Electrnica 2 o

Prctico 4 a Amplicadores de Potencia

Los ejercicios marcados con # son opcionales. Adems cada ejercicio puede tener un nmero, a u que indica el nmero de ejercicio del libro del curso (Microelectronic Circuits, 4th. edition. u Sedra/Smith.) o una fecha, que indica en que prueba (examen o parcial) se plante el ejercicio. o

Objetivo: El objetivo general del presente prctico es familiarizar al estudiante a con tres conguraciones bsicas de etapas de potencia. Concretamente se estua dian los tipos de conguraciones, A, B y AB, y sus ventajas y limitaciones. Dado que las etapas de potencia estn pensadas para entregar cantidades elevadas de a potencia, aparece en las mismas el problema del aumento de la temperatura. Algunos ejercicios muestran como se soluciona este problema.

Ejercicio 1.
Este problema presenta una implementacin t o pica de una etapa de salida clase A con transistores bipolares. En l se analiza como interactuan en la potencia e mxima que es posible entregar a la carga, la corriente de polarizacin y las a o limitaciones a la excursin en tensin. o o El seguidor-emisor clase A es polarizado como se muestra en la gura 1 con V cc = 5V, R = RL = 1K y todos los transistores idnticos. e

Figura 1 (a) Cules son los rangos mximos de tensin a la entrada y a la salida del a a o circuito para que haya una operacin lineal del mismo? o 1

(b) Cmo cambian estos valores si el rea de juntura de Q3 pasa a ser ahora o a del doble del rea de juntura de Q2? a (c) Y si pasa a ser la mitad de Q2?

Ejercicio 2.
En este ejercicio se muestra la implementacin con transistores MOS de la etapa o de potencia clase A del Ejercicio 1. Se considera un circuito source-follower como el de la gura 2. En dicho circuito todos los transistores son idnticos con V t = 1V y = 100mA/V 2 . Adems e a V cc = 5V y R = RL = 1k. Repetir el anlisis hecho en el Ejercicio 1 para este a circuito.

Figura 2

Ejercicio 3.
El objetivo de este ejercicio es familiarizar al estudiante en calcular la potencia disipada en los transistores para diferentes formas de onda. Considere el funcionamiento del seguidor de la gura 3 para RL = Vcc /I cuando en su entrada se inyecta una onda cuadrada cuyo rango va desde +Vcc a Vcc (despreciar VCEsat y VBE1 ). (a) Para este caso gracar vo1 , io1 y pD1 . (b) Repetir lo anterior para una entrada cuadrada entre +VCC /2 y VCC /2. (c) Cul es la potencia media disipada en Q1 en cada caso? a

Figura 3 (d) Comparar los resultados anteriores con los obtenidos para ondas sinusoidales de amplitud VCC y VCC /2. (e) Cules son las prdidas de potencia media del transistor Q2 en estos a e casos?

Ejercicio 4.
Este ejercicio muestra como var la potencia disipada en los transistores y la an entregada a la carga, en funcin de la amplitud de la tensin en una etapa clase o o B. Una etapa de salida clase B opera con una fuente de 5V . (a) Asumiendo transistores con VBE VCEsat 0 calcular cul es la amplitud a a la salida para maximizar la eciencia de conversin de potencia. o (b) Cul es la amplitud a la salida para maximizar la potencia disipada? a (c) Si cada uno de los componentes puede entregar una potencia mxima de a 1W y se desea usar un margen de seguridad de 2; cul es la m a nima resistencia que puede usarse si se opera con la mxima amplitud de entrada? a (d) Si se trabaja con la mitad de entrada que en la parte anterior; cul es la a m nima carga que puedo usar? (e) Cul es la mxima potencia de salida que podemos obtener en ambos a a casos?

Ejercicio 5.
Este ejercicio busca mostrar al estudiante los rdenes de tensiones y corrientes o que se deben manejar en amplicadores de potencias relativamente altas. 3

Una etapa de salida clase B es usada para entregar una potencia de 100W a una carga de 16. La fuente debe estar 4V por encima de la amplitud mxima a sinusoidal de la entrada. Determinar la m nima tensin de fuente requerida, la o corriente de pico que debe entregar cada fuente as como la potencia entregada por las mismas y la eciencia en la conversin de potencia. Hallar adems la o a potencia mxima disipada por cada transistor para una entrada sinusoidal. a

Ejercicio 6.
Este ejercicio muestra la implementacin de una etapa de salida clase AB con su o correspondiente polarizacin y las limitantes que se presentan para esta ultima. o Una etapa de salida clase AB como la de la gura 6 utiliza una red de polarizacin basada en diodos con la misma rea de juntura que los transistores. o a

Figura 6 (a) Para V cc = 10V , Ibias = 0, 5mA, RL = 100, N = 50 y |VCEsat | = 0V ; cul es al corriente de reposo por los transistores?. a (b) Qu valor de N es necesario para obtener un nivel de pico en la salida e positivo igual al nivel de pico negativo, sin cambiar Ibias? (c) Qu valor de Ibias es necesario para obtener lo mismo si N se mantiene e en 50? (d) Cunto pasa a valer la corriente de reposo para este valor de Ibias ? a

Ejercicio 7.
Este problema y el siguiente ejercitan el trabajo con las ideas fundamentales de los modelos trmicos de los dispositivos de potencia. e Para un transistor de potencia se especica una temperatura mxima de juntura a de 130C. Cuando opera a esta temperatura con un disipador, la temperatura

del encapsulado llega a los 90C. Dicho encapsulado se une al disipador (cuya resistencia trmica es SA =0,1C/W) a travs de un aislador (mica) cuya e e resistencia trmica es CS =0,5C/W. e (a) Cul es la potencia disipada por el conjunto si la temperatura ambiente a es de 30C? (b) Cul es la resistencia trmica juntura - encapsulado del transistor? a e

Ejercicio 8.
Un transistor con una temperatura mxima de juntura de 180C puede disipar a 50W cuando la temperatura de su encapsulado es de 50C. (a) Si se conecta a un disipador de forma que la resistencia trmica entre este e y el encapsulado es CD =0,6C/W; cul es la temperatura que debe a tener el disipador para asegurar una operacin segura disipando 30W? o (b) Si la temperatura ambiente es 39C; qu resistencia trmica debe tener e e el disipador para lograr esa temperatura? (c) Si cierto disipador de aluminio mecanizado ofrece una resistencia trmie ca de 4,5C/W por cm; qu largo debe tener el mismo para lograr el e funcionamiento requerido en las partes anteriores?

Ejercicio 9.
El objetivo de este ejercicio es familiarizarse con las hojas de datos y el manejo de un amplicador integrado de potencia. Se necesita utilizar un LM380 para manejar un parlante de 8 a la vez de limitar la disipacin mxima del integrado a 1,5W. o a (a) Utilizando las hojas de datos hallar la mxima tensin de la fuente de a o alimentacin que puede ser utilizada. o (b) Si el valor mximo de THD puede ser del 3 %; cul es la mxima potencia a a a que se puede entregar a la carga? (c) Cul es la mxima tensin sinusoidal de pico a la salida que hay que a a o entregar para lograr esa potencia?

Ejercicio 10.
El objetivo de este ejercicio es analizar una variante de conguracin de salida o que provee una salida en corriente (alta Ro) en lugar de en tensin (baja o Ro). Para el circuito de la gura 10, asumiendo que todos los transistores tienen grande, mostrar que io = vi /R. Para = 100; en qu porcentaje se reduce io e respecto a este valor?

Figura 10

Ejercicio 11.

(Segundo Parcial, Electrnica 2, 3/12/2003) o

En el circuito de la gura 11: (a) Determine R2 y el m nimo Ibias que aseguren poder suministrar 4W de potencia a la carga y una tensin de 1.5V entre las bases de QN y QP. o (b) Determine la eciencia de la etapa de salida cuando se suministran 4W a la carga. (c) Determine la mxima potencia que deben disipar los transistores QN y a QP para cualquier potencia entregada entre 0 y 4W. (d) Determine cual es la mxima temperatura ambiente (TAM B ) a la que a puede funcionar el circuito. (e) A cada transistor QN y QP se le coloca un disipador capaz de disipar 4 mW/C por cada cm2 de supercie. El disipador se supondr acoplado a a travs de una resistencia trmica CS =0.5C/W. Qu supercie debe tee e e ner cada disipador para que el circuito pueda funcionar a una temperatura ambiente mxima TAM B =40C ? a Datos: VCC = VEE = 10V ; RL = 8 Q1:VBE = 0.6V si IC > 5mA; >> 1 R1 = 180 QN, QP: VBE = 0.75V, N,P = 50 TjM AX = 100C; JC = 2C/W; CA = 70C/W

Figura 11

Solucin o
Ejercicio 1
(a) (b) (c) 4.3 < Vo < 4.7 2.15 < Vo < 4.7 4.7 < Vo < 4.7

Para Vi en todos los casos se suma 0.7.

Ejercicio 3
(c) (d) (e) PD1 = 0W ; PD2 = PD1 =
VCC .I 2 ; 3.VCC .I 4 7.VCC .I . 8

PD2 =

PD = VCC .I

Ejercicio 4
(a) (b) (c) (d) (e) Vo = VCC ; = Vo =
2.VCC ; 4

= 0.7854
2 2.VCC 2 .RL .

max PD =

RL > 5 RL > 4.833

max max = 0.65W . = 2.5W . Caso 2: PL Caso 1: PL

Ejercicio 5
+ max max VCC > 61V ; Io = 3.54A; PF = PF = 68W ; = 0.73; PDN = PDP = 18W

Ejercicio 6
(a) (b) (c) (d) IR = [ n +1 ].Ibias = 0.49mA. n +2 n > 199 Ibias > 2mA Ibias = 1.96mA

Ejercicio 7
(a) (b) PD = 100W . JC = 0.4 C/W.

Ejercicio 8
(a) (b) (c) TD = 84C. DA = 1.5 C/W. l = 3cm

Ejercicio 9
(a) (b) (c)
max VS = 14V max PL = 2W

Vomax = 5.66V

Ejercicio 10
Se reduce un 3 %.

Ejercicio 11
(a) (b) (c) (d) (e) R2 = 120, Ibiasmin = 30mA = 62.8 %
M ax M ax PDN = PDP = max TAM B = 8.56C
2 VCC 2 .RL

= 1.27W

Superf icie = 5.59cm2