UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL RI GRANDE CTEDRA ELECTRNICA APLICADA 1 GUA DE TRABAJO PRACTICO N4 TRANSISTORES UNIPOLARES JFET Y MOSFET Objeto de la prctica: Parte 1: JFET; Estudio de distintos tipos de polarizacin; calcular y medir los parmetros principales del transistor y su punto Q; medir la ganancia de tensin de una etapa amplificadora, conectada como, Fuente Comn y Drenaje Comn; medir sus Ri y Ro. Parte 2: MOSFET; Estudio de distintos tipos de polarizacin; calcular y medir los parmetros principales del transistor y su punto Q; estudiar el uso del MOSFET como resistor lineal controlado por tensin. Parte 1: JFET 1- Elementos de circuito e instrumentos a utilizar: transistor SK-301(JFET), BSN274(MOSFET de enriquecimiento); resistores varios; VOM; fuente de alimentacin variable (0-30VCC); fuente de alimentacin (15V); generador de seales senoidales de baja frecuencia; osciloscopio de doble canal; potencimetros 1 de 10K y 1 de 50K. 2- Anlisis terico: estudiaremos los circuitos de polarizacin para el transistor JFET, denominados auto polarizacin y combinado (por divisor resistivo). La Fig. A corresponde al auto polarizado y la Fig. B al de divisor resistivo; estas corresponden a las curvas de transconductancia, ID vs. VGS, en ellas se observa las parbolas que determinan la relacin anterior y sus valores mximos, IDSS corriente de saturacin y VP tensin de pinch-off. o de estrangulamiento. Sobre las curvas trazaremos las rectas de carga, para determinar en la interseccin el punto Q, para cada circuito. ID(ma)
IDSS

ID(ma)
IDSS

ID.Rs = VGS

ID =

IDSS

VGS 1 VP

ID. RD = VG VGS

VP

VGS(volt) ID =
IDSS

0
2

VGS(volt)

VP

VG

VGS 1 VP

Fig. A

fig. B

De las figuras se observa que el JFET de canal N, necesita una VGS negativa para funcionar, lo que significa dos cosas, que lo diferencian al transistor bipolar a saber: 1ro que
1

el unipolar se controla por tensin (VGS) en lugar de corriente Ib; y 2do que la Ri es elevada debido a que la polarizacin compuerta-fuente(gate-source) est en inversa. (Para los JFET de canal P, las tensiones y corrientes cambian el sentido). Para calcular el punto Q, deber resolverse el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas, que estn indicadas en los grficos. Debido a la gran dispersin en los parmetros principales de este tipo de transistores utilizaremos un mtodo simple de conocer los mismos en forma experimental o prctica, nos valdremos del circuito de la Fig.1. Compararemos estos valores con los suministrados por el fabricante.

3-Circuito a utilizar: para medicin de los parmetros bsicos del transistor deber usarse el circuito de la Fig.1; para el estudio de la polarizacin, tipo auto polarizado tenemos la Fig.2 y para el divisor resistivo el de la Fig.3. 4-Desarrollo de la prctica: 1. Medicin de IDSS: conectar el circuito de la Fig.1, medir la VRD, y calcular IDSS=VRD/RD. Observar que (VGS=0). 2. Medicin de VP: reemplazar el cortocircuito entre la compuerta y la fuente, conectar en su lugar una fuente de tensin variable, preferentemente de baja tensin como por ejemplo, 5vcc, y comenzar desde 0 volt muy lentamente a subir la tensin negativa VGS, con el voltmetro conectado an sobre RD, verificar el punto de ID = 0, aumentando la sensibilidad del voltmetro a medida que la VRD , se va haciendo menor; luego anotar el valor de la tensin de fuente de compuerta-fuente ,como VP. 3. Medicin del punto Q, para el circuito de auto polarizacin: reemplazar el circuito, al de la Fig.2; y medir los valores VGS,VDS, y VRD para calcular la ID = VRD/RD. 4. Medicin del punto Q, para el circuito de polarizacin por divisor de tensin: conectar el circuito de la Fig.3; y medir los valores VGS, VDS, VRD, para calcular ID = VRD/RD. 5. Comparar los valores medidos con los del clculo terico del punto 2. Utilizar una planilla de clculo para graficar las curvas de gm y la RCE. Usar los valores medidos de la tabla 2 y llevarlos a la siguiente tabla para facilitar su comparacin, y sacar conclusiones. TABLA 1 VALORES TERICOS
VGS(volt) VDS(volt) IDS(ma)

VALORES PRCTICOS
VGS(volt) VDS(volt) IDS(ma)

autopol. combinado

TABLA 2 datos del fabricante(SK-301)

IDSS(ma) Vp(volt)

valores medidos
IDSS(ma) Vp(volt)

5. -Anlisis terico del JFET como amplificador: En la figura 3, vemos la configuracin fuente comn con polarizacin por divisor de tensin y auto polarizacin por medio de RS. Un parmetro importante para el clculo de la ganancia de tensin y la Ros en el drenaje 2I ID comn es la transconductancia, que se calcula: gm= DSS . I DSS Vp La resistencia de entrada se calcula considerando la juntura de compuerta fuente en inversa por lo tanto su Ri, y la RiA = R1//R2. La ganancia de tensin del sistema Avs = vo/vs = (Ria/RiA+Rs)(-gm)(Rd//RD//RL); si eliminamos el capacitor CS; la ganancia es Avs = [Ria/(Ria+Rs)][-gm/(1+gmRs)][RD//RL], donde el signo negativo indica que esta configuracin invierte la fase de la seal de salida en 180 grados elctricos, con respecto a la entrada. La Ro en la configuracin fuente comn FC; Ro = Rd//RD RD, si la resistencia de salida del transistor Rd es >> RD. La configuracin de la figura 4, es llamada drenaje comn, DC, es equivalente a la CC. Del bipolar, con sus caractersticas de alta Ri, ganancia de tensin casi igual a uno y RoA de valor bajo. Del circuito equivalente para seales pequeas tenemos que: AVS = (Ria/RiA+Rs)[(gm)(Rd//Rs//RL)/(1+(gm)(Rd//Rs//RL)]. La resistencia de salida Ro = Rs/(1+gmRs) 1/gm, solo cuando gmRs >>1, lo que ocurre generalmente. Nota: los valores de ID y VGS, sern calculados resolviendo el sistema de ecuaciones que aparecen en las figuras A y B. 6. -Desarrollo de la prctica: 1. Conectar el circuito de la figura 3. 2. Desconectar el generador vs, temporalmente, para medir VRD y VGS, para calcular ID y gm. 3. Conectar el O:R:C de doble canal, para medir vs y vo. 4. Reconectar el generador de seales senoidales vs, ajustando su salida a 200mv pico a pico, en 1Khz. Medir los valores de vs y vo, observando la polaridad de la seal, y midiendo con el O:R:C exactamente el entre las seales. 5. Quitar el capacitor CS y medir el nuevo valor de vo. 6. Reconectar CS y medir RiA, siguiendo el procedimiento del T.P.3, para medir resistencias de entrada. Utilizar un potencimetro de 50K 7. Medir la Ro con el procedimiento del T.P.3, utilizando un potencimetro de 10K. 8. Conectar el circuito de la figura 4. 9. Repetir los pasos 1 al 7, de este punto. 10.LLevar los valores prcticos a la tabla 3 TABLA 3 VALORES TERICOS
RiA() RiS() RoA() RoS() Avs RiA()

VALORES PRCTICOS
RiS() Roa() Ros() Avs

SC DC

7. -Conclusiones: comentar las diferencias y similitudes entre los circuitos bipolares y con JFET. Comparar los resultados prcticos con los de la simulacin con SPICE y comentar las diferencias. 8. -Cuestionario: 1. Indique los dos parmetros ms importantes de funcionamiento del transistor unipolar y como los medira experimentalmente. 2. Dibujar un esquema de las curvas de salida del JFET de canal N determinando cada zona. 3. Cuantas zonas de trabajo tiene el transistor y como determina en cual est el transistor? 4. Cul es el parmetro que "corta" al transistor y cuando se satura, indicando el valor de corriente mxima posible? 5. Qu relacin hay entre las cantidades de salida y entrada en un JFET? 6. Determine cul es la ID de un JFET que tiene Vp = -4 V y IDSS = 12 mA; para VGS = 0; 1,2 y 2V. 7. Dibuje los principales circuitos de polarizacin con JFET. 8. La pendiente de la recta de carga del auto polarizado est controlada por_________. 9. Cmo calcula el punto Q grficamente, para un transistor unipolar JFET, polarizado por divisor resistivo?. 10. -Cuales son las diferencias y similitudes ms importantes entre los circuitos con los bipolares y los JFET estudiados en este TP. -------------------------------0----------------------------Parte 2: MOSFET 10.-Anlisis terico: este tipo de transistor de ensanchamiento o acrecentamiento (enhancement en ingls), tiene una diferencia fundamental con respecto al FET de juntura de la primera parte; es que su tensin de polarizacin de compuerta -fuente, VGS debe ser positiva ms que negativa, para obtener conduccin entre drenaje fuente (en el caso del tipo canal N) El uso de este transistor se hizo popular en la tecnologa digital, particularmente los CMOS (transistores complementarios MOSFET), por su relativa facilidad para construirlo en circuitos integrados lo que permiti una integracin en muy gran escala (VLSI). La siguiente Fig. C, representa la curva de transferencia y es muy similar al JFET, pero queda evidenciada la polarizacin positiva de la compuerta. Por otro lado el valor mximo de la ID, ya no es la de saturacin para VGS=0, sino que est determinada por el circuito externo al transistor, por lo que deber tenerse la precaucin al calcular los componentes de circuito que ahora el transistor limita el valor mximo de ID que puede manejar, con relacin a su potencia disipada PD. Por otro lado vemos en el grfico que no hay circulacin de ID, hasta tanto no se supere una tensin de umbral VT(threshold voltaje). La curva de transferencia est determinada por la ecuacin, ID = 0,5(VGS-VT)2, donde es una constante del transistor, se indica mA/V2. La recta de carga esttica para una polarizacin divisor de tensin, la podemos escribir como: VGS = VG-ID.RS.El punto de
4

cruce entre ambas curvas determina la solucin al sistema de ecuaciones y es el punto Q, del circuito, ver Fig.6. Cabe destacar que el valor de VG es ms positivo que VS, para un transistor de canal N; y que RS no est para auto polarizacin sino que cumple la funcin de realimentacin negativa, mejorando la estabilidad del punto Q. La otra polarizacin posible es con resistor de compuerta por realimentacin negativa, ver figura 8. En este circuito VDS = VGS por ser IG=0. Cualquier aumento en ID, har disminuir la VDS y por lo tanto VGS, provocando una disminucin equivalente de ID, restableciendo el incremento original, de esta manera la realimentacin de RG, estabiliza el valor de ID, de forma parecida al transistor bipolar con la misma configuracin, salvo que antes disminua IB y ac directamente la tensin de alimentacin de RG. La auto polarizacin no es posible con estos MOSFET, debido a que la tensin de compuerta debe ser positiva en los de canal N. ID(ma) VG RS Q RCE=-1/RS ID=0,5(VGS-VT)2 fig. C

VT

VG

VGS(volt)

Con el circuito de la Fig. 7, verificaremos el funcionamiento del transistor como resistor controlado por tensin. Para ello polarizaremos al transistor en la zona resistiva, a diferencia del resto, de la prctica que se polariz en la zona activa.

10. -Desarrollo de la prctica: 1. Conectar el circuito de la Fig.5, con l determinaremos los valores que nos permitan dibujar la curva de transferencia(ver Fig.C.Medir los VRD, para cada valor de VGS, como figura en la tabla 4; teniendo cuidado en determinar en forma precisa el valor de VGS que produce una corriente ID>0, este valor es VT.
Para el BSN274, el fabricante indica VT como VGS(th) entre 0,8 y 2V. La RDS(on) entre 9 y 14

2. Dibujar con los valores de la tabla 4 y los componentes del circuito de polarizacin de la fig.6, el punto Q en la Fig. C. 3. Conectar el circuito de la Fig.6 y medir sobre l los valores ID; VGS y VDS, calculando el valor de ID=VRD/RD, luego compararlos con los valores que se obtengan del grfico. Incluyendo el punto Q. 4. Repetir la medicin para el circuito de la Fig. 8.Explicar en las conclusiones porque el circuito estabiliza la ID.

5. Conectar el circuito de la Fig. 7, Tener la precaucin de ajustar la tensin VDD a 0,2 v y variar VG, segn la tabla 5.Medir VRS y VDS, para calcular ID y RDS. 6. Dibujar RDS vs VG y explicar en las conclusiones el comportamiento del transistor, justificando su comportamiento.

TABLA 4 VGS(volt) 0,5 0,75 1 1,1 1,2 1,25 TABLA 5 VG(volt) 1V 1,5V 2V 3V 4V 5V VDS(volt) VRS(volt) ID=VRS/RS RDS=VDS/ID VRD(volt) ID=VRD/RD(ma)

Nota: Cuando se manejan transistores MOSFET, es importante evitar que altas tensiones (>30V), se apliquen accidentalmente a los terminales del transistor, porque debido a la elevada resistencia interna del transistor se podr daar fcilmente la juntura. La esttica de nuestro cuerpo y conectar y/o desconectar un transistor de este tipo con la alimentacin conectada son ejemplos de cosas que debemos evitar. Para la esttica usamos una serie de elementos que nos permiten eliminarla como por ejemplo, pulseras conductivas puestas a masa, pisos con alfombras conductivas puestas a tierra etc. En muchos transistores de este tipo el fabricante de los mismos ya toma algunas precauciones como ser cortocircuitar externamente todos sus terminales de manera que hasta que se suelde o conecte al circuito todos los terminales del transistor estn al mismo potencial, evitando la perforacin de la juntura. Otro mtodo es conectar internamente en la fabricacin del transistor diodos de proteccin como ser diodos zener, entre la compuerta y los otros terminales; la desventaja de sta proteccin es la de bajar considerablemente la alta resistencia de entrada de los
6

MOSFET. En nuestro caso el transistor BFN 274, est protegido con diodo y adems usamos un transistor de alta tensin para conseguir una proteccin adicional para posibles errores en la prctica; esto no modifica en general las conclusiones del T.P.

Los datos del fabricante del BFN 274 se toman de la fotocopia adjunta. Compare estas con los resultados medidos en el Laboratorio. 11. -Conclusiones: comentar cuando utilizara MOSFET para disear e indique algunos ejemplos. Compare los resultados prcticos en el Laboratorio con los simulados con SPICE.

12. -Cuestionario: 1. Cuantos tipos de MOSFET conoce y cual es la diferencia ms importante entre ambos? 2. Dibujar la curva de drenaje del MOSFET de vaciamiento, explique las diferencias con el JFET. 3. Dibuje las curvas de transferencia y drenaje de un MOSFET de canal permanente. 4. Cuales circuitos de polarizacin conoce para MOSFET? 5. Cmo funciona la polarizacin por divisor de tensin? 6. Cmo funciona la polarizacin por realimentacin negativa? 7. Porque no se puede utilizar la auto polarizacin con MOSFET? 8. Cmo polariza al transistor para que funcione como resistor y que caracterstica de funcionamiento posee en dicha regin? 9. Cmo calcula la ID en funcin de VGS? 10.Cmo determina la AVS de la configuracin FC?

--------------------OO-------------------

APNDICE Determinacin de las constantes para el clculo de ID, en los MOSFET: de

ID =

B (VGS VT ) 2 2

podemos tambin poner

ID( on ) =

2 B (VGS( on ) VT ) 2

ID( on ) B = 2 (VGS( on ) VT ) 2

en la primer ecuacin reemplazamos /2 y nos queda:

2

ID =

ID( on ) (VGS( on ) VT )
2

(VGS VT ) 2 ;

VGS VT y podemos poner en forma abreviada: definimos como K = VGS( on ) VT

ID= KID0n) . . (

__________________________________________________________________________ _

NOTAS SOBRE LOS ERRORES DE MEDICION Con respecto a la impedancia de entrada de los instrumentos debe tenerse en cuenta que este no cargue excesivamente el circuito bajo medicin y falsee la lectura. La siguiente frmula nos permitir determinar si nuestro instrumento de medicin puede ser utilizado sin cargar al circuito, conociendo la precisin del mismo (A) en porciento, la impedancia del medidor Zm y la impedancia del circuito entre los puntos de medicin Zo. Zm Zo x 100/A ().

Si un medidor analgico tiene una exactitud del 2% de su escala de 100V, toda lectura tendr un error de 2 volt, para cualquier medicin en esta escala. Por lo que si medimos sin cambiar de escala, una tensin de 10 volt, la lectura puede estar entre 8 y 10 volt, lo que representa ahora una desviacin del 20% de su valor verdadero. Como conclusin siempre que mida con un instrumento analgico trate de medir en la ltima parte de la escala.