FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA DISPOSITIVOS DE MICROONDAS La ingeniera de microondas/milimtricas tiene que ver

con todos aqullos dispositivos, componentes y sistemas que trabajen en el rango frecuencial de 300 MHz a 300 GHz. Debido a tan amplio margen de frecuencias, tales componentes encuentran aplicacin en diversos sistemas de comunicacin. Ejemplo tpico es un enlace de Radiocomunicaciones terrestre a 6 GHz en el cual detrs de las antenas emisora y receptora, hay toda una circuitera capaz de generar, distribuir, modular, amplificar, mezclar, filtrar y detectar la seal. Otros ejemplos lo constituyen los sistemas de comunicacin por satlite, los sistemas radar y los sistemas de comunicacin mviles, muy en boga en nuestros das. La tecnologa de semiconductores, que proporciona dispositivos activos que operan en el rango de las microondas, junto con la invencin de lneas de transmisin planares; ha permitido la realizacin de tales funciones por circuitos hbridos de microondas. En estos circuitos, sobre un determinado sustrato se definen las lneas de transmisin necesarias. Elementos pasivos (condensadores, resistencias) y activos (transistores, diodos) son posteriormente incorporados al circuito mediante el uso de pastas adhesivas y tcnicas de soldadura. De ah el nombre de tecnologa hbrida de circuitos integrados (HMIC: "Hibrid Microwave Integrated Circuit"). Recientemente, la tecnologa monoltica de circuitos de microondas (MMIC), permite el diseo de circuitos/subsistemas capaces de realizar, muchas de las funciones mencionadas anteriormente, en un slo "chip". Por las ventajas que ofrece sta tecnologa, su aplicacin en el diseo de amplificadores para receptores pticos, constituye un campo activo de investigacin y desarrollo. El diseo de circuitos de microondas en ambas tecnologas, ha exigido un modelado preciso de los diferentes elementos que forman el circuito. De especial importancia son los dispositivos activos (MESFET, HEMT, HBT); pues conocer su comportamiento tanto en pequea seal como en gran seal (rgimen no lineal), es imprescindible para poder predecir la respuesta de un determinado circuito que haga uso de l. El anlisis, modelado y simulacin de estos dispositivos, constituye otra de las reas de trabajo 1. PASIVOS: a) Terminaciones: Carga adaptada, cortocircuito reactancias variables. b) Conectores y transiciones: Tipos de conectores FC (NTT, perdidas de retorno bajas) SC E-2000 (Perdidas de retorno muy bajas) LINEAS DE TRANSMISION 01L | IV CICLO-2010B y circuito abierto,

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA DIN HMS-10 (Tipo SMA elctrico) ST (ATT, tipo BNC) SMA (Fibra multimodo y corta distancia) Bicnico (Bell, aplicaciones telefonicas) *Contactos: Plano, PC y SPC, APC REFLEXION DE FRESNEL

Prdidas producidas por la luz reflejada en el cambio de medio de ndices.

liquido adaptado

c) Filtros: Componente pasivo utilizado para modificar la radiacin ptica que le atraviesa, alterando la distribucin espectral. Parmetros caractersticos:

Perdidas de insercin en la banda de paso. Aislamiento (mnimo 40 dB). Reflectancia. Longitud de onda de operacin.

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA d) Acopladores direccionales: componente pasivo (no selectivo en longitud de onda) con tres o ms puertos que comparten la potencia ptica entre sus puertos de una forma previamente determinada sin realizar ninguna amplificacin, conmutacin u otra modulacin activa. Tipos ms usuales:

Parmetros caractersticos Perdidas:

( )

Funcin: reparten la potencia entre unos puertos de salida, quedando el restante puerto aislado.

Dentro de las propiedades de los 4 puertos tenemos que, pueden tener todos los puertos acoplados, no tener prdidas y ser reciprocas, de 16 parmetros se reduce a 6.

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[ ]

Tomando

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, Posibles soluciones:

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[ ]

4 ACOPLADORES HIBRIDOS

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA Estos son acopladores de 3dB, existen 2 tipos: simtrico o hibrido de 90 y el antisimtrico o hibrido de 180.

[ ]

[ ]

Veremos tres ejemplos de estos acopladores: Acoplador de lnea secundaria (branch line): es un acoplador hibrido de 90 muy extendido en tecnologa microstrip.

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) (

) (

De las equivalencias entre los distintos parmetros: ( )

( Obtenemos:

) (

) (

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA Superponemos las soluciones:

Por simetra tenemos la matriz de dispersin:

[ ]

Anillo Hibrido Es un acoplador hibrido de 180 muy extendido en tecnologa microstrip

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Queda:

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Superponemos las soluciones:

Hay que repetir el anlisis con los puertos 2 y 4:

Para los puertos 2 y 4 se tiene: ( ) ( ) ( ) ( )

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Y la matriz de dispersin queda: [ ] ( )

T-MAGICA Es un acoplador hibrido de 180 muy extendido en tecnologa de gua de ondas.

Los brazos 2 y 3 forman una unin T-plano H, as que cuando 1 es el puerto de entrada, las salidas 2 y 3 estn en fase. El puerto 4 queda aislado, porque las lneas de campo corresponden a un modo al corte. Los brazos 2 y 3 forman con 4 una unin T-plano E, as que cuando 4 es la entrada, las salidas 2 y 3 estn en contrafase y en fase respectivamente, quedando 1 aislado. Otros acopladores:

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e) Multiplexor y Demultiplexor: Dispositivo de derivacin selectivo en longitud de onda utilizado en sistemas de transmisin WDM (wavelenght divisin multiplexing) en el que las seales pticas pueden transferirse entre dos puertos predeterminados dependiendo de la longitud de onda de la seal.

Multiplexor: Dispositivo de derivacin con dos o ms puertos de entrada y un puerto de salida en el que la seal luminosa en cada puerto de entrada se limita a longitud de onda previamente seleccionada y la salida es la combinacin de las seales luminosas procedentes de los puertos de entrada. Demultiplexor: Dispositivo que lleva a cabo la operacin inversa del multiplexor, en el que la entrada es una seal ptica que comprende dos o ms longitudes de onda y la salida de cada puerto es una gama de longitudes de onda preseleccionada distinta. Parmetros caractersticos WDM: o Gama de longitudes de onda de funcionamiento. o Perdidas a la longitud de onda de trabajo. o Diafona o telediafonia: Parte de potencia ptica que sale por un puerto a una longitud de onda no deseada. ( ) * ( ) + ( ) 11

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Fabricacin: Basados en la tecnologa de fabricacin de: Acopladores selectivos en . Red de difraccin. Red de Bragg Red de Difraccin Periodo-Largo. Fabry-Perot. Mach-Zehnder. Filtros dielctricos multicapa. Acusto-ptico sintonizable

Aislador: Dispositivo ptico no recproco destinado a bloquear la transmisin en una direccin, presentando prdidas de insercin mnimas en el sentido de transmisin deseado. Principio de operacin: Suelen basar su funcionamiento en el bloqueo de un Estado de Polarizacin (SOP) de la luz que los atraviesa. Parmetros caractersticos: Prdidas de insercin (tpicas de 1 dB) Aislamiento (entre 40 y 50 dB) Prdida dependiente de la polarizacin Dispersin por modo de polarizacin 12

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Aplicacin: los aisladores se suelen utilizar en aplicaciones de rediofrecuencia y microondas para proteger a los generadores de posibles reflexiones indeseadas. Asi por ejemplo, los aisladores se suelen insertar entre el generador y el sistema al que este se alimenta, de manera que ante cualquier pequea desadaptacin que se produzca en el sistema, el aislador se encarga de evitar que las seales reflejadas alcancen el generador y le ocasiones por tanto daos que pueden resultar irreversibles. Asi pues, un aislador ideal como el mostrado en la figura tiene la siguiente matriz de parmetros de dispersin: ( Que como puede observarse no es simtrica ( a) circuitos resonantes, cavidades. Factor de calidad Q. Respuesta en frecuencia. Resonadores por reflexin. Resonadores por cavidades. 2. Activos A. Amplificadores de Microondas A.1.-Amplificadores con klystron Los amplificadores de potencia que con klystron se utilizan en algunas estaciones terrestres de comunicaciones satelitales ) )

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Diagrama del amplificador klystron y twt

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA Generalmente se utilizan 5 cavidades en un Klystron de 3 Kw de potencia. Se dispone de un can electrnico que emite un haz de electrones que pasa a travs del espacio intermedio entre las cavidades de cada uno de los resonadores. La primera cavidad sirve para ingresar la seal de microondas a ser amplificada, mientras que la segunda se usa para extraer la seal ya amplificada. La seal de entrada excita la primera cavidad creando un campo elctrico el cual modula a su vez el haz de electrones. La velocidad de los electrones es proporcional al campo resultante en la cavidad. En la ltima cavidad se genera un campo elctrico como funcin de la velocidad de los electrones que se transforma en una corriente de microondas de salida. Caractersticas de los klystron de bandas C y Ku:
en la banda de 5925 a 6425 kHz tienen una potencia de salida de 150 a 3400 watts con ganancias de 50 a 40 dB y anchos de banda de 23 a 45 MHz respectivamente. en la banda de 14 a 14,5 GHz la potencia es de orden de 1500 a 200 watts con una ganancia de 40 dB y ancho de banda de 100 MHz.

A.2.-Amplificadores con TWT Son amplificadores con tubo de onda progresiva en ingles (Traveling-Wave-Tube). Tambin se usa en estaciones para comunicaciones satelitales. Es un amplificador de gran ancho de banda (hasta una octava) y una ganancia de potencia de 25 a 50 dB. La eficiencia, entre el 20 y 40%, es funcin del ancho de banda.

Tubo de onda progresiva

Consiste en un generador de haz electrnico y una estructura de enfoque magntico. Una estructura en forma de hlice facilita la interaccin entre el campo de microondas y el haz electrnico. La velocidad de los electrones se ajusta para que sea igual a la velocidad de fase de las microondas. El can electrnico consiste en: LINEAS DE TRANSMISION 01L | IV CICLO-2010B

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Calefactor y ctodo, cuya superficie de emisin de electrones es mucho mayor que el rea del haz lo cual permite trabajar con menor densidad de electrones en un orden de 15 a 50 veces. Electrodo de enfoque que rodea al ctodo y regula el campo elctrico y nodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual acta sobre la ganancia del amplificador. Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en varias etapas de tensin positiva para restar energa cintica y disminuir la disipacin de calor. El TWT tiene prestaciones inferiores al Klystron en cuanto hace a la linealidad de fase. El nivel de ruido es menor en el TWT, -64 dBm/kHz con respecto a 58 dBm/kHz en el Klystron. En los TWT se trabaja con un back-off de 7 dB para reducir los productos de intermodulacin y muchas veces con linealizadores o predistorsionadores. A.3.-Amplificador de bajo ruido paramtrico Los amplificadores de bajo ruido paramtricos son los usados en la recepcin. Ya que se requiere bajo ruido. El principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo ruido interno. El amplificador paramtrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que vara en funcin de una seal apropiada). El diodo varactor acta como una resistencia negativa ante la presencia de la seal lo cual produce la amplificacin. La seal que vara la resistencia se llama seal de bombeo.

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Diagrama del amplificador parametrico

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA En la Fig se muestra el circuito equivalente a un diodo varactor. La resistencia de prdida de los elementos en serie Rs es proporcional al ruido trmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de Rs disminuye cuando se enfra el conjunto con una celda Peltier o con las mejoras introducidas en el diseo del diodo y los materiales. En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramtrico. El amplificador consiste en 3 seales: la seal de bombeo proveniente de un oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la seal a amplificar; la seal a amplificar y la seal complementaria que se produce al mezclarse ambas seales precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la seal de bombeo se transfiere a la seal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la seal de bombeo es el doble de la otra seal y cuando ambas estn en fase. A.4.-Amplificador con transistores Los amplificadores ms interesantes por la relacin entre el costo, consumo, tamao, reproductividad y distorsiones son los realizados mediante transistores SSPA (Solid State Power Amplifier). El semiconductor silicio es til en transistores bipolares hasta los 3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio (As Ga) se utiliza por encima de dicha frecuencia en la configuracin de transistor de efecto de campo (FET). En los amplificadores de potencia de estado slido el nivel mximo de potencia de salida es de 10 watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14 GHz. Tienen por ello una potencia de salida limitada frente a los amplificadores tradicionales usados en estaciones terrenas. En los amplificadores de bajo ruido se selecciona la configuracin FET con barrera Schottky que permite una figura de ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas donde la primera se enfra termoelctricamente mediante celdas Peltier a -40 C se logran valores de 0,6 dB a 4 GHz con ganancia de 14 dB. Estudio de los parmetros S de un transistor Un transistor con un terminal comn puede caracterizarse mediante una matriz de dimensin 2x2

S11 y S22 son los coeficientes de reflexin a la entrada y la salida si se carga con la impedancia de referencia. S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce= 5 V, Ic= 30 mA, f = 0,2 1 Ghz

Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce= 5 V, Ic= 30 mA, f = 0,2 1 Ghz

Diagrama de bloques de un amplificador

Circuito equivalente 17

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B.-Osciladores Todo lo que es comn a todos los osciladores se ha tratado con suficiente extensin en Electrnica de Comunicaciones; simplemente vamos a enumerar cuales son las caractersticas bsicas de un oscilador:
Frecuencia de oscilacin, la de la componente fundamental Potencia de Salida, la entregada a la carga slo a la frecuencia fundamental Nivel de Armnicos, relacin en dB entre la potencia del armnico ms fuerte y la potencia del fundamental Nivel de espurios, relacin en dB entre la potencia (mxima) de las frecuencias no mltiplos de la fundamental y la de ste. Rendimiento, Potencia de seal en la carga / Potencia en DC en % Sintona (VCO), margen de frecuencias que recorre (barre) el oscilador al modificar el circuito resonante PULLING, variacin de la frecuencia al modificar la carga; se especifica para un VSWR dado, normalmente 1,5 o 2 PUSHING, variacin de la frecuencia con la polarizacin Diagrama de Rieke, contornos de frecuencia y potencia constante del oscilador (funcin de la carga)

Veremos, como ejemplo, las especificaciones de un fabricante para un oscilador en frecuencias de Microondas

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B.1.-Osciladores de resistencia negativa En la electrnica de comunicaciones algo de los dispositivos de resistencia dinmica negativa en semiconductores, de forma que su caracterstica I/V, con una pendiente negativa, apunta claramente a la posibilidad de generar seal a partir de la polarizacin de estos dispositivos. Vamos a ver con algo ms Osciladores Diodos Gunn: Efecto Gunn El principio de funcionamiento del diodo es el denominado efecto gunn; para que se d este efecto, el material semiconductor debe tener una propiedad clave: que tenga dos bandas de energa muy cercanas en la banda de conduccin. El vector de onda k tiene la magnitud igual al n de onda k (2/) y la direccin la de propagacin, en este caso la direccin de la transferencia de electrones entre diferentes bandas de conduccin. Las direcciones en la estructura cristalina se denominan como L o (1, 1, 1), o (0, 0, 0) y X o (1, 0, 0), y las energas para que la partcula cambie de banda son diferentes segn sea la direccin. Para ver el efecto gunn basta con fijarse en la banda de ms bajo nivel (E < 2eV), que tiene tres valles diferentes, uno en cada direccin.

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En la siguiente grfica simplificada se ven los valles central y el satlite L. Entre ellos est el gap de energa y se ha utilizado una aproximacin parablica para los perfiles de energa. Este gap es la cantidad de energa que necesita un electrn para cambiar de estado desde el valle al valle L. En nmero, en el AsGa este valor es = 0,36eV.

Como podemos observar la parte comprendida entre las lneas verticales Corresponde a la zona de resistencia influenciada por el diodo Gunn.

EJEMPLO: Vemos en primer lugar el perfil del dopado de la muestra de AsGa, con las dimensiones principales, el circuito de aplicacin para la simulacin SPICE y los resultado para V (t) e I (t). El oscilador genera alrededor de 140mW en 70GHz, con una eficiencia del 2,4%.

Osciladores con diodos Impatt Es otro tipo de dispositivo, esta vez s, realmente un diodo como tal porque su construccin se basa en la tpica de una unin p-n y en un fenmeno bien conocido en los diodos: el fenmeno de la avalancha, que se da en las cercanas de la tensin inversa LINEAS DE TRANSMISION 01L | IV CICLO-2010B

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA de ruptura los diodos zener utilizan esa zona de polarizacin inversa para estabilizar las tensiones o actuar como limitador. Recordemos la caracterstica corriente-voltaje de un diodo y dnde est la zona de ruptura:

La zona de ruptura es en la que se produce la corriente de avalancha, un rapidsimo incremento de la corriente inversa cuando la polarizacin del diodo supera la tensin umbral. En el caso del diodo IMPATT, las estructuras de dopado pueden ser variadas, aunque la ms conocida es la del diodo Read, denominado as en honor de la persona- W. T. Read que hizo la prediccin en la que se basa el diodo: si la seal RF causa que la polarizacin del diodo sobrepase la tensin de ruptura, la corriente de avalancha generada estar 90 desfasada respecto a la tensin RF. Esto a su vez implicaba que, en esa zona, el diodo deba presentar una resistencia dinmica negativa y, por tanto, ser til para generar oscilaciones en frecuencias de microondas. Recordar que es caracterstico de todos los fenmenos de resonancia, que las energas magntica y elctrica se intercambian entre s mientras dura la oscilacin y esto implica un desfase de 90 entre tensin y corriente. Veamos las caractersticas de un diodo real.

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Multiplicadores

Vamos a ver un tipo de dispositivo muy utilizado en frecuencias de microondas, donde puede ser interesante partir de un oscilador de ms baja frecuencia, fcilmente sintetizable como se ha visto en Electrnica de Comunicaciones, para despus multiplicarla por si misma: en realidad se trata de generar mltiples armnicos y seleccionar el que nos interese. Pero no es esta la nica aplicacin de este tipo de dispositivos: ya hemos comentado que puede ser un elemento necesario tambin, formando parte de lazos de control de DRO.

Transistores para microondas y diodos efecto tnel. Basados en semiconductores. Uniones P-N. Basados en Si y en GaAs. El diodo de efecto tnel amplifica por presentar una resistencia negativa. B. Dispositivos de transferencia de electrones. Diodos efecto Gunn. Dispositivo de dos puertos de resistencia negativa. La corriente flucta al someterlos a un voltaje elctrico. C. Dispositivos de avalancha. Aplicacin de alta tensin a uniones p-n. Eficiencias hasta del 60%. IMPATT, TRAPATT, BARITT D. Tubos de haz lineal. Klystron, hlix trvelin-wave tuve (TWT), Twystron. Se utiliza un campo magnetico cuyo eje coincide con el haz de electrons para mantener el haz junto a lo largo del tubo. 22

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA Los electrones recogen energa en continua, la transforman en cinetica y despus en corrientes. Eficiencias hasta del 60% y potencia de MW. E. Tubos de campo cruzado. Campo magntico y elctrico (DC) ortogonales. El campo magntico curva el haz de electrones. Magnetron, dematron, Amplitron. El magnetron (1921) se utiliz para desarrollar el radar (1940)

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