Anda di halaman 1dari 57

UNIVERSIDADE DE BRASLIA FACULDADE DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ANLISE DE TRANSITRIOS ELETROMAGNTICOS UTILIZANDO O ATPDraw HUGO LEONARDO CHAVES AYRES DA FONSECA e MRCIO FERNANDES LEAL

ORIENTADOR: FRANCISCO DAMASCENO FREITAS

MONOGRAFIA DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

BRASLIA/DF: DEZEMBRO 2003

FICHA CATALOGRFICA FONSECA, HUGO LEONARDO C. A. DA & LEAL, MRCIO FERNANDES Anlise de Transitrios Eletromagnticos Utilizando o ATPDraw [Distrito Federal] 2003.
viii, 49p., 297 mm (ENE/FT/UnB, Engenheiro Eletricista, 2003). Monografia de Graduao Universidade de Braslia. Faculdade de Tecnologia. Departamento de Engenharia Eltrica.

1. ATPDraw 3. Transitrio I. ENE/FT/UnB

2. PlotXY 4. Palavra-chave 4 II. Ttulo (srie)

REFERNCIA BIBLIOGRFICA FONSECA, HUGO LEONARDO C. A. DA & LEAL, MRCIO FERNANDES. (2003). Anlise de Transitrios Eletromagnticos Utilizando o ATPDraw. Monografia de Graduao, Publicao ENE 12/2003, Departamento de Engenharia Eltrica, Universidade de Braslia, Braslia, DF, 134p. CESSO DE DIREITOS AUTORES: Hugo Leonardo Chaves Ayres da Fonseca e Mrcio Fernandes Leal. TTULO: Anlise de Transitrios Eletromagnticos Utilizando o ATPDraw.

GRAU: Engenheiro Eletricista

ANO: 2003

concedida Universidade de Braslia permisso para reproduzir cpias desta monografia de graduao e para emprestar ou vender tais cpias somente para propsitos acadmicos e cientficos. Os autores reservam outros direitos de publicao e nenhuma parte dessa monografia de graduao pode ser reproduzida sem autorizao por escrito dos autores.

__________________________________ Hugo Leonardo Chaves Ayres da Fonseca QSC 14 CASA 25, Taguatinga Sul. 72.016-140 Braslia DF Brasil.

_______________________________ Mrcio Fernandes Leal SQN 415 Bloco E apto. 302, Asa Norte 70.000 000 Braslia DF Brasil.

RESUMO ANLISE DE TRANSITRIOS ELETROMAGNTICOS UTILIZANDO O ATPDraw. Autores: Hugo Leonardo Chaves Ayres da Fonseca e Mrcio Fernandes Leal Orientador: Francisco Damasceno Freitas Palavras-chave: ATPDraw Braslia, 09 de dezembro de 2003
primeira vista, o ATPDraw possui uma interface grfica similar a qualquer outro software de simulao de circuitos eltricos. Mas, faz-se necessrio uma explanao a respeito dos principais comandos, haja vista a existncia de algumas peculiaridades pertinentes sua utilizao. O programa ATPDraw uma ferramenta de grande flexibilidade e de grande importncia na realizao de estudos de transitrios em sistemas de potncia, ou mesmo de estudos em regime permanente onde a topologia da rede ou o circuito a ser implementado no permite uma simples representao monofsica. Durante o perodo em que se desenvolveu o projeto foram implementados vrios circuitos para que houvesse um refinamento na utilizao do ATPDraw como ferramenta para simulao de transitrios eletromagnticos. A evoluo na complexidade dos circuitos modelados trouxe vrios desafios e oportunidades, na medida em que solicitava ajustes tanto de parmetros quanto da teoria aplicada. Nesse intervalo de tempo, e com o

estudo de vrias simulaes, pde-se compreender melhor o comportamento e forma de ajuste dos dispositivos usados para o modelamento da rede eltrica a ser estudada, principalmente: transformadores, linhas de transmisso, chaves, entre outros.

O que sempre vlido lembrar, que com o correto ajuste de fluxo e com todos os parmetros corretamente dimensionados, qualquer tipo de falta pode ser dimensionada no ATPDraw, e que as estudadas aqui, servem apenas para mostrar a validade deste programa para tais estudos.

SUMRIO
CAPTULO 1 - INTRODUO ....................................................................................1 1.1 - CONSIDERAES INICIAIS...........................................................................1 1.2 - ATPDraw.............................................................................................................1 1.3 - CONSIDERAES FINAIS ..............................................................................3 CAPTULO 2 - CONHECENDO O ATPDRAW ...........................................................3 2.1 - CONSIDERAES INICIAIS...........................................................................5 2.2 - APRESENTANDO O ATPDraw ........................................................................5 2.3 - ESPECIFICANDO OS COMPONENTES.........................................................6 2.4 - EXEMPLO DE SIMULAO ...........................................................................7 2.5 - GERANDO O FORMATO EM LINHAS DE COMANDO ..............................9 2.6 - EXECUTANDO A SIMULAO....................................................................10 2.7 - RESULTADOS E ANLISE ............................................................................11 2.8 - CONSIDERAES FINAIS ............................................................................13 CAPTULO 3 - MODELANDO O CIRCUITO ...........................................................14 3.1 - CONSIDERAES INICIAIS.........................................................................14 3.2 - ESCOLHA DOS COMPONENTES .................................................................14 3.2.1 - Linha de transmisso ..............................................................................14 3.2.2 - Fonte.........................................................................................................15 3.2.3 -Chave ........................................................................................................16 3.2.4 - Transformador ........................................................................................16 3.2.5 -Carga ........................................................................................................17 3.3 - ESCOLHA DO SISTEMA................................................................................18 3.4 - IMPLEMENTAO DO SISTEMA NO ATPDraw.......................................19 3.4.1 - Dimensionamento dos parmetros de linha ...........................................19 3.4.2 - Dimensionamento dos parmetros da carga...........................................20 3.4.3 - Dimensionamento dos transformadores .................................................21 3.5 - EVOLUO NA MONTAGEM DO CIRCUITO...........................................23 3.5.1 - Montagem inicial ....................................................................................23 3.5.2 - Acrescentando os transformadores montagem inicial.........................25 3.6 - CIRCUITO COMPLETO.................................................................................26

3.7 - CONSIDERAES FINAIS ............................................................................27 CAPTULO 4 - SIMULANDO TRANSITRIOS NO SISTEMAS ............................28 4.1 - CONSIDERAES INICIAIS.........................................................................28 4.2 - ENERGIZAO DO BANCO DE CAPACITORES......................................28 4.3 - ENERGIZAO DO BANCO DE REATORES.............................................37 4.4 - CURTOS-CIRCUITOS.....................................................................................40 4.4.1 - Curto-circuito monofsico ......................................................................40 4.4.2 - Curto-circuito bifsico.............................................................................42 4.4.3 - Curto-circuito fase-fase-terra..................................................................43 4.4.4 - Curto-circuito trifsico ...........................................................................45 4.3 - CONSIDERAES FINAIS ............................................................................47 CAPTULO 5 - CONCLUSES ...................................................................................48

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS .........................................................................49 APNDICE A DIMENSIONAMENTO DOS PARMETROS.....................................................50

LISTA DE TABELAS
Tabela 3.1- Parmetros para as linhas de transmisso. ......................................................20 Tabela 3.2 - Parmetros para as cargas .............................................................................21 Tabela 3.3 - Parmetros para os transformadores..............................................................23 Tabela 3.4 - Parmetros do circuito implementado. ..........................................................25 Tabela 3.5 - Comparao entre os fluxos para o circuito simulado....................................27 Tabela 4.1 - Valores de parmetros de capacitncia para dimensionamento dos bancos de capacitores ..................................................................................................29 Tabela 4.2 - Valores de parmetros calculados para as duas novas linhas geradas para o modelamento do curto-circuito monofsico .................................................41

LISTA DE FIGURAS
Figura 2.1 - Escolha dos dispositivos componentes do circuito a ser implementado............5 Figura 2.2 - Aspecto dos dispositivos sem e com parmetros..............................................6 Figura 2.3 - Caixa de dilogo de um dispositivo RLC monofsico......................................6 Figura 2.4 - Utilizando o Help para o RLC monofsico..................................................7 Figura 2.5 - Circuito RLC monofsico em corrente contnua. .............................................8 Figura 2.6 - Configuraes utilizando o ATP Settings. .......................................................8 Figura 2.7 - Gerando o arquivo em linha de comando ........................................................9 Figura 2.8 - Linhas de comando que descrevem o circuito eltrico implementado ............10 Figura 2.9 - Janela inicial para a resposta grfica (PlotXY) do circuito implementado......10 Figura 2.10 - Tenso entregue ao circuito pela fonte CC e sobre o Resistor. .....................11 Figura 2.11 - Forma de onda da tenso sobre o Indutor e o Capacitor. ..............................12 Figura 2.12 - Corrente nos dispositivos do circuito: fonte, resistor, indutor e capacitor.....13 Figura 3.1 - Escolha da linha............................................................................................15 Figura 3.2 - Escolha da fonte............................................................................................15 Figura 3.3 - Escolha da chave...........................................................................................16 Figura 3.4 - Escolha do transformador..............................................................................17 Figura 3.5 - Escolha da carga ...........................................................................................17 Figura 3.6 - Diagrama de impedncia da rede, em pu, com 100 MVA de base..................18 Figura 3.7 - Diagrama de fluxo do circuito, todos os fluxos esto em MW e MVAr .........19 Figura 3.8 - Circuito implementado para verificao dos parmetros da linha e das cargas.25 Figura 3.9 - Circuito implementado para verificao dos parmetros dos transformadores.26 Figura 3.10 - Circuito completo .......................................................................................26 Figura 4.1 - Modelo para a energizao de banco de capacitores no ATPDraw ................30 Figura 4.2 - Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 5 MVAr. ..........................30 Figura 4.3 - Comportamento da tenso (escala de 100 ms) para 5 MVAr..........................31 Figura 4.4 - Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 5 MVAr.........................31 Figura 4.5 - Comportamento da corrente (escala de 100 ms) para 5 MVAr.......................32 Figura 4.6 - Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 10 MVAr .........................32 Figura 4.7 - Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 10 MVAr.......................33 Figura 4.8 - Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 20 MVAr. ........................33 Figura 4.9 - Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 20 MVAr.......................34

Figura 4.10 - Comportamento da tenso (chaveamento em 4.5 ms, escala de 10 ms) para 20 MVAr............................................................................................................35 Figura 4.11 - Comportamento da tenso (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr .......................................................................................................35 Figura 4.12 - Comportamento da corrente (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr .......................................................................................................36 Figura 4.13 - Comportamento da corrente (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr .......................................................................................................36 Figura 4.14 - Modelo para a energizao de banco de reatores no ATPDraw....................37 Figura 4.15 - Comportamento da tenso sem o banco de reatores (escala de 100ms) ........38 Figura 4.16 - Comportamento da tenso com o banco de reatores (escala de 100ms) ........38 Figura 4.17 - Comportamento da corrente sem o banco de reatores (escala de 100ms)......39 Figura 4.18 - Comportamento da corrente com o banco de reatores (escala de 100ms) .....39 Figura 4.19 - Modelo o curto-circuito monofsico no ATPDraw ......................................40 Figura 4.20 - Comportamento da tenso para a falta monofsica (escala de 100ms) .........41 Figura 4.21 - Comportamento da corrente para a falta monofsica (escala de 100ms).......41 Figura 4.22 - Modelo o curto-circuito bifsico no ATPDraw............................................42 Figura 4.23 - Comportamento da tenso para a falta bifsica (escala de 100ms) ...............43 Figura 4.24 - Comportamento da corrente para a falta bifsica (escala de 100ms) ............43 Figura 4.25 - Modelo o curto-circuito fase-fase-terra no ATPDraw ..................................44 Figura 4.26 - Comportamento da tenso para a falta fase-fase-terra (escala de 100ms) .....44 Figura 4.27 - Comportamento da corrente para a falta fase-fase-terra (escala de 100ms) ..45 Figura 4.28 - Modelo o curto-circuito trifsico no ATPDraw ...........................................45 Figura 4.29 - Comportamento da tenso para a falta trifsica (escala de 100ms)...............46 Figura 4.30 - Comportamento da corrente para a falta trifsica (escala de 100ms) ............46

CAPTULO 1 INTRODUO
1.1 CONSIDERAES INICIAIS

Desde os primrdios da humanidade o Homem tem buscado compreender a realidade sua volta e control-la, ainda que de maneira parcial, ou at tmida. A busca incessante por respostas aos seus questionamentos serviu de combustvel para as grandes conquistas desde o seu surgimento na terra. A cada resposta obtida desencadeavam-se milhares de outras perguntas. A evoluo da matemtica, da fsica e da qumica, especialmente, permitiu o surgimento de uma inveno que iria mudar radicalmente a forma de se ver o mundo: o computador. O computador permitiu ao Homem alar vos nunca antes imaginados, e aquele sonho de se controlar a realidade tornou-se, ento, possvel. A utilizao de ferramentas computacionais como uma maneira de se modelar a realidade que nos cerca tornou-se, ao longo dos anos, uma prtica comum e indispensvel. As razes para essa postura so inmeras, dentre as quais podemos destacar: a possibilidade de se verificar eventuais falhas de um sistema antes mesmo que ele seja implementado de fato, o dimensionamento dos dispositivos de segurana, economia de capital, uma maior compreenso dos sistemas, uma maior eficincia dos equipamentos do sistema, dentre outros. Nos sistemas de potncia, por se tratar de uma rea onde o volume de capital envolvido bastante significativa, essa prtica se difundiu largamente. O modelamento de redes da alta tenso atravs de ferramentas computacionais permitiu uma maior compreenso da rede com um todo, alm de ser uma forma segura e barata de se fazer testes e implementaes, auxiliando, inclusive, no dimensionamento dos dispositivos de proteo da rede.

1.2 ATPDraw

Neste projeto foi utilizado, como ferramenta computacional, o ATPDraw, um software livre derivado do ATP (Alternative Transients Program). O ATP um poderoso software de simulao de transitrios eletromagnticos em sistemas de energia eltrica (ou redes polifsicas), que aplica o mtodo baseado na utilizao da matriz de admitncia de barras. O conceito matemtico que constitui o programa tem como pilar, para parmetros distribudos, o mtodo das caractersticas e para parmetros concentrados, a regra da

integrao trapezoidal. Durante a soluo so utilizadas tcnicas de esparsidade e de fatorizao triangular otimizada de matrizes. Ao longo de 25 anos o ATP sofreu inmeras modificaes, dentre elas destaca-se a codificao dos dados de entrada, que seguia uma formatao rgida, e agora se faz por meio de interface grfica. A essa evoluo deu-se o nome ATPDraw que atua como ncleo central de onde o usurio pode controlar o processamento de qualquer outro programa, inclusive o ATP propriamente dito.

O programa ATPDraw usualmente utilizado como passo inicial para uma simulao com o ATP. Com o programa ATPDraw o usurio pode construir um circuito eltrico

convencional, bastando para isso selecionar modelos pr-definidos dos principais elementos componentes de uma rede eltrica.

Tanto circuitos monofsicos quanto trifsicos, podem ser construdos pelo ATPDraw, com a facilidade de se usar um diagrama unifilar para circuitos trifsicos complexos, no havendo a necessidade de se montar o circuito fase a fase. Isso oferece um leque muito maior de aplicaes possveis no encontradas em outros softwares de simulao de circuitos eltricos. O ATPDraw uma excelente ferramenta para usurios com pouca experincia em linguagens de programao, e uma das inmeras vantagens a existncia de uma ajuda online, o que substitui a necessidade do manual. Para usurios experientes na utilizao de softwares que requerem utilizao de linha de comando, como o prprio ATP, existem vrias outras possibilidades interessantes como a utilizao dos recursos de edio do programa, por exemplo: copiar, colar, girar, agrupar e etc.

Como desvantagem do ATPDraw pode ser citada a necessidade de se manter qualquer alterao de circuito sempre dentro do ambiente do programa. Este fato se deve a correspondncia que existe entre o arquivo de referncia para os dados do circuito, que grfico, e o arquivo de dados gerado para o ATP. Assim sendo, a edio direta do arquivo de dados no formato para o ATP quebra a correspondncia existente entre os dois arquivos (o grfico e o de dados formatados). A nica forma de manter esta correspondncia seria sempre realizar as alteraes, sejam de dados ou de circuito, atravs do ATPDraw, o que mais lento do que realizando uma alterao direta no arquivo.

10

O ATPDraw suporta a maioria dos componentes freqentemente usados no ATP, conforme listado abaixo:

Ramos lineares e no-lineares; Modelos de linha; Interruptores; Fontes; Mquinas; Transformadores; Linhas de transmisso areas; Objetos especificados pelo usurio.

Em complemento s funes do ATP e do ATPDraw, tem-se ainda uma srie de programas que realizam anlises grficas das simulaes efetuadas. Os programas que fazem esse tipo de anlise so, o PCPLOT, o TPPLOT e o PLOTXY. Dos programas citados, o PLOTXY considerado a alternativa mais aceita pelos usurios devido simplicidade de instalao e utilizao. Uma das razes para se utilizar um programa de simulao de transitrios eletromagnticos que apesar dos sistemas eltricos operarem em regime permanente a maior parte do tempo, eles devem ser projetados para suportar as piores solicitaes a que podem ser submetidos. Estas solicitaes extremas so normalmente produzidas durante situaes transitrias dos sistemas. Conseqentemente, o projeto de um sistema de potncia determinado mais pelas condies transitrias do que pelo seu comportamento em regime permanente [2]. 1.3 CONSIDERAES FINAIS

Este projeto, em consonncia com a busca evolutiva do Homem, tenta, ainda que de forma simplificada, modelar o comportamento da rede quando submetida perturbao por transitrios eletromagnticos, entre os quais: faltas, curtos-circuitos, chaveamento de banco de capacitores. Permitindo uma maior preciso no dimensionamento dos dispositivos de proteo do sistema.

11

Contudo, este projeto somente o incio de um trabalho conjunto no sentido de permitir o processamento do sinal produzido pela perturbao na rede, para facilitar a decodificao e soluo dos problemas advindos destes transitrios eletromagnticos.

12

CAPTULO 2 CONHECENDO O ATPDraw


2.1 CONSIDERAES INICIAIS

primeira vista, o ATPDraw possui uma interface grfica similar a qualquer outro software de simulao de circuitos eltricos. Mas, faz-se necessrio uma explanao a respeito dos principais comandos, haja vista a existncia de algumas peculiaridades pertinentes sua utilizao. O programa ATPDraw uma ferramenta de grande flexibilidade e de grande importncia na realizao de estudos de transitrios em sistemas de potncia, ou mesmo de estudos em regime permanente onde a topologia da rede ou o circuito a ser implementado no permite uma simples representao monofsica.

Apesar do ATPDraw ser uma ferramenta de fcil utilizao, recomendvel que os principiantes sejam orientados por um usurio mais experiente, ou ento adquiram a o conhecimento gradativo do programa a partir de simulao de circuito simples, cuja resposta ele j conhea, o que ser feito neste captulo.

2.2 APRESENTANDO O ATPDraw

A partir do ambiente de trabalho do ATPDraw, onde o usurio constri o circuito eltrico, deve-se clicar com o lado direito do mouse na parte branca da tela para escolher os dispositivos (capacitores, resistores, fontes de alimentao, etc.) a serem inseridos no circuito. A janela que aparece deve ser parecida com esta, abaixo.

Figura 2.1 Escolha dos dispositivos componentes do circuito a ser implementado


13

Uma vez escolhidos todos os dispositivos, deve-se ento conect-los, selecionando-os e arrastando-os com a ajuda do mouse. Para isso clica-se com o lado esquerdo do mouse no ponto vermelho do dispositivo, fazendo aparecer uma mo, a qual deve ser conduzida at o ponto vermelho do outro dispositivo. Enquanto o usurio no especificar os valores dos parmetros de cada dispositivo, o ATPDraw, por precauo, mantm a cor dos componentes em vermelho. Aps a insero dos valores o circuito assume seu aspecto normal.

Figura 2.2 Aspecto dos dispositivos sem e com parmetros.

2.3 ESPECIFICANDO OS COMPONENTES

A especificao, de cada um dos parmetros dos dispositivos do circuito, feita clicandose com o boto direito do mouse em cima do mesmo, o que permite a abertura da caixa de dilogo referente ao equipamento selecionado. A figura 2.3 refere-se a um RLC monofsico.

Figura 2.3 Caixa de dilogo de um dispositivo RLC monofsico.

14

Caso haja alguma dvida a respeito dos parmetros dos dispositivos como, por exemplo, unidades, pode-se fazer uso do Help que se encontra na parte direita inferior da caixa de dilogo, fornecendo, para o RLC monofsico, a figura 2.4.

Figura 2.4 Utilizando o Help para o RLC monofsico.

2.4 EXEMPLO DE SIMULAO

Para um melhor entendimento de como se faz uma simulao a partir do ATPDraw, foi escolhido, como exemplo, um circuito RLC monofsico em corrente contnua, com:

Tenso da fonte CC: 100 V; Valor da resistncia: 10 k ; Valor da indutncia: 1 mH; Valor da capacitncia: 1F.

O intuito de se usar este circuito est baseado na necessidade de se testar o comportamento do programa e, uma vez que a resposta do circuito conhecida, mostrar, com isso, a coerncia dos resultados obtidos. Alm disso, destaca-se o fato de este ter sido o primeiro circuito a ser simulado no desenvolvimento deste projeto.

15

Figura 2.5 Circuito RLC monofsico em corrente contnua.

Aps a montagem e a especificao dos parmetros do circuito escolhido, se estabelecem as configuraes para simulao. Esta a parte mais importante de todo processo, j que nessa hora que se determina o tempo de simulao, o domnio em que se deseja trabalhar (tempo ou freqncia), existncia ou no de harmnicos e o intervalo de anlise. Isto feito a partir da seleo do cone ATP na barra de tarefas, como mostra figura 2.6.

Figura 2.6 Configuraes utilizando o ATP Settings.

Como visto na janela acima:

Delta T igual a 1s significa que este ser o intervalo de anlise, ou seja, a cada perodo o programa far uma leitura do circuito, uma vez que um programa digital no permite obter uma soluo contnua no tempo; Tmax corresponde ao tempo mximo de simulao do circuito, no caso do exemplo sugerido este tempo de 0,1s;

16

O valor de Xopt determina qual a unidade ser adotada pelo programa, se for igual a zero, tem-se que o valor da indutncia ser dado em mH, caso contrrio o sistema admitir este valor em ohms; Para Copt tem-se, da mesma forma que Xopt, se o valor do mesmo for igual a zero, a capacitncia ser dada em F, caso contrrio em ohms; Simulation type estabelece qual o domnio que ser usado na simulao.

2.5 GERANDO O FORMATO EM LINHAS DE COMANDO

Para salvar o circuito, assim como na maioria dos programas, basta selecionar o cone salvar na barra de ferramentas. O prximo passo gerar o formato em linha de comando que descreve o circuito eltrico implementado, para isso basta selecionar ATP na barra de comandos do ATPDraw. Esse procedimento fornecera as opes mostradas na figura 2.7. Dentre as opes mostradas deve-se escolher a opo Make file as e nomear o circuito.

Figura 2.7 Gerando o arquivo em linha de comando.

Essa linha de comando pode ser visualizada selecionando-se a opo Edit ATP-file, que fornece, para o exemplo considerado:

17

Figura 2.8 Linhas de comando que descrevem o circuito eltrico implementado.

2.6 EXECUTANDO A SIMULAO

Para rodar o programa basta selecionar a opo run ATP current. Existem algumas maneiras de se obter a resposta para o circuito implementado. Uma delas escolher a opo Edit LIS-file que mostra a resposta, em regime permanente, na forma de linhas de comando, o que permite, dentre outras coisas, visualizar os fluxos de potncia em cada barra. A maneira mais prtica de se visualizar a resposta selecionando a opo run PLOTXY que fornece uma resposta grfica, a qual s pode ser obtida a partir da seleo de probes, ou na caixa de dilogo do dispositivo que se deseja mensurar. O grfico gerado selecionando-se as variveis que se deseja visualizar, na janela que aparece abaixo.

Figura 2.9 Janela inicial para a resposta grfica (PlotXY) do circuito implementado.
18

2.7 RESULTADOS E ANLISE

A partir da janela do PlotXY seleciona-se a sada desejada e com isso pode-se plotar o grfico. Inicialmente analisar-se- a sada de tenso em cada dispositivo. Apesar de ser possvel plotar todos os grficos de uma s vez recomendvel que as grandezas de ordem diversas sejam analisadas separadamente.

Os resultados grficos obtidos sero apresentados separadamente para cada elemento do circuito, por uma questo didtica, sendo eles: fonte, resistor, indutor e capacitor, respectivamente. Assim as prximas trs figuras se referem tenso de sada em cada um dos dispositivos listados acima.

Figura 2.10 Tenso entregue ao circuito pela fonte CC e sobre o Resistor.

Na figura acima, vale salientar que a tenso entregue pela fonte ao circuito a curva em vermelho, enquanto que a curva em verde representa a resposta em tenso sobre o resistor.

19

Figura 2.11 Forma de onda da tenso sobre o Indutor e o Capacitor.

Mais uma vez, vale ressaltar que a tenso sobre o indutor aparece na curva em azul, enquanto que a curva em marrom representa a resposta em tenso sobre o capacitor.

A similaridade entre as curvas da figura 2.10 justificada pelo comportamento linear do resistor. Por se tratar de uma fonte real observa-se, nos grficos, uma ligeira oscilao que se explica no fato da fonte no assumir o valor nominal instantaneamente. Como sabido da teoria de circuitos eltricos, o indutor quando submetido a uma tenso CC pode ser modelado como um curto-circuito, o que justifica a tenso igual a zero, aps a fonte estar estabilizada. O regime transitrio observado, do indutor, devido, como j explicado anteriormente, ao fato da fonte no atingir seu valor nominal instantaneamente. medida que a fonte se estabiliza o sinal sobre o indutor vai sendo amortecido at que se iguale a zero. Da mesma forma, o capacitor quando exposto a uma corrente contnua, em regime permanente, pode ser modelado como uma resistncia infinita, ou seja, uma abertura de circuito. Em regime transitrio necessrio que ocorre o carregamento do capacitor, o que pode ser visto na curva obtida.

Da mesma maneira que foi feita para as tenses necessrio que se altere as configuraes do output dos dispositivos do circuito do ATPDraw, solicitando, agora, que ele fornea a sada de corrente. Como antes os resultados sero apresentados separadamente respeitando a mesma seqncia anterior.

20

Figura 2.12 Corrente nos dispositivos do circuito RLC: fonte, resistor, indutor e capacitor. As curvas de corrente obtidas esto em consonncia com a teoria, j que se trata de um circuito ligado em srie, por isso a corrente que circula atravs dos dispositivos deve ser a mesma.

2.8 CONSIDERAES FINAIS

Este captulo descreveu o funcionamento do ATPDraw, bem como os principais comandos utilizados. Em face do exposto observa-se que o programa consiste numa interface grfica de processamento interativo em ambiente Windows para criao e edio de arquivos de dados de entradas para o programa ATP. A utilizao do circuito exemplo permitiu um melhor entendimento de como se fazer simulao, alm de testar a resposta de sada fornecida pelo aplicativo, donde depreende-se que o mesmo seja uma ferramenta bastante poderosa na representao do comportamento do circuito.

21

CAPTULO 3 MODELANDO O CIRCUITO


3.1 CONSIDERAES INICIAIS

Durante o perodo em que se desenvolveu o projeto foram implementados vrios circuitos para que houvesse um refinamento na utilizao do ATPDraw como ferramenta para simulao de transitrios eletromagnticos. A evoluo na complexidade dos circuitos modelados trouxe vrios desafios e oportunidades, na medida em que solicitava ajustes tanto de parmetros quanto da teoria aplicada. Nesse intervalo de tempo, e com o estudo de vrias simulaes, pde-se compreender melhor o comportamento e forma de ajuste dos dispositivos usados para o modelamento da rede eltrica a ser estudada, principalmente: transformadores, linhas de transmisso, chaves, entre outros.

3.2 ESCOLHA DOS COMPONENTES

A ordem de apresentao dos assuntos neste captulo tem conexo direta com a seqncia de desenvolvimento do projeto. Haja vista que os componentes foram sendo utilizados a medida que os circuitos foram sendo implementados, permitindo a escolha dos que melhor se ajustaram, antes mesmo de se ter conhecimento da rede eltrica a ser modelada no projeto.

3.2.1 Linha de transmisso

Os modelos de linhas de transmisso disponveis no ATPDraw so bastante flexveis e atendem as necessidades mais freqentes dos estudos de transitrios. As linhas de transmisso podem ser representadas por uma cadeia de PIs ou por parmetros distribudos, opo esta que pode ser desdobrada em vrias alternativas.

A representao por parmetros distribudos pode ser efetuada com ou sem variao dos parmetros com a freqncia. Na prtica, os modelos de linhas com parmetros distribudos apresentam resultados plenamente satisfatrios e a linha que melhor se adequou aos propsitos do projeto foi a trifsica transposta de Clarke.

22

Figura 3.1 Escolha da linha.

3.2.2 Fonte O programa permite a representao de fontes de excitao, em tenso ou corrente. Neste projeto, contudo, por se tratar de uma rede eltrica, ser utilizada uma fonte de tenso trifsica de corrente alternada AC3-ph.Type 14.

Figura 3.2 Escolha da fonte.

23

3.2.3 Chave

O programa ATPDraw contm uma variedade muito grande de modelos de chaves. A seqncia de chaveamento que o define o tipo de estudo a ser efetuado, inclusive no que se refere facilidade de tratamento das informaes obtidas do clculo de transitrios propriamente dito. Podem ser representadas chaves de tempo controlado, chaves estatsticas, chaves sistemticas, chaves controladas por tenso ou por sinais, bem como chave de medio.

Figura 3.3 Escolha da chave.

3.2.4 Transformador

Existem quatro tipos de transformadores que poderiam ser usados na realizao do modelamento da rede eltrica, os ideais monofsicos e trifsicos e os saturados monofsicos e trifsicos. Na simulao do sistema indicado que se use um transformador que mais se aproxime do real, isto posto o escolhido foi: Saturable 3 phase.

24

Figura 3.4 Escolha do transformador. 3.2.5 Carga

Assim como acontece com outros componentes do ATPDraw, existem vrias formas de elementos acoplados, os quais so responsveis pelo modelamento da carga. Para o projeto desenvolvido foi escolhida uma carga RLC trifsica conectada em estrela. Contudo h que se salientar a possibilidade de se fazer uso de outros tipos de carga trifsicas, em conexes distintas, as quais poderiam ter sido utilizadas.

Figura 3.5 Escolha da carga.

25

3.3 ESCOLHA DO SISTEMA

A proposta inicial do projeto era a implementao de uma rede real, da Eletronorte ou da CEB, para a anlise de transitrios eletromagnticos nas mesmas. Contudo, por uma limitao temporal, optou-se pela implementao de uma rede apresentada no livro Power System Control and Stability [5], a qual apresentava todos os fluxos de potncia ativa e reativa para todas as barras do circuito, alm de todas as impedncias das mesmas. Apesar de se tratar de uma rede didtica, o estudo apresentado mostra-se bastante pertinente, pois os procedimentos desenvolvidos para a sua anlise podem ser aplicados s redes reais fornecendo resultados condizentes, permitindo uma anlise eficiente da rede real.

O circuito escolhido apresenta um diagrama unifilar, com nove barras, contendo um diagrama de impedncia e um diagrama de fluxo, que esto presentes na figura 3.6 e na figura 3.7 abaixo. A partir do diagrama de impedncia pode-se calcular os parmetros para as linhas de transmisso e fazer o dimensionamento dos transformadores. J com o diagrama de fluxo possvel dimensionar o valor das cargas e, alm disso, aps a simulao do circuito, comparar os fluxos obtidos pelo programa com o fornecido pelo diagrama, certificando-se, com isso, a coerncia dos resultados obtidos.

Figura 3.6 Diagrama de impedncia da rede, em pu, com 100 MVA de base.

26

Figura 3.7 Diagrama de fluxo do circuito, todos os fluxos esto em MW e MVAr.

3.4 IMPLEMENTAO DO SISTEMA NO ATPDraw

3.4.1 Dimensionamento dos parmetros de linha

Sabendo que, para o diagrama de impedncia da figura 3.6, a potncia de base (Sb) de 100 MVA e que como as linhas de transmisso se encontram, todas, no lado de alta dos transformadores, cuja tenso de linha de 230 kV, e adotando-a como a tenso de base (Vb), calcula-se facilmente a impedncia de base (Zb):

Vb2 2302 Zb = = = 529 Sb 100


de transmisso. Estes sero obtidos, como abaixo [5]:

(3.1)

De posse do valor de Zb, efetua-se, de maneira simples, o clculo dos parmetros das linhas

Zbarra = Z L .Zb = Rbarra + jX barra

(3.2)

Uma vez obtido Zbarra necessrio, pelo tipo de linha escolhida, dividi-la pelo comprimento da linha, obtendo assim um Zbarra em [ /km]. A parte real de Zbarra a prpria resistncia de seqncia positiva, para a obteno da indutncia utiliza-se a seguinte relao, extrada da teoria de circuitos:
27

L+ =

X barra

X barra 2 f

X barra 377

(3.3)

Para a obteno da capacitncia outro parmetro, a impedncia shunt (B/2), fornecido pelo diagrama utilizado, a relao com a capacitncia se d atravs de:

C+ =

B 377

(3.4)

Os parmetros de seqncia zero so obtidos atravs da multiplicao dos valores de seqncia positiva por trs. Os clculos mais detalhados para todos os parmetros de todas linhas se encontram no apndice A (pg. X). Os valores apresentados neste apndice esto dispostos na tabela abaixo.

Tabela 3.1 Parmetros para as linhas de transmisso.


Barras 4 -> 5 4 -> 6 5 -> 7 6 -> 9 7 -> 8 8 -> 9 Impedncia-ZL (pu) 0.01+j 0.085 0.017+j 0.092 0.032+j 0.161 0.039+j 0.170 0.0085+1 0.072 0.0119+j 0.1008 B/2 (pu) j 0.088 j 0.079 j 0.153 j 0.179 j 0.0745 j 0.1045 R0 (ohm) 0.1587 0.26979 0.51 0.61893 0.1686 0.18885 R+ (ohm) L0 (mH) L+ (mH) 0.0529 3.579 1.193 0.08993 3.873 1.291 0.17 6.78 2.26 0.20631 7.155 2.385 0.0562 3.78 1.26 0.06295 4.24 1.41 C0 ( F) 0.026475 0.023766 0.04602 0.05385 0.028014 0.03144 C+ ( F) l (km) 0.008825 100 0.007922 100 0.01534 100 0.01795 100 0.009338 80 0.01048 100

3.4.2 Dimensionamento dos parmetros da carga

Como o valor das cargas foi fornecido em pu, e as mesmas se encontram no lado de alta, uma vez obtido o valor da impedncia de base para o lado em questo, o que foi feito anteriormente, para extrair o valor em ohms basta multiplic-los, como mostra a frmula abaixo.

Z C ( ) = Z C ( pu ).Z b = RC jX C

(3.5)

O valor da resistncia de cada carga a parte real da impedncia (RC), dada em ohms. J no caso da reatncia (XC), o que determina o tipo de reativo o sinal. Se positivo trata-se de uma carga indutiva, caso contrrio capacitiva.

28

Para o caso indutivo a relao usada :

LC =

XC

XC 377

(3.6)

J no caso capacitivo tem-se:

CC =

1 .XC

1 377.XC

(3.7)

Como para o circuito implementado as cargas consideradas so indutivas, no se far necessria a utilizao da equao 3.7. Os clculos mais detalhados para todos os parmetros se encontram no apndice A (pg. X). Os valores apresentados neste apndice esto dispostos na tabela abaixo.

Tabela 3.2 Parmetros para as cargas.


Cargas Impedncia ZC (pu) Impedncia ZC (ohm) RC (ohm) LC (mH) 0.68 + j 0.27 361.91 + j 144.76 361.91 384 A 1.03 + j 0.34 542.84 + j 180.95 542.84 480 B 0.92 + j 0.32 486.47 + j 170.2 486.47 451.63 C

3.4.3 Dimensionamento dos transformadores

O transformador utilizado o trifsico saturado, com seu lado de baixa conectado em delta e o lado de alta conectado em estrela, com um defasamento de 30. Observa-se que o dispositivo usado apresenta uma configurao de um transformador utilizado em sistemas reais.

Os parmetros que necessitam de um clculo aprimorado so as reatncias de cada lado do transformador, e para que esse tipo de modelamento seja feito, deve se obter a impedncia de base de ambos os lados do dispositivo. Isto s possvel, porque a reatncia equivalente de cada transformador presente no circuito, foi fornecida pelo sistema [5].

29

Divide-se a reatncia de cada transformador por dois. Metade para o lado de alta e a outra metade para o lado de baixa. Com as impedncias de base de cada lado calculada, tem-se:

Z baixa () =

Z equivalente ( pu ) 2

.Z b (baixa )

(3.8)

Como a impedncia puramente reativa, a indutncia do lado primrio obtida conforme a equao abaixo:

Lbaixa = 3.

Z baixa

3.

Z baixa 377

(3.9)

O fator multiplicativo justificado, porque essa forma de clculo fornece o resultado para uma conexo em estrela, e o lado de baixa est conectado em delta, lembrando ainda que se trata de um sistema equilibrado.

A forma de dimensionamento do lado de alta muito semelhante ao de baixa, assim a equao para a obteno da impedncia de alta :

Zalta () =

Zequivalente ( pu) 2

.Zb( alta)

(3.10)

Como essa ligao feita em estrela, no necessrio multiplicar por trs o valor de impedncia encontrada, vale lembrar, assim como aconteceu anteriormente, que a impedncia puramente reativa, com isso:

Lalta =

Z alta

Z alta 377

(3.11)

No circuito simulado so utilizados trs transformadores, sendo um para cada grupo gerador. Os valores dos parmetros calculados esto dispostos, neste texto, em forma de

30

tabela, contudo os clculos discriminativos de todas as impedncias so apresentados no Apndice A (pg X). Tabela 3.3 Parmetros para os transformadores.
Barra Zeq uivalent e (pu) V 1 (kV) L1 (mH) V2 (kV) L2 (mH) j 0.0576 16.5 0.624 132.8 40.41 1 -> 4 j 0.0625 18 0.807 132.8 43.85 2 -> 7 j 0.0586 132.8 41.11 13.8 0.444 3 -> 9

3.5 EVOLUO NA MONTAGEM DO CIRCUITO

A modelagem do circuito escolhido obedeceu a uma seqncia de evoluo gradativa, permeada por desafios, os quais foram sendo superados medida que foram surgindo. A descrio desta seqncia mostra-se bastante pertinente, pois as descobertas desta etapa auxiliam na implementao de qualquer outro circuito.

3.5.1 Montagem inicial

Inicialmente foi proposta a implementao de um circuito equivalente ao desejado, contendo apenas dois geradores, os transformadores por sua vez foram substitudos pelas reatncias equivalentes e os ramos que partem das barras 7 e 9 suplantados por cargas dimensionadas a partir do fluxo de potncia atravs dos mesmos.

Primeiramente foi feito o dimensionamento da carga para a barra 7, a partir dos seguintes dados:

Tenso de linha (VL) de 235.98 kV; A potncia aparente na barra S7 = (86.6 j 8.4) MVA. Dos dados acima se determina o valor da carga a partir do seguinte equacionamento [5]:

Y7 =

PL Q 86, 6 ( 8, 4) 1 j L = j = 2 2 2 2 VL VL 235, 98 235, 98 Z7

(3.12)

Z7 = ( 637 j 61,8)
31

(3.13)

Por se tratar de uma carga capacitiva substitui-se o valor da reatncia na equao 3.7 e com isso:

C7 =

1 .X 7

1 1 = = 42,9 F 377.X 7 377.61,8

(3.14)

Dimensionou-se, com isso, a carga da barra 7. De forma similar, para a barra 9 tem-se:

Tenso de linha (VL) de 237.36 kV; A potncia aparente na barra S8 = (60.8 j 18) MVA.

Y9 =

60,8 ( 18) 1 PL Q j L = j = 2 2 2 2 VL VL 237, 36 237, 36 Z9

(3.15)

Z9 = ( 852 j 252, 23)


C9 = 1 .X 9 1 1 = = 10,52 F 377.X 9 377.252, 23

(3.16)

(3.17)

Os parmetros da carga da barra 8 j foram dimensionados, vide tabela 3.2 carga C, bem como os valores dos parmetros de linha das barras 7 8 e 8 9, que esto presentes na tabela 3.1.

Para obter o valor da reatncia equivalente dos transformadores, em ohms, basta substituir a impedncia equivalente, em pu, da tabela 3.3, na equao 3.5. Sabendo que se trata de um circuito equivalente que modela um transformador ideal, no existe parte real. O valor obtido ento substitudo na equao 3.11, fornecendo indutncia desejada. Este procedimento parte integrante do Apndice A (pg X) e os valores obtidos, juntamente com os valores dos geradores constam na tabela 3.4 abaixo.

32

Tabela 3.4 Parmetros do circuito implementado.


Gerador 1 Gerador 2 Barra 7 Barra 9 Tenso (kV) 10.65 8.167 235.98 237.36 Fase LT 1 (mH) LT 2 (mH) R (ohm) C ( F) 9.3 87.7 4.7 82.23 3.7 637 42.9 2.0 852 10.52

O principal objetivo de se implementar o circuito sem os transformadores foi de constatar se os fluxos de potncia nas barras estavam de acordo com o fornecido pelo autor, e com isso verificar se os parmetros determinados, para linhas e cargas, estavam corretos. A figura 3.8 abaixo mostra como ficou o circuito implementado no ATPDraw.

Figura 3.8 Circuito implementado para verificao dos parmetros da linha e das cargas.

3.5.2 Acrescentando os transformadores montagem inicial

Uma vez tendo os fluxos obtidos, na implementao do circuito anterior, condizentes com o esperado, o prximo passo na tentativa de implementar o circuito completo era utilizar o transformador saturado trifsico. Esta etapa foi a mais difcil e morosa, pois o ajuste do transformador, para se aproximar do real, exige a utilizao de uma carga capacitiva trifsica, ligada em estrela, no lado em delta (baixa), cujo valor de 0.003 F foi sugerido pelo manual do ATP [6].

De posse dos valores dos parmetros dos transformadores j apresentados na tabela 3.3, utilizando as barras 2 7 e 3 9, respectivamente, a implementao do circuito fica conforme a figura 3.9. O trmino desta etapa foi um marco no desenvolvimento do projeto, haja vista a larga utilizao de transformadores em redes de alta tenso, pois sem o ajuste correto dos mesmos a o modelo no representaria fidedignamente a rede eltrica original.

33

Figura 3.9 Circuito implementado para verificao dos parmetros dos transformadores.

3.6 CIRCUITO COMPLETO

Ao longo deste captulo foi mostrado o caminho trilhado no desenvolvimento da rede eltrica estabelecida. De posse de todos os parmetros e com o circuito inicial

devidamente ajustado, inclusive com o transformador, foi possvel implementar o circuito completo.

Figura 3.10 Circuito completo.

Com o circuito completo modelado, conforme a figura 3.10, foi feita a verificao dos fluxos de potncia nas barras, comparando-os com os valores tericos apresentados na figura 3.7. A coerncia entre os valores tericos fornecidos e os resultantes da simulao est demonstrada, para as barras de carga e para os geradores, na tabela 3.5.

34

Tabela 3.5 Comparao entre os fluxos para o circuito simulado.


Barra G1 G2 G3 Carga A Carga B Carga C Resultados fornecidos P (MW) Q (MVAr) 71.6 27 163 6.7 85 -10.9 125 50 90 30 100 35 Resultados obtidos P (MW) Q (MVAr) 71 26.7 163.3 6.6 85.5 -10.92 125.02 50.01 90.02 30.01 100.02 35.01 Erro P (%) Erro Q (%) 0.84% 0.18% 0.59% 0.02% 0.02% 0.02% 1.11% 1.49% 0.18% 0.02% 0.03% 0.03%

Vale lembrar que o erro obtido pela equao 3.18:

Erro(%) =

FluxoTeorico FluxoPr atico .100 FluxoTeorico

(3.18)

3.7 CONSIDERAES FINAIS

O correto modelamento dos fluxos permite fazer anlises mais complexas e de maior efeito prtico do comportamento da rede eltrica. Quando por exemplo, ocorre chaveamento de banco de capacitores ou reatores, ou mesmo algum tipo de curto-circuito, tem-se um aumento, instantneo, na tenso ou na corrente o que, dependendo da dimenso considerada, pode danificar os equipamentos integrantes da rede considerada. E este tipo de anlise permite a escolha dos equipamentos de proteo que melhor se adequem.

35

CAPTULO 4 SIMULANDO TRANSITRIOS NO SISTEMA


4.1 CONSIDERAES INICIAIS

Esse captulo tem a pretenso de simular os tipos mais comuns de faltas que podem acontecer a uma rede eltrica, e com isso provocar um efeito de transitrio eletromagntico. Os estudos feitos se atem s seguintes causas:

Energizao de banco de capacitores; Energizao de banco de reatores; Curto-circuito monofsico; Curto-circuito bifsico; Curto-circuito fase-fase-terra; Curto-circuito trifsico.

O que sempre vlido lembrar, que com o correto ajuste de fluxo e com todos os parmetros corretamente dimensionados, qualquer tipo de falta pode ser dimensionada no ATPDraw, e que as estudadas aqui, servem apenas para mostrar a validade deste programa para tais estudos.

4.2 ENERGIZAO DO BANCO DE CAPACITORES

Para melhor anlise do efeito provocado quando um banco de capacitores subitamente adicionado a uma rede, foram dimensionados, pelo seu reativo gerado, trs tipos de capacitores, para: 5 MVAr, 10 MVAr e 20 MVAr. Para se determinar o valor da capacitncia para estes valores de potncia, sabendo que a potncia de base de 100 MVA, determinar o valor do reativo em pu. Este clculo mostrado abaixo para todos valores de potncia, segundo o seguinte conjunto de equaes:

QSH ( pu ) =

QSH SB

(4.1)

36

Com o valor do reativo em pu, para se determinar a reatncia em ohms, utiliza-se das seguintes relaes, sabendo que o valor da impedncia de base de 529 , e tenso de base igual a 1pu.

X SH

VB2 = QSH ( pu )

(4.2)

X SH () =

1 .Zb QSH ( pu )

(4.3)

E da equao 3.7:

C=

1 X SH ().377

(4.4)

Os valores obtidos para as capacitncias, assim como seus valores de reatncia equivalente se encontram na tabela 4.1 abaixo.

Tabela 4.1 Valores de parmetros de capacitncia para dimensionamento dos bancos de capacitores.
QSH (MVAr) QSH (pu) XSH (ohm) 0.05 10580 5 0.1 5290 10 0.2 2645 20 C (mF) 0.251 0.501 1.003

O circuito dimensionado mostrado na figura 4.1, lembrando que a escolha do local do banco de capacitores foi aleatria, e pode ser alterada ao gosto do projetista. Neste caso escolheu-se conectado carga A. Outro fato importante a ser lembrado que o tempo total de simulao de 0,1s e que a chave est inicialmente aberta, sendo fechada aps 2s. Ser analisada tanto a corrente quanto a tenso, atravs dos probes, que nada mais so do que uma espcie de ampermetro ou voltmetro que mostram as respectivas formas de onda.

37

Figura 4.1 Modelo para a energizao de banco de capacitores no ATPDraw.

Foram geradas as seguintes respostas de tenso e corrente:

Para 5 MVAr:

Figura 4.2 Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 5 MVAr.

38

Figura 4.3 Comportamento da tenso (escala de 100 ms) para 5 MVAr.

O que se pode observar nas figuras 4.2 e 4.3 que a tenso muito abalada nas fases A e B, isso se deve ao fato, de que no momento de fechamento da chave a tenso nessas fases est longe do zero, fazendo com que estas sejam mais sensveis s perturbaes provocadas. Em contrapartida, no altera o comportamento da fase C porque a mesma se encontra prxima ao zero no momento em que ocorre o fechamento da chave.

Figura 4.4 Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 5 MVAr.

39

Figura 4.5 Comportamento da corrente (escala de 100 ms) para 5 MVAr.

A anlise feita para a tenso pode ser estendida corrente.

Para 10 MVAr:

Para o caso de 10 MVAr ser mostrado, somente, os grficos de tenso e corrente na escala de 10 ms.

Figura 4.6 Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 10 MVAr.


40

Figura 4.7 Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 10 MVAr.

Para 20 MVAr:

Assim como aconteceu no caso anterior, para o caso de 10 MVAr ser mostrado, somente, os grficos de tenso e corrente na escala de 10 ms.

Figura 4.8 Comportamento da tenso (escala de 10 ms) para 20 MVAr.

41

Figura 4.9 Comportamento da corrente (escala de 10 ms) para 20 MVAr.

Comparando os grficos de tenso e corrente obtidos para os trs valores dos bancos de capacitores estudados, observa-se uma relao direta entre o impacto do acionamento do banco no circuito com o valor da potncia reativa do mesmo. medida que foi sendo alterada, para maior, o valor da potncia reativa a perturbao nas formas de onda, tanto da tenso quanto da corrente, foi ficando mais perceptvel.

interessante este tipo de anlise, pois, nas redes reais, a perturbao gerada pelo acionamento dos bancos de capacitores, assim como ocorreu nesta simulao, provoca um aumento sbito na tenso e na corrente o que, quando ignorado, pode causar danos aos equipamentos da rede, prximos ao local da manobra. Uma vez que se tenha um conhecimento prvio do comportamento do sistema quando este tipo de manobra executada pode-se dimensionar um sistema de proteo mais robusto e condizente com as reais necessidades do sistema.

Outra anlise interessante que pode ser feita a alterao do tempo de fechamento da chave. Nos casos anteriores notou-se que a fase C foi minimamente afetada pelo chaveamento do banco de capacitores por se encontrar prximo do zero no momento de acionamento. Foi, ento, estrategicamente alterado para 4.5 ms o tempo de fechamento da chave, j que neste tempo ocorre um mnimo nesta fase, fornecendo, com isso, as seguintes figuras:
42

Figura 4.10 Comportamento da tenso (chaveamento em 4.5 ms, escala de 10 ms) para 20 MVAr.

Figura 4.11 Comportamento da tenso (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr.

Os prximos dois grficos referem-se ao comportamento da corrente quando se altera o tempo de fechamento da chave.

43

Figura 4.12 Comportamento da corrente (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr.

Figura 4.13 Comportamento da corrente (chaveamento em 4.5 ms, escala de 100 ms) para 20 MVAr.

Nota-se que a forma de onda da corrente, na fase C, significativamente perturbada, devido alterao do tempo de fechamento da chave.

44

4.3 ENERGIZAO DO BANCO DE REATORES

Da mesma forma que para o banco de capacitores, deve-se dimensionar o valor da indutncia. Para isto, utiliza-se da mesma maneira as relaes antes apresentadas. Das equaes 4.1, 4.2 e 4.3, obtm-se o valor da reatncia e da relao 3.6 o respectivo valor da indutncia. Foi dimensionado o valor da indutncia somente para o caso em que a potncia reativa era de 20 MVAr

X SH () =

1 .Zb = 2645 QSH ( pu )


XC = 7,016 H 377

(4.5)

LC =

XC

(4.6)

O circuito dimensionado mostrado na figura 4.14, mais uma vez conectado carga A. Outro fato importante a ser lembrado que o tempo total de simulao , ainda, de 0,1s e que a chave est normalmente aberta, sendo fechada aps 2s. Ser analisada tanto a corrente quanto a tenso.

Figura 4.14 Modelo para a energizao de banco de reatores no ATPDraw.

45

Como a tenso no muito alterada, ser mostrada, primeiramente, a forma de onda sem o banco de reatores para que fique mais fcil a visualizao dessa alterao.

Figura 4.15 Comportamento da tenso sem o banco de reatores (escala de 100ms).

Figura 4.16 Comportamento da tenso com o banco de reatores (escala de 100ms).

Apesar de mnima existe uma elevao na tenso quando se adiciona um banco de reatores ao circuito. Isto ficar mais evidente ao analisar-se o comportamento da corrente.

46

Figura 4.17 Comportamento da corrente sem o banco de reatores (escala de 100ms).

Figura 4.18 Comportamento da corrente com o banco de reatores (escala de 100ms). Do grfico depreende-se uma sensvel elevao prxima ao tempo de acionamento (2 s) do banco de reatores, o que fica evidente quando se compara a figura 4.18 com a figura 4.17. Comparando o acionamento do banco de capacitores com o de indutores, nota-se uma maior sensibilidade para o primeiro caso, o que justificado carregamento e descarregamento do capacitor.

47

4.4 CURTOS-CIRCUITOS O tipo de falta mais comum que aparece em um sistema de potncia o curto-circuito monofsico, sendo o bifsico e o trifsico, envolvendo ou no a presena da terra, muito menos freqente [2]. 4.4.1 Curto-circuito monofsico A ocorrncia da falta monofsica em um determinado ponto acarreta uma diminuio da tenso na fase envolvida no fenmeno, o que ser mostrado nas figuras obtidas no ATPDraw. Lembrando que o valor dessa diminuio depende principalmente do grau de aterramento do sistema no ponto em questo. No modelo simulado, que tambm ser apresentado abaixo, foi utilizada uma resistncia de 1 ohm conectada entre a fase C e a terra e uma chave normalmente aberta que fecha em 20 ms.

Figura 4.19 Modelo o curto-circuito monofsico no ATPDraw.

Vale ressaltar que para simular a falta monofsica, a 20 Km da barra 7, a linha entre as barras 7 e 8 foi dividida em duas. Como a linha original tinha 80 Km, bastou multiplicar os valores dos parmetros mostrados na tabela 3.1 por 1/4, para a linha de 20 Km, e por 3/4 para a linha de 60 Km. Na tabela 4.2 so mostrados os valores dos parmetros para as duas novas linhas. Lembrando ainda que os fluxos de potncia para o circuito contendo as duas novas linhas permanecem os mesmo dos obtidos anteriormente.

48

Tabela 4.2 Valores dos parmetros calculados para as duas novas linhas geradas para o modelamento do curto-circuito monofsico.
Barras R0 (ohm) R+ (ohm) L0 (mH) 0.1686 0.0562 3.78 7->8 0.945 (1/4)7->8 0.04215 0.01405 2.835 (3/4)7->8 0.12645 0.04215 L+ (mH) C0 ( F) C+ ( F) 1.26 0.028014 0.009338 0.315 0.007004 0.002335 0.945 0.210105 0.007004 l (km) 80 20 60

Figura 4.20 Comportamento da tenso para a falta monofsica (escala de 100ms).

Figura 4.21 Comportamento da corrente para a falta monofsica (escala de 100ms).

49

Observa-se que a corrente na fase do curto cresce significativamente justificada pela fuga da corrente da mesma para a terra.

4.4.2 Curto-circuito bifsico

Como foi explicado anteriormente, todas as consideraes feitas para o curto monofsico podem ser estendidas ao bifsico. Os parmetros calculados para as linhas de 20 e 60 Km, constantes da tabela 4.2 tambm sero considerados. Assim, o circuito que modela, no ATPDraw, o curto-circuito bifsico fica como o da figura 4.22 abaixo. A resistncia utilizada no modelo de 1 ohm e o tempo de fechamento da chave de 20 ms.

Figura 4.22 Modelo o curto-circuito bifsico no ATPDraw.

Lembrando ainda que, no modelamento do circuito, um parmetro importante o tempo da chave, pois o programa modela uma chave real, isto significa que demanda um certo tempo para o acionamento completo da mesma quando esta se encontra inicialmente fechada e aps um tempo ela se abre. Ao invs de deixar a chave inicialmente fechada abrindo somente em 20 ms, foi implementado o circuito considerando a chave inicialmente aberta e em 20 ms ela se fecha, assim o tempo de acionamento da chave no ocorre, no interferindo no modelamento do circuito.

50

Figura 4.23 Comportamento da tenso para a falta bifsica (escala de 100ms).

Figura 4.24 Comportamento da corrente para a falta bifsica (escala de 100ms).

As tenses das fases onde ocorre o curto-circuito diminuem, como pode ser visto na figura 4.23. A tenso da fase A no se alterou, porque coincidentemente, assim como foi mostrado para energizao do banco de capacitores, o curto aconteceu no momento em que a mesma se encontrava prxima ao zero. E tambm como na falta monofsica, as correntes das fases envolvidas no curto tm um aumento sbito.

51

4.4.3 Curto-circuito fase-fase-terra.

Os dimensionamentos e anlises feitas anteriormente podem ser estendidos para este tipo de falta, razo porque no sero mais mencionadas. Com isso o circuito modelado no ATPDraw, fica como na figura 4.25 abaixo.

Figura 4.25 Modelo o curto-circuito fase-fase-terra no ATPDraw.

Figura 4.26 Comportamento da tenso para a falta fase-fase-terra (escala de 100ms).

52

Figura 4.27 Comportamento da corrente para a falta fase-fase-terra (escala de 100ms).

Comparando os grficos obtidos nesta simulao com os fornecidos pelo curto bifsico, nota-se que a tenso no curto fase-fase-terra, na fase A mais afetada quando o sistema submetido a tal distrbio, j a corrente, para o mesmo caso, nas fase B e C, menor que a encontrada para o curto bifsico.

4.4.4 Curto-circuito trifsico.

Figura 4.28 Modelo o curto-circuito trifsico no ATPDraw.


53

Para o curto-circuito trifsico foi utilizado o circuito constante da figura 4.28 para modelamento no ATPDraw. E as formas de onda para a tenso e a corrente so:

Figura 4.29 Comportamento da tenso para a falta trifsica (escala de 100ms).

Figura 4.30 Comportamento da corrente para a falta trifsica (escala de 100ms).

Como feito anteriormente, percebe-se um abalo, agora, nas trs fases, tanto na tenso quanto na corrente do circuito estudado.

54

4.5 CONSIDERAES FINAIS

O estudo dos impactos sofridos pelo sistema, quando submetido uma manobra ou a um curto-circuito, um dos mais importantes objetivos da anlise transitria. Estes fenmenos causam distrbios de grande magnitude, acarretando na gerao e propagao de surtos no sistema, sendo que tais curtos so ondas eletromagnticas ngremes, de curta durao.

A utilizao do ATPdraw na simulao destes transitrios mostra-se bastante eficiente e de suma importncia no conhecimento do comportamento do circuito estudado. A utilizao de ferramentas matemticas e computacionais, assim como exposto na introduo, segue uma tendncia de se buscar conhecer cada vez melhor os sistemas, e neste contexto o ATPDraw uma das vias de acesso ao to sonhado controle do comportamento dos sistemas de potncia

55

CAPTULO 5 - CONCLUSES
O trabalho desenvolvido neste projeto apenas o inicio de um estudo conjunto que busca modelar as redes reais de um sistema de potncia, permitindo a decodificao dos sinais de tenso e corrente gerados tanto na manobra de bancos de capacitores ou reatores, quanto na anlise de faltas no sistema, para que se saiba, no ponto de monitoramento da rede, o que, quando e onde aconteceu o distrbio.

Tal tentativa de se monitorar, assim como o exposto na introduo, est de acordo com a tendncia, em voga hoje, de se conhecer e com isso poder controlar os sistemas implementados, minimizando assim, as perdas econmicas, humanas e de tempo, inerentes a qualquer projeto.

Em face do exposto observa-se que o ATPDraw consiste numa interface grfica de processamento interativo em ambiente Windows para criao e edio de arquivos de dados de entradas para o programa ATP, definindo um ambiente de trabalho que funciona como ncleo central de onde o usurio pode controlar o processamento de qualquer outro programa do pacote, inclusive diferentes verses do ATP propriamente dito.

56

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Filho, Jorge Amon e Pereira, Marco Plo (2001). Novo desenvolvimentos dos programas ATP/EMTP e ATPDraw. XVI SNPTEE, Campinas-SP-Brasil. [2] DAjuz, Ary, Fonseca, Cludio S., Carvalho, F. M. Salgado, Filho, Jorge Amon, Dias, L. E. Nora, Pereira, Marco Plo, Esmeraldo, Paulo Csar V., Vaisman, Roberto e Frontin, Srgio O. (1987). Transitrios Eltricos e Coordenao de Isolamento. EDUFF, Rio de Janeiro. [3] Prikler, Lszl e Hoidalen, Hans KR. (1998) ATPDraw for Windows 3.1x/95/NT version 1.0 Users Manual. [4] Comit Nacional Brasileiro CIGR. (1995) Disjuntores e Chaves Aplicaoe em sistemas de potncia., EDUFF, Rio de Janeiro. [5] P. M., Anderson e A. A., Fouad. (1986) Power System Control and Stability., The Iowa state University Press-USA. [6] ATP/EMTP RULE BOOK.

57