Ley de Ohm i= 1 v o v = Ri, donde G = R R

Modelo del diodo ideal Si iD es positiva, vD es cero y el diodo conduce (corto circuito R 0)

Si vD es negativa, iD es cero y el diodo est en corte (circuito abierto R ) Conductividad elctrica conductor cobre = 106 .cm semiconductor Ge o Si = 50 .cm Ge = 50 103 .cm Si aislador mica = 1012 .cm

Curva caracterstica de un diodo

Las caractersticas de la curva se dividen en tres regiones a) Regin de polarizacin directa, determinada por v > 0 a) Regin de polarizacin inversa, determinada por v < 0 a) Regin de quiebre, determinada por v < VZK En polarizacin directa, el modelo matemtico aproximado (ecuacin de Shockley) es
v

i = IS e nVT 1

(1)

IS se le conoce como la corriente de saturacin, es constante para un determinado diodo a una detertminada temperatura. Depende de la seccin transversal de la juntura (duplicar el rea de la juntura, implica duplicar la corriente de saturacin). Tambin es funcin de la temperatura (IS se duplica para 5 C de aumento de temperatura. Para diodos de seal pequea, de baja potencia IS 1015 A. El voltaje VT se le conoce como voltaje trmico VT = kT q

joules k = Constante de Boltzmann = 1.38 1023 kelvin T = Temperatura absoluta en kelvins = 273+ temperatura en C q = Magnitud de la carga del electrn = 1.602 1019 coulombs A temperatura ambiente (20 C) el valor de VT = 25.2 mV , la constante n llamada coeciente de emisin, depende del diodo, normalmente 1 < n < 2.

Para corrientes apreciables i >> IS , por lo que la ecuacin (1) puede aproximarse
v

i = IS e nVT

En la regin de directa en el intervalo 0 < v < 0.5 V , se le conoce como regin de encendido. En la regin de polarizacin inversa se tiene i = IS =constante, llamada corriente de saturacin, del orden de 1014 a 1015 A. En la regin de disrupcin, cuando v = VZK , Z denota zener y K rodilla, algunos diodos trabajan en esta regin como reguladores, en otros que no tienen este propsito puede daar al diodo. Anlisis de circuitos con diodos

En la regin de polarizacin en directa se tiene ID = IS e nVT La ecuacin del circuito de la resistencia con diodo VDD VD ID = R Si los parmetros: IS , n, VT , VDD y R son conocidos, se pretende conocer las cantidades ID y VD . El siguiente segmento de programa en Maple, se ilustra como se resuelve el conjunto de ecuacioes no lineales. En este caso, VDD = VT h y R = RT h
VD

Modelo del diodo de bateria ms resistencia

Aproximacin del modelo del diodo en directa por medio de dos segmentos

Modelo piezolineal del diodo en directa y circuito representativo

iD = 0, vD VD0 (vD VD0 ) iD = VD0 rD Modelo del diodo de caida de voltaje constante

Aproximacin por medio de una lnea vertical y otra horizontal

Modelo de caida constante de voltaje y circuito representativo, este modelo predice el voltaje del diodo en un rango 1 V para 0.1 < iD < 10 mA

Si el punto de operacin del diodo es el punto A, la recta tangente que pasa por el punto A, cruza la abscisa en Vf (donde empieza a conducir el diodo), y su pendiente es igual a la derivada diD evaluada en A dvD iD 0 diD = m= dvD vD Vf de donde v D Vf dvD = diD iD vD = iD donde dvD + Vf diD

Al despejar

dvD diD Obtencin de la expresin para la resistencia rd del modelo piezolineal del diodo rD = iD = IS e nVT 1 Al tomar la derivada se tiene
vD 1 diD IS nV = = e T rd dvD nVT vD

(2)
vD

Pero la ecuacin Al sustituir (3) en (2) se tiene

iD = IS e nVT 1 IS e nVT 1 iD = rd nVT rd = nVT iD

vD

(3)

de donde

Obtencin de la caida de tensin en el diodo

i 1 iD = = v VD Vf rd Al despejar Vf = VD ID rd (4) Ejemplo Obtenga el modelo piezolineal de un diodo de un diodo de silicn con IS = 1010 A n = 1.6 en la vecindad del punto de operacin para iD = 10 mA Solucin rd =
vD

nVT (1.6) (25 103 ) = = 40 iD 10 103

De la ecuacin iD = IS e nVT 1 , al despejar vD iD +1 IS vD iD = ln +1 nVT IS iD vD = nVT ln +1 IS

vD

e nVT =

vD = (1.6) 25 103 ln Al usar la ecuacin (4) se tiene

10 103 +1 1010

= 0. 73683 V

Vf = VD ID rd = 0. 73683 0.01 (40) = 0. 33683 V

Ejemplo: Determine el modelo piezolineal del diodo con resistencia interna rd en la unin pn, con los siguientes parmetros Is = 1012 A y n = 1 si el diodo debe operar en vD = 0.5 V . Solucin iD = IS e nVT 1 = 1012 e 125103 rd =
vD 0.5

= 4. 8517 104 A = 0.0485mA

nVT (1) (25 103 ) = = 51. 528 iD 4. 8517 104

Vf = VD ID rd = 0. 5 4. 8517 104 (51. 528) = 0. 475 V