E LETRNICA A NALGICA M DULO I

E SCOLA T CNICA R EDENTORISTA ETER C URSO T CNICO DE I NDSTRIA

Prof.: Jernimo Silva Rocha

2008

Nota de Copyright
Copyright 2008 - Jernimo Silva Rocha.

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Sumrio

1 Diodos 1.1 Fsica dos Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Estrutura Atmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2 Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.3 Dopagem de Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.4 Tipos de Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 O Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Polarizao do Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Polarizao Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Polarizao Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4 Curva Caracterstica de um Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Curva na Polarizao Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2 Curva na Polarizao Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.3 Curva Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 2 2 3 4 6 6 7 7 7 8 8 9 9

1.5 Especicaes de Potncia de um Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 1.6 Resistor Limitador de Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 1.7 Reta de Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 1.8 Aproximaes do Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.8.1 Primeira Aproximao (Diodo Ideal) . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.8.2 Segunda Aproximao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.8.3 Terceira Aproximao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.9 Resistncia CC de Um Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 1.9.1 Resistncia Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 1.9.2 Resistncia Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 1.10 Diodos Especiais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 1.10.1Diodo Emissor de Luz LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 1.10.2Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 1.10.3Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Leitura Complementar: Teste de Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

EE LETRNICA A NALGICA
2 Aplicaes dos Diodos

21

2.1 Reticadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.1.1 Onda Senoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.1.2 Transformadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 2.1.3 Reticadores de Meia Onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 2.1.4 Reticadores de Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 2.1.5 Reticadores de Onda Completa em Ponte . . . . . . . . . . . . . 27 2.1.6 Filtro para o Reticador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 2.2 Regulador de Tenso com Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 2.3 Multiplicadores de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32 2.3.1 Dobrador de Tenso de Meia Onda . . . . . . . . . . . . . . . . . 32 2.3.2 Dobrador de Tenso de Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . 32 2.4 Limitadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 2.4.1 Limitador Positivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 2.4.2 Limitador Polarizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 2.4.3 Associao de Limitadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 2.5 Grampeadores CC de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 2.5.1 Grampeador CC Positivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 2.5.2 Grampeador CC Negativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Captulo 1 Diodos

1.1
1.1.1

Fsica dos Semicondutores

Estrutura Atmica
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: El-

trons, prtons e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que participa das reaes qumicas Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma innidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais: Materiais Condutores de Eletricidade So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre. Materiais Isolantes So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos

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seu tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha, mica, baquelita, etc.). Materiais Semicondutores Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos o germnio e silcio.

1.1.2

Semicondutores
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 el-

trons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons, ver Figura 1.1.

Figura 1.1: Estrutura Cristalina de Semicondutores Puros. Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura algumas ligaes covalentes recebem energia suciente para se romperem, fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal, tornando-se eltrons livres (ver Figura 1.2). Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como buraco. As lacunas no tem existncia real, pois

D IODOS

Figura 1.2: Eltron Livre Devido ao Rompimento de uma Ligao Covalente.

so apenas espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se armar que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres. Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.

1.1.3

Dopagem de Semicondutores
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por sim-

plicidade e tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na natureza misturados com outros elementos. Dado a diculdade de se controlar as caractersticas destes cristais feito um processo de puricao do cristal e em seguida injetado atravs de um processo controlado, a insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impureza doadoras e impurezas aceitadoras.

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Impurezas Doadoras

So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.: Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, como mostrado na Figura 1.3, e ca um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suciente para se tornar livre).

Figura 1.3: Dopagem com Impureza Doadora.

Impurezas Aceitadoras So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto signica que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente, essa situao mostrada na Figura 1.4

Figura 1.4: Dopagem com Impureza Aceitadora.

D IODOS

1.1.4

Tipos de Semicondutores
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou

excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores: Semicondutores Tipo N O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo N, em que N est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas em um semicondutor tipo N, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios. Semicondutores Tipo P O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo P, em que P est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num semicondutor tipo P, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

1.2

O Diodo
A unio de um cristal tipo P e um cristal tipo N, obtm-se uma juno PN,

que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno, mostrado na Figura 1.5.

Figura 1.5: Juno PN. Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado N espalham-se em todas direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo). Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto xo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions aumenta, a regio prxima juno ca sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo, mostrada na Figura 1.6. Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um

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equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25 graus celcius, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.

Figura 1.6: Camada de Depleo. O smbolo mais usual para o diodo mostrado na Figura 1.7.

Figura 1.7: Simbologia mais Usada para o Diodo.

1.3

Polarizao do Diodo
Polarizar um diodo signica aplicar uma diferena de potencial s suas ex-

tremidades. H duas formas possveis de polarizao de um diodo. A polarizao direta e a polarizao reversa.

1.3.1

Polarizao Direta
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao di-

reta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo P e o plo negativo em contato com o material tipo N, como mostrado na Figura 1.8. No material tipo N os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a juno. No material tipo P as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver uxo livre de eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.

1.3.2

Polarizao Reversa
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno PN, isto , ligando o

plo positivo no material tipo N e o plo negativo no material tipo P, a juno ca polarizada inversamente, como mostrado na Figura 1.9.

D IODOS

Figura 1.8: Polarizao Direta do Diodo.

Figura 1.9: Polarizao Reversa do Diodo. No material tipo N os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastandose da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo P. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma camada para outra.

1.4

Curva Caracterstica de um Diodo

A curva caracterstica de um diodo um grco que relaciona cada valor da

tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

1.4.1

Curva na Polarizao Direta

A curva caracterstica do diodo diretamente polarizado mostrada na Fi-

gura 1.10. Tenso de Joelho Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho ( No Si aproximadamente 0,7V).

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Figura 1.10: Curva Caracterstica do Diodo Diretamente Polarizado.

1.4.2

Curva na Polarizao Reversa

A curva caracterstica do diodo reversamente polarizado mostrada na Fi-

gura 1.11.

Figura 1.11: Curva Caracterstica do Diodo Reversamente Polarizado. Pelo diodo polarizado reversamente passa uma corrente eltrica extremamente pequena (chamada de corrente de fuga). Se for aumentanda a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (que varia de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente 1 .

1.4.3

Curva Completa
A curva caracterstica completa do diodo mostrada na Figura 1.12

Exceto o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de ruptura.

10

D IODOS

Figura 1.12: Curva Caracterstica Completa do Diodo.

1.5

Especicaes de Potncia de um Diodo

Em qualquer componente eletrnico, a potncia dissipada a tenso apli-

cada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P =V I (1.1)

No se pode ultrapassar a potncia mxima, especicada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Por exemplo: Diodo 1N914 PM AX = 250 mW Diodo 1N4001 IM AX = 1 A Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (PM AX < 0, 5W ) e os reticadores (PM AX > 0, 5W ).

1.6

Resistor Limitador de Corrente

Em um diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode

gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com

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11

o diodo para limitar a corrente eltrica que passa atravs deles, como mostrado na Figura 1.13. Nesse caso RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior a resistncia de RS, menor a corrente que atravessa o diodo.

Figura 1.13: Uso de um Resistor Limitador de Corrente.

1.7

Reta de Carga
Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo deter-

minar atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo para determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso da reta de carga. Baseia-se no uso grco das curvas do diodo e da curva do resistor. A corrente I atravs do circuito, mostrado na Figura 1.13 a seguinte: I= VRS V S VD = RS RS (1.2)

No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura 1.13 o valor de V S = 2V e RS = 100, ento: I= 2 VD = 0, 02 0, 01VD = 0, 01 VD + 20(mA) 100 (1.3)

Se VD = 0V , ento I = 20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o mximo valor que a corrente pode assumir. E se I = 0mA, ento VD = 2V . Esse ponto chamado de ponto de corte, pois representa a corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo. A Equao 1.3 indica uma relao linear entre a corrente e a tenso ( y = ax + b). Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se o grco mostrado na Figura 1.14. Assim:

(I = 0mA, V = 2V ) Ponto de corte Corrente mnima do circuito;

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D IODOS

Figura 1.14: Reta de Carga.

(I = 20mA, V = 0V ) Ponto de saturao Corrente mxima do circuito; (I = 12mA, V = 0, 78V ) Ponto de operao ou quiescente Representa a
corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma tenso de 0,78V.

1.8

Aproximaes do Diodo
Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a

curva do diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos.

1.8.1

Primeira Aproximao (Diodo Ideal)

Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no

sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave aberta, como mostrado na Figura 1.15.

1.8.2

Segunda Aproximao
Nessa aproximao leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V (no

caso do Silcio) para iniciar a conduzir. Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V, como mostrado na Figura 1.16.

1.8.3

Terceira Aproximao
Na terceira aproximao considera-se a resistncia interna do diodo, alm

dos 0,7V, como mostrado na Figura 1.17.

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13

Figura 1.15: Primeira Aproximao do Diodo.

Figura 1.16: Segunda Aproximao do Diodo.

i Na maioria das aplicaes prticas, a segunda aproximao

a mais recomendada para simplicar os clculos. Neste curso ser usada essa aproximao, a menos que se diga alguma coisa em contrrio.

1.9

Resistncia CC de Um Diodo
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se

considerar dois casos:

RD Resistncia CC no sentido direto; RR Resistncia CC no sentido reverso.

14

D IODOS

Figura 1.17: Terceira Aproximao do Diodo.

1.9.1

Resistncia Direta
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o

diodo. varivel, pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear. Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de 50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada: RD1 = 0, 65/10mA = 65 RD2 = 0, 75/30mA = 25 RD3 = 0, 85/50mA = 17 Nota-se que a resistncia cc diminui com o aumento da tenso.

1.9.2

Resistncia Reversa
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de 20 V a

corrente ser de 25 nA, enquanto uma tenso de 75 V implica em uma corrente de 5 A. A resistncia reversa ser de: RS1 = 20/25nA = 800M RS2 = 75/5A = 15M A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.

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15

1.10
1.10.1

Diodos Especiais
Diodo Emissor de Luz LED

O diodo emissor de luz (LED Light Emitting Diode) um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento. A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 1.18.

Figura 1.18: Polarizao do LED. A simbologia usada para o LED como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED do circuito mostrado na Figura 1.18 : I= VS VD R (1.4)

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA.

1.10.2

Fotodiodo

um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa. Em um diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suciente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno PN, ela injeta mais energia ao eltrons

16

D IODOS

de valncia e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.

1.10.3

Diodo Zener

O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura. Na Figura 1.19 mostrada a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

Figura 1.19: Curva Caracterstica do Diodo Zener. O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Mas ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura. A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura). Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador de corrente. Gracamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta de carga, como mostrado na Figura 1.20.

Aproximaes do Diodo Zener

Primeira Aproximao (Zener Ideal) O zener ideal aquele que se comporta

como uma chave fechada para tenses positivas ou tenses negativas menores que VZ . Ele se comportar como uma chave aberta para tenses negativas entre zero e VZ .

Segunda Aproximao Uma segunda aproximao considera-lo como ideal

mas que a partir da tenso de ruptura exista uma resistncia interna, como mostrado na Figura 1.22.

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Figura 1.20: Reta de Carga do Diodo Zener.

Figura 1.21: Primeira Aproximao do Diodo Zener.

Figura 1.22: Segunda Aproximao do Diodo Zener.

Corrente Mxima de um Zener A corrente mxima (IM AX ) que um diodo zener suporta depende da sua tenso de ruptura (VZ ) e da potncia (PZ ) especicada pelo fabricante do dispositivo.

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D IODOS

IM AX =

PZ VZ

(1.5)

Exemplo 1.1 Se um diodo zener de 12 V tem uma especicao de potncia mxima de 400 mW , qual ser a corrente mxima permitida? IM AX = PZ 400 mW = = 33, 33 mA VZ 12 V

Assim, este zener suporta at 33, 33 mA

Leitura Complementar: Teste de Diodos

Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos utilizando um ohmmetro.

Teste de Funcionamento de um Diodo com um Ohmmetro

1. Encosta-se a ponta de prova negativa no ctodo; 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no nodo; deve indicar resistncia baixa. 3. Inverte-se as pontas de provas, a resistncia deve ser alta. O ohmmetro

Exerccios
Exerccio 1.1 Em um dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua corrente de 50 mA. Quando polarizado reversamente, a corrente cai para 20 nA. Qual a razo entre a corrente direta e a reversa? Exerccio 1.2 Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso de diodo for de 0,7 V e a corrente de 100 mA? Exerccio 1.3 Faa o grco I V de um resistor de 2 k. marque o ponto onde a corrente de 4 mA. Exerccio 1.4 Suponha, para o circuito da Figura 1.13, VS = 5 V e que a tenso atravs do diodo seja 5 V. O diodo est aberto ou em curto? Exerccio 1.5 Uma fonte de tenso de 2,5 V leva o diodo a ter um resistor limitador de corrente de 25 . Se o diodo tiver a caracterstica I V da Figura 1.24, qual a corrente na extremidade superior da linha de carga? A tenso na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q?

EE LETRNICA A NALGICA

19

Figura 1.23: Diodo com Resistor Limitador.

Figura 1.24: Exemplo de Curva Caracterstica do Diodo. Exerccio 1.6 Repita o exerccio anterior para uma resistncia de 50 . Descreva o que acontece com a linha de carga. Exerccio 1.7 Para o circuito mostrado na Figura 1.23, a tenso da fonte de 9V e a resistncia da fonte de 1k . Calcule a corrente atravs do diodo. Exerccio 1.8 No circuito da Figura 1.23, a tenso da fonte de 100 V e a resistncia da fonte de 220 . Quais os diodos relacionados abaixo que podem ser utilizados? Tabela 1.1: Exemplos de Diodos Encontrados na Prtica Diodos VRU P T U RA IM AX 1N914 75 V 200 mA 1N4001 50 V 1A 1N1185 120 V 35 A

Exerccio 1.9 E se for invertida a polaridade da fonte?

20

D IODOS

Exerccio 1.10 No circuito da Figura 1.23 qual dever ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10 mA? (suponha VS = 5 V) Exerccio 1.11 No circuito da Figura 1.23 qual dever ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10 mA? (suponha VS = 5 V)

Captulo 2 Aplicaes dos Diodos

2.1

Reticadores
comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. De-

vido ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se necessrio a criao de um circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua compatvel com a bateria. O diodo um componente importante nesta transformao. E essa aplicao dos diodos que ser vista nessa seo. Mas antes de trabalhar com as aplicaes do diodo preciso apresentar alguns conceitos necessrios ao melhor entendimento no circuitos nos quais o diodo ser integrante.

2.1.1

Onda Senoidal
A onda senoidal um sinal eltrico bsico com o formato mostrado na Fi-

gura 2.1. Sinais mais complexos podem ser representados por uma soma de sinais senoidais.

Figura 2.1: Sinal Senoidal.

22

A PLICAES DOS D IODOS

A equao que representa a curva mostrada na Figura 2.1 a seguinte U = UP sen() em que: U tenso instantnea; UP tenso de pico; Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: (2.1)

Valor de pico UP Valor mximo que a onda atinge; Valor de pico a pico (UP P ) Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge UP P = UP (UP ) = 2UP ;

Valor ecaz (URM S Root Mean Square) O valor RMS valor indicado pelo
voltmetro quando na escala CA. O valor RMS de uma onda senoidal, denido como a tenso CC que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que: URM S = 0, 707UP

Valor mdio O valor mdio quantidade indicada em um voltmetro quando

na escala CC. O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de sinal contrrio na segunda metade do ciclo.

2.1.2

Transformadores
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so meno-

res que 30 V CC, enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127 V RMS ou 220 V RMS. Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O componente utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para outra atravs do uxo magntico. Na Figura 2.2 apresentado o esquema do transformador. A tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a tenso de sada ao enrolamento secundrio. No transformador ideal: U2 N2 = U1 N1 Em que: U1 tenso no primrio; U2 tenso no secundrio; N1 nmero de espiras no enrolamento primrio; (2.2)

EE LETRNICA A NALGICA

23

Figura 2.2: Transformador. N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio. A corrente eltrica no transformados ideal : I1 N2 = I2 N1 (2.3)

A potncia eltrica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais. P1 = U1 I1 = U2 I2 = P2 (2.4)

Exemplo 2.1 Se a tenso de entrada for 115 V RMS, a corrente de sada de 1, 5 A RMS e a relao de espiras 9 : 1. Qual a tenso no secundrio em valores RMS? E a corrente eltrica no primrio? Para calcular a tenso no secundrio do transformador (U2 ), pode-se usar a Equao 2.2. N2 U2 1 U2 = : = :U2 = 12, 8 V RM S U1 N1 115 9 E para calcular a corrente no primrio pode-se usar a Equao 2.3 I1 N2 I1 1 = :I1 = 0, 167 A RM S = : I2 N1 1, 5 9

2.1.3

Reticadores de Meia Onda

O reticador de meia onda converte a tenso de entrada1 CA em uma tenso

pulsante positiva UR . Este processo de converso de AC para CC, conhecido como reticao". Na Figura 2.3 mostrado um circuito reticador de meia onda. Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na Figura 2.4. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no
1

Nesse caso a tenso de entrada do reticador a tenso no secundrio do transformador (U2 ).

24

A PLICAES DOS D IODOS

Figura 2.3: Reticador de Meia Onda.

resistor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio ca no diodo. Este circuito conhecido como reticador de meio ciclo porque s o semiciclo positivo aproveitado na reticao.

Figura 2.4: Reticao de Meia Onda.

O resistor R indicado no circuito representa a carga acoplada ao reticador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.

EE LETRNICA A NALGICA
Valor Mdio ou Valor CC

25

A tenso mdia de um reticador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por VCC = 0, 318UP No caso de um diodo ideal (2.5)

VCC = 0, 318(UP 0, 7)

No caso de um diodo de Silcio com a segunda aproximao (2.6)

2.1.4

Reticadores de Onda Completa

A Figura 2.5 mostra um reticador de onda completa. Observe a tomada

central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois reticadores de meia onda. O reticador superior retica o semiciclo positivo da tenso do secundrio, enquanto o reticador inferior retica o semiciclo negativo da tenso do secundrio.

Figura 2.5: Reticador de Onda Completa. As duas tenses denominadas de U2 /2 na Figura 2.5 so idnticas em amplitude e fase. O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas, como mostra a Figura 2.5 direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede. Quando U2 /2 positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz, mas D2 est reversamente polarizado e cortado. Analogamente, quando U2 /2 negativa, D2 conduz e D1 cortado. Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor de carga mostrada na Figura 2.6.

26

A PLICAES DOS D IODOS

Figura 2.6: Reticao de Onda Completa. Valor Mdio ou Valor CC A tenso mdia de um reticador de meia onda mostrada por um voltmetro similar o do reticador de meia onda com a observao de que agora tem-se um ciclo completo e o valor ser o dobro. VCC = 2 0, 318(UP /2) Com diodos ideais (2.7)

VCC = 0, 636(UP /2 0, 7)

Com diodos de Silcio com a segunda aproximao (2.8)

Frequncia de Sada A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, pois a denio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela comea a repet-lo. Na Figura 2.6, a forma de onda reticada comea a repetio aps um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a tenso de entrada tenha uma freqncia de 60 Hz, a onda reticada ter uma freqncia de 120 Hz e um perodo de 8, 33 ms.

EE LETRNICA A NALGICA 2.1.5 Reticadores de Onda Completa em Ponte

27

Na Figura 2.7 mostrado um reticador de onda completa em ponte. Com o uso de quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador. Durante o semiciclo positivo da tenso U2 , o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem, D1 e D4 cam reversamente polarizados e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2 . Durante o semiciclo negativo da tenso U2 , o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2 . Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 cam reversamente polarizados.

Figura 2.7: Reticador de Onda Completa em Ponte. A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso UR sempre positiva. Na Figura 2.8 so mostradas as formas de ondas sobre o resistor de carga e os diodos, considerando os diodos ideais. Na Tabela 2.1 feita uma comparao entre os trs tipos de reticadores, considerando diodos ideais. Tabela 2.1: Comparao entre os Reticadores Meia Onda Onda Completa N de Diodos 1 2 Tenso Pico de Sada UP 0, 5UP Tenso cc de Sada 0, 318UP 0, 318UP Tenso Pico Inversa no Diodo UP UP Freqncia de Sadas fent 2fent Tenso de sada (rms) 0, 45UP 0, 45UP

Ponte 4 UP 0, 636UP UP 2fent 0, 9UP

2.1.6

Filtro para o Reticador

A tenso de sada de um reticador sobre um resistor de carga pulsante

como mostrador por exemplo na Figura 2.8. Durante um ciclo completo na sada,

28

A PLICAES DOS D IODOS

Figura 2.8: Reticao de Onda Completa em Ponte. a tenso no resistor aumenta a partir de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto a tenso de uma bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso reticada na carga, torna-se necessrio o uso de ltros. O tipo mais comum de ltro para circuitos reticadores o ltro com capacitor mostrado na Figura 2.9. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga.

Figura 2.9: Reticador com Filtro Capacitivo. Para o entendimento do funcionamento do ltro supor o diodo como ideal e que, antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico UP . Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que signica uma chave aberta. Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP . Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP , o diodo ca reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio

EE LETRNICA A NALGICA

29

do resistor de carga. A idia do ltro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo do sinal de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir e seja igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio atingir o valor de pico UP . O intervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de conduo do diodo. Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado novamente at UP . Nos reticadores sem ltro cada diodo tem um ngulo de conduo de 180.

Figura 2.10: Reticaco com Filtragem Capacitiva. Na Figura 2.10 mostrada na tenso sob a carga. A tenso na carga agora uma tenso cc mais estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao (Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Naturalmente, quanto menor a ondulao, melhor. Uma forma de reduzir a ondulao aumentar a constante de tempo de descarga (RC). Na prtica aumentar o valor do capacitor. Outra forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um reticador de onda completa, no qual a freqncia de ondulao o dobro do meia onda. Neste caso carregado duas vezes a cada ciclo da tenso de entrada e descarrega-se s durante a metade do tempo de um meia onda. Pode-se relacionar a tenso de ondulao na seguinte frmula UON D = em que: UON D = tenso de ondulao pico a pico; I = corrente CC na carga; f = freqncia de ondulao; C = capacitncia. A escolha de um capacitor de ltro, depende, ento, do valor da tenso de ondulao. Quanto menor, melhor. Mas no vivel que a tenso de ondulao seja zero. Como regra de projeto, o habitual escolher a tenso de ondulao como sendo 10% da tenso de pico do sinal a ser reticado. I f C (2.9)

30

A PLICAES DOS D IODOS

Corrente de Surto Instantes antes de energizar o circuito reticador, o capacitor do ltro est descarregado. No momento em que o circuito ligado, o capacitor se aproxima de um curto. Portanto, a corrente inicial circulando no capacitor ser muito alta. Este uxo alto de corrente chamado corrente de surto. Neste momento o nico elemento que limita a carga a resistncia dos enrolamentos e a resistncia interna dos diodos. O pior caso, o capacitor estar totalmente descarregado e o reticador ser ligado no instante em que a tenso da linha mxima. Assim a corrente ser: ISU RT O = UP REN ROLAM EN T O + RDIODO (2.10)

Esta corrente diminui medida em que o capacitor se carrega. Em um circuito reticador tpico, a corrente de surto no uma preocupao. Mas, quando a capacitncia for muito maior do que 1000 F , a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vrios ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Isto tanto pode danicar os diodos quanto o capacitor. Um modo de diminuir a corrente de surto incluir um resistor entre os diodos e o capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele somado ao enrolamento e resistncia interna dos diodos. A desvantagem dele , naturalmente, a diminuio da tenso de carga CC.

2.2

Regulador de Tenso com Diodo Zener

O objetivo de um regulador de tenso manter a tenso constante na carga.

Com a utilizao de um diodo zener como regulador, a tenso na carga constante e igual a VZ (ver Figura 2.11).

Figura 2.11: Regulador de Tenso com Diodo Zener. No circuito mostrado na Figura 2.11, tem-se VRL = RL VS RS + RL (2.11)

Com o diodo conduzindo reversamente VRL = VZ (2.12)

EE LETRNICA A NALGICA
Dessa forma, a corrente que passa por RS IS = E a corrente que passa por RL IL = VZ RL VS VZ RS

31

(2.13)

(2.14)

Ento a corrente que passa pelo diodo zener IZ = IS IL (2.15)

Considerando a resistncia do diodo zener (RZ ) bem menor que a carga (RL ), RZ RL , o valor da variao da tenso na carga (VL ) depende da variao da tenso na entrada do regulador (VS ) e dado por VL = RZ VS RS (2.16)

Clculo da Resistncia RS
Para garantir que a corrente na carga ser a mnima, deve-se usar RS como R SS < VSM IN VZ ILM AX IZM IN (2.17)

Para garantir que no circular sob o diodo zener uma corrente maior que a corrente mxima que ele suporta, deve-se usar R SI > VSM AX VZ ILM IN IZM AX (2.18)

Dessa forma, deve-se usar o valor de RS entre RSI e RSS (RSI < RS < RSS ). Exemplo 2.2 Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15 V a 20 V e a corrente de carga de 5 a 20 mA. Se o zener tem VZ = 6, 8 V e IZM AX = 40 mA, qual o valor de RS ? Soluo: RS < e RS > Logo, 293 < RS < 342 . (15 6, 8) = 342 (20m + 4m) (20 6, 8) = 293 (5m + 40m)

32

A PLICAES DOS D IODOS

2.3

Multiplicadores de Tenso
So circuitos formados por dois ou mais reticadores que produzem uma

tenso CC igual a um mltiplo da tenso de pico da entrada (2VP , 3VP , 4VP ).

2.3.1

Dobrador de Tenso de Meia Onda

Considere o circuito mostrado na Figura 2.12. No pico do semiciclo negativo,

D1 est polarizado diretamente e D2 reversamente, isto faz C1 carregar at a tenso VP .

Figura 2.12: Dobrador de Tenso de Meia Onda. No pico do semiciclo positivo, D1 est polarizado reversamente e D2 diretamente. Pelo fato da fonte e C1 estarem em srie, C2 tentar se carregar at 2VP . Depois de vrios ciclos, a tenso atravs de C2 ser igual a 2VP . Redesenhando o circuito da Figura 2.12 e colocando uma carga, tem-se o circuito mostrado na Figura 2.13.

2.3.2

Dobrador de Tenso de Onda Completa

Pode-se fazer uma anlise semelhante ao caso anterior para o dobrador de

tenso de onda completa, mostrado na Figura 2.14. Acoplando mais diodos e capacitores ao circuito pode-se obter triplicadores, quadruplicadores de tenso e assim por diante, como mostrado na Figura 2.15.

EE LETRNICA A NALGICA

33

Figura 2.13: Dobrador de Tenso de Meia Onda Resultante.

Figura 2.14: Dobrador de Tenso de Meia Onda.

Figura 2.15: Triplicador e Quadruplicador de Tenso.

2.4

Limitadores
Os circuitos limitadores de tenso (ou ceifadores) retiram tenses do sinal

acima ou abaixo de um dado nvel. Alm disso podem ser usados para mudar o formato do sinal ou para proteo.

34

A PLICAES DOS D IODOS

2.4.1

Limitador Positivo
O circuito mostrado na Figura 2.16 limita o sinal no semiciclo positivo do

sinal de entrada. O valor de pico do sinal no semiciclo positivo limitado ao valor da tenso de quebra da barreira de depleo do diodo.

Figura 2.16: Limitador de Tenso. Se for invertida a polaridade do diodo, obtm-se um limitador negativo de tenso.

2.4.2

Limitador Polarizado
No caso de um limitador polarizado, o valor da tenso de pico na sada a

soma da tenso de quebra da barreira de depleo e da tenso da fonte em srie com o diodo, como mostrado na Figura 2.17.

Figura 2.17: Limitador de Tenso Polarizado. Pode-se usar diodos em srie para produzir o nvel de tenso desejado, em vez de usar baterias. Por exemplo, se forem usados dois diodos de silcio, o nvel de supresso de aproximadamente 1,4 V. Quatro diodos produziriam um nvel de 2,8 V e assim sucessivamente2 .

2.4.3

Associao de Limitadores
Pode-se associar limitadores com polarizao positiva e negativa, como mos-

trado na Figura 2.18. O sinal de sada semelhante a um sinal de onda quadrada.

Como diodos so dispositivos baratos, no h problema com limite de nmero de diodos que podem ser usados, pois provavelmente ainda custaro menos que uma bateria
2

EE LETRNICA A NALGICA

35

Figura 2.18: Associao de Limitadores.

2.5

Grampeadores CC de Tenso
O grampeador CC soma uma tenso CC ao sinal de entrada. Por exemplo,

se o sinal que chega oscila de -10 V a +10 V, um grampeador CC positivo produz uma sada que idealmente oscila de 0 a +20 V (um grampeador negativo produz uma sada entre 0 e -20 V).

2.5.1

Grampeador CC Positivo
A Figura 2.19 mostra o funcionamento de um grampeador CC positivo. Esse

circuito soma um nvel CC positivo ao sinal de entrada.

Figura 2.19: Grampeador CC. Se o diodo for considerado ideal, o seu funcionamento pode ser explicado como aparece na Figura 2.19. No primeiro semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo conduz. No pico negativo, o capacitor se carrega at UP com a polaridade indicada na Figura 2.19 inferior esquerda.

36

A PLICAES DOS D IODOS

Um pouco depois do pico negativo, o diodo desliga, como mostrado na Figura 2.19 inferior direita. A constante de tempo RL C feita deliberadamente muito maior do que o perodo T do sinal de entrada. Por esta razo, o capacitor permanece quase que completamente carregado durante o tempo em que o diodo ca desligado. Em uma primeira aproximao, o capacitor funciona como uma bateria de UP V. Esta a razo da tenso de sada ser um sinal grampeado positivamente. Como o diodo produz uma queda de 0,7 V ao conduzir, a tenso do capacitor na prtica no chega a UP . Por isso, o grampeador CC no perfeito e os picos negativos ocorrem em -0,7 V.

2.5.2

Grampeador CC Negativo
Se for invertida a polarizao do diodo do grampeador mostrado na Fi-

gura 2.19, a polaridade da tenso do capacitor se inverte tambm, e o circuito se transforma em um grampeador CC negativo. Tanto o grampeador positivo quanto o negativo so bastante usados. Os receptores de TV, por exemplo, utilizam um grampeador CC para somar uma tenso CC ao sinal de vdeo. Nesse caso o grampeador CC recebe uma denominao especial, restaurador CC.

i Para lembrar para que lado o nvel CC somado ao sinal,

basta observar o lado para o qual a seta diodo aponta. Se para cima, ento o grampeador positivo. Para baixo, temse um grampeador negativo.

Exerccios
Exerccio 2.1 Um reticador em ponte com um ltro capacitivo, tem uma tenso de pico na sada de 25 V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia de 500 F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)? Exerccio 2.2 No circuito da Figura 2.20 usada uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao central aterrada, as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais as tenses de sada para uma tenso do secundrio de 17,7 V AC e C = 500 F? Qual a ondulao de pico a pico? Quais as especicaes mnima de ID e VZ? Exerccio 2.3 Para o circuito da Figura 2.21, mede-se 24 V AC no secundrio do transformador. Em seguida mede-se 21,6 V AC no resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis. Exerccio 2.4 Deve-se construir um reticador em ponte com um ltro capacitivo. As especicaes so uma tenso de carga de 15 V e uma ondulao de 1 V para uma

EE LETRNICA A NALGICA

37

Figura 2.20: Reticador em Ponte.

Figura 2.21: Reticador em Ponte. resistncia de carga de 680 . Qual a tenso RMS no enrolamento secundrio? Qual deve ser o valor do capacitor do ltro? Exerccio 2.5 A fonte de alimentao dividida da Figura 2.20 tem uma tenso do secundrio de 25 V AC. Escolha os capacitores de ltro, utilizando a regra dos 10% para a ondulao. Exerccio 2.6 A tenso do secundrio no circuito da Figura 2.22 de 25 V AC. Com a chave na posio mostrada, qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais alta, qual a tenso de sada ideal? Exerccio 2.7 Na Figura 2.23, o 1N1594 tem uma tenso de zener de 12 V e uma resistncia zener de 1,4 . Qual a tenso na carga? Qual a corrente zener? Qual a

38

A PLICAES DOS D IODOS

Figura 2.22: Reticador em Ponte. ondulao de sada se na entrada a ondulao de 5 V pico a pico?

Figura 2.23: Regulador de Tenso com Zener.

Exerccio 2.8 Projete um regulador zener que preencha as seguintes especicaes: tenso da carga de 6,8 V, tenso da fonte de 20 V 20%, e corrente de carga de 30 mA 50%. Exerccio 2.9 Qual o sinal de sada do circuito mostrado na Figura 2.24?

Figura 2.24: Circuito com Zener.

EE LETRNICA A NALGICA

39

Exerccio 2.10 Uma variao de corrente de 2 mA atravs do diodo zener produz uma variao de tenso de 15 mV. Qual o valor da resistncia interna desse diodo? Exerccio 2.11 No circuito mostrado na Figura 2.25, qual o valor mnimo de RS para o diodo no queimar (VZ = 15 V e PZM AX = 0, 5 W)?

Figura 2.25: Circuito com Zener.

Exerccio 2.12 No circuito da Figura 2.25, se RS = 2 k, qual a corrente sobre o zener, e qual a potncia dissipada no zener? Exerccio 2.13 No circuito mostrado na Figura 2.26, qual o valor de IZ para RL = 100k, 10ke1k?

Figura 2.26: Circuito com Zener.