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Chap III

LES MEMOIRES
La mmoire est un dispositif dont les Fonctions sont : ENREGISTREMENT de linformation MEMORISATION de linformation RESTITUTION de linformation

Hirarchie Des Mmoires Quand on sloigne, du CPU vers les mmoires auxiliaires :

Plus une mmoire est rapide plus elle est chre et de petite taille Mmoire centrale < 10 ns Les diffrentes mmoires Proprits physiques _ semi-conducteur _ magntique _ optique _ volatile / non volatile _ effaable / non effaable Un ordinateur comporte plusieurs mmoires Mmoire centrale : RAM : Random Access Memory ROM : Read Only Memory Mmoires de stockage Temporaire : Disques Durs, Disquettes, CD-RW, DVD-RW Permanent : CD-ROMS, DVD-R Sauvegarde : Bandes magntiques Organisation de l'information Unit de base : bit Le plus petit lment de stockage Octet (ou byte) : groupe de 8 bits Le caractre (7, 8 ou 16 bits) Codage selon un standard (ASCII, Unicode ...) Mot : groupement d'octets (8, 16, 32, 64 ...) Unit d'information adressable en mmoire Enregistrement : bloc de donne Fichier : ensemble d'enregistrements Caractristiques des mmoires Taille / Capacit : indique la quantit dinformation que la mmoire peu stocker Se mesure en bits / octets : octet = 8 bits byte Diffrentes units Ko, Mo, Go, To bases sur des puissances de 2 : 1000 remplac 210=1024

Terminologie Kilo Octets Mga Octets Giga Octet Tera Octets Peta Octets Exa Octets

Unit KO = 1024 Octets MO = 1024 KO GO = 1024 MO TO = 1024 GO PO = 1024 TO KO = 1024 PO

Taille en Octets 210 Octets 220 Octets 230 Octets 240 Octets 250 Octets 260 Octets

Tailles usuelles Mmoire centrale 128 /256/ 512 Mo Disque dur 60 Go (= 60 x 1024 Mo) CD-ROM 700 Mo, DVD 7 Go Mthodes daccs : _ squentiel (temps daccs linaire) bande _ direct (temps daccs constant) mmoire principale _ mixte (accs direct au voisinage de la donne + parcours squentiel) disque _ associatif (accs la donne en recherchant une cl dans une table : temps constant) cache Adresse Valeur numrique rfrenant un lment de mmoire (un mot ou un fichier) Temps d accs Temps mis pour retrouver une information Cache < 6 ns Mmoire centrale < 10 ns Disque dur 10 ms, CD 50 ms Bande magntique parfois plusieurs minutes si Taccs ( MC) = 1s alors le Taccs ( Mmasse) = 106 s ~ 12 jours Dbit : Bande passante Quantit d information pouvant transiter en une seconde Dpend de la frquence pour les mmoires centrales Valence : Nb de bits par transaction

Dpend de la frquence, de la largeur du bus mmoire et du nombre doprations par cycle : 1 bus de 16 bits et une frquence de 500MHz : 1 BP = 1Go/s Exemples : SDRAM PC133 : 1 Go /s RDRAM PC800 : 1.5 Go /s DDR-SDRAM PC1600 : 1.5 Go /s DDR-SDRAM PC2100 : 2 Go /s DDR-SDRAM PC2700 : 2.5 Go /s RDRAM PC800 Double canaux : 3 Go /s

Les units de mesure de la mmoire centrale La mmoire centrale se mesure en mgaoctets (parfois en gigaoctets) La mmoire est un tableau d octets informations sur une, deux, quatre, huit cases selon les cas Ex : entiers sur 32 bits -> 4 cases mmoire pour un nombre La mmoire centrale est un tableau doctets Chaque case possde une adresse Une case mmoire : 1 octet numro de la case souvent not en hexadcimal Accs par groupes de cases Nombre de bits 8, 32 ou 64 fix par la technologie du chipset et du microprocesseur La mmoire morte (ROM) n Stockage permanent de boites outils BIOS sur PC Parties de systme sur mac n Composants souds sur la carte Modifiables par flashage accs direct _ non volatile : information fige lors de la fabrication _ utilisation : microprogrammes + programmes systmes de base (BIOS) _ PROM (Programmable ROM) : ROM enregistrable 1 fois par lutilisateur
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_ EPROM (Erasable PROM) : PROM effaable (par rayonnement UV) _ EEPROM (Electricaly EPROM) : PROM effaable (signaux lectriques) _ FLASH EEPROM : EEPROM effaable par bloc

La mmoire vive (RAM) 2 grands types de RAM : Random access memory


DRAM : Dynamic RAM - Dynamique : ncessite un rafrachissement priodique de l'information - Peu coteuse Dans la RAM Dynamique la cellule de base est un condensateur qui se charge et se dcharge peu peu, ce qui risque de basculet des bits (1-0), ceci demande un rafraichissement priodique des informations en lecture et ecriture, ce qui ralentit les temps daccs actuellement il est de lordre de 40 ns - 60 ns sur les PC. SRAM : Static RAM - Statique : ne ncessite pas de rafrachissement - Beaucoup plus rapide que la DRAM ( 6- 15 ns) - Mais beaucoup plus chre

Dans ce type de mmoire les cellules de bases sont constitues par des bascules qui demeurent dans un tat donne, linformation peu se conserver sans dgradation. Particularits des RAMs accs direct (temps d accs : SRAM + rapide que DRAM) _ volatile Stockage volatile Plusieurs technologies : DRAM, SDRAM, RDRAM Prsentation physique sous forme de barrettes : SIMM, DIMM, RIMM, n Barrettes de mmoire DRAM, SDRAM, RAMBUS Correction d erreur ECC ou parit n Taille usuelle de la mmoire 256 Mo pour une machine classique >512 Mo pour une utilisation avance Les mmoires de stockage n Stockage d informations court ou moyen terme n Technique de stockage en fonction de la technologie employe Magntique Disques Durs Bandes magntiques
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Optique CD-ROMS DVD n Prix faible en regard de la capacit La mmoire swap n Utilisation d espace disque pour crer des zones de mmoire extension de la mmoire physique Placement dynamique des pages en fonction de leur utilisation n Physiquement Gros fichier sur le disque (Windows) Partition spare (Unix) Barrettes de mmoire : _ SIM (single Inline memory) : deux rangs de 30 contacts fonctionnant en 8 bits et avec des temps d'accs de 70 80 ns. _ SIMM (single inline memory module) : deux ranges de 72 contacts en 32 bits, avec des temps d'accs de 60 ou 70 ns et le mode fast page, trs vite relay par le mode EDO (enhanced data output). _ Maintenant : barrettes DIMM (dual inline memory module) : temps d'accs compris entre 7 et 15 ns et avec une largeur de 64 bits. SDRAM pc 66, la pc 100 et la pc 133. _ frquence en MHZ du bus systme que peut supporter la barrette. SDRAM PC133 : 1 Go /s RDRAM PC800 : 1.5 Go /s DDR-SDRAM PC1600 : 1.5 Go /s DDR-SDRAM PC2100 : 2 Go /s DDR-SDRAM PC2700 : 2.5 Go /s RDRAM PC800 Double canaux : 3 Go /s.

Principe de fonctionnement dune mmoire Le schma gnral dune mmoire se prsente avec le nombre de lignes dentres adresse et le nombre de ligne de donnes avec une ligne de commande R/W. Le nombre de mot adresse = 2 N , cod sur N bits Le nombre dentres / sorties de donnes cod sur m bits. Exemple : mmoire 32 x 4 32 : est le nombre de mots adresse = 25 cad 5 lignes dadresse 4 : est le nombre de ligne dentres / sorties de donnes
Entres 4 bits

R/W
Adress 5 bits

Sorties 4 bits

Cette mmoire prsente 32 emplacements diffrents donc 32 adresses de : 0 31 en dcimal 00000 11111 en binaire 00H 1FH en Hexa les lignes dentres et de sortie sont prcises avec les oprateurs de commandes R/W. il est courant que si : R/W = 1 : dsigne une opration de lecture et que si : R/W = 0 : dsigne une opration dcriture. Exercice : mmoire 4Kx8 : Le nombre de ligne donne 8 Bus adresse 12 Plage en EXA 000 FFF : 4096 octets
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Dcodage dadresse de mmoire : Les registres de mmoire sont des mots ayant une longueur exprime en octets, ils sont agencs selon une matrice carre (range et colonne), accessible laide des dcodeurs.

Les adresses A3 A2 A1 A0 appliques sur les entres determinent le registre qui sera valid, plac sur le bus et achemin son contenu vers le registre Tampon pour validation avec la ligne de commande Chip Set (CS). Exemple : avec ladresse 1101 le registre qui sera valid est obtenu de la faon suivante : - placer deux dcodeurs simple ; un pour les ranges et lautre pour les colonnes de la matrice. - Les lignes A A2 = 1 1, rendent active par la colonne 3 (dcodeur slection 3 colonnes). - Les lignes A A0 = 0 1, rendent active par la range 1 (dcodeur slection 1 ranges). Ainsi le registre 13 est valid. La dmarche inverse consiste dcoder ladresse dun registre : Ladresse qui valide le registre 10 par exemple est le registre raccord la range 2 et la colonne 2 des dcodeurs - La range 2 est obtenue en plaant les bits A1 A0 10 - La colonne 2 est obtenue en plaant les bits A A2 10. 3 Ladresse recherch est au complet A3 A2 A1 A0 = 1010

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Extension de la mmoire Lextension de la mmoire seffectue en ajoutant des puces de mmoire aux bus dadresse, de donnes et de commande. Extension de la longueur de mot Il faut augmenter le nombre de bits du bus de donnes : Exemple : avec 2 mmoires de 64K x 4 on peut obtenir une autre mmoire de 64K x 8 :
64Kx4 + 64Kx4

64K x 8 bits

Bus Adresse 16 bits Bus Donnes 8 bits Bus de commande

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Extension de la capacit : pour augmenter la capacit il faut augmenter le nombre de ligne dadresse. Exemple : former une RAM de 1M X 8 partir de 2 RAM de 512K x 8 :

512Kx 8 Bus Adresse 19bits Bus Donnes 8 bits

512Kx 8

Bus de commande R/W

Dans cet exemple chaque RAM de 512 K possde 19 bits dadresse, la mmoire rsultante de 1M est donc de 20 bits dadresse. Le 20 bits sert valider le circuit mmoire appropri : lentre de validation du circuit de mmoire est commune aux deux RAM, la slection se fait en moyennat un circuit inverseur entre les deux RAM : Ainsi lorsque le 20 bit = 0 RAM 1 selectionne RAM 2 Bloque et inversement.

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