Apostila de Transistor

ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof.
Edgar Zuim
1
TRANSISTOR TRANSISTOR TRANSISTOR TRANSISTOR DE DE DE DE JUNO JUNO JUNO JUNO BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR - -- - I II I
Prof. Edgar Zuim Prof. Edgar Zuim Prof. Edgar Zuim Prof. Edgar Zuim

O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de
tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um
fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes
como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia,
osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons
participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador,
eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).

ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAO:
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim
2
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de
transistores:

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao
direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com
a polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios
do material p para o material n.
Transistor npn com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base.
Transistor pnp com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base
3
2 - Juno reversamente polarizada:
Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,
conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao
direta entre emissor e base.
Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de
depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo
de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende
tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser
diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
4
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (I
B
),
sendo da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo
alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para
transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.

Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.

A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente
de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores
minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.

Desta forma a corrente de coletor (I
C
),

formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (I
CO
) ou (I
CBO
).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:

I
E
= I
C
+ I
B
, onde:
I
C
= I
C (PORTADORES MAJORITRIOS)
+ I
CO
ou

I
CBO (PORTADORES MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em
um transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o
processo de anlise o mesmo.

Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (I
CO
ou I
CBO
)
provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a
corrente de base (I
B
) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada
5
por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (I
E
) e de coletor (I
C
) tambm
tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de
anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar
que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as
lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os
eltrons.

A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma
regio de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada
pela bateria V
EE
enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em
funo da bateria V
CC
. Na prtica, V
CC
assume valores maiores do que V
EE
.

Como j foi dito anteriormente, a corrente I
C
o resultado dos portadores
majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em
duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polarizada coletor-base, denominada I
CBO
, sendo que esta ltima
assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.

A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor
depende do tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia
de acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)
1
, de
forma que, a corrente de coletor representada por I
E
. Os valores tpicos de
variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao
coletor
2
.

Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95,
sabendo-se que a corrente de emissor 2mA?
Soluo:
I
C
= I
E
I
C
= 0,95 . 2mA = 1,9mA

1
O smbolo h
FB
algumas vezes usado na lugar de
2
Isto explicvel, pois menor do que 1.
6
Caso I
CBO
no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

I
C
= I
E
+ I
CBO
( I )

Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:

I
E
= I
C
+ I
B
( II )

Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:

I
B
= (1 - ) . I
E
- I
CBO
=
- 1
. I
C
-
CBO I

A relao / (1 - ) representada por (beta)
3
.
Podemos ento estabelecer as relaes:

=
- 1

=
1 +

Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
=
0,92 - 1
0,92
=
0,08
0,92
= 11,5

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
=
1 +
=
101
100
= 0,99

Podemos ento estabelecer uma relao entre e .
4

Temos ento:
=
B
C
I
I
e =
E
C
I
I

assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a
aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que I
C
= I
E
, para um valor de 100, podemos
considerar para fins prticos:
I
C
= I
E

3
O smbolo h
FE
algumas vezes usado no lugar de
4
Alguns autores utilizam a notao
CC
e
CC
7
CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-
se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e
sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja
efetivamente aterrada para sinais alternados.

EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "C
E
" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. C
A
um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): < 1
Ganho de tenso (G
V
): elevado
Resistncia de entrada (R
IN
): baixa
Resistncia de sada (R
OUT
): alta
CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
) elevado
IN
) mdia
OUT
) alta

8
COLETOR COMUM:
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de
emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na
entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "C
C
" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. C
A
um capacitor de acoplamento de sinal.

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm
denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes
tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:

REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES:
Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-
se usualmente o mtodo convencional (do + para o -), atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e
as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por V
CE
quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o
CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
): 1
IN
): muito
elevada
OUT
): muito
baixa

9
emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais
positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por V
EC
,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando
essa representao.

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes;
observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que
indicam as tenses.

Para as tenses V
RC
(tenso no resistor de coletor) e V
RE
( tenso no resistor de
emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais
positiva do que na parte inferior.

POLARIZAO COM UMA NICA BATERIA:
Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias,
sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-
coletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito
transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como
resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de
Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
10
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso
na base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.

Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do
sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:

1. V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0
2. V
CE
-V
BE
- V
CB
= 0
3. V
CC
- V
RB1
- V
RB2
= 0
4. V
RB1
- V
RC
- V
CB
= 0
5. V
RB2
- V
BE
- V
RE
= 0
6. V
CC
- V
RC
- V
CB
- V
BE
- V
RE
= 0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos:

1. I
B
= I
1
- I
2

2. I
1
= I
2
+ I
B

CURVAS CARACTERSTICAS:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.

De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem
ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor
operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.

A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim
didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
11

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM:
A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde I
B
= 0.
A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser
dissipada pelo transistor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM BASE COMUM:

12
Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a
corrente de emissor controla a corrente de coletor, enquanto que na curva
caracterstica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla a
corrente de coletor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM COLETOR COMUM:
Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em
coletor comum, onde a corrente de base controla a corrente de emissor.

A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante
a vista anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de
rea til, na qual o transistor opera com total segurana.

13
A regio til delimitada pela curva de potncia mxima
5
e conforme dito
anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima
potncia permitida.

CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:

1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado
quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.

Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,
pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: I
C
= I
B

Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: V
CE
= 0,5V
CC

2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do
resistor de emissor.

Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando
tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de

5
Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
14
polarizao V
BE
, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ R
E
I
E

onde: V
RC
= R
C
I
C

logo:
V
CC

= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E

Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: V
RE
= 0,1V
CC

Equaes bsicas:
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
ou ainda: I
B
=
C I

I
E
= ( + 1)I
B

3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas:
V
RE
= 0,1V
CC

V
RC
= V
CC
- (V
CE
+ V
RE
)
15
I
B
=
C B
CC
R R
V
+

4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)

Equaes bsicas:
V
CE
= 0,5V
CC

R
E
=
E
CC
I
0,5V

I
E
= I
B

I
B
=
E B
CC
R R
V
+

5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

16
A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos
mtodos mais usados em circuitos lineares.

A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor
de tenso formado por R
B1
e R
B2
, onde R
B2
polariza diretamente a juno base-
emissor.

Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.

Aplicando Thvenin:
Abrindo o terminal da base temos: V
TH
=
B2 B1
CC B2
R R
V . R
+

Ainda com o terminal da base aberto e V
CC
em curto, temos:
R
TH
=
B2 B1
B2 B1
R R
R . R
+

Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de R
BB
enquanto
que a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de V
BB

Aplicando LKT:
V
TH
- R
TH
I
B
- V
BE
- R
E
I
E
= 0

Sendo: I
B
=
1
IE
+
, temos: I
E
=
1
R
R
V - V
TH
E
BE TH
+
+

Se R
E
for 10 vezes maior do que
1
RTH
+
, podemos simplificar a frmula:

17
I
E
=
E
BE TH
R
V - V

Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
R
TH
0,1R
E

Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um
projeto de polarizao por divisor de tenso na base:

V
E
= 0,1V
CC

V
CE
= 0,5V
CC
V
RC
= 0,4V
CC

R
C
= 4R
E
R
BB
= 0,1R
E

R
B1
=
BB
CC BB
V
V . R
ou R
B1
= R
BB
.
BB
CC
V
V

R
B2
=
BB B1
BB B1
R - R
R . R
ou R
B2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R

Clculo das correntes de emissor, base e coletor

Em funo de
I
B
=
1) (
IE
+
- I
CBO
I
E
= ( + 1)I
B
+ ( + 1)I
CBO
I
C
= I
B
+ ( + 1)I
CBO
onde: ( + 1)I
CBO
= I
CEO

Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:

I
C
= I
E
+ I
CBO

temos: I
E
= I
C
+ I
B

logo: I
C
= (I
C
+ I
B
) + I
CBO

portanto: I
C
= I
C
+ I
B
+ I
CBO

resolvendo: I
C
- I
C
= I
B
+ I
CBO
colocando I
C
em evidncia resulta:

I
C
(1 - ) = I
B
+ I
CBO

18
portanto:
I
C
=
- 1
I

- 1
I CBO B

CORRENTES DE FUGA NO TRANSISTOR:
Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto
e base aberta.
I
EBO:
a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal
termos esta situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor sempre
polarizada diretamente.

I
CEO:
Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado.
Trata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.

I
CEO
= ( + 1)I
CBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto
mais adiante.

I
CBO:
Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que,
para cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.

EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:
1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.
DADOS:
= 100
I
C
= 3mA
V
BE
= 0,7V
19
Soluo:
Adotando V
E
= 0,1V
CC
, V
CE
= 0,5V
CC
e V
RC
= 0,4V
CC
, temos:
V
E
= V
RE
= 1,2V
V
CE
= 6V
V
RC
= 4,8V

Clculo de I
B

Como = 100, podemos fazer I
C
= I
E
, logo: I
B
=
C I
=
100
3mA
= 30A
Clculo de R
E
R
E
=
E
RE
I
V
=
3mA
1,2V
= 400

Clculo de R
BB

R
BB
= 0,1.400 = 4k

Clculo de V
BB

V
BB
= R
BB
I
B
+ V
BE
+ V
RE
= 4.000.(30.10
-6
) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2

V
BB
= 2,02V
Clculo de R
C

R
C
=
C
RC
I
V
=
3mA
4,8V
= 1,6k (equivalente a 4R
E
)

Clculo de R
1

R
1
=
BB
CC BB
V
V . R
=
02 , 2
(12) . 4.000
=
2,02
48.000
= 23.762

Clculo de R
2
R
2
=
BB 1
BB 1
R - R
R . R
=
4.000 - 762 . 23
4.000) (23.762).(
=
19.762
95.048
= 4.817

Podemos tambm calcular R
2
da seguinte forma:
R
2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R
=
12
2,02
- 1
4.000
=
0,1683 - 1
4.000
=
0,8317
4.000
= 4.809 4.817

RESPOSTAS:

R
C 1,6k
R
E 400
R
1 23,762k
R
2 4,817k
I
B 30A
I
E
3mA
I
C
3mA

20
2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , I
CEO
, I
C
, I
B
, R
C
e R
B
.

Clculo de
11,5
0,92 - 1
0,92

- 1
= =
=

Clculo de I
CEO
I
CEO
= ( + 1)I
CBO
= 12,5.(6A) = 75A

Clculo de I
C

I
C
= I
E
+ I
CBO
= 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA

Clculo de I
B
I
B
= I
E
- I
C
= 4mA - 3,755mA = 245A

Clculo de R
C

R
C
=
C
RC
I
V
V
RC
= V
CC
- V
CE
- V
RE
(onde V
RE
= 0,1V
CC
)

V
RC
= 12 - 5 - 1,2 = 5,8V

R
C
=
3,755mA
5,8V
= 1.54k (1.544,6)

Clculo de R
E

R
E
=
E
RE
I
V
=
4mA
1,2
= 300

Clculo de R
B
R
B
=
B
RB
I
V
V
RB
= V
CC
- V
BE
- V
RE
V
RB
= 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
R
B
=
A 245
10,25V
= 41,84k (41.836,7)
RESPOSTAS:
DADOS:
I
E
= 4mA
V
BE
= 550mV
V
CE
= 5V
V
CC
= 12V
I
CBO
= 6A
= 0,92
21

11,5
I
CEO 75A
I
C
3,755mA
I
B
245A
R
C
1.54k
R
E
300
R
B
41,84k

3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de
polarizao, considerando = 40.

Clculo de I
B

I
B
= A 72,12
208k
15
108k 100k
15

) 40(2,7k 100k
15

R R
V
E B
CC
= =
+
=
+
=
+

Clculo de I
E

I
E
= ( + 1).I
B
= (41).72,12A = 2,96mA

Clculo de V
CE

V
CE
= V
CC
- R
E
I
E
= V
CC
- V
RE
= 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
V
RE

= 7,992V 8V

RESPOSTAS:

I
B 72,12A
I
E
2,96mA
V
CE
7V
V
RE
8V

4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir:
Considere = 100.
22

Clculo de I
B

I
B
= A 20,27
740k
15

470k 270k
15

100.4k7 270k
15

R R
V
C B
CC
= =
+
=
+
=
+

Clculo de I
C

I
C
= I
B
= 100.(20,27A) = 2,027mA

Clculo de V
CE

V
CE
= V
CC
- R
C
I
C
= 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V

RESPOSTAS:

I
B
= 20,27A I
C
= 2,027mA V
CE
= 5,473V

5 - Calcule I
C
, I
B
, R
C
e R
B
no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0
V
RC
= R
C
I
C
e V
RE
= R
E
I
E
, temos:
( II ) V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E

Clculo de I
C

23
=
B
C
I
I
, logo: I
C
= 6A . 200 = 1,2mA

Clculo de I
E

I
E
= I
C
+ I
B

= 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar I
C

= I
E

Clculo de R
C

Utilizando a equao ( II )
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8,18

R
C
= = 5,68k
mA 2 , 1
8,18 - 15
(5.683,3)

Clculo de R
B

V
RB
= V
CB
+ V
RC

R
B
I
B
= V
CB
+ R
C
I
C
como: V
CE
= V
CB
+ V
BE
, ento: V
CB
= 8 - 0,6 = 7,4V

desta forma: R
B
. (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
R
B
=
A 6
14,216V
= 2,37M (2.369.333,33)

RESPOSTAS:

I
C
= 1,2mA R
C
= 5,68k
I
E

= 1,2mA R
B

= 2,37M

RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.

Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.

A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos
de operao de um transistor.

Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.

Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o
transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da
reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de
saturao.

Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
24

Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.
Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de
saturao.
Para determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da
equao V
CC
= (R
C
+ I
E
)I
C
+ V
CE
, obtemos:

1 ponto: para I
C
= 0, temos V
CC
= V
CE
= 25V

2 ponto: para V
CE
= 0, temos I
C
= 20mA
1,25k
25V

R R
V
E C
CC
=
=
+

25
Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.

Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto
mdio da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado)
coincidiu com a corrente de base equivalente a 30A.

A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
I
CQ
= 11,25mA
V
CEQ
= 11V
I
BQ
= 30A

Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos
resistores:
= 375
A 30
11,25mA

I
I
B
C
=
=

Partindo da equao: V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ V
RE

V
RC
= (11,25mA).1k = 11,25V
V
RE
= (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: V
CC
= 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V

Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q
1
) mais prximo da
regio de saturao, por exemplo I
B
= 45A, teremos um aumento da corrente de
coletor e uma diminuio de V
CE
; para um ponto quiscente (Q
2
) mais prximo da
regio de corte, por exemplo I
B
= 10A, teremos uma diminuio da corrente de
coletor e um aumento de V
CE
, conforme ilustra a figura abaixo:

CONCLUSES:
26
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (V
CE
) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (V
CE
) tende a se igualar a V
CC
, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.

Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q
1
e Q
2
, e constatar a
variao de ao longo da reta de carga.

Para Q
1
:
= 400
A 45
18mA

I
I
B
C
=
=

V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ V
RE
= 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)
V
CC
= 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V

Para Q
2:

= 250
A 10
2,5mA

I
I
B
C
=
=

V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ V
RE
= 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA)
V
CC
= 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V

A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.

Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
27
1 ponto:
Quando I
C
= 0, temos V
CB
= V
CE
= V
CC
.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em V
CB
.
Quando I
C
= 0, V
BE
= 0, como V
CB
= V
CE
- V
BE
, logo V
CB
= V
CE
- 0

Portanto, V
CB
= 25V
2 ponto:
Para V
CE
= 0, temos: I
C
= 25mA
1k
25V

R
V
C
CC
=
=
Neste caso R
E
o circuito de entrada da configurao base comum, sendo
ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no
grfico. Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas
definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de
sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

Onde: V
RC
= R
C
I
C
= 1k.(12mA) = 12V
V
RE
= R
E
I
E
= 2k.(12,2mA) = 24,4V
Desta forma: V
CE
= V
CB
+ V
BE
= 13 + 0,6 = 13,6V
28
TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA:
a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de
carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer
que quando um transistor est saturado, comporta-se como uma chave eletrnica
fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:
O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de
base ser 1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar
os valores mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente
de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso
exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de R
C
e R
B

R
B
= = = = = 5,65k
2mA
11,3V

2mA
0,7 - 12

I
V - V

I
V
B
BE CC
B
RB

Considerando V
CE
de saturao = 0, teremos: R
C
= = = 600
2mA
12V

I
V
C
CC

Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, I
B
= 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
29
Deveremos ento recalcular o valor de R
C
.
Supondo que a tenso no led seja de 1,5V (valor tpico), ento:

R
C
= = = = 925
20mA
18,5V

20mA
1,5 - 20

I
V - V
C
CC led

OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto.

Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.
Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V
aplicado na entrada.

No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como
uma chave aberta e teremos na sada 15V (V
CC
); no instante 2, com 5V na entrada o
transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto, teremos
na sada 0V.

O prximo passo verificar se os valores adotados para R
C
e R
B
garantem a
saturao do transistor, ou seja, I
B
deve ser da ordem de 1/10 de I
C
.

I
B
= 0,915mA
k 7 , 4
0,7V - 5V
=

I
C
= 10mA
k 5 , 1
15V
=

30
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE:
Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente
de emissor fixa.
Pelo fato da tenso V
BE
ser fixa (da ordem de 0,7V), V
E
seguir as variaes
da tenso de entrada (V
BB
), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a
tenso V
E
(nos extremos de R
E
) variar de 5,3V para 9,3V.
Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se
na regio ativa ao longo da reta de carga.

A identificao entre um circuito com transistor operando como chave
eletrnica e como fonte de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o
emissor aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente
o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.

Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de
corrente, principalmente quando o valor de V
CC
baixo, levando-se em conta a queda
de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V.

A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma
fonte de corrente.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.

Devemos ento estabelecer um valor ideal de R
E
para nosso projeto.
31
Vamos supor:
V
BB
(tenso de entrada) = +5V
V
CC
= +12V
I
C
= 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)

Determinar:
As tenses em R
C
para os valores de 10 e 1000
O valor de V
CE
nas duas condies
Determinando R
E

Considerando I
C
= I
E
, temos:

R
E
= = = = = 860
5mA
4,3V

mA 5
0,7V - 5V

I
V

I
V - V
E
RE
E
BE BB

Lembrar que V
BB
- V
BE
= V
RE
= V
E

A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de R
C
, desde que o transistor opere dentro da regio ativa.

Calculando V
RC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento,
para os dois casos I
C
= 5mA (estamos admitindo I
E
= I
C
).

Para R
C
= 470 V
RC
= 10.(5mA) = 0,05V
Para R
C
= 1,5k V
RC
= 1k.(5mA) = 5V

Para satisfazer a equao V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0, a tenso V
CE
que
variar, assim sendo temos:

Para R
C
= 10
V
CE
= 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V

Para R
C
= 1k
V
CE
= 12 - 5 - 4,3 = 2,7V

32
CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma
variao muito grande de R
C
(100 vezes).

Mesmo com R
C
= 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se
R
C
assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente V
RC
=
20V, o que invalidaria a equao V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0, em outras palavras, para
satisfazer a dita equao, I
C
teria que assumir valores menores. Deve-se portanto
evitar trabalhar com valores de R
C
que propiciem uma tenso V
CE
muito prxima da
regio de saturao.

O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente
igual.

Quanto maior for R
E
(respeitando-se as caractersticas do projeto), mais
estvel torna-se a corrente de coletor.

Quando o valor de V
CC
for relativamente baixo (por exemplo 5V) o
acionamento de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente
ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.

Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de
mais tenso?

Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade
diminuda, pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.

No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
33
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de R
E
.

R
E
= 153,333
15mA
0,7V - 3V

I
V - V
E
BE BB
= = (onde V
BB
- V
BE
= V
RE
)

Adotaremos ento R
E
= 150

Para o led 1: V
CE
= 6 - Vled - V
RE
= 6 - 1,5 - 2,3 = 2,2V
Para o led 2: V
CE
= 6 - Vled - V
RE
= 6 - 2,5 - 2,3 = 1,2V

Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.

A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tenses sejam diferentes.

Reta de carga de L-1
1 ponto:
I
C
= 30mA
150
1,5V - 6V

R
V - V
E
CC
=
=
led

2 ponto:
V
CE
= V
CC
- Vled = 6 - 1,5 = 4,5V

Reta de carga de L-2
1 ponto:
I
C
= 23,3mA
150
2,5V - 6V

R
V - V
E
CC
=
=
led

2 ponto:
V
CE
= V
CC
- Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
34
REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o
transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:

A tenso de sada estar disponvel na carga (V
L
), ento: V
L
= V
Z
- V
BE

Como V
Z
>> V
BE
podemos aproximar: V
L
= V
Z

Sendo V
Z
constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso V
IN
aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:

V
IN
= V
R
+ V
Z
, mas V
R
= V
CB
, logo: V
IN
= V
CB
+ V
Z
V
CE
= V
CB
+ V
BE

Portanto, quando V
IN
aumenta, como V
Z
constante, V
CB
tambm aumentar
provocando um aumento de V
CE
, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo
V
L
constante.
V
L
= V
IN
- V
CE

Ento: se V
IN
aumenta V
CE
aumenta V
L
no se altera

Caso V
IN
diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso V
CB
diminui.

Com a diminuio de V
IN
V
CE
diminui V
L
no se altera

LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de V
IN

Como V
IN
= V
R
+ V
Z
e V
R
= R.I
R
mas I
R
= I
Z
+ I
B

ento:
V
IN
= R(I
Z
+ I
B
) + V
Z

Para V
IN
mnima temos: V
IN(MIN)
= R(I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
)
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.

Para V
IN
mxima temos: V
IN(MAX)
= R(I
Z(MAX)
+ I
B(MIN)
)
35
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.

CONDIES PARA UM PROJETO:

Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
V
IN(MAX)
= (I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
).R + V
Z
( I )
Na pior condio R
L
= (carga aberta), logo I
B(MIN)
= 0

V
IN(MAX)
= R.(I
Z(MAX)
) + V
Z

onde: I
Z(MAX)
=
Z
Z(MAX)
V
P

Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= (I
B(MAX)
+ I
Z(MIN)
).R + V
Z
( II )

De ( I ) tiramos: I
Z(MAX)
=
R
V - V Z IN(MAX)
( III)

De ( II ) tiramos: I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
=
R
V - V Z IN(MIN)
( IV )

Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
B(MAX) Z(MIN)
Z(MAX)
V - V
V - V

I I
I
=
+

PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V 10%

Escolha do transistor

O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:

V
CBO
> V
IN(MAX)
no caso 13,2V
I
C(MAX)

6
> I
L(MAX)
no caso 1,5A
P
C(MAX)

7
> (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o

6
I
C(MAX)
a mxima corrente que o coletor pode suportar
7
P
C(MAX)
a mxima potncia de dissipao do coletor
36
manual do fabricante tem as especificaes:

V
CBO(MAX)
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
> 40 < 250

Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.

O transistor escolhido atende as exigncias quanto a V
CBO(MAX)
e I
C(MAX)
. No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.

Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:

P
C(MAX)
= (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)

I
C(MAX)
= I
E(MAX)
- I
B(MAX)

I
E(MAX)
= I
L(MAX)
I
C(MAX)
= I
L(MAX)
- I
B(MAX)

I
B(MAX)
=
) MIN (
C(MAX) I
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I

I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
= 1,46A
1,025
1,5

0,025 1
1,5

40
1
1
1,5
= =
+
=
+

P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:

Levando-se em conta que V
L
= V
Z
- V
BE
e que V
BE
0,7V, se adotarmos um
diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor
comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de
6,8V e P
Z(MAX)
igual a 500mW com I
Z(MIN)
= 8mA.

P
Z(MAX)
= 73,53mA
6,8V
0,5W
=
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
37

I
Z(MAX)
= ( ) B(MAX) Z(MIN)
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
I I .
V - V
V - V
+ |
\
|

I
B(MAX)
= 36,5mA
40
1,46A

I
) MIN (
C(MAX)
= =

I
Z(MAX)
= ( ) 36,5mA 8mA .
6,8V - 10,8V
6,8V - 13,2V
+ |
\
|

I
Z(MAX)
= 71,2mA 44,5mA .
4V
6,4V
=

Como P
Z(MAX)
terico = 73,53mA e I
Z(MAX)
= 71,2mA o diodo zener escolhido
pode ser utilizado.

Clculo de R:

Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V

V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z

Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0

V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z

R = = = = 87,04
73,53mA
6,4V

mA 53 , 73
6,8V - 13,2V

I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)

Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V

R = = =
+
=
+
89,89
44,5mA
4V

8mA 36,5mA
6V - 10,8V

I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91

Potncia dissipada pelo resistor:

P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 0,508W
91
(6,8V)

91
6V) - (13,2V
2 2
= =

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

REGULADOR PARALELO:
38
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.

Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do
regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.

FUNCIONAMENTO:
V
Z
= V
CB
como V
Z
constante, V
CB
ser constante
V
CE
= V
CB
+ V
BE
, mas V
CB
>> V
BE

logo: V
CE
= V
CB
, onde V
CE
= V
Z

Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V
Z
fixa, variar
V
BE
variando a corrente I
B
e consequentemente I
C
. Em outras palavras, variando-se a
tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.

Neste caso, V
CE
tende a parmanecer constante desde que I
Z
no assuma
valores menores que I
Z(MIN)
e maiores que I
Z(MAX)
.
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
V
IN
, V
L
e I
L(MAX)
.

Tenso de entrada mxima:
Na pior condio R
L
= I
L
= 0
V
IN(MAX)
= R
1
.(I
L(MAX)
+ I
C(MAX)
) + V
Z
+ V
BE

C(MAX) Z(MAX)
1
BE Z IN(MAX)
I I
R
V - V - V
+ = ( I )

Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= R
1
.(I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) + V
Z
+ V
BE

L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
1
BE Z IN(MIN)
I I I
R
V - V - V
+ = + ( II )

Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
39

BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
L(MAX) ) MIN ( C Z(MIN)
C(MAX) Z(MAX)
V - V - V
V - V - V

I I I
I I
=
+ +
+

Isolando I
Z(MAX):

I
Z(MAX)
= C(MAX) L(MAX) C(MIN) Z(MIN
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
I - ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
+ + |
\
|
( III )
OBS: I
C(MIN)
a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.

Corrente em R
2:

I
R2
= I
Z(MIN)
- I
B(MIN)
, onde I
B(MIN)
=
) MIN (
C(MIN) I

portanto: I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior
condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como V
BE

praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento
teremos:
R2 Z(MAX) B(MAX)
B(MAX) . ) MIN ( C(MAX)
I - I I
I I
=
=

I
C(MAX) =
(MIN)
. (I
Z(MAX)
- I
R2
( V )

Substituindo ( V ) em ( III ), temos:

I
Z(MAX)
= |
\
|
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
V - V - V
V - V - V
. (I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) -
(MIN)
.(I
Z(MAX)
- I
R2

I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
(
+ + + |
\
|

Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
V
CEO

8
> (V
Z
+ V
BE
)
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)

Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO

8
V
CEO
a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
40
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:

V
L
= 15V
I
C(MAX)
= 600mA
V
IN
= 22V 10%

Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:

V
CEO
> (V
CE
+ V
VBE
)
Ic
(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)

Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:

V
CEO
= 35V
I
C(MAX)
= 3A
P
C(MAX)
= 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)

O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:

P
Z(MAX)
= 1,3W
I
Z(MIN)
= 20mA
V
Z
= 15V

I
Z(MAX)
= 86,67mA
15V
1,3W

V
P
Z
Z(MAX)
= =
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
(
+ + + |
\
|

Desprezando I
C(MIN)
I
CMIN)
= 0, ento como I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
, I
R2
= 20mA

I
Z(MAX)
=
41
1
. 40.(20mA) 600mA) 0 (20mA .
0,7V - 15V - 19,8V
0,7V - 15V - 24,2V
(
+ + + |
\
|

I
Z(MAX)
= 0,0244 . 800mA) (620mA .
4,1V
8,5V
(
+ |
\
|
= (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA

I
Z(MAX)
= 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)
Calculando I
C(MAX)
:
I
C(MAX)
=
(MIN)
. (I
Z(MAX)
- I
R2
)
41
I
C(MAX)
= 40 . (71,83mA - 20mA)
I
C(MAX)
= 40 . 51,83mA = 2,073A
I
C(MAX)
= 2,073A (o transistor compatvel quando a I
C(MAX)
)

Calculando P
C(MAX)
:
P
C(MAX)
= (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
= 15,07 . 2,073 = 31,24W
P
C(MAX)
= 31,24W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Calculando R
2
:
V
R2
= R
2
.I
R2
V
R2
= V
BE
R
2
= = = 35
20mA
0,7V

20mA
VBE
(adotar 33)

P
R2
=
( ) ( )
14,85mW
33
0,49V

33
0,7

R
E
2
2
2
R2
=
=

Calculando R
1
:
R
1
= = =
+
=
+ +
6,613
620mA
4,1V

600mA 20mA
0,7V - 15V - 19,8V

I I I
V - V - V
L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)

OBS: I
C(MIN)
= 0
R
1
= = =
+
=
+
3,94
2,16
V 5 , 8

2,073A 86,67mA
0,7V - 15V - 24,2V

I I
V - V - V
C(MAX) Z(MAX)
BE Z IN(MAX)

R
1
dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61

R
1
adotado = 5,6 (valor comercial)

Potncia dissipada por R
1
:
P
R1
=
( ) ( ) ( ) ( )
12,9W
5,6
8,5V

5,6
0,7V - 15V - 24,2V

5,6
V - V - V

R
V
2 2 2
BE Z IN(MAX)
1
2
R1
=
=
(adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:
O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s
variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da
introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que
compem o circuito tem as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
42

Transistor T
1
: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada
a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador;

Transistor T
2
: basicamente um comparador de tenso DC, isto ,
compara duas tenses, V
R2
e V
R3
, sendo a tenso V
R3
fixa (denominada
tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de
polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os
dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia
que ser aplicada ao circuito de controle.

FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.

Supondo que V
IN
aumente, a tenso nos extremos de R
L
tender a aumentar,
aumentando a tenso V
R2
e V
R3
, mas, como a tenso no emissor de T
2
fixada por V
Z
,
ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de V
BE2
, que
aumentar I
B2
e consequentemente I
C2
.

Quando I
C2
aumenta, haver um aumento da tenso em R
1
(V
R1
), uma vez que
a tenso do emissor de T
2
fixada pela tenso de zener (V
Z
).

Como V
BE1
fixa, ento um aumento de V
R1
provocar um aumento de V
CE1
.

Lembrar que V
R1
= V
CB1
e que V
CB1
+ V
BE1
= V
CE1.

Um aumento de I
C2
provocar tambm um discreto aumento na corrente de
base de T
1
(I
B1
).
I
C2
= I
R1
- I
B1

I
R1
= I
C2
+ I
B1

FORMULRIO:
43
Considerando a tenso de entrada mxima

V
IN(MAX)
= V
L
+ V
BE1(MIN)
+ R
1
.(I
Z(MAX)
+ I
B1(MIN)
)
mas, I
Z(MAX)
>> I
B1(MIN)
, logo:
V
IN(MAX)
= V
L
+ V
BE1(MIN)
+ R
1
.(I
Z(MAX)
)

I
Z(MAX)
=
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
R
V - V - V
( I )
Considerando a tenso de entrada mnima

V
IN(MIN)
= V
L
+ V
BE1(MAX)
+ R
1
.(I
Z(MIN)
+ I
B1(MAX)
)

I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
=
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
R
V - V - V

mas, I
B(MAX)
=
) MIN ( 1
L(MAX) I
I
L(MAX)
I
C(MAX)
temos ento:

1
BE1(MAX) L IN(MIN)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
R
V - V - V

I
I =
+ ( II )

dividindo ( I ) e ( II )

BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
Z(MAX)
V - V - V
V - V - V

I
I
I
=
+

I
Z(MAX)
= |
\
|
+
|
\
|
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V
( III )
Clculo de R
1

R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+

A potncia desenvolvida em R
1
no pior caso dada por:
V
R1
= V
IN(MAX)
- (V
L
+ V
BE1(MIN)
)

P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +

Clculo de R
2

Adota-se uma regra prtica, onde: I
R2
= 0,1.I
C2

Quando I
C2
= I
Z(MIN)
R
2
<
Z(MIN)
BE2(MAX) Z L
0,1.I
V - V - V

44
Quando I
C2
= I
Z(MAX)
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V

I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)

I
Z(MIN)
= B1(MAX)
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
I -
(adotado) R
V - V - V
I
B1(MAX)
=
) MIN ( 1
L(MAX) I

Clculo de potncia dissipada em R
2

V
R2
= V
L
- V
Z
- V
BE2(MIN)

P
R2
=
(adotado) R
) V - V - (V
2
2
BE2(MIN) Z L

Clculo de R
3

V
R3
= V
L
.
|
\
|
+ 2 3
3
R R
R
V
R3
.(R
3
+ R
2
) = V
L
.R
3

V
R3
.R
2
+ V
R3
.R
3
= V
L
.R
3
V
R3
.R
2
= V
L
.R
3
- V
R3
.R
3

V
R3
.R
2
= R
3
.(V
L
- V
R3
)

R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
(R
2
adotado no clculo anterior)

Clculo de potncia em R
3

Em R
3
temos: V
R3
= V
Z
+ V
BE2(MAX)

P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +

PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:

V
IN
= 25V 10%
I
L(MAX)
= 800mA
Tenso na carga (V
L
) = 12V

Teremos: V
IN(MAX)
= 25 + 2,5 = 27,5V V
IN(MIN)
= 25 - 2,5 = 22,5V

Escolha de T
1
:
O transistor T
1
dever ter as seguintes caractersticas:
45
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
= 0,8A
V
CEO
> V
IN(MAX)
- V
L
= 27,5 - 12 = 15,5V
P
C(MAX)
> (V
IN(MAX)
- V
L
).I
L(MAX)
= (27,5V - 12V).800mA = 12,4W

O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
V
CEO
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250

Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto V
Z
aproximadamente 0,5V
L
. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
I
Z(MIN)
= 50mA
V
Z
= 5,1V
P
Z(MAX)
= 1,3W

Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:
I
Z(MAX)
= 255mA
5,1V
1,3W

V
P
Z
Z(MAX)
= =

I
Z(MAX)
= |
\
|
+
|
\
|
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V

Adotando para este projeto V
BE1(MIN)
= 0,6V e para V
BE1(MAX)
= 0,7V

I
Z(MAX)
= |
\
|
+ |
\
|
40
800mA
50mA .
0,7V - 12V - 22,5V
0,6V - 12V - 27,5V

I
Z(MAX)
= 106,43mA 70mA .
9,8V
14,9V
= |
\
|

Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.

Escolha de T
2
:
O transistor T
2
dever ter as seguintes caractersticas:

V
CEO
> (V
L
+ V
BE2(MIN)
- V
Z
) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
I
C(MAX)
> I
Z(MAX)
= 255mA
P
C(MAX)
> [(V
L
+ V
BE1(MIN)
) - V
Z
] . I
Z(MAX)

P
C(MAX)
> [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W

Para o transistor T
2
tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para
V
BE2(MIN)
e V
BE2(MAX)
respectivamente.

46
O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:

V
CEO
= 45V
IC
(MAX)
= 1A
P
C(MAX)
= 8W
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250

Clculo de R
1
:
R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
= = = 58,4
255mA
14,9V

255mA
0,6V - 12V - 27,5V

R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+
= = =
+
140
70mA
9,8V

40
800mA
50mA
0,7V - 12V - 22,5V

58,4 < R
1
< 140 valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R
1
:
P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +
= 2,22W
100
(14,9V)

100
12,6V) - (27,5V
2 2
=

(adotar 5W)

Clculo de R
2
:
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)

I
Z(MAX)
= 149mA
100
0,6V - 12V - 27,5V
=

R
2
> = = 422,82
14,9mA
6,3V

14,9mA
0,6V - 5,1V - 12V

R
2
<
Z(MIN)
BE2(MAX) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MIN)
= B1(MAX)
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
I -
(adotado) R
V - V - V

I
Z(MIN)
= 78mA 20mA - 98mA
40
800mA
-
100
0,7V - 12V - 22,5V
= =

R
2
< = = 794,87
7,8mA
6,2V

7,8mA
0,7V - 5,1V - 12V

422,82 < R
2
< 794,87 adotar 560

2
:
P
R2
=
(adotado) R
) V - V - (V
2
2
BE2(MIN) Z L

47
P
R2
=
( )
70,88mW
560
6,3V

560
0,6V) - 5,1V - (12V
2 2
=

Clculo de R
3
:
R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
= = =
506,67
6,3
3.192

5,7V - 12V
) (560 . 5,7V
adotar 470

onde: V
R3
= V
Z
+ V
BE2(MIN)

3
:
P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +

P
R3
= 71,57mW
470
(5,8)

470
0,7V) (5,1V
2 2
=
+

CONFIGURAO DARLINGTON:

Se
1
=
2
= 100, teremos: I
C1
= I
E1
e I
C2
= I
E2

O ganho total (
T
) ser dado por:
1
.
2
= 100.100 = 10.000

Assim, I
C2
=
T
. I
B1

A tenso entre base e emissor dada por: V
BE
= V
BE1
+ V
BE2
Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado
de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a
um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um
nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades
pnp e npn respectivamente.

A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.

48
PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR
DARLINGTON

Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington;
proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:

Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V 10%

Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:

V
CBO
= 80V
I
C(MAX)
= 4A
P
C(MAX)
= 36W
(MIN)
= 500
(MAX)
= 1.000

Neste caso, V
BE
maior. Vamos considerar para este projeto, V
BE
= 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:

V
Z
= 7,5V
P
Z(MAX)
= 400mW
I
Z(MIN)
= 10mA

I
Z(MAX)
= 53,33mA
7,5V
0,4W
=

Verificando a escolha do transistor:
P
C(MAX)
= (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)

I
C(MAX)
= I
E(MAX)
- I
B(MAX)

I
E(MAX)
= I
L(MAX)
I
C(MAX)
= I
L(MAX)
- I
B(MAX)

I
B(MAX)
=
) MIN (
C(MAX) I
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I

I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
= 1,497A
1,002
1,5

0,002 1
1,5

500
1
1
1,5
= =
+
=
+

P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W
O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a
utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.

49
Verificando a escolha do zener:

I
Z(MAX)
= ( ) B(MAX) Z(MIN)
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
I I .
V - V
V - V
+ |
\
|

I
B(MAX)
= 2,994mA
500
1,497A

I
) MIN (
C(MAX)
= =

I
Z(MAX)
= ( ) 2,994mA 10mA .
7,5V - 10,8V
7,5V - 13,2V
+ |
\
|

I
Z(MAX)
= 22,44mA 12,994mA .
3,3V
5,7V
=

Como P
Z(MAX)
terico = 53,33mA e I
Z(MAX)
= 22,44mA o diodo zener
escolhido pode ser utilizado.

Clculo de R:

Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V

V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z

Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0

V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z

R = = = = 106,88
53,33mA
5,7V

mA 33 , 53
7,5V - 13,2V

I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)

Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V

R = = =
+
=
+
253,96
12,994mA
3,3V

10mA 2,994mA
7,5V - 10,8V

I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.

Potncia dissipada pelo resistor:

P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 180,5mW
180
(5,7V)

180
7,5V) - (13,2V
2 2
= =

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).

50
COMPARAES:

Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington
R
1 91 180
P
R1
508mW 180,5mW
I
C(MAX)
1,46A 1,497A
P
C(MAX)
10,5W 10,78W
I
Z(MAX) terico
73,53mA 53,33mA
I
Z(MAX) prtico
71,2mA 22,44mA
V
Z
6,8V 7,5V
I
B(MAX)
36,5mA 2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o
transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base
bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor
Darlington bem maior.

BIBLIOGRAFIA:

Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP
- 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos
Editora S.A. - RJ - 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

Apostila de Transistor

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Apostila de Transistor

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof.

Anda mungkin juga menyukai