ANALISIS DE CORRIENTES EN UN TRANSITOR BJT EN CONFIGURACION EMISOR COMUN

DANIEL RIVERA PADILLA LUIS JAVIER CALLEJAS PRADA

ESCUELA COLOMBIANA DE CARRERAS INDUSTRIALES ELECTRONICA INDUSTRIAL BOGOTA D.C. 2012

ANALISIS DE CORRIENTES EN UN TRANSITOR BJT EN CONFIGURACION EMISOR COMUN

DANIEL RIVERA PADILLA LUIS JAVIER CALLEJAS PRADA

TECNOLOGIA EN ELECTRONICA INDUSTRIAL

RICARDO SANCHEZ DOCENTE

ESCUELA COLOMBIANA DE CARRERAS INDUSTRIALES ELECTRONICA INDUSTRIAL BOGOTA D.C. 2012

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TABLA DE CONTENIDO

PAG. Contenido..3 Introdiccion....4 Planteamiento del problema...............5 Objetivos del laboratorio..6 Objetivos especficos...6 Materiales y elementos....7 Metodologa...8 Marco terico.9 Transistor9 Estudio de las corrientes .9 Corrientes del transistor.10 Configuraciones del transistor..10 Concepto de voltaje.11 Desarrollo de la practica.11 Montaje..11 Procedimiento..12 Presentacin, anlisis e interpretacin de los datos..13 Plano elctrico..13 Tablas de datos13 Conclusiones...15 Bibliografia16 Anexos..17

INTRODCCION

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si ste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo estn ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el dispositivo este en buen estado. En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA Obtencin y construccin de las curvas de transferencia para el transistor BJT, este transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le aplicamos una cantidad de corriente por una de sus patas (base), amplificara la corriente y la entregar por otra pata (emisor), en una cantidad mayor la corriente inicial, en un factor que se llama factor de amplificacin (Beta). Cmo reacciona el transistor a los cambios de temperatura en que afecta al circuito, cuales son los datos que varian es que se ve afectada la corriente y el voltaje del circuito que conclusiones se pueden sacar del laboratorio.

OBJETIVOS DEL LABORATORIO. Aprender a trabajar con un transistor y saber cmo es su funcionamiento, bajo que condiciones funciona, determinar cual es la corriente mxima que soporta un transistor, cual es su factor de amplificacin y en que punto empieza a fallar como desarrollar paso a paso la practica tomar los datos medidos. Hacer buen huso de los instrumentos de laboratorio, aprender a manejarlos para medir lo que sea necesario, cuadrar la perilla o el modo del multimetro para medir corriente o voltaje Identificar que sucede si en el transistor se varia la temperatura, que pasa si le agregamos calor o frio, que cambios suceden en la corriente o en el voltaje en la polarizacin del circuito, hacer una comparacin del funcionamiento del tansistor en condiciones normales y al aplicar temperatura Objetivos especficos: Identificar los terminales de un transistor:( emisor, base, colector). Afianzar los conocimientos para polarizar adecuadamente un transistor. Determinar el punto Q de funcionamiento. Estudiar las diferentes configuraciones. Identificar en las curvas caractersticas las regiones activa, corte y saturacin

MATERIALES Y ELEMENTOS

MATERIALES: -Protoboard -Resistencia de 1k -Transistor 2n2222 -cable para protoboard (si es necesario) -Cautin

INSTRUMENTOS: -2 Multmetros (ampermetro) -Osciloscopio fluke (voltmetro) -fuente de voltaje dual -conectores(los que sean necesarios)

METODOLOGIA: El mtodo para realizar la practica es muy sencillo solo se debe implementar el circuito de la figura 1, conectar de forma en la cual ninguno de los elementos realice un corto circuito, estar siempre alerta de posibles conexiones mal echas y de que ninguno de los elementos se valla a estropear, procurar hacer buen uso de los instrumentos de laboratorio ya que una mala conexin podra causar tambin que alguno de estos aparatos sufra algn tipo de dao, tratar de hacer toda la implementacin del laboratorio de la forma mas pulcra posible, evite enredos y cables que sobresalgan, de manera que nada se enrede con nada, estar muy atento de las especificaciones del profesor atender con atencin y saber lo que se esta haciendo es esencial para realizar una buena practica de laboratorio, se aconseja tomar apuntes tener buenas bases para proceder a realizar el ejercicio.

MARCO TEORICO: -TRANSISTOR El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan monopolares porque slo hay corrientes de un tipo. Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el colector y por ltimo el emisor. ESTUDIO DE LAS CORRIENTES El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP. Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn dibujadas estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:

CORRIENTES DEL TRANSISTOR De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la corriente de colector. Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin: IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, , y la ganancia de corriente beta, .

El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes. = IC / IE El valor de a suele ser superior a 0,95, y en muchos casos es mayor de 0,99, por ello para mayor simplicidad de clculos se suele tomar = 1. El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector y la de base. = IC / IB Para transistores de baja potencia b tiene valores entre 100 y 300. CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR Dependiendo de cul sea el terminal comn a la entrada y a la salida del transistor, se distinguen tres tipos de configuraciones: Configuracin en base comn. La base constituye el terminal comn a la entrada y a la salida, se encuentra unida a tierra. La ganancia en corriente de este circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en tensin puede ser muy alta y, por lo tanto, tambin la ganancia en potencia. Esta configuracin presenta muy poca realimentacin entre la entrada y la salida, por lo que se emplea especialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas. Configuracin en emisor comn. El emisor est unido a tierra. La ganancia en corriente es alta (la Beta del transistor), la ganancia en tensin y en potencia (dependiente de la carga de colector) es igualmente alta. Es la configuracin ms utilizada. Configuracin en colector comn. En este caso, el terminal que est conectado a tierra es el colector. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones anteriores y la carga entre el emisor y tierra. Esta configuracin tiene una ganancia en corriente de la beta del transistor, la ganancia en tensin es muy parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente beta

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-CONCEPTO DE VOLTAJE VOLTAJE D.C El voltaje de corriente directa es aquel en el cual las cargas elctricas o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado, movindose del polo negativo al polo positivo de una fuente, tal como ocurre en las bateras y en los rectificadores. Dicho fenmeno conlleva a obtener entre los terminales de la fuente una diferencia de potencial o voltaje de un valor Vo constante sin ningn tipo de fluctuacin el tiempo (sin depender de la frecuencia) como se observa en la figura. VOLTAJE A.C En un voltaje de corriente alterna, las cargas fluyen en un sentido dentro de una trayectoria cerrada durante cierto tiempo, para luego hacerlo en sentido contrario durante la misma cantidad de tiempo. Volvindose a repetir el proceso en forma peridica y teniendo una fluctuacin de voltaje entre un valor pico positivo Vp y un valor pico negativo Vp como se observa en la figura DESARROYO DE LA PRCTICA Montaje Para la implementacin de la practica procedemos con armar el circuito, tomar la resistencia y el transistor y colocarlos de forma ordenada en la protoboard tomamos la fuente de voltaje y acoplamos los conectores en ella, luego designamos que fuente va a ser VCC y cual VBB, segn el plano del circuito (figura 1) procure que para el positivo de las fuentes el conector sea el rojo y para el negativo sea el negro, tome los conectores del VBB y coloque el negativo en el punto de tierra que especific en la protoboard, luego coloque el positivo en una pata de la resistencia(R1) , luego en la otra pata de la misma coloque el positivo del multimetro (A1) este debe estar en la opcin de medir micro Amperios, coloque el negativo en la pata de la base del transistor, por medio de un cable haga un puente del emisor del transistor a la tierra de la protoboard, coloque 1 canal del osciloscopio como voltmetro (v1) el conector positivo (rojo) en la base del transistor y el negativo (comun) en tierra, luego coloque el otro multimetro en funcin de amperios (A2) el conector negativo en el colector del transistor y el positivo en el positivo de la fuente VCC, coloque el negativo de la fuente en tierra para finalizar con el montaje del laboratorio.

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Procedimiento Para la primera parte; teniendo montado el laboratorio proceda a energizar el circuito para esto hay que empezar con un voltaje de 2v en la fuente de VCC, luego debemos lograr que el ampermetro (A1) mida una corriente de 20 microamperios, para esto debemos cuadrar el voltaje de VBB hasta que veamos en el ampermetro(A1) este dato, como estamos energizando el transistor en polarizacin emisor comn en tierra deberamos ver en el otro ampermetro (A2) la corriente amplificada teniendo este dato procedemos a colocarlo en la tabla (Tabla1) el voltaje que mida el voltmetro(V1) que se coloque entre el emisor y tierra deber medir siempre en todos los casos 0.6v o 0.7v ya que es un transistor de silicio este dato debe ir en la tabla tambin. Para terminar de llenar la tabla debemos hacer que el ampermetro (A1) mida una corriente de 40 luego de 60, de 80, de 100, 120, 140,160, hasta 200 y todas las corrientes que nos den en el ampermetro (A2) las colocamos en la tabla estos datos deben de estar expresados en amperios, y ese es el procedimiento para llenar la tabla1 de 2v en VCC. Debemos realizar el mismo procedimiento para tomar los datos y llenar las tablas de VCC en 4(tabla2), en 6(tabla3), en 8(tabla4), en 10(tabla5) hasta que el transistor permita ya que este se puede daar y dejar de funcionar. Para la segunda parte lo nico que debemos hacer es colocar un cautn, para elevar la temperatura del transistor, realizar el mismo procedimiento de medicin y llenar otra vez las tablas pero esta vez con los datos que nos d con el cautn puesto en el transistor la idea es ver cmo es que el el transistor funciona en condiciones normales y como funciona en altas temperaturas

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PRESENTACION, ANALISIS E INTERPRETACION DE LOS DATOS Plano elctrico :

A2 XMM2 A1 XMM1 Q1 R1 1k 2N2222A VBB 0V V1 XMM3 VCC 2V

Tablas de datos:

Tabla1 IBMA 2v IcmA VBE Tabla2 IBMA 4v IcmA VBE Tabla3 IBMA 6v IcmA VBE Tabla4 IBMA 8v IcmA VBE Tabla5 IBMA IcmA VBE

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 4.20 mA 9.06mA 13.7mA 18.03mA 25.3mA 31.3mA 36.5mA 42.1mA 47.8mA 52.4mA 0.65V 0.66V 0.67V 0.67V 0.68V 0.68V 0.68V 0.68V 0.68V 0.67V

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 4.52mA 9.18mA 14.1mA 18.9mA 20.1mA 23.4mA 36.9mA 41.6mA 47.7mA 54.2mA 0.64V 0.66V 0.66V 0.6V 0.6V 0.6V 0.6V 0.64V 0.63V 0.62V

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 5.9mA 10.3mA 14.2mA 21.1mA 25.8mA 35.2mA 40.4mA 48.5mA 52.5mA 60.4mA 0.64V 0.63V 0.642V 0.6V 0.67V 0.6V 0.58V 0.57V 0.57V 0.57V

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 7.9mA 11.4mA 18.51mA 24.81mA 32.8mA 40.2mA 49.3mA 56.2mA 66.2mA 75.7mA 0.617V 0.635V 0.628V 0.611V 0.580V 0.656V 0.493V 0.483V 0.543V 0.558V

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 6.56mA 14.6mA 25.4mA 37.5mA 53.6mA 67.5mA 82.3mA 72.8mA 75.2mA 78.9mA 0.62V 0.60V 0.52V 0.54V 0.44V 0.45V 0.39V 0.44V 0.43V 0.42V

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Procedimiento con cautn Tabla6 IB 2v IC VBE Tabla7 IB 4v IC VBE Tabla8 6v IB IC VBE Tabla9 IB 8v IC VBE

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 7.4mA 14.44mA 20.91mA 28.1mA 34.6mA 38.5mA 43.3mA 48.1mA 53.7mA 60.5mA 2.0V IB 7.8mA 3.9V 1.9V IB 1.7V IB 1.68V IB IB 1.61V 1.57V IB 1.52V 140 1.46V 160 1.39V 180 1.3V

200

14.92mA 22.4mA 3.84V 3.76V

29.77mA 37.3mA 3.68V 3.5V

44.1mA 51.0mA 58.0mA 64.5mA 71.2mA 3.48V 3.44V 3.36V 3.29V 3.22V

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 67.5mA 13.49mA 20.2mA 26.4mA 32.80mA 39.0mA 45.2mA 51.5mA 57.6mA 63.9mA 5.8V 5.8V 5.77V 5.71V 5.6V 5.57V 100 0 0 120 0 0 5.4V 140 0 0 5.39V 160 0 0 5.36V 180 0 0 5.2V

20 40 60 80 5.4mA 11.80mA 18.3mA 25.29mA 7.8V 7.8V 7.7V 7.69V

200 0

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Conclusin del laboratorio Al final podemos concluir que el transistor lo que hace es amplificar la corriente en un circuito de conexin emisor comn en tierra lo podemos ver expresado en esta grafica

CONCLUCIONES Con la prctica desarrollada pudimos detallar el comportamiento de las corrientes de entrada Ib y de salida Ic de un transistor BJT en configuracin emisor comn, las cuales se varan segn sus fuentes de polarizacin. Utilizando un cautn como medio para aumentar la temperatura de nuestro transistor, notamos que la corriente de salida Ic se aumenta debido a las incitacin de sus portadores de corriente y a que su barrera de transicin se cierra con el aumento de temperatura y esto permite mas paso de corriente. En conclusin notamos que el transistor es alrgico a la temperatura y a los altos voltajes para su optima utilizacin debemos siempre hacer primero unos muy buenos clculos para su mayor ganancia al momento de amplificar una pequea seal manteniendo siempre su temperatura ambiente dependiendo de el lugar donde se vaya a utiliza.

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BIBLIOGRAFIA: http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N2222 http://aulas.ecci.edu.co/file.php/81578/Caracteristicas_de_un_informe_escrito.pdf

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