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Instituto Tecnolgico de Len

Ingeniera Electromecnica Instrumentacin Industrial para la Manufactura

Presenta:
Lpez Cabrera Carlos Martn

Catedrtico: Ing. Casillas Araiza Miguel ngel

Investigacin: Sensores fotoelctricos

Len Guanajuato, Abril de 2012.

NDICE
Objetivo general Resea histrica Marco de referencia Espectro electromagntico Rango energtico del espectro Propiedades de las ondas electromagnticas (Reflexin, refraccin, polarizacin, interferencia, transmisin, absorcin) Marco terico Diodo Emisor de Luz LED Emisores infrarrojos Fotodiodos Celdas fotoconductoras Fototransistores Principio de funcionamiento fsico de los sensores fotoelctricos Sensores sin contacto Introduccin a los sensores fotoelctricos Composicin y funcionamiento de los sensores fotoelctricos Modos de deteccin de los sensores fotoelctricos Ventajas y desventajas de los diferentes sistemas de deteccin fotoelctricos Aplicaciones de sensores fotoelctricos Ejemplos de aplicaciones industriales Usos prcticos de los sensores fotoelctricos Caractersticas o especificaciones principales de los sensores fotoelctricos Caractersticas o especificaciones secundarias de los sensores fotoelctricos Sensores comerciales y hojas de especificaciones Diseo de experimento para determinar las caractersticas principales del sistema de medida Fuentes de informacin consultadas Conclusiones y posibles mejoras adaptaciones 13 13 17 19 23 24 26 26 27 27 29 35 36 37 39 42 46 48 51 55 56 3 3 5 5 6 7

Sensores para posicin, presencia y desplazamiento Sensores Fotoelctricos

OBJETIVO GENERAL
Presentar y analizar los diversos dispositivos sensores cuyo funcionamiento se basa en principios fotoelctricos y que estn dedicados al posicionamiento, detector de presencia y medidores de distancia en el campo industrial; adems de dar a conocer las hojas de datos y especificaciones de los fabricantes de dichos sensores.

RESEA HISTRICA
La ciencia avanza, se proponen las teoras, sobre ellas se discute y se las exprime con todo tipo de suposiciones y experimentos metdicos, coherentes con su estructura, hasta que son superadas por otras ms perfectas, que sabemos que sern nuevamente superadas. Esa es la verdadera historia de los grandes descubrimientos ha sido la historia del descubrimiento de la naturaleza de la luz. Se atribuye a Euclides el descubrimiento de las leyes de la reflexin de la luz, sobre el ao 300 a.C, pero fue en el siglo XVII cuando por una parte el genial cientfico ingls Isaac Newton, (imagen 1), y por otra el matemtico gemetra holands Cristian Huygens, desarrollaron dos teoras

contrapuestas sobre la naturaleza de la luz. Newton propuso una teora corpuscular, mientras que Huygens supona que era un fenmeno ondulatorio.
Imagen 1

Para Newton la luz estaba formada por pequesimos corpsculos o partculas, y demostr las leyes de la reflexin y la difraccin, en base a esa teora. La luz se reflejara como lo puede hacer una pelota cuando rebota sobre una superficie, y se refractara al

pasar de un medio a otro por la diferencia de velocidad de transmisin en los dos medios. De acuerdo con esa explicacin supona que en el medio ms denso se transmitira a mayor velocidad por ser atradas las partculas luminosas ms fuertemente (precisamente ocurre al revs). La teora verdadera era la que supona Huygens, pero el gran prestigio de que gozaba Newton mantuvo la teora ondulatoria arrinconada durante ms de un siglo, hasta que los experimentos de Thomas Young y Auguste Jean Fresnel la corroboraron ya en el siglo XIX. Finalmente, en este caso el tiempo y nuevos descubrimientos, nada menos que el descubrimiento del cuanto de accin y con l el desarrollo de la mecnica cuntica, le devolvieron a Newton parte de la razn: la luz es un fenmeno ondulatorio, est formado por ondas electromagnticas, pero a su vez puede considerarse formada por pequeas partculas de luz (cuantos) llamados fotones. De esta doble naturaleza corpuscular y ondulatoria gozan todas las partculas y ondas

MARCO DE REFERENCIA
Espectro electromagntico La radiacin electromagntica es una combinacin de campos elctricos y magnticos oscilantes, que se propagan a travs del espacio transportando energa de un lugar a otro, ver imagen 2.

Imagen 2

La radiacin electromagntica puede manifestarse de diversas maneras como calor radiado, luz visible, rayos X o rayos gamma. A diferencia de otros tipos de onda, como el sonido, que necesitan un medio material para propagarse, la radiacin electromagntica se puede propagar en el vaco. El espectro electromagntico (o simplemente espectro) es el rango de todas las radiaciones electromagnticas posibles. El espectro de un objeto es la distribucin caracterstica de la radiacin electromagntica de ese objeto por ello sirve para identificar la sustancia de manera anloga a una huella dactilar. El espectro electromagntico cubre longitudes de onda muy variadas. Existen frecuencias de 30Hz y menores; y por otro lado se conocen frecuencias cercanas a 2,91027 Hz, que han sido detectadas provenientes de fuentes astrofsicas.

Rango energtico del espectro La energa electromagntica en una particular longitud de onda (en el vaco) tiene una frecuencia f asociada y una energa de fotn E. Por tanto, el espectro electromagntico puede ser expresado igualmente en cualquiera de esos trminos y puede ser expresado en cualquiera de las siguientes ecuaciones:

tambin como:

Donde : longitud de onda f: frecuencia de la onda electromagntica c: constante universal de la velocidad de la luz en el vacio con valor de 299,792,458
m

/s (suele aproximarse a 3x108 m/s)

Y de manera energtica se define como:

Donde ahora h se refiere a la constante fsica de Planck que representa al cuanto elemental de accin. Es la relacin entre la cantidad de energa y de frecuencia asociadas a un cuanto o a una partcula, su valor es de 6.62606896x10-34 J s como 4.135667331015 eV s. Por lo tanto, las ondas electromagnticas de alta frecuencia tienen una longitud de onda corta y mucha energa mientras que las ondas de baja frecuencia tienen grandes longitudes de onda y poca energa.

Por lo general, las radiaciones electromagnticas se clasifican basndose en su longitud de onda en ondas de radio, microondas, infrarrojos, visible que percibimos como luz visible ultravioleta, rayos X y rayos gamma; esto se ilustra en la imagen 3.

Imagen 3

El comportamiento de las radiaciones electromagnticas depende de su longitud de onda. Cuando la radiacin electromagntica interacta con tomos y molculas puntuales, su comportamiento tambin depende de la cantidad de energa por quantum que lleve. Propiedades de las ondas electromagnticas Las ondas electromagnticas no necesitan un medio material para propagarse. As, estas ondas pueden atravesar el espacio interplanetario e interestelar y llegar a la Tierra desde el Sol y las estrellas independientemente de su frecuencia y longitud de onda. Todas las radiaciones del espectro electromagntico presentan las propiedades tpicas del movimiento ondulatorio, siendo las siguientes las propiedades ms caractersticas:

Reflexin y Refraccin Polarizacin Superposicin y/o interferencia Transmisin Absorcin

Para cada una se define un coeficiente que nos da el porcentaje correspondiente en tanto por uno. Son el factor de reflexin (), el de transmisin () y el de absorcin () que cumplen:

La reflexin es un fenmeno que se produce cuando la luz choca contra la superficie de separacin de dos medios diferentes (ya sean gases como la atmsfera, lquidos como el agua o slidos) y est regida por la ley de la reflexin. Esta establece que cuando un rayo de luz llega a la superficie de separacin de dos medios, una parte de esta es reflejada alejndose de la barrera y el resto penetra dentro del material, ver imagen 4.

Imagen 4

En la reflexin, el rayo incidente y el reflejado estn en lados opuestos a la normal y sobre el mismo plano que esta. Y se cumple la ley de reflexin:

La direccin en que sale reflejada la luz viene determinada por el tipo de superficie (imagen 5). Si es una superficie brillante o pulida se produce la reflexin regular en que toda la luz sale en una nica direccin. Si la superficie es mate y la luz sale desperdigada en todas direcciones se llama reflexin difusa. Y, por ltimo, est el caso intermedio, reflexin mixta, en que predomina una direccin sobre las dems. Esto se da en superficies metlicas sin pulir, barnices, papel brillante, etc.

Imagen 5

La refraccin se produce cuando un rayo de luz es desviado de su trayectoria al atravesar una superficie de separacin entre medios diferentes segn la ley de la refraccin, imagen 6. Esto se debe a que la velocidad de propagacin de la luz en cada uno de ellos es diferente.

Imagen 6

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Tal que se cumple que

Donde ni es el ndice de refraccin del medio que se define como el cociente entre la velocidad de la luz en el medio (v) y la velocidad de la luz en el vaco (c).

La luz es una onda electromagntica transversal en la que sus componentes, el campo magntico y el elctrico, son perpendiculares entre s y pueden vibrar en cualquiera de los planos perpendiculares a la direccin de propagacin. Si vibran siempre en el mismo plano se llama polarizacin lineal y si lo hacen describiendo crculos se llama circular, ver figura 7.

Imagen 7

La interferencia se produce cuando dos o ms ondas se encuentran en un punto del espacio. Las ondas se superponen pudiendo destruirse mutuamente o combinarse formando una nueva onda, figura 8. Cuando las ondas interfieren entre s, la amplitud (intensidad o tamao) de la onda resultante depende de las frecuencias, fases relativas (posiciones relativas de crestas y valles) y amplitudes de las ondas inciales.

Imagen 8

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La transmisin se puede considerar una doble refraccin. Si pensamos en un cristal; la luz sufre una primera refraccin al pasar del aire al vidrio, sigue su camino y vuelve a refractarse al pasar de nuevo al aire. Si despus de este proceso el rayo de luz no es desviado de su trayectoria se dice que la transmisin es regular como pasa en los vidrios transparentes. Si se difunde en todas direcciones tenemos la transmisin difusa que es lo que pasa en los vidrios translcidos. Y si predomina una direccin sobre las dems tenemos la mixta como ocurre en los vidrios orgnicos o en los cristales de superficie labrada. Estas caractersticas se observan en la imagen 9.

Imagen 9

La absorcin es un proceso muy ligado al color. El ojo humano slo es sensible a las radiaciones pertenecientes a un pequeo intervalo del espectro electromagntico. Son los colores que mezclados forman la luz blanca. Su distribucin espectral aproximada es:

Cuando la luz blanca choca con un objeto una parte de los colores que la componen son absorbidos por la superficie y el resto son reflejados. Las componentes reflejadas son las que determinan el color que percibimos. Si la refleja toda es blanco y si las absorbe todas es negro. Un objeto es rojo porque refleja la luz roja y absorbe las dems componentes de

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la luz blanca (imagen 10). Si iluminamos el mismo objeto con luz azul lo veremos negro porque el cuerpo absorbe esta componente y no refleja ninguna. Queda claro, entonces, que el color con que percibimos un objeto depende del tipo de luz que le enviamos y de los colores que este sea capaz de reflejar.

Imagen 10

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MARCO TERICO
Diodo emisor de luz (LED-Light-Emitting Diode) El uso creciente de pantallas digitales en

calculadoras, relojes y en todas las formas de instrumentos, ha contribuido a un gran inters sobre estructuras que emiten luz cuando se polarizan apropiadamente. Los dos tipos de uso comn que realizan esta funcin son el diodo emisor de luz (LED, por sus siglas en ingles; el cual de detallar a continuacin, ver figura 11) y la pantalla de cristal liquido (LCD, por sus siglas en ingles). Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible invisible (infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unin de materiales semiconductores p-n polarizada en directa se da, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa procesada por los electrones libres se transforme en otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta energa se libera en forma de calor y otra en forma de fotones. En diodos de Si y de Ge el mayor porcentaje de la energa convertida durante la recombinacin en la unin se disipa en forma de calor dentro de la estructura y la luz emitida es insignificante. Por esta razn, el silicio y el germanio no se utilizan en la construccin de dispositivos LED. En cambio, los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinacin de la unin p-n. Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen numerosas aplicaciones donde la luz visible no es un efecto deseable.
Imagen 11

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Mediante otras combinaciones de elementos se puede generar una luz visible coherente. La siguiente tabla proporciona una lista de semiconductores compuestos comunes y la luz que generan. Adems comprende tambin el intervalo de potenciales de polarizacin en directa de cada uno. Color mbar Azul Verde Naranja Rojo Blanco Amarillo Construccin AlInGaP GaN GaP GaAsP GaAsP GaN AlInGaP Voltaje en directa tpico (V) 2.1 5.0 2.2 2.0 1.8 4.1 2.1

En la figura 12 aparece la construccin bsica de un LED, en a), con el smbolo estndar utilizado para el dispositivo, b). La superficie metlica conductora externa conectada al material tipo p es ms pequea para permitir la salida del mximo de fotones de energa luminosa cuando el dispositivo se polariza en directa.
Imagen 12

Observe tambin en la figura que la recombinacin de los portadores inyectados producida por la unin polarizada en directa produce luz emitida en el sitio de la recombinacin. Habr, desde luego, algo de absorcin de los paquetes de energa de fotones en la estructura misma, pero se puede liberar un gran porcentaje.

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Al igual que los diferentes sonidos tienen espectros de frecuencia diferentes, lo mismo es cierto para las diferentes emisiones de luz. El espectro de frecuencia de la luz infrarroja se extiende desde 100THz hasta los 400THz, con el espectro de luz visible desde aproximadamente 400 hasta 750THz. Es interesante sealar que la luz invisible tiene un espectro de menor frecuencia que la visible. En general cuando hablamos de la respuesta de dispositivos electroluminiscentes, nos referimos a sus longitudes de onda y no a su frecuencia, donde ambas cantidades estn relacionadas mediante la ecuacin:

c=3x108 m/s (es la velocidad de la luz en el vacio) f=frecuencia en Hz =longitud de onda en metros

Para este caso entonces la luz visible tiene un rango de longitudes de onda que van desde 750nm (400THz) hasta los 400nm (750THz). Por ello, las altas frecuencias producen longitudes de onda pequeas. Asimismo, la mayora de las graficas utilizan o nanmetros (nm) o angstroms (). Un angstrom es igual a 10-10m. La respuesta del ojo humano promedio se da en la figura 13. Se extiende desde aproximadamente 350nm hasta los 800nm con valor pico cercano a 550nm. Es interesante sealar que la respuesta pico (mxima) del ojo es al color verde, con el rojo y el azul en los extremos inferiores de la curva acampanada. La curva revela que un LED rojo o azul debe ser mucho ms eficiente que uno verde para que sean visibles con la misma intensidad. Todos los colores indicados en la grafica de la figura 13 tienen una respuesta en forma de curva acampanada, por lo que el verde, por ejemplo, sigue siendo visible a 600nm, pero con menor nivel de intensidad.

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Imagen 13

El uso del GaAs para el desarrollo de este tipo de dispositivos LED se puede justificar como sigue: la brecha de energa ms alta (debido a su configuracin semiconductora) que corresponde al GaAs es de 1.43eV, este valor es adecuado para la radiacin electromagntica de luz visible, en tanto que el Si con 1.1 eV disipa calor durante la recombinacin. El efecto de esta diferencia en las brechas de energa se puede explicar a cierto grado teniendo en cuenta que mover un electrn de un nivel de energa discreto a otro requiere una cantidad de energa especifica. La energa implicada est dada por:

Al considerar que 1eV=1.6x10-19J se obtiene una longitud de onda de 869nm. Este valor ciertamente coloca al GaAs en la zona de longitud de onda utilizada en dispositivos infrarojos. Para un material compuesto como el GaAsP con una brecha de energa de

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1.9eV la longitud de onda resultante es de 654nm, la cual se encuentra en el centro de la zona roja. Es por ello que la longitud de onda y la frecuencia de la luz de un color especfico estn directamente relacionadas con la brecha de la banda de energa del material. Un primer paso, por consiguiente, en la produccin de un semiconductor compuesto que puede ser utilizado para generar luz es combinar elementos que generen la brecha de la banda de energa del la unin semiconductora deseada. Emisores infrarrojos Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de arseniuro de galio (GaAs) de estado slido que emiten un rayo de flujo radiante cuando se polarizan en directa. La construccin bsica del dispositivo se muestra en la figura 14.
Imagen 14

Cuando la unin se polariza en directa, los electrones de la regin n se recombinan con los huecos excedentes del material p en una regin de recombinacin diseada en especial y situada entre los materiales p y n. Durante este proceso de recombinacin, el dispositivo irradia energa en forma de fotones. Los fotones generados se reabsorben en la estructura o abandonan la superficie del dispositivo como energa radiante, como se muestra en la figura 14.

El flujo radiante en miliwatts contra la corriente en directa de cd de un dispositivo tpico aparece en la imagen 15. Observe la relacin casi lineal entre estos dos.

Imagen 15

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En la figura 16 se da un patrn interesante para dichos dispositivos; observe el patrn muy angosto para los dispositivos con un sistema de alineacin interna. Un dispositivo como ese aparece en la figura 17, con su construccin interna y smbolo grafico.

Imagen 16

Imagen 17

Algunas reas de aplicacin de estos dispositivos incluyen lectores de tarjetas y cintas de papel; codificadores de haces de luz, sistemas de transmisin de datos y alarmas contra intrusos. Un uso muy comn es el que hacen los mandos a distancia ( telecomandos) que generalmente utilizan los infrarrojos en vez de ondas de radio ya que no interfieren con otras seales como las seales de televisin. Los infrarrojos tambin se utilizan para comunicar a corta distancia los ordenadores con sus perifricos. Se ilustran fotografas de estos elementos en la imagen 18 siguiente, algunos son elementos con ventanas de cristal planas y otros son con sistemas de alineacin internos.

Imagen 18

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Fotodiodos El inters en los dispositivos sensibles a la luz ha ido en aumento a un ritmo exponencial inusitado en aos recientes. El nuevo campo de la optoelectrnica ha despertado gran inters y ha sido objeto de mucha investigacin y se estn haciendo esfuerzos para mejorar sus niveles de eficiencia. Las fuentes luminosas constituyen una fuente de energa nica. sta, transmitida como paquetes individuales llamados fotones, tiene un nivel directamente relacionado con la frecuencia de la onda luminosa viajera determinado por las ecuaciones energticas y de longitud de onda de la luz, antes determinadas en este documento. La longitud de onda es importante porque determina el material que se tiene que utilizar en el dispositivo opto electrnico. Las respuestas espectrales relativas del germanio, silicio y selenio se dan en la siguiente imagen 19. Se incluye el espectro de luz visible junto con una indicacin de la longitud de onda asociada a diversos colores.

Imagen 19

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El nmero de electrones libres generados en cada material es proporcional a la intensidad de la luz incidente. La intensidad luminosa mide la cantidad de flujo luminoso que incide en un rea de superficie particular. Por lo comn, el flujo luminoso se mide en lmenes (lm) o watts. Las dos cantidades estn relacionadas por:

La intensidad luminosa se suele medir en lm/pie2, candelas-pie (fc) o W/m2, donde:

El fotodiodo es un dispositivo de unin p-n semiconductor cuya regin de operacin se limita a la regin de polarizacin en inversa. La configuracin de polarizacin bsica, la construccin y el smbolo del dispositivo aparecen en la figura 20 siguiente.

Imagen 20

Por lo descrito en secciones anteriores, se vio que lo comn es que la corriente de saturacin en inversa est limitada a algunos microamperes. Esto se debe solo a los portadores minoritarios trmicamente generados en los materiales tipo n y p. La aplicacin de la luz a la unin hace que se transfiera energa de las ondas luminosas viajeras incidentes (en forma de fotones) a la estructura atmica, y el resultado es una cantidad incrementada de portadores minoritarios y un nivel incrementado de corriente en inversa. Esto se muestra con claridad en la figura 21 a diferentes niveles de intensidad.

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Imagen 21

La corriente oscura es la que se dar sin iluminacin aplicada. Observe que la corriente solo regresar a cero con una polarizacin aplicada positiva igual a VT. Adems, la figura 20 demuestra el uso de una lente para concentrar la luz en la regin de la unin. En la imagen 22 se muestran algunos fotodiodos comerciales.

Imagen 22

La separacin casi igual entre las curvas con el mismo incremento del flujo luminoso revela que la corriente en inversa y el flujo luminoso estn casi linealmente relacionados.

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En otras palabras, un aumento en la intensidad luminosa producir un incremento similar de la corriente en inversa. En la imagen 23 aparece una grafica de los dos parmetros anteriores para demostrar esta relacin casi lineal para un voltaje fijo V de 20V. Con una base relativa, podemos suponer que la corriente en inversa es en esencia cero sin luz incidente. Como los tiempos de levantamiento y cada (parmetros de cambio de estado) son muy pequeos `para este dispositivo (en el intervalo de los nanosegundos), puede utilizarse el dispositivo en aplicaciones de conteo o conmutacin de alta velocidad.

Imagen 23

Volviendo a la imagen 19, observamos que el Ge abarca un espectro ms amplio de longitudes de onda que el Si. Esto lo convierte en un elemento adecuado para la luz incidente en la regin infrarroja provista por lseres y fuentes luminosas IR (infrarrojas). Desde luego, el Ge tiene una corriente escura ms alta que el Si, pero tambin un nivel ms alto de corriente en inversa. El nivel de corriente generado por la luz incidente en un fotodiodo no es adecuado para utilizarla como control directo, pero se puede amplificar para este propsito.

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Celdas fotoconductoras La celda fotoconductora es un dispositivo

semiconductor de dos terminales cuya resistencia terminal vara (linealmente) con la intensidad de la luz incidente. Por razones obvias, con frecuencia se llama dispositivo fotoresistivo (tambin llamado elemento LDR-Light Dependent Resistors). En la imagen 24 se ilustra la construccin tpica de una celda fotoconductora junto con el smbolo grafico ms comn.
Imagen 24

Entre los materiales fotoconductores de uso ms frecuente estn el sulfuro de cadmio (CdS) y el seleniuro de cadmio (CdSe). La respuesta espectral pico ocurre a aproximadamente 5100 para el CdS y a 6150 para CdSe (observar la figura 19 de la seccin anterior). El tiempo de las unidades de CdS es de alrededor de 100ms y el de las celdas de CdSe es de 10ms. La celda fotoconductora no tiene una unin como el fotodiodo. Una delgada capa de material conectada entre las terminales simplemente se expone a la energa luminosa incidente. A medida que la iluminacin que incide en el dispositivo se hace ms intensa, el estado energtico de un mayor nmero de electrones en la estructura tambin se incrementar debido a la disponibilidad incrementada de los paquetes de fotones de energa. El resultado es un nmero cada vez mayor de electrones libres en la estructura y la reduccin de la resistencia terminal. La curva de sensibilidad de un dispositivo fotoconductor tpico aparece en la siguiente imagen 25; observe la linealidad (usando una escala logartmica) de la curva resultante y el gran cambio en la resistencia (100k a 100) para el cambio indicado de iluminacin.

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Imagen 25

Fototransistores El comportamiento fundamental de los dispositivos fotoelctricos se present junto con la descripcin del fotodiodo. Ahora ampliaremos este anlisis para incluir el fototransistor, el cual tiene una unin p-n de colector a base fotosensible. La corriente inducida por efectos fotoelctricos es la corriente base del transistor. Si le asignamos la notacin I a la corriente de base foto inducida, la corriente de colector que resulta, aproximadamente, es:

En la figura 26 se dan algunas caractersticas representativas para un fototransistor junto con la representacin simblica del dispositivo. Se observan las semejanzas entre estas curvas y las de un transistor bipolar tpico. Como se esperaba, al aumentar la intensidad de la luz se incrementa la corriente en el colector.

Imagen 26

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Para proporcionar un mayor grado de conocimiento de la unidad de medicin de intensidad luminosa, miliwatts por centmetro cuadrado, se da una curva de corriente de base contra densidad de flujo en la imagen 27; se detalla el incremento exponencial de la corriente de base al aumentar la densidad de flujo. En la misma imagen se ilustra un fototransistor junto con la identificacin de las terminales y la alineacin angular. En la imagen 28 se muestran algunas de las configuraciones a base de dispositivos fototransistores ms comercialmente empleados.

Imagen 27

Imagen 28

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO FSICO DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS

Sensores sin contacto Conforman un grupo de sensores muy amplio. Como su nombre lo indica, la caracterstica principal es el hecho de que permiten detectar el objeto sin que se necesario el contacto fsico. Esto confiere una capacidad de maniobra mucho mayor y adems permite mantener inalterable el sistema de control. Se muestran algunos ejemplos en la imagen 29.
Imagen 29

Estos sensores presentan las siguientes caractersticas con respecto a los sensores de contacto fsico directo con su sistema a controlar. Detectan objetos a distancia, sin necesidad de contacto fsico. Suelen poseer nicamente capacidad de deteccin y no son a la vez elementos de corte de corriente. Son verstiles en sus caractersticas de uso, pudiendo dar informacin directa o indirectamente de varias magnitudes fsicas. Pueden ofrecer ventajas selectivas de funcionamiento con ciertos materiales sin verse afectados por otros. Es un grupo muy heterogneo de sensores, pero engloba sensores con principios de funcionamiento muy diferentes, desde sensores que se basan en la transmisin de sonido hasta los que se fundamentan en la induccin electromagntica (se incluyen los de funcionamiento ptico o fotoelctricos que emplean ondas electromagnticas para su tarea). Todos necesitan alimentacin externa para su funcionamiento.

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Introduccion a los sensores fotoelectricos Usar sensores que empleen un haz de luz ha sido popular desde 1950. El sensor fotoelctrico de hoy es uno de los ms verstiles dispositivos de sensado de no contacto conocido por el hombre. La fiabilidad de los sensores fotoelctricos dieron un gran salto en los aos 70 cuando la luz del diodo emisor (LED) reemplazo la luz incandescente. En comparacin con los dems sensores de proximidad, los sensores fotoelctricos presentan las siguientes ventajas: Distancias de deteccin mucho ms grandes que en el caso de los capacitivos e inductivos. Se pueden obtener hasta 500 metros en tipo separado y 5 metros en reflexin. Permiten la identificacin de colores y objetos de pequeo tamao (decimas de milmetro). Composicin y funcionamiento de los sensores fotoelctricos Un sensor fotoelctrico se compone bsicamente de un emisor de luz asociado a un receptor sensible a la cantidad de luz recibida; ste detecta cuando el objetivo penetra el haz luminoso emitido y modifica, de forma suficiente, la cantidad de luz que recibe el detector para provocar un cambio de estado a la salida. Este tipo de sensores tienen como funcin principal la deteccin de todo tipo de objetos independientemente de la distancia, ellos son generalmente utilizados como detectores de posicin o presencia. Los elementos que conforman su construccin se muestran en la imagen 30 siguiente. Segn el tipo de deteccin, las etapas emisoras y receptoras pueden estar en conjunto en un solo dispositivo o separadas entre ellas.
Imagen 30

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Los detectores fotoelctricos utilizan diodos emisores LED que transforman la seal elctrica en luz monocromtica. Para insensibilizar el sistema a la luz ambiente, la corriente que atraviesa el LED se modula para obtener una emisin de luz pulsada. Los sensores fotoelctricos de pulso modulado responden nicamente a la luz emitida por su propia fuente de luz. Modular la luz de un LED simplemente significa encenderlo y apagarlo en alta frecuencia, observe la imagen 31.

Imagen 31

El secreto de la eficiencia de un sistema modulado es que el fototransistor del sensor (de la etapa receptora) y el amplificador estn sintonizados a la frecuencia de la modulacin (etapa de tratamiento de la seal), dando como resultado, que nicamente la luz modulada es amplificada, y toda la otra luz que alcanza al fototransistor es ignorada. Esto es anlogo a un radio receptor el cual sintoniza fuertemente a una estacin mientras que ignora las otras ondas de radio que estn presentes en el lugar. La tasa de modulacin o frecuencia a menudo excede los 5kHz, una velocidad mucho mayor a la que puede detectar el ojo humano. Los sensores fotoelctricos conmutan o modulan rpidamente la corriente conducida por un LED. Un ciclo de trabajo suave o poco intenso (normalmente inferior al 5%, ver imagen 32) permite que la cantidad de corriente y, por tanto, la cantidad de luz emitida excedan con creces el lmite permisible en una operacin continua.

Imagen 32

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Generalmente, los LED emiten luz y los fotodetectores son sensibles a la luz en una amplia zona. Para estrechar o definir zona de deteccin se utilizan lentes con los LED y fotodetectores. A medida que se estrecha la zona, el alcance del LED o de los fotodetectores aumenta, tal como se muestra en la imagen 33 siguiente. En consecuencia, las lentes aumentan la distancia de deteccin de los sensores fotoelctricos.

Imagen 33

El haz de luz de una combinacin de LED y lente suele tener forma cnica. En la mayora de los sensores, el rea del cono aumenta con la distancia.

Modos de deteccin de los sensores fotoelctricos Este tipo de sensores generalmente incorporan un circuito que permite la activacin de sensores por la presencia o por la ausencia del objeto, a estos modos se les denomina Light ON y Dark ON. 1. Light ON (Activacin por Luz); El objeto por si mismo debe reflejar el haz de luz al lente del receptor. 2. Dark ON (Activacin por Obscuridad); El objeto debe romper o disminuir un haz de luz existente entre la fuente de luz y el lente receptor.

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Otro tipo de clasificacin de estos sensores se basa en la forma de cmo se realiza el sensado. El sistema ptico de un sensor fotoelctrico est diseado para uno de los cuatro modos de sensado: Transmisin (Separado) o tipo barrera Retrorreflectivo o rflex (con seal sin polarizar o polarizada) Reflexin Difusa o de proximidad Reflexin definida Sistemas de fibra ptica Muchas situaciones de sensado pueden ser resueltas por la eleccin de uno de estos modos. Sin embargo, hay usualmente un mejor modo para cada variable a sensar. Estos mtodos se describirn a continuacin: Transmisin (Separado) o tipo barrera En este modo de deteccin, la fuente de luz (emisor) y el receptor se encuentran en carcasas distintas. Las dos unidades se colocan una frente a la otra de manera que la luz del emisor ilumine directamente al receptor. Para detectar el objeto, el haz que se extiende entre la fuente de luz y el receptor no puede verse interrumpido. (Imagen 34).

Imagen 34

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Retrorreflectivo o rflex (sin polarizar y polarizado) Los modos de deteccin ms comunes son el retrorreflectivo y el retrorreflectivo polarizado. Un sensor retrorreflectivo tiene el emisor y el receptor en una sola carcasa. El haz de luz del emisor rebota en un reflector (o material reflectivo especial) y es detectado por el receptor. El objeto es detectado cuando interrumpe este haz de luz, tal como se observa en la imagen 35.

Imagen 35

Para la deteccin retrorreflectiva se utilizan reflectores especiales o cintas reflectantes como los mostrados en la figura 36. Al contrario que los espejos u otras superficies reflectivas planas, estos materiales reflectivos no tienen que estar perfectamente alineados en perpendicular con el sensor. Existe una amplia gama de reflectores. La distancia de deteccin mxima disponible con un sensor retrorreflectivo depende en parte del tamao y de la eficacia del reflector.

Imagen 36

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Los sensores retrorreflectivos polarizados contienen filtros polarizantes delante del emisor y del receptor que orientan la luz a un solo plano. Estos filtros estn colocados en perpendicular o con un desfase de 90 entre s. El haz de luz se polariza cuando pasa por el filtro. Cuando la luz polarizada se refleja en un objeto, sigue permaneciendo polarizada y cuando se refleja en un reflector despolarizante, se despolariza; se observa el detalle de esta polarizacin en la imagen 37. El receptor slo puede detectar la luz reflejada que se haya despolarizado. Por ello, el receptor no ve (no recibe) la luz de objetos reflectivos que no hayan
Imagen 37

despolarizado la luz. Reflexin difusa La deteccin retrorreflectiva y la deteccin de haz transmitido crean un haz de luz entre el emisor y el receptor, o entre el sensor y el reflector. En este caso es necesario poder acceder a ambos lados del objeto. A veces es difcil, o incluso imposible, acceder a ambos lados de un objeto. En estas aplicaciones, es necesario detectar un reflejo que proceda directamente del objeto. La superficie del objeto esparce la luz en todas direcciones y slo una pequea parte se refleja hacia el receptor. Este modo
Imagen 38

de deteccin se llama deteccin difusa, se ve el funcionamiento en la figura 38.

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El propsito de la deteccin difusa es lograr un margen relativamente alto al detectar el objeto. Cuando el objeto no est presente, los reflejos de cualquier fondo deben representar un margen lo ms cercano a cero. Los objetos difusos reales a menudo son bastante menos reflectivos, como se muestra en la siguiente tabla.

Hay diversos tipos de deteccin difusa. La ms sencilla es la difusa normal, si bien existen otros tipos como difusa de corte abrupto, difusa con supresin de fondo, difusa de foco fijo y difusa gran angular. Todas ellas poseen cierta variedad de ventajas o desventajas y algunas aplicaciones las cuales se mencionaran ms delante. Reflexin definida Los sensores con reflexin definida son aquellos que permiten la deteccin de objetos con ciertas cualidades fsicas, ms

especficamente del color de los mismos (y en ciertas ocasiones de la forma o tamao). Emplean bsicamente las propiedades de absorcin de determinadas longitudes de onda
Imagen 39

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de los objetos (segn del material y color de que estn formados) para nicamente reflejar y detectar las solicitadas por el receptor. Este tipo de deteccin permite al sensor conocer que material o qu condiciones del mismo se tienen en el producto, ver imagen 39. Su campo de accin es muy grande, desde la industria alimenticia, para la calidad de los productos, hasta las industrias de embalaje y paquetes para lectura de cdigos y marcas de colores, entre otras. Sistemas de fibra ptica Los sensores de fibra ptica permiten el acoplamiento de tubos de luz llamados cables de fibra ptica. La luz que proviene desde el emisor se enva a travs de las fibras transparentes de los cables y sale por el otro extremo de la fibra. El haz transmitido o reflejado regresa al receptor a travs de fibras diferentes. Los cables de fibra ptica se pueden montar en lugares que de otra manera seran inaccesibles para los sensores fotoelctricos. Se pueden utilizar en lugares donde la temperatura ambiente es elevada y en aplicaciones donde sean necesarios choques y vibraciones extremos o movimientos continuos en el punto de deteccin (como se describe ms abajo). Los cables de fibra ptica tambin se pueden utilizar para detectar objetos pequeos y son los que ofrecen la respuesta ms rpida, se detalla ms claramente en algunas aplicaciones mostradas en las figuras de la imagen 40. Para los cables de fibra ptica se utiliza tanto vidrio como plstico. Las fibras de vidrio se pueden utilizar con LED infrarrojos o visibles. Las fibras de plstico absorben la luz infrarroja y por ello son sumamente eficaces cuando se usan con LED rojos visibles.

Imagen 40

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Ventajas y desventajas de los diferentes sistemas de deteccin fotoelctricos En la siguiente tabla se mencionan algunas aplicaciones prcticas, las ventajas y desventajas o inconvenientes de los diversos sistemas de deteccin fotoelctricos con el fin de tener una comparacin simple de los diversos sistemas.

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APLICACIONES DE SENSORES FOTOELCTRICOS

Las aplicaciones de los sensores fotoelctricos, como se ha mencionado a lo largo de este documento, son muy variadas pero principalmente son usadas para la deteccin, proximidad y presencia de los objetos y productos en las lneas de produccin; los inconvenientes de algunas configuraciones de sensado ptico son compensados por otras configuraciones diferentes, por lo que todas las tecnologas en conjunto tienen una gran gama de aplicacin. Entre sus principales ventajas son accesibilidad de deteccin en ambientes muy contaminados, no importa la naturaleza del material (metlico o no metlico), pueden detectar materiales opacos y transparentes (segn la configuracin a usar), entre otras muchas. A continuacin se detallan algunos de las caractersticas de aplicacin ms generales: o Deteccin de fines generales o Conteo de piezas o Deteccin de marcas de color y lectura de cdigos o Deteccin de objetos a una distancia especifica o Ofrecen ventajas de espacio respecto a otros tipos de sensores segn la configuracin elegida Segn los modelos de los detectores y los requisitos segn la aplicacin la emisin se puede realizar con: Luz infrarroja (es el caso ms habitual de deteccin) Ultravioletas (uso en materiales luminiscentes) Luz visible roja (con longitud de onda desde 627 hasta 770nm) Luz visible verde (aplicaciones de lectores de cdigos, longitud de onda entre 495 a 566nm) Laser rojo (aplicaciones de focalizacin reducida)

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EJEMPLOS DE APLICACIONES INDUSTRIALES

A continuacin se ilustran (desde la imagen 41 hasta la 50) algunas aplicaciones bsicas de los sistemas de deteccin fotoelctricos u pticos.
Imagen 41

Sistema de deteccin de doble hoja en un sistema de imprenta, se observa el empleo de un sistema fotoelctrico de transmisin o tipo barrera, el uso de un amplificador de la seal y el actuador final (alarma).

Imagen 42

Dispositivo para la deteccin de flancos o bordes mecnicamente convergentes, se emplea una configuracin tipo barrera, se detectan bordes o discrepancias en el acabado de los cortes realizados por una sierra mecnica.

Imagen 43

Sistema empleado para la deteccin de residuos en rodillos de sistemas de produccin, de manera semejante para la deteccin de productos en una lnea de produccin, se observa el uso de un sistema retroreflectivo sin polarizar.

Imagen 44

Deteccin de paquetes opacos (costales de harina) por medio de la reflexin difusa del objeto; aunque tambin es aplicable la deteccin de color del producto con esta misma base de construccin.

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Imagen 45

Deteccin de piezas con cables de fibra ptica individuales en lugares donde el espacio o las condiciones del lugar limitan el uso de otra configuracin ptica u otros sistemas de deteccin (inductivos, capacitivos).

Imagen 46

Aplicaciones del rea farmacutica, embalaje: ausencia de pastillas en el blster. Empleo de sistemas de deteccin tipo barrera.

Imagen 47

Sistemas de aplicacin en el rea metalrgica, lneas de produccin para detectar piezas defectuosas o caractersticas indeseables; empleo de sistemas retroreflectivo, difusos o de fibra ptica.

Imagen 48

Produccin en el rea alimenticia, de envases transparentes u opacos, deteccin botellas en una determinada posicin (empleo de sistema lgico de deteccin); empleo de sistemas retroreflectivo polarizado.

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Imagen 49

Produccin en el rea alimenticia, deteccin de color para la condicin y calidad de los alimentos (frutas, vegetales, galletas, pasteles, etc), caractersticas de los sistemas definidos de deteccin.

Imagen 50

Sistemas de deteccin de marcas y cdigos por medio de etiquetas de colores empleando mtodo de reflexin definida.

USOS PRCTICOS DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS

A continuacin se mencionan un par de casos prcticos del uso de sensores pticos o fotoelctricos. 1. Sensores pticos en soldadura de alta velocidad La tecnologa busca constantemente incrementar la velocidad de la soldadura a la vez que se mejoran las garantas del proceso. VRV-Evans ha desarrollado narrow gap welding technology que puede depositar capas de soldadura a velocidades por encima de 1 m/min. Sin embargo, tales velocidades altas amenazan los lmites de las costuras de arco. La compaa tambin identifica que los procesos de unin de la tubera total pueden mejorarse dramticamente si se obtiene informacin sobre la unin y la preparacin que requiere la soldadura. Los investigadores mostraron que eran posibles velocidades de 2m/min.

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El diseo del sensor consiste en una cmara de Megapixel CMOS con un dispositivo de integracin de escala muy grande, incluyendo un FPGA y un poderoso DSP. El sistema de visin tiene un campo de vista de 50 mm y una resolucin horizontal en pixels de 0,05 y una resolucin de pixel vertical de 0,07mm, ver imagen 51.

Imagen 51

El sensor en si mismo tiene un diseo completamente digital y est diseado para una fcil integracin dentro del control digital y sistemas de comunicacin, tanto con ethernet de alta velocidad como con interfaces de bus CAN. Estos enlaces externos proporcionan la interface digital-a-digital al sistema de soldadura CRC. Aplicaciones Este tipo de soldadura tiene especiales aplicaciones en soldadura de tuberas, donde hay cambios permanentes en geometra y posicin. El Smart Laser Sensor mide estos cambios en tiempo real durante el proceso de soldadura. Los datos son enviados va comunicacin de alta velocidad al sistema de control del movimiento preciso. 2. Sensores pticos para detectar pequeos objetos en movimiento rpido Los sensores controlan presencia/posicin y realizan mediciones en una gran variedad de aplicaciones industriales. Para aplicaciones sensoras que impliquen distancias de hasta 200 mm, Baumer ha introducido recientemente el nuevo Long-Range ParCon, un sensor de la lnea ptica analgica que proyecta ancho continuo de 24 mm de luz paralela a un reflector, y permiten detectar de forma rpida y fiable partes mviles tan pequeas como 0,5 mm. El sensor puede tambin medir objetos anchos independientemente de la posicin del objeto en el campo de medicin, ver imagen 52.

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Se trata de una alternativa efectiva en costes a la tecnologa de cortinas de luz, que detectan con exactitud y miden objetos metlicos y no metlicos a tasas de procesamiento de alta velocidad de hasta 1 kHz con resoluciones de hasta 0,1 mm. Long-Range Parcon est diseado para detectar con exactitud bordes de materiales en aplicaciones tales como embalajes, fabricacin textil, produccin de papel, grfica/impresin.
Imagen 52

Este sensor tambin puede utilizarse en fabricacin de PCB, embalaje de alimentos y bebidas, automatizacin de laboratorio, fabricacin de dispositivos mdicos y aplicaciones de metalmecnica. El sensor se caracteriza por un haz de luz paralelo ancho de 24 mm que permite la deteccin exacta y medicin del espesor de objetos independientemente de su localizacin en el rea sensora. Dimensionado a 67 x 34 x 16.5 mm, la carcasa de LongRange ParCon contiene el emisor, receptor, y especialmente la ptica. Solamente un reflector es necesario para operar el sensor, por lo cual se monta rpidamente en pequeas aplicaciones espaciales.

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CARACTERSTICAS O ESPECIFICACIONES PRINCIPALES DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS

Todas las caractersticas que se describen a continuacin aparecen normalmente en las hojas de especificaciones de los fabricantes de los diversos sensores existentes en el mercado, algunos agregan estas caractersticas con nombres diferentes, mientras que algunos otros muestran ciertas caractersticas ms especficas de instrumentacin industrial como exactitud y precisin. Salida de operacin por luz/en oscuro Los trminos operacin por luz y operacin por oscuridad se usan para describir la accin de la salida de un sensor cuando un objeto est presente o ausente. Una salida de operacin con luz se activar (activada, nivel de lgica uno) cuando el receptor pueda ver la luz proveniente de la fuente de luz. Para la deteccin de retrorreflectiva y de haz transmitido, una salida de operacin por luz se activar cuando el objeto est ausente y la luz pueda viajar de la fuente de luz al receptor. Para la deteccin difusa (todos los tipos), la salida se activar cuando el objeto est presente y refleje la luz de la fuente de luz al receptor. Una salida de operacin en oscuro se activar (activada, nivel de lgica uno) cuando el receptor no pueda ver la luz proveniente de la fuente de luz. Para la deteccin de retrorreflectiva y de haz transmitido, una salida de operacin en oscuro se activar cuando el objeto est presente y la luz que proviene de la fuente de luz sea bloqueada y no pueda llegar al receptor. Para la deteccin difusa (todos los tipos), una salida de operacin en oscuro se activar cuando el objeto est ausente. Distancia mxima de deteccin Esta especificacin se refiere a la distancia de deteccin de: El sensor al reflector, en sensores retrorreflectivos y retrorreflectivos polarizados.

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El sensor al objeto especificado, en todos los tipos de sensores difusos. La fuente de luz al receptor, en sensores de haz transmitido.

La mayora de los entornos industriales producir contaminacin de las lentes del sensor y de los reflectores u objetos. Los sensores se deben aplicar a distancias ms cortas para aumentar el margen para un valor aceptable y mejorar la confiabilidad de la aplicacin. Distancia mnima de deteccin Muchos sensores retrorreflectivos, retrorreflectivos polarizados y difusos (la mayora de los tipos) tienen una pequea rea ciega cerca del sensor (Figura 53). Los reflectores, las cintas reflectivas o los objetos difusos se deben colocar a una distancia mayor del sensor que esta distancia mnima de deteccin a fin de obtener un funcionamiento confiable. Tiempo de respuesta
Imagen 53

El tiempo de respuesta de un sensor es la cantidad de tiempo que transcurre entre la deteccin de un objeto y el cambio de estado del dispositivo de salida de activado a desactivado o viceversa, esta es la caracterstica dinmica principal de los sistemas y elementos de medida. Corresponde igualmente a la cantidad de tiempo que se necesita para que el dispositivo de salida cambie el estado una vez que el objeto ya no es detectado por el sensor. Los tiempos de respuesta estn en funcin del diseo del sensor y de la eleccin del dispositivo de salida. Los sensores ms lentos usualmente ofrecen rangos de deteccin ms largos. Los sensores muy rpidos normalmente tienen rangos de deteccin ms cortos. Los tiempos de las respuestas de un sistema estn en funcin de los compuestos del que estn hechos el receptor y emisor, en los fotodiodos la velocidad de respuesta est dentro del orden de los nanosegundos, en los elementos fotoresistivos tienen velocidades de respuesta desde los 100ms hasta solo 10ms; los fototransistores, al igual que los

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fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Campo de visin Para la mayora de los sensores fotoelctricos, el haz de luz proveniente de la fuente de luz y el rea de deteccin frente al receptor se proyectan lejos del sensor en forma cnica. El campo de visin es una medida (en grados) de esta rea cnica. El campo de visin es una especificacin til para determinar el rea de deteccin disponible a una distancia fija alejada de un sensor fotoelctrico, en la imagen 54 se muestra un esquema de cmo varia relativamente el campo de visin en estos tipos de sensores respecto a la distancia relativa de deteccin.

Imagen 54

Histresis Los sensores fotoelctricos cuentan con histresis (o diferencial). La histresis de un sensor fotoelctrico es la diferencia entre la distancia a la que se puede detectar el objeto mientras se mueve hacia el sensor y la distancia a la que se tiene que alejar del sensor para dejar de ser detectado.
Imagen 55

Cuando el objeto se acerca al sensor, se lo detecta a una distancia X. Cuando se aleja, se lo sigue detectando hasta que llega a la distancia Y; tal como se muestra en la imagen 55.

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La elevada histresis de la mayora de los sensores fotoelctricos es til para detectar grandes objetos opacos en aplicaciones retrorreflectivas, retrorreflectivas polarizadas y de haz transmitido. La histresis elevada no suele verse afectada por la colocacin del objeto dentro del haz efectivo. En las aplicaciones difusas, una gran diferencia en la luz reflejada del objeto y el fondo tambin permite el uso de sensores de histresis elevada. La histresis reducida requiere cambios menores en el nivel de luz. Algunos sensores fotoelctricos estn diseados para poder seleccionar una histresis baja. Los sensores de histresis baja se utilizan sobre todo para detectar objetos transparentes, marcas de registro de bajo contraste y objetos que no interrumpen todo el haz efectivo. Algunas de estas caractersticas vienen indicadas en las Hojas de especificaciones del fabricante, mientras que algunas otras no, esto es debido a que las aplicaciones a las que estn dedicadas son de criterio industrial y de produccin. Esta seccin respecto a las hojas de especificaciones se detallar en una seccin ms delante.

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CARACTERSTICAS O ESPECIFICACIONES SECUNDARIAS DE LOS SENSORES FOTOELCTRICOS

Dentro de las caractersticas secundarias que se dan en las hojas de especificaciones de los sensores fotoelctricos (aunque se dan las mismas para todos los sensores sin importar el tipo de deteccin, ya sea inductivo, capacitivo, ultrasnico, etc.) se pueden mencionar las siguientes: Voltaje nominal de alimentacin o de suministro para su correcta operacin en volts (V). Intensidad de corriente del sensor en amperes (A). Tipos de conexin para las juntas o cables de transmisin de datos. Tipo de conductor a emplear para su correcto funcionamiento. Tipo de sujecin o conexin para el lugar donde ser montado (tipo de rosca de la junta). Caractersticas de ajuste del sensor, si las tiene (sensibilidad, tipo de retardo, tipo de operacin a luz/oscuridad, ajustes de mono o multi-impulsos del emisor). Diagramas del Caractersticas del entorno de operacin (segn las normatividades NEMA, CSA, IEC y CE). Certificaciones de directivas (NEMA, CSA, CE, IEC, entre otras). Condiciones trmicas lmite y de servicio para el correcto funcionamiento del elemento en C ( en F, o en ambas u otras como K y R). Condiciones de trabajo mecnico y de resistencia bajo las cuales se someter el sensor en su ubicacin final (vibraciones, esfuerzos, impacto, etc.) Condiciones de humedad ambiente de operacin, humedad relativa. Conjeturas sobre los indicadores externos, tales como indicadores luminosos o sonoros. Indicaciones sobre protecciones extras de los sensores, tales como sobrecarga, cortocircuito, falsa deteccin, inversin de polaridad.

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Material de la envolvente del elemento o carcasa. Material con el que esta manufacturada la lente. Accesorios suministrados por el fabricante al adquirirlo. Accesorios extras u opcionales del dispositivo sensor. Diagramas de conexin de los elementos al sistema de control. Esquemas de las dimensiones del sensor. Caractersticas de peso del sensor. Notificaciones de los cuidados y mantenimientos sobre el sensor. Graficas de operacin o de respuesta de los elementos sensores ante cambios de iluminacin, temperatura, entre otras). Algunas aplicaciones generales de uso. Grados de proteccin segn dependencias y normatividades (NEMA, CSA, IEC, CE, DIN). Otras particularidades y Notaciones extras a las antes mencionadas respecto al montaje y cuidados.

Estas caractersticas de detallan con mayor claridad sobre las hojas de especificaciones. En los sensores, algunas de estas propiedades y caractersticas no son publicadas mientras que otras si estn en las hojas de datos, segn indique el fabricante.

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SENSORES COMERCIALES Y HOJAS DE ESPECIFICACIONES

Existe una gran variedad de fabricantes y consultores internacionales que disean y crean una diversidad de sensores, algunos de estos estn dedicados a solo ciertos tipos ya sea inductivos, capacitivos, fotoelctricos, laser, magnticos, ultrasnicos, entre otros; mientras que las ms grandes empresas dedican sus actividades a toda la gama de sensores para la industria de automatizacin y produccin. A continuacin se mencionan algunas de las empresas ms importantes en desarrollar sensores de tipo fotoelctrico y ptico. Adems se anexa un respectivo link hacia uno de los catlogos principales de la empresa, hojas de especificaciones de los sensores tipo fotoelctrico y/o lista de accesorios que ofrecen:

a) Rockwell Automation - Allen Bradley Catalogo general y manual de operarios Catalogo de sensores fotoelctricos

b) BALLUFF Catalogo de sensores fotoelctricos Catalogo accesorios

c) OMRON Catalogo de sensores fotoelctricos

d) PEPPERL FUCHS Visolux Catalogo general de empresa y aplicaciones Catalogo de sensores fotoelctricos

e) BANNER-TURCK Catalogo de sensores fotoelctricos

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f) Schneider Electric (Telemecanique) Catalogo general de sensores

Otros fabricantes son: g) OPTEX FA h) DATALOGIC i) IFM Electronic j) EMX Industries, inc. k) Carlo Gavazzi l) Telco Sensors m) Di-soric n) Leuze Electronic o) Sensor Instruments p) AECO q) Rechner Sensors r) Red Ion s) Bernstein t) CEDES u) DELTA

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v) EGE w) Braun x) Sick, Sensor Intelligence y) Dinel z) Eltrotec aa) Wenglor bb) Riko cc) Baumer

Las empresas antes mencionadas pueden ser buscadas en internet o con los respectivos distribuidores, la pgina siguiente: http://www.directindustry.es/tab/sensor-

fotoelectricos.html es propiedad del servidor Direct Industry, y este facilita a los diseadores de sistemas de control la ubicacin de dispositivos sensores. En esta pgina uno puede acceder y encontrar las diversas hojas de especificaciones de los dispostivos sensores segn la empresa.

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DISEO DE EXPERIMENTOS PARA DETERMINAR LAS CARACTERSTICAS PRINCIPALES DEL SISTEMA DE MEDIDA
Caractersticas estticas del sistema de medida A continuacin se describen unos breves experimentos que podran emplearse para la determinacin de las caractersticas estticas del sistema de deteccin que emplea elementos fotoelctricos. Exactitud y precisin Un experimento para la determinacin de la exactitud y precisin consiste en hacer pasar un objeto, de tamao proporcional al haz de luz, de forma transversal o perpendicular al rayo del sensor a una determinada distancia un gran nmero de veces; esto con el fin de saber bajo que distancias y caractersticas estadsticas del objeto, el sensor es capaz de detectarlo sin problemas y con un intervalo de confianza mayor al 95%. Segn la aplicacin del sensor se pueden tener los siguientes casos de experimentacin:

Si el sensor de desea implementar para la deteccin de objetos pequeos, marcas,

color y/o cdigos (sistemas de deteccin difusa), determinar primeramente el tamao y caractersticas de reflexin estndar del objeto a emplear segn la focalizacin del haz de luz del sensor (si se tienen lentes para mejorar o enfocar el rango de visin) para despus de manera estadstica establecer aquellas distancias mnima y mxima bajo las cuales el sensor es capaz de realizar la deteccin con una confiabilidad de al menos el 95% o mayor (se prefiere una confianza muy cercana al 100% debido a que estos sensores son empleados en sistemas de alta velocidad de conmutacin).

Si el sistema a emplear es necesario para la deteccin de objetos relativamente

grandes (en comparacin al haz de luz emitido) que entran a una zona de operacin o trabajo (es el caso de zonas de seguridad para operarios o aplicaciones para interpretacin de la forma y caractersticas de un objeto, sistemas de deteccin retroreflectivos y de barrera); determinar de manera estadstica, bajo

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qu condiciones de forma y tamao es sensor es capaz de realizar la deteccin sin problemas con una confianza de al menos un 95%. Aqu implicaran mucho las caractersticas de transparencia del objeto a detectar y la cantidad de luz a bloquear que sea necesaria para que el sensor entre en operacin. Sensibilidad El experimento empleado para determinar sta caracterstica del sensor consiste en colocar la pieza de caractersticas estndar a detectar en una posicin cercana al umbral de conmutacin (nico cuando el sensor es de sistema difuso y mltiple cuando el sensado es de tipo barrera o retroreflectivo) de manera de poder determinar bajo que rango de histresis de movimiento del objeto (caracterstica normal de estos tipos de sensores) el sensor pasa de un estado a otro, determinando esta caracterstica de manera estadstica por medio de varias lecturas de desplazamiento. Linealidad, resolucin e histresis Debido a que la mayora de estos sensores trabajan mediante pasos discretos de deteccin, un experimento para comprobar la curva de calibracin terica del sensor con respecto a la real consiste en desplazar la pieza desde la posicin mnima de deteccin hasta la mxima, realizando sta actividad un nmero determinado de veces con el fin de tener un anlisis estadstico y poderlo comparar con el terico esperado, conociendo las fronteras reales de conmutacin. La resolucin esperada para este tipo de sensores debe ser mnima, pues se espera que al detectar el objeto se tenga el todo en la seal de salida, con una mxima ganancia del sistema sin pasos intermedios. Otro de los fines de esta prueba seria el inspeccionado de la continuidad de la curva en el rango activo de operacin, debido a la configuracin de la pieza a detectar; esto es, que la curva de calibracin real no presente ruido o discrepancias significantes en su seal.

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Caractersticas dinmicas del sistema de medida La caracterstica dinmica principal de un sistema de medida por elementos fotoelctricos consiste en el grado de velocidad de respuesta del sistema ante la alta frecuencia de operacin o conmutacin, tales son debidas sobre todo a los elementos acondicionadores que son empleados para la amplificacin de la seal de las configuraciones fotoelctricas (configuraciones de amplificadores operacionales u otros circuitos internos a los mismos). Tericamente la velocidad de respuesta de los elementos fotoelctricos es muy alta debido a que la seal empleada para su activacin es la misma luz, pero en los sensores reales sta es restringida por los otros bloques constituyentes del sensor. Adems, el sistema de deteccin fotoelctrico puede no tener oscilacin alguna de respuesta ante la luz que lo irradia (sistema de orden cero). Un experimento que puede ser empleado para la determinacin de la capacidad mxima de conmutacin o de respuesta del sistema, es hacer pasar el haz de luz del sensor a travs de un disco que gira a una determinada velocidad angular y que cuenta con un nmero N de ventanas o marcas que el sensor es capaz de detectar en comparacin del mismo disco; en el momento que la salida no sea capaz de realizar la conmutacin de alta velocidad, se habr llegado al lmite o umbral de la frecuencia mxima de operacin del sensor, observe la figura 56. Para determinar el tiempo de respuesta del sistema, se determina el inverso de la frecuencia a la que trabajara el sensor por medio de las siguientes suposiciones. La velocidad angular de operacin del disco est dada por la expresin:
Imagen 56

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Despejando la frecuencia se tiene que:

Donde f representa la velocidad a la que se realiza una revolucin el disco, pero por cada revolucin del disco se tienen N elementos detectores es decir que la frecuencia debe de aumentar de manera proporcional al nmero N de ventanas o marcas, por lo tanto:

Para determinar la velocidad de conmutacin, se invierte la frecuencia con el fin de obtener el periodo o transcurso de tiempo entre cada ventana, el cual es el tiempo de conmutacin, y cuando se tiene la velocidad limite o mxima de deteccin se tendr el tiempo mnimo de respuesta, tal como:

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FUENTES DE INFORMACIN CONSULTADAS

Bibliografas: BOYLESTAD Robert L., NASHELSKY Louis; Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos; Dcima edicin, Prentice Hall, Mxico 2009. Link ROCKWELL Automation Allen Bradley; Fundamentos del sensado o deteccin de presencia (manual de capacitacin); Rockwell International, publicacin enero 2000. Link

Pginas de internet: http://labellateoria.blogspot.mx/2007/02/la-luz-algo-sobre-su-historia.html http://es.wikipedia.org/wiki/Radiaci%C3%B3n_electromagn%C3%A9tica http://es.wikipedia.org/wiki/Espectro_electromagn%C3%A9tico http://www.espectrometria.com/espectro_electromagntico http://rabfis15.uco.es/lvct/tutorial/21/Propiedades%20de%20las%20ondas.html http://edison.upc.es/curs/llum/luz_vision/luz.html http://todoproductividad.blogspot.mx/2010/03/sensores-opticos-para-detectarpequenos.html http://todoproductividad.blogspot.mx/2010/06/sensores-laser-en-soldadura-dealta.html

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CONCLUSIONES Y POSIBLES MEJORAS ADAPTACIONES

Los sensores fotoelctricos poseen algunas de las caractersticas ms deseables de un sistema de sensado, alta precisin y elevada rapidez de respuesta, es por ello que se ha aumentado su uso en las industrias y lneas de produccin. Su elevado uso y aplicacin es tambin debido a que estos sensores se pueden usar en objetos en los que no importa su naturaleza (metlica y no metlica), su tamao o su forma, solo en ciertas aplicaciones importa su color; adems que no importan las condiciones del ambiente. Algunas de las posibles mejoras que yo podra considerar para estos sensores podra ser la adicin de elementos o indicadores que faciliten su alineacin en el momento del montaje, esto para el caso de sensores infrarrojos ( ultravioletas), los cuales no visibles por el ojo humano (aunque es posible que algn fabricante ya tenga implementados estos elementos). Otra adaptacin que podra considerarse estara en el uso de multisensores en una sola unidad, consistiran en la implementacin de un conjunto de unidades receptoras con diferentes caractersticas o cualidades de deteccin (deteccin del color, consideraciones de calidad y forma de los objetos, simple deteccin de presencia, entre otras) con el fin de emplear un nico sensor para ello; esto podra ser posible empleando mltiples filtros de polarizacin de las ondas de luz reflejadas desde los objetos y diferentes materiales de composicin en los elementos de los receptores con el fin de detectar seales de diferentes longitudes de onda. En caso de ser posible la anterior adaptacin, acondicionar estas seales independientes de manera que puedan ser transportadas en una nica lnea de conduccin de fibra ptica con el fin de ahorrar material y espacio en los elementos; esto debido a que la fibra ptica es capaz de transportar un conjunto de seales sin mezclarse ni interrumpirse. Para que estas mejoras fuesen realizables sera necesario tener un alto conocimiento en ptica y en comunicaciones de seales para realizar experimentaciones y primeros modelos tiles.