conduce hasta que no est polarizado directamente.

Existen diferentes tipos de recortadores los cuales se pueden clasificar de acuerdo con las siguientes categoras:

Segn la forma de obtener su salida. a) Limitador serie. El voltaje de salida Vo se obtiene en serie con el diodo limitador.

b) Limitador paralelo. El voltaje de salida Vo se obtiene en paralelo con el diodo limitador.

Segn donde se realice la limitacin. a) Limitador positivo. Limita la alternancia positiva del voltaje de entrada, Vin. b) Limitador negativo. Limita la alternancia negativa del voltaje de entrada, Vin.

c) Limitador parcial o polarizado. Limita slo parte de una alternancia, positiva o negativa, del voltaje de entrada, Vin.

d) Limitador parcial doble. Limita partes de ambas alternancias, positiva y negativa, del voltaje de entrada, Vin.
M. C. Fernando Vera Monterrosas 24