Em sentido horrio, de cima para baixo: um chip, um LED e um transistor so todos feitos de material semicondutor
Para uma correta compreenso do funcionamento destes materiais, faz-se necessrio recordar alguns conceitos j vistos.
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2n2
onde n o nmero do nvel. Assim, o nvel 1 poder possuir no mximo 2 eltrons, o nvel 2 poder ter no mximo 8 e assim sucessivamente.
regra geral na natureza a estabilizao na menor energia possvel. Assim, os nveis so preenchidos na seqncia do menor para o maior e um nvel s poder conter eltrons se o anterior estiver completo. Em cada camada ou nvel de energia, os eltrons se distribuem em subcamadas ou subnveis, representados pelas letras s, p, d, f, em ordem crescente de energia. O nmero mximo de eltrons de cada subnvel tambm foi determinado experimentalmente: Subnvel Nmero mximo de eltrons S 2 p 6 d 10 f 14
O nmero de subnveis que constituem cada nvel de energia depende do nmero mximo de eltrons que cabem em cada nvel. Assim, como no primeiro nvel cabem no mximo 2 eltrons este nvel apresenta apenas um subnvel s, no qual cabem os dois eltrons. O subnvel s do primeiro nvel de energia representado por 1s. Como no segundo nvel cabem no mximo 8 eltrons, o segundo nvel constitudo de um subnvel s, no qual ficam 2 eltrons, e um subnvel p, com no mximo 6 eltrons. Deste modo o segundo nvel e formado por dois subnveis representados por 2s 2p, e assim por diante.
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Vejamos um exemplo: A camada de valncia do As (arsnio), cujo nmero atmico 33, a camada N, pois o ltimo nvel que contm eltrons. A distribuio eletrnica deste tomo fica assim: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p3 O nmero 4 corresponde camada N. O subnvel p da camada N, neste caso no est completo, pois sobraram apenas 3 eltrons para este subnvel. A camada N, neste caso formada pelos subnveis s e p, soma um total de 5 eltrons. Quando completa, esta camada (N) comporta at 32 eltrons, pois formada pelos subnveis s, p, d e f.
4.2 Valncia
Utilizando-se o mesmo exemplo dado anteriormente, percebe-se o nvel mais externo do tomo de arsnio (a camada N) com apenas 3 eltrons. Este nvel denominado nvel de valncia e os eltrons presentes nele so os eltrons de valncia. O nmero de eltrons de valncia um fator importante do elemento. Ele define a capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de se combinar com outros elementos. Muitas das propriedades qumicas e eltricas dependem da valncia.
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Os materiais semicondutores so slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa facilidade de sua condio de isolante para a de condutor. Isto , podem sofrer grandes alteraes em sua condutividade, pois a quantidade de energia necessria para retirar um eltron da banda de valncia e lev-lo para a banda de conduo intermediria entre a energia necessria para o isolante e o condutor. Em baixas temperaturas, os semicondutores puros comportam-se como isolantes. Sob temperaturas mais altas, ou luz ou com a adio de impurezas, porm, pode ser aumentada drasticamente a sua condutividade, podendo-se alcanar nveis que se aproximam dos metais.
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No instante seguinte, verifica-se que a lacuna tambm se move. Porm, a movimentao da lacuna ocorre sempre no sentido contrrio movimentao do eltron. Este fenmeno ocorre sempre que existe a conduo eltrica no material semicondutor. Num material condutor o movimento das lacunas desprezvel.
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O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo N. Nota-se que o material continua eletricamente neutro, pois os tomos tm o mesmo nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo. Agora imagine a situao inversa, conforme ilustrado abaixo: uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo) adicionada.
Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando um buraco (lacuna) positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo P, devido carga positiva dos portadores (buracos). O processo de introduzir tomos de impurezas num cristal de silcio, de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto de lacunas, chama-se dopagem. Quando um cristal de silcio foi dopado, ele passa a ser chamado de semicondutor extrnseco.
4.7 Aplicaes
4.7.1 Diodo Semicondutor
A unio fsica de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma juno PN, mostrada na figura ao lado. Esta juno PN recebe o nome de diodo semicondutor. Um diodo composto por uma seo de material tipo-N ligado a uma seo de material tipo-P, com eletrodos em cada extremidade. Essa combinao conduz 78
Na juno, eltrons livres do material tipo-N preenchem buracos do material tipo-P. Isto cria uma camada isolante no meio do diodo, chamada de zona vazia.
Para se livrar da zona vazia, necessrio que os eltrons se movam da rea tipo-N para a rea tipo-P e que buracos se movam no sentido inverso. Para fazer isto, conecta-se o lado tipo-N do diodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P ao terminal positivo. Desta forma, os eltrons livres no material tipo-N so repelidos pelo eletrodo negativo e atrados para o eletrodo positivo. Os buracos no material tipo-P se movem no sentido contrrio. Quando a diferena de potencial entre os eletrodos alta o suficiente, os eltrons na zona vazia so retirados de seus buracos e comeam a se mover livremente de novo. A zona vazia desaparece e a carga se move atravs do diodo. A figura a seguir ilustra este processo.
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Quando o terminal negativo do circuito preso camada tipo-N e o terminal positivo preso camada tipo-P, eltrons e buracos comeam a se mover e a zona vazia desaparece
Caso a conexo da fonte seja no sentido oposto, com o lado tipo-P conectado ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao plo positivo, a corrente no fluir. Os eltrons negativos no material tipo-N so atrados para o eletrodo positivo. Os buracos positivos no material tipo-P so atrados para o eletrodo negativo. Assim, nenhuma corrente fluir atravs da juno porque os buracos e os eltrons esto cada um se movendo no sentido oposto, aumentando ainda mais a zona vazia (camada de depleo).
Quando o terminal positivo do circuito est ligado camada tipo-N e o terminal negativo est ligado camada tipo-P, eltrons livres so coletados em um terminal do diodo e os buracos so coletados em outro. A zona vazia se torna maior.
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A ilustrao a seguir apresenta o smbolo eltrico do diodo semicondutor e o componente eletrnico, propriamente dito. No lado P do diodo semicondutor conecta-se um terminal que recebe o nome de nodo (A). J no lado N, o terminal denominado de ctodo (K). No smbolo eltrico do diodo semicondutor o lado que tem o trao transversal, corresponde ao ctodo. Logo, o outro lado o nodo.
No componente eletrnico o lado que contm o anel cinza, ou prateado, o ctodo. Consequentemente, o outro lado o nodo. Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizamse por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:
DIODO ZENER Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para trabalhar na regio de ruptura de tenso reversa da juno PN onde grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenses permitindo, desta forma, que se construa um regulador de tenso.
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O LED (Light Emitting Diode) um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado emite luz visvel. A luz produzida pelas interaes energticas do eltron atravs de um processo chamado eletroluminescncia. A recombinao de lacuna e eltron exige que a energia possuda pelo eltron, que at ento era livre, seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz. No silcio e no germnio, elementos bsicos dos diodos e transistores, entre outros componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido a opacidade do material), e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para ajudar na manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel. J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes. Em geral, os LEDS operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os circuitos de estado slido. interessante notar que a tenso dependente do comprimento da onda emitida. Assim, os LEDS infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5V, os vermelhos com 1,7V, os amarelos com 1,7V ou 2.0V, os verdes entre 2.0V e 3.0V, enquanto os LEDS azuis, violeta e ultravioleta geralmente precisam de mais de 3V. A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 horas, ou mais. Enquanto todos os diodos liberam luz, a maioria no o faz muito eficientemente. Em um diodo comum, o prprio material semicondutor termina absorvendo parte da energia da luz. Os LEDs so fabricados especialmente para liberar um grande nmero de ftons para fora. Alm disso, eles so montados em bulbos de plsticos que concentram a luz em uma direo especfica. Como pode ser visto na figura ao lado, a maior parte da luz do diodo ricocheteia pelas laterais do bulbo, viajando na direo da ponta redonda. Os LEDs tm muitas vantagens sobre lmpadas incandescentes convencionais. Uma delas que eles no tm um filamento que se queime e ento duraro muito mais tempo. Alm disso, seus pequenos bulbos de plstico os tornam muito mais durveis. Eles tambm cabem mais facilmente nos modernos circuitos eletrnicos. OLEDS (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz) Uma tecnologia um pouco mais recente comea a chamar a ateno da indstria. Chamada OLED (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz) esta tecnologia promete suprir os grandes problemas atuais dos dispositivos de vdeo a um custo aceitvel para o mercado de produtos de consumo. O OLED tem basicamente a mesma estrutura dos LEDs mas diferem no tipo de material utilizado, apresentando em sua construo substncias eletroluminescentes compostas de
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As primeiras aplicaes de monitores OLED ocorreram em dispositivos mveis, como celulares, PDAs e at mesmo notebooks; onde a pequena espessura e o baixo peso da tela so mais importantes que outros fatores. Entretanto o preo de produo de monitores com essa tecnologia tem cado bastante e hoje j possvel construir telas OLED mais baratas e to durveis quanto telas LCD equivalentes. Alm da simplicidade construtiva e das vantagens fsicas os monitores OLED ainda superam seus rivais em vrios aspectos tcnicos. Monitores OLED so capazes de criar a cor preta, gerando o chamado real black e conseguem taxas de contraste 10 vezes maiores que monitores LCD produzidos atualmente. No so susceptveis ao efeito burn-out que agride monitores CRT e Plasma, situao onde a exibio prolongada de uma mesma imagem marca a tela de forma definitiva, fato ocorrido na maioria das telas de Plasma produzidas hoje em dia. Ainda que uma nova tecnologia de Plasma tenha sido desenvolvida para evitar o burn-out ela resulta em telas mais caras, razo que levou muitos fabricantes ignor-la. A rigor, ao comprar uma tela de Plasma, dificilmente ser possvel saber se aquele modelo especfico resistente ou no ao efeito danoso. Isso pode levar desagradvel situao de se observar, por exemplo, um pequeno smbolo da emissora no canto inferior direito da tela durante uma reproduo de DVD. Alm disto, o OLED dispensa iluminao de background, necessria nos LCDs, o que o torna a tecnologia mais econmica em termos de consumo de energia disponvel atualmente. Ademais uma excelente soluo para dispositivos que operam com baterias j que atualmente a economia de energia uma preocupao global. O OLED capaz de reproduzir cores to bem quanto o Plasma e apresentar um tempo de resposta muito menor que o do LCD. Tempo de resposta o tempo que um pixel leva para acender, atingir a cor ideal e ento apagar voltando ao estado de negro.
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Os transistores NPN so os mais comuns, basicamente, porque a mobilidade dos eltrons muito superior das lacunas, isto , os eltrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina, o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta freqncia. E so, tambm, mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se salientar que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transistores num circuito.
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A base fisicamente delgada e tem uma concentrao de impurezas menor que os semicondutores N do emissor e coletor. Nessa forma, o fluxo de eltrons vindo do emissor tem pouca probabilidade de combinao com os buracos na juno da base para formar Ib e a maior parte rompe a polarizao inversa da juno base-coletor devido ao campo eltrico maior de Vce. Portanto, a polarizao base-emissor atua como um acelerador do fluxo e controla a corrente Ic, fazendo o efeito da amplificao. Pelo circuito, pode-se concluir que Ie = Ib + Ic. Em componentes reais, Ib pode ser 5% (ou menos) de Ie e Ic pode ser 95% ou mais de Ie, ou seja, a amplificao considervel. Na parte esquerda superior da figura, mostrado o smbolo normalmente usado para esse componente. Um parmetro usual para o transistor o fator de corrente , que a relao entre as correntes de coletor e emissor. Assim, = Ic/Ie ou Ic = Ie. Como Ib pequena, o fator prximo da unidade. E ocorre tambm: Ib = Ie Ic = Ie Ie = (1 ) Ie. E o ganho de corrente , caracterstico do transistor, dado por: = Ic/Ib = / (1 ). 86
_ 87
a) J-FET O J-FET canal N constitudo basicamente por uma juno PN, sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da regio N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular uma corrente limitada apenas pela resistncia do material semicondutor. Porm, se polarizarmos inversamente a juno PN (Gate negativa em relao Fonte), formar-se- uma zona de depleo em volta da juno PN. Devido a esse fato, ficar mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistncia interna da regio N.
Zona de depleco
VDS VGS
NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a polaridade das tenses aplicadas aos terminais.
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b) MOS-FET Os transistores de gate isolada (Mos-FET ou Ig-FET) recebem esse nome em virtude da gate ser uma pelcula metlica (de alumnio) isolada eletricamente do canal (semicondutor) atravs de uma finssima camada de xido de silcio. Um efeito semelhante ao anterior pode ser obtido com a porta totalmente isolada do canal. Este dispositivo, que usa uma camada de xido para a isolao da porta, denominado MOS-FET. Deve-se evitar tocar com as mos nos terminais dos FET j que todos eles, mas especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas eltricas estticas, que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna. A sua resistncia de entrada muito elevada (da ordem dos 1015 ). Tipos de MOS-FET: 1. de empobrecimento ou depleo Tal como no J-FET um dos extremos do canal a Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma delicada capa de xido de silcio (SiO2) sobre a qual aplicada uma camada de alumnio (Al) para formar a Porta ou Gate.
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2. de enriquecimento ou reforo A zona P mais larga, sendo o canal restrito a Canal induzido pequenas pores de material N junto fonte e ao dreno. Tal como no FET de empobrecimento, o gate ou porta isolado do canal por uma camada de xido de silcio. Neste transistor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tenso positiva em relao fonte, de modo que o campo eletrosttico assim formado, em vez de repelir os Figura: NMOS de enriquecimento eltrons, os atrai, formando um canal N entre a Canal N Substrato P fonte e o dreno (o tracejado na figura). A formao deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (ID) cuja intensidade ir depender da tenso de gate (VG), j que a profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno ser determinada pelo campo eletrosttico. Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se formar o canal induzido e logo no haver corrente de dreno (ID).
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Resolvendo, Ic = a Ip / (1 a c). Se a soma dos fatores de corrente de ambos os transistores for prxima de 1, a corrente Ic ser muito grande em relao a Ip, o que ocorre na prtica. Os valores de Ip so realmente muito baixos e, uma vez iniciada a conduo, Ip pode ser reduzido a zero, pois o dispositivo conserva a polarizao, mantendo a conduo. Esses dispositivos so bastante utilizados no o controle de cargas de alta potncia, como rotao de motores de corrente contnua, resistncias de aquecimento, etc.
4.7.7 Termistores
Termstor (ou termistor) so resistores semicondutores sensveis temperatura. Existem basicamente dois tipos de termistores:
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4.7.8 Fotocondutores
O fotocondutor , essencialmente, um componente semicondutor sensvel radiao, sendo a sua condutividade varivel com a incidncia de luz. O esquema de operao de um fotocondutor pode ser visto na figura ao lado. Um fton de energia hv maior que o gap de energia da banda absorvido para produzir um par eltron-lacuna, alterando conseqentemente a condutividade eltrica do semicondutor. Quase sempre, a mudana na condutividade medida por meio de eletrodos fixados no semicondutor. Utilizam, geralmente, uma juno PN composta por dois semicondutores que so
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Quando os eltrons e lacunas atingem a juno PN, eles so separados pelo campo interno da regio de depleo. O elemento fotovoltaico fora a corrente a fluir no circuito externo, portanto, a energia luminosa convertida em energia eltrica. Em outras palavras, a clula solar trabalha segundo o princpio de que os ftons incidentes, colidindo com os tomos de certos materiais, provocam um deslocamento dos eltrons, carregados negativamente, gerando uma corrente eltrica. Este processo de converso
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Quanto mais forte o im: Maior o nmero de linhas de fora; Maior a rea abrangida pelo campo magntico.
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Por outro lado, fisicamente, os materiais magnticos podem ser classificados, quanto permeabilidade, como:
Ferromagnticos (ferro, nquel, cobalto, ao) caracterizam-se por uma magnetizao espontnea, que totalmente independente de campos magnticos externos. A grandeza desta magnetizao depende da temperatura que, quando crtica (Temperatura de Curie - varivel para cada material. Exemplo: ferro 7700C, cobalto 7700C, nquel 3650C) o material perde suas propriedades magnticas 97
Diamagnticos (vidro, gua, antimnio, bismuto, chumbo, cobre, gases raros) Estes materiais afastam ligeiramente as linhas de fluxo que os interceptam. A direo do campo adicional (formado atravs da teoria dos domnios) oposta do campo externo fazendo com que o campo resultante seja menor que o campo externo. Sua permeabilidade magntica menor que a do vcuo. Por exemplo:
O bismuto apresenta uma variao em sua resistncia eltrica quando atravessado pelo fluxo magntico, sendo por isso aproveitado em instrumentos de medio de campo magntico.
Paramagnticos (oxignio, sdio, sais de ferro e de nquel, alumnio, silcio) Estes materiais tendem a concentrar ligeiramente as linhas de fluxo que os interceptam. A direo do campo adicional a mesma do campo externo, portanto, o campo resultante maior que o campo externo. Sua permeabilidade magntica ligeiramente maior que a do vcuo. Por exemplo:
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5.2.2 Relutncia
a oposio ao estabelecimento do fluxo no circuito magntico. Apenas como referncia pode-se pensar na resistncia e sua oposio passagem de corrente eltrica e ser possvel estabelecer uma analogia. A Relutncia pode ser obtida a partir das caractersticas magnticas e geomtricas do material, conforme mostrado na equao abaixo:
5.2.3 Permencia
a recproca da relutncia (anlogo condutncia).
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5.2.4 Permeabilidade
a caracterstica do material quanto maior ou menor facilidade de se deixar atravessar pelo fluxo magntico circulante, opondo-se em maior ou menor grau orientao das molculas. A permeabilidade funo da temperatura e da intensidade de campo magntico aplicado.
Material no saturvel: materiais onde = o = cte -> r = 1; o Material diamagntico; o Material paramagntico Material Saturvel: qualquer material ferromagntico. >> o -> r >> 1.
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Quando um condutor conduz uma corrente eltrica um campo magntico produzido a sua volta, como ilustrado ao lado. A direo das linhas de fluxo ou a intensidade (H) do campo magntico pode ser determinada pela regra da mo direita. Se o condutor retilneo, imagine o polegar da mo direita, esticado e apontando no sentido da corrente, e os outros quatro dedos fechados sobre o condutor. Ento estes quatro dedos apontam o sentido do campo como ilustrado na figura ao lado.
Adio e Subtrao de Campo Magntico: corrente saindo do condutor corrente entrando no condutor
1 ilustrao: adio Por terem o mesmo sentido formam um campo total mais forte. 2 e 3 ilustraes: subtrao Por terem o sentidos contrrios formam um campo total mais fraco.
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Introduzindo um ncleo de material ferromagntico no interior da bobina, o fluxo magntico toma valores muito maiores que com ncleo de ar, para os mesmos valores da corrente I. Este grande aumento do fluxo em relao bobina com ncleo de ar deve-se contribuio dada pelos tomos que so, na realidade, pequenos ms. Estes tomos, inicialmente desordenados, alinham-se segundo as linhas de fora do campo magntico produzido pela corrente. Ao alinhar-se, o fluxo que possuem soma-se ao fluxo inicial. Quanto maior for o valor da corrente, maior o nmero de tomos que se alinham e maior o valor do fluxo total. medida que a corrente aumenta, o nmero de tomos que resta por alinhar cada vez menor e, por isso, o fluxo no aumenta mais proporcionalmente corrente. Portanto, aps o aumento inicial linear do fluxo, entra-se na chamada zona de saturao. Quando todos os tomos estiverem alinhados, o aumento do fluxo com a corrente volta a ser linear (mas pequeno, to pequeno quanto era com a bobina com ncleo de ar), dependendo apenas do valor da corrente. A partir do ponto de saturao, a linha do grfico fica, ento, paralela linha correspondente bobina com ncleo de ar.
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Quando o ferro no est magnetizado, seus domnios magnticos esto dispostos de maneira aleatria. Porm, ao aplicar uma fora magnetizante, os domnios se alinham com o campo aplicado. Se invertermos o sentido do campo, os domnios tambm invertero sua orientao. Num transformador, o campo magntico muda de sentido muitas vezes por segundo, de acordo com o sinal alternado aplicado. E o mesmo ocorre com os domnios do material do ncleo. Ao inverter sua orientao, os domnios precisam superar o atrito e a inrcia. Ao fazer isto, dissipam certa quantidade de potncia na forma de calor, que chamada de perda por histerese. Em determinados materiais, a perda por histerese muito grande. O ferro doce um exemplo. J no ao, esse tipo de perda menor. Por isto, alguns transformadores de grande
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Nas ilustraes, observa-se que a fem induzida produz uma corrente cujo sentido cria um campo magntico que se ope a variao do fluxo magntico original. Este fenmeno conhecido como lei de Lenz. A lei de Lenz a garantia de que a energia do sistema se conserva. Isto significa que a direo da corrente induzida tem que ser tal que se oponha as mudanas ocorridas no sistema. Caso contrrio, a lei de conservao de energia seria violada.
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Onde
Sendo S a superfcie por onde flui o campo magntico. Sabendo que a forca eletromotriz pode ser expressa em funo do campo eltrico temos que;
O sinal negativo que aparece na equao acima representa a direo da fem induzida. Um exemplo tpico da aplicao desta lei pode ser visto no princpio de funcionamento de transformadores. Sob a aplicao de uma tenso alternada em um dos seus terminais (primrio), percorrer um fluxo magntico varivel em seu ncleo magntico resultando em uma tenso induzida alternada no outro terminal (secundrio). Os nveis de tenso estaro associados ao nmero
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= Bda
s
Dentro do ncleo, a induo magntica pode ser considerada uniforme atravs da rea A da seo transversal de modo que o fluxo :
= A
Que pode ser escrita em termos da induo magntica no ncleo:
Ni =
l =
l A
O termo Ni representado aqui por chamado de fora magnetomotriz (fmm). Os coeficientes do segundo membro so chamados de permencia P ou relutncia e so definidos como:
1 l = P A
Note que esta ltima equao anloga a lei de Ohm (E=R I). Esta analogia com os circuitos eltricos nos permite representar o campo magntico por um circuito magntico
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i = E/ = l / A
= /
[Wb]
=l/A
O circuito equivalente mostrado abaixo representa o campo magntico de uma bobina toroidal.
Naturalmente, para manter as mesmas densidades de fluxo, o entreferro exige uma fmm muito maior que o ncleo = / , o que pode provocar a saturao do ncleo mantendo o entreferro no saturado pois a curva B-H do ar linear, ou seja, constante. Um circuito magntico composto de caminhos magnticos de diferentes materiais pode ser representado por suas respectivas relutncias magnticas, como mostrado na seqncia:
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c = g =
lc c Ac
lg g Ag
Ni = c + g
Ni = Hc lc + Hg lg
Onde: lc = comprimento mdio do ncleo lg = comprimento do entreferro de ar As densidades de fluxo so:
Bc = Bg =
c
Ac
g
Ag
Bg = Bc =
c
Ac
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No entreferro de ar, as linhas de fluxo so arqueadas nas extremidades dos plos (espraiamento), como ilustrado na figura abaixo. Este efeito incrementado com o aumento da rea do entreferro e pode ser desprezado para pequenos valores do mesmo.
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5.3.1 Eletroms
Eletrom um dispositivo que utiliza a eletricidade para gerar um campo magntico. Possui funcionamento muito similar aos ms permanentes. Sua construo faz uso de um condutor eltrico, normalmente um fio ou barramento de cobre com exterior eletricamente isolado, o qual moldado em forma espiral de modo a compor um enrolamento chamado de bobina. No centro desta bobina normalmente utilizado um ncleo de material ferromagntico, podendo ser de ferro, ao, nquel ou cobalto. Conforme visto anteriormente, todo campo magntico, ao ser passado atravs de um condutor eltrico gera corrente eltrica, e o contrrio tambm ocorre, ou seja, toda corrente eltrica que passa por um condutor eltrico gera um campo magntico. O campo magntico gerado pela conduo de uma corrente em um condutor retilneo muito pequena, praticamente imperceptvel, mas quando o condutor enrolado de forma espiralada, os pequenos campos gerados em cada parte do condutor se combinam, formando um nico campo maior e de mesmo sentido. No caso de uma bobina, para determinar o sentido das linhas de fluxo magntico, utilizase a regra da mo direita: ao se fechar a mo direita sobre uma bobina os dedos fechados indicam o sentido do fluxo de corrente, consequentemente o dedo indica o plo norte do campo magntico gerado. A figura a seguir ilustra esta regra.
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Eletroms so utilizados em indstrias, veculos automotores, dentre outras aplicaes. Nas indstrias, os eletroms so utilizados em rels eletrnicos e contatores eltricos, componentes muito comuns em automao industrial, mquinas e aparelhos eletroeletrnicos. Possuem tambm grande aplicao em siderrgicas, para manipulao de produtos de ferro e ao. Veculos automotores utilizam eletroms em pequenos motores e no alternador, que utiliza o princpio de gerao eltrica atravs do campo magntico. Monitores de computadores CRTs (mais antigos) utilizam eletroms para fazer correes na imagem da tela, com uma funo chamada Desmagnetizar. O eletrom a base do motor eltrico e do transformador. So empregados em freios e embreagens eletromagnticos e para levantar ferro e sucata, assim como, so aplicados tecnologia dos trens de levitao magntica (Maglev) estudada no item relativo a supercondutores.
5.3.2 Rels
Um rel eletromecnico um interruptor ou chave eletromecnica que normalmente usado em circuitos que necessitam de cortes de energia. A tecnologia mais antiga usada na fabricao de rels a eletromagntica.
Em um rel eletromagntico, quando atingido um determinado valor da corrente, o disparador do rel (um eletrom) atua e ele abre, por exemplo, um circuito. Existe um determinado tempo de atuao. Este tipo de rel usado na proteo contra curtos-circuitos. Em um rel trmico, quando atingida uma determinada temperatura, o rel dispara. Esta temperatura pode ser provocada por uma corrente que atingiu um valor determinado durante um tempo suficiente para atingir o limiar de disparo. O elemento sensor , normalmente, uma lmina bimetlica ou bi-lmina. Conforme j visto este tipo de atuao usado na proteo contra sobrecargas. H rels que se destinam a realizar operaes de tipos diversos em automatismos. So chamados rels auxilares . Existem ainda os rels eletrnicos que no tm peas mveis, o que os torna mais rpidos, menos consumidores de energia e menos sujeitos a avarias do que os demais.
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REL ELETROMAGNTICO
REL TRMICO
REL AUXILIAR
REL ELETRNICO
Os rels podem ter diversas configuraes quanto aos seus contatos: podem ter contatos NA, NF ou ambos, neste caso com um contato comum ou central (C). Os contatos NA (normalmente aberto) so os que esto abertos enquanto a bobina no est energizada e que fecham, quando a bobina recebe corrente. Os NF (normalmente fechado) abrem-se quando a bobina recebe corrente, ao contrrio dos NA. O contato central ou C o comum, ou seja, quando o contato NA fecha com o C que se estabelece a conduo e o contrrio com o NF. A principal vantagem dos Rels em relao aos SCR e os Triacs que o circuito de carga est completamente isolado do de controle, podendo inclusive trabalhar com tenses diferentes entre controle e carga. A desvantagem o fator do desgaste, pois em todo o componente mecnico h uma vida til, que muito superior nos tiristores, por exemplo. Os rels tm uma grande diversidade de aplicaes, em vrias reas, como no setor de energia, automobilstico, na indstria, automaes residenciais e comerciais. Devem ser observadas as limitaes dos rels quanto a corrente e tenso mxima admitida entre os terminais. Se no forem observados estes fatores a vida til do rel estar comprometida, ou at a do circuito controlado.
5.3.3 Contatores
Contator um dispositivo eletromecnico que permite, a partir de um circuito de comando, efetuar o controle de cargas num circuito de potncia. Tais cargas podem ser de qualquer tipo, desde tenses diferentes do circuito de comando e at conter mltiplas fases. Os principais elementos construtivos de um contator so:
Dois tipos de contatos com capacidade de carga diferentes ( principal e auxiliares); Maior robustez de construo; Possibilidade de receber rels de proteo; Existncia de cmara de extino de arco voltaico; Variao de potncia da bobina do eletrom de acordo com o tipo do contator; Tamanho fsico de acordo com a potncia a ser comandada; Possibilidade de ter a bobina do eletrom secundrio;
Os contatores auxiliares so utilizados para aumentar o nmero de contatos auxiliares dos contatores de motores para comandar contatores de elevado consumo e para sinalizao. Possuem as seguintes caractersticas:
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Tamanho fsico varivel conforme o nmero de contatos Potncia da bobina do eletrom praticamente constante Corrente nominal de carga mxima de 10 A para todos os contatos Ausncia de necessidade de rel de proteo e de cmara de extino
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Quando se fecha a chave S a corrente segue o seguinte caminho: eletrom, mola B, armadura A, placa F chave S e volta pilha. Mas, logo que a corrente passa acontece o seguinte: 1o) o eletrom atrai a armadura; esta leva consigo a haste C, e a esfera D bate no tmpano T ; o 2 ) quando a armadura atrada, ela se afasta da placa F e o circuito se abre; 3o) com o circuito aberto, cessa a atrao sobre a armadura, e a mola B leva novamente a armadura em contato com F ; 4o) ento o circuito se fecha, e tudo se repete. Assim, enquanto a chave S permanecer fechada, a esfera D alternadamente bate no tmpano e recua. Essa chave S o que vulgarmente chamado de o boto da campainha; quando o mesmo acionado, fechado o circuito.
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Os motores eltricos podem ser: a) Motor de corrente contnua (CC) : Na maioria dos motores eltricos CC, o rotor e um eletrom que gira entre os plos de ms permanentes estacionrios. Para tornar esse eletrom mais eficiente o rotor contm um ncleo de ferro, que se torna fortemente magnetizado, quando a corrente flui pela bobina. O rotor girar desde que esta corrente inverta seu sentido de percurso cada vez que seus plos alcanam os plos opostos do estator. O modo mais comum para produzir tais reverses usando um comutador. b) Motor sncrono: funciona com velocidade estvel; utiliza-se de um induzido que possui um campo constante pr-definido e, com isto, aumenta a resposta ao processo de arraste criado pelo campo girante. geralmente utilizado quando se necessita de velocidades estveis sob a ao de cargas variveis. Tambm pode ser utilizado quando se requer grande potncia, com torque constante.
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c) Motor de induo: funciona normalmente com velocidade constante, que varia ligeiramente com a carga mecnica aplicada ao eixo. Devido a sua grande simplicidade, robustez e baixo custo o motor mais utilizado de todos, sendo adequado para quase todos os tipos de mquinas acionadas encontradas na prtica. Atualmente possvel controlarmos a velocidade dos motores de induo com o auxlio de conversores de freqncia.
5.3.7 Transformadores
Um transformador um dispositivo destinado a transmitir energia eltrica ou potncia eltrica de um circuito outro, transformando tenses, correntes e ou de modificar os valores das Impedncias de um circuito eltrico. Trata-se de um dispositivo de corrente alternada que opera baseado nos princpios eletromagnticos da Lei de Faraday e da Lei de Lenz. Consiste de duas ou mais bobinas ou enrolamentos e um "caminho", ou circuito magntico, que "acopla" estas bobinas. H uma variedade de transformadores com diferentes tipos de circuito, mas todos operam sobre o mesmo princpio de induo eletromagntica. No caso dos transformadores de dois enrolamentos, comum denomin-los como enrolamento primrio e secundrio. Existem transformadores de trs enrolamentos sendo que o terceiro chamado de tercirio. Existe tambm um tipo de transformador denominado autotransformador, no qual o enrolamento secundrio possui uma conexo eltrica com o enrolamento do primrio. Transformadores de potncia so destinados primariamente transformao da tenso e das correntes operando com altos valores de potncia, de forma a elevar o valor da tenso e conseqentemente reduzir o valor da corrente. Este procedimento utilizado, pois ao se reduzir os valores das correntes, reduzem-se as perdas por efeito Joule nos condutores. O transformador constitudo de um ncleo de material ferromagntico, como ao, a fim de produzir um caminho de baixa relutncia para o fluxo gerado. Geralmente o ncleo de ao dos transformadores laminado para reduzir a induo de correntes parasitas ou de corrente de Foucault no prprio ncleo, j que essas correntes contribuem para o surgimento de perdas por aquecimento devido ao efeito Joule. Tambm se utilizam ao-silcio com o intuito de se diminuir as perdas por histerese.
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