El TEC tiene tres elementos. El terminal nodo se conoce como el drenaje y el terminal ctodo se conoce como fuente.

El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base.

Adems existen otros TEC que utilizan metales y materiales xidos, dando como un resultado un TEC que se conocen como Transistor de Efecto de Campo de xido de metal y semiconductor, que se abrevia TELCOMS ( o MOSFET por sus iniciales en y ingles ).

al JFET. El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo del drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSET de enriquecimiento, y capa de SiO2 acta como aislante. Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de vGS. Como la compuerta est aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequea (10-12 A) y puede ser de cualquier polaridad.

MOSFET de Enriquecimiento:
El MOSFET de enriquecimiento de canal n El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de

empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae a los electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n.

MOSFET y BJT. Ventajas e inconvenientes

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,

Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N

Smbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERSTICA Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

Conclusin.

Los transistores de efecto de campo tienen una muy elevada impedancia de entrada, es decir una gran resistencia en la entrada. Existen dos tipos de transistores de efecto de camp