Roberto Carlos Vargas Vidaurri Arquitectura de computadoras avanzadas

6.1 Caractersticas generales de la memoria

Caractersticas generales de la memoria Las memorias se pueden clasificar atendiendo a diferentes criterios. De acuerdo al mtodo de acceso se pueden clasificar en: Acceso aleatorio (RAM): Acceso directo y tiempo de acceso constante e independiente. Acceso secuencial (SAM): Tiempo de acceso dependiente de la posicin de memoria Acceso directo (DAM): Acceso directo a un sector con tiempo de acceso dependiente de la posicin, y acceso secuencial dentro del sector. Asociativas: Acceso por contenido. Alterabilidad RAM: Lectura y escritura ROM (Read Only Memory) : Son memorias de solo lectura. Existen diferentes tipos: ROM: Programadas por mascara, cuya informacin se escribe en el proceso de fabricacin y no se puede modificar. PROM: Programable una sola vez. Utilizan una matriz de diodos cuya unin se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensin. EPROM: Contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para volverse a escribir. EAROM: Memorias que estn entre las RAM y las ROM ya que su contenido se puede volver a escribir por medios elctricos. Se diferencian de las RAM en que no son voltiles. Flash: Utilizan tecnologa de borrado elctrico al igual que las EEPROM, pero pueden ser borradas y reprogramadas en bloques. Volatilidad con la fuente de energa Voltiles: Necesitan la fuente de energa para mantener la informacin No voltiles: Mantienen la informacin sin aporte de energa Duracin de la informacin Estticas: El contenido permanece inalterable mientras estn polarizadas Dinmicas: El contenido solo dura un corto periodo de tiempo, por lo que es necesario refrescarlo (reescribirlo) peridicamente. Proceso de lectura: Lectura destructiva: Necesitan reescritura despus de una lectura Lectura no destructiva

Ubicacin en el computador Interna: Registros, cache, memoria principal. Externa: Discos, cintas, etc. Parmetros de velocidad Tiempo de acceso Tiempo de ciclo Ancho de banda Unidades de transferencia Palabras Bloques Organizacin interna de la memoria principal Una memoria principal se compone de un conjunto de celdas bsicas dotadas de una determinada organizacin. Cada celda soporta un bit de informacin. Los bits se agrupan en unidades direccionables llamadas palabras. La longitud de la palabra la determina el nmero de bits que la componen y constituye la resolucin de la memoria (mnima cantidad de informacin direccionable) La longitud de palabra duele oscilar desde 8 bits (byte) hasta 64 bits. Cada celda es un dispositivo fsico con dos estados estables con capacidad para cambiar el estado y determinar su valor. Aunque los primeros computadores se utilizaron los materiales magnticos como soporte de las celdas de memoria principal en la actualidad solo se utilizan los materiales semiconductores. Dentro de las memorias electrnicas de semiconductor podemos distinguir dos grandes grupos SRAM: utilizan el principio de biestabilidad que se consigue con 2 puertas inversoras realimentadas. DRAM: dinmicas aprovechan la carga o ausencia de carga de un pequeo condensador creado en un material semiconductor. Desde un punto de vista conceptual y con independencia de la tecnologa, consideremos la celda bsica de memoria como un bloque con tres lneas de entrada (entrada dato, seleccin y lectura/escritura) y una salida (salida dato) . La celda solo opera cuando la seleccin esta activa.

Organizacin interna de la memoria Las celdas de memoria se diponen en el interior de un chip atendiendo a dos organizaciones principales: la organizacin por palabras (2 D ) y la organizacin por bits (3 D).

Organizacin 2 D Es la organizacin ms sencilla. Las celdas forman una matriz de 2 a la n filas y m columnas, siendo 2 a la n el nmero de palabras del cip y m el nmero de bits de cada palabra. Cada fila es seleccionada por la decodificacin de una configuracin de los n bits de direccin. Esta organizacin tiene el inconveniente de que el sector de palabras crece exponencialmente con el tamao de la memoria.

Organizacin 3 D En lugar de una nica seleccin de 2 a la n salidas en esta organizacin se utilizan dos decodificadores de 2 a la n/2 operando con coincidencia. Las lneas de direccin se reparten ente los dos decodificadores. Para una configuracin dada de las lneas de direccin se selecciona un nico bit de la matriz. Por ello es le denomina tambin organizacin por bits. Diseo de memorias Cuando se ha de disear una memoria principal cuyas dimensiones (numero de bits y numero de palabras) exceden a las de un chip, se tiene que disponer varios chips en una placa de circuito impreso para alcanzar las dimensiones requeridas. Para mayor claridad trataremos de manera independiente cada una de las dimensiones. Ampliacin del nmero de bits de la palabra de memoria. Se trata de formar una memoria de 2 a la n (m*k) bits a partir de chips de 2 a la n * m bits. Simplemente se disponen en paralelo k chips de 2 a la n* m bits al que llegaran las mismas lneas de direccin y control. Ampliacin del nmero de palabras de memoria Se trata de formar una memoria de 2 a la n * m * N bits a partir de chips de 2 a la n * m bit, es decir, aumentar el nmero de palabras manteniendo la misma longitud de palabra. Ubicacin en el espacio de direcciones Dado un espacio de direcciones dn-1 , dn-2, d0 y una memoria de capacidad 2 a la m , se trata de hallar la funcin lgica de seleccin que ubique a la memoria en un segmento de direcciones consecutivas Di,Dj , as como las seales locales de direccin de la memoria. Si la memoria debe ocupar posiciones consecutivas, las lneas menos significativas del bus de direcciones se conectaran con las lneas de direcciones locales de la memoria. Decodificacin parcial y total Cuando se generan las funciones de seleccin de varios bloques de memoria o puertos de E/S que han de ubicarse en el espacio de direcciones tiene que evitarse siempre que una direccin sea asignada a ms de una posicin de memoria o registro de E/S. En caso contrario el resultado de las operaciones de

lectura/escritura puede resultar incierto. Sin embargo no es necesario que una posicin de memoria o registro le corresponda solo una direccin. En algunos casos, para simplificar la decodificacin, y siempre que no se vaya a utilizar totalmente el espacio disponible, se puede realizar una decodificacin parcial. Disposicin de los mdulos de memoria SIMM (Single In line memory module) Un Simm tpico consta de varios chips de DRAM instalados en una pequea placa de circuito impreso que se fija verticalmente a travs de un conector a la placa del sistema. Los SIMMs disponen de varios formatos y numero de contactos. Una de las ventajas de la memoria SIMM es la posibilidad de instalar gran cantidad de memoria en una unidad reducida. Algunos SIMMS de 72 contactos contiene 20 o mas chips de DRAM ; 4 de estos SIMMs contiene pues . 80 o ms chips de DRAM. Ocupan un rea de 58 cms cuadrados, mientras que si los chips se instalaran horizontalmente en la placa del sistema ocuparan 135 cm cuadrados. Es un formato para mdulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se insertan en zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras estn interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-21C. La SIMM es un tipo de RAM que se hizo popular a mediados de los 80s y principios de los 90s. Las SIMMS tienen conexiones de 32 bits. Las DIMM han vendi a reemplazar las SIMM desde el Intel P-5. Las SIMMS tienen redundantes contactos en ambos mdulos de la memoria. DIMM Los mdulos de memoria DIMM , al igual que los SIMMs se instalan verticalmente en los conectores de expansin. La diferencia principal estriba que en los SIMMs los contactos de cada fila se unen con los contactos correspondientes de la fila opuesta para forma un solo contacto elctrico; mientras que en los DIMMs los contactos opuestos permanecen elctricamente aislados para formar dos contactos independientes. Son mdulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro. Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado. Un DIMM puede comunicarse con el Cache a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de que se salga por la calle de los 32 bits de los SIMM. Funciona a una frecuencia de 123 MHz cada una.

El hecho de que los mdulos en formato DIMM (Mdulo de Memoria en Lnea Doble), sean memorias de 64 bits, explica por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Adems de ser de mayores dimensiones que los mdulos SIMM (130x25mm), estos mdulos poseen una segunda muesca que evita confusiones. La mayora de mdulos [DIMM] se construyen usando "x4" (de 4) los chips de memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits. En el caso de los [DIMM] "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso, el mdulo de doble cara es nico en la clasificacin. Deteccin y correccin de errores Para la deteccin de errores simples en dispositivo de memoria suelen utilizar los bits de paridad, es decir, se ampla en 1 la longitud de palabra para almacenar en las operaciones de escritura la paridad total (par o impar) de la palabra. En las operaciones de lectura se comprueba si se mantiene la paridad convenida. Las detecciones de fallos de la memoria se suelen traducir en excepciones del sistema. Cdigos correctos de errores El cdigo de Hamming permite la correccin de un error simple. El dato a transmitir de m bits de longitud se ampla con k bits de pariodad, suficientes para codificar la posicin de un posible bit errneo en el mensaje completo de m + k bits .Es decir, deber cumplirse que 2k -1 * m+k El cdigo de Hamming es un cdigo detector y corrector de errores que lleva el nombre de su inventor, Richard Hamming. En los datos codificados en Hamming se pueden detectar errores en un bit y corregirlos, sin embargo no se distingue entre errores de dos bits y de un bit (para lo que se usa Hamming extendido). Esto representa una mejora respecto a los cdigos con bit de paridad, que pueden detectar errores en slo un bit, pero no pueden corregirlo. La paridad consiste en aadir un bit, denominado bit de paridad, que indique si el nmero de los bits de valor 1 en los datos precedentes es par o impar. Si un solo bit cambiara por error en la transmisin, el mensaje cambiar de paridad y el error se puede detectar (ntese que el bit donde se produzca el error puede ser el mismo bit de paridad). La convencin ms comn es que un valor de paridad 1 indica que hay un nmero impar de unos en los datos, y un valor de paridad de 0 indica que hay un nmero par de unos en los datos. La comprobacin de paridad no es muy robusta, dado que si cambia de forma uniforme ms de un solo bit, el bit de paridad ser vlido y el error no ser detectado. Por otro lado, la paridad, aunque puede detectar que hay error, no indica en qu bit se cometi. Los datos se deben desechar por entero y volverse a transmitir. En un medio ruidoso, una transmisin correcta podra tardar mucho tiempo o incluso, en el peor de los casos, no darse nunca.

Si se aaden junto al mensaje ms bits detectores-correctores de error y si esos bits se pueden ordenar de modo que diferentes bits de error producen diferentes resultados, entonces los bits errneos podran ser identificados. En un conjunto de siete bits, hay slo siete posibles errores de bit, por lo que con tres bits de control de error se podra especificar, adems de que ocurri un error, en qu bit fue. Hamming estudi los esquemas de codificacin existentes, incluido el de dos entre cinco, y generaliz sus conclusiones. Para empezar, desarroll una nomenclatura para describir el sistema, incluyendo el nmero de los bits de datos y el de los bits detectores-correctores de error en un bloque. Memoria entrelazada Para aumentar el ancho de banda de una memoria principal se puede descomponer en mdulos con accesos independientes, de manera que se pueda accesar simultneamente a una palabra de cada uno de los mdulos. Existen diferentes elementos de diseo en una memoria modular, siendo el orden del entrelazado de las direcciones uno de los principales. Bsicamente existen 2 tipos de entrelazado para el espacio de direcciones de una memoria: entrelazado de orden superior y entrelazado de orden inferior. La memoria entrelazada permite el acceso concurrente a mdulos de memoria de tecnologa no demasiado rpida, y por tanto, de menor coste. Permite multiplicar hasta por M el ancho de banda que se obtendra con un solo mdulo, siendo M el nmero de mdulos. Entrelazado de orden superior Consiste en distribuir las direcciones de memoria entre los mdulos de modo que cada uno contenga direcciones consecutivas. Entre las ventajas podemos encontrar: Facilita la expansin de la memoria Fiabilidad ante el fallo de un mdulo de memoria Entrelazado de orden inferior Consiste en asignar a mdulos consecutivos direcciones consecutivas del mapa de memoria. Su principal ventaja es: Si las referencias sucesivas a memoria son consecutivas, se reducen los conflictos de acceso.

Conclusiones Las memorias en las Pcs son el medio de almacenamiento. Son dispositivos que se encargan de la retencin de datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin o almacenamiento de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en ingls, central processing unit), implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940. Gracias al uso de memorias no es necesario la programacin particular es decir con su implementacin la arquitectura de programa almacenado se hace posible. De acuerdo a la escritura y eliminacin de los datos las memorias se pueden clasificar en voltiles y no voltiles, en uso de escritura una sola vez o varias veces a travs de diferentes maneras de borrado. Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rpida evolucin en tecnologa de materiales semiconductores. La velocidad de los computadores se increment, multiplicada por 100.000 aproximadamente y la capacidad de memoria creci en una proporcin similar. La memoria de semiconductor usa circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar informacin. Un chip de memoria de semiconductor puede contener millones de minsculos transistores o condensadores. Existen memorias de semiconductor de ambos tipos: voltiles y no voltiles.