Anda di halaman 1dari 19

MAKALAH SEMIKONDUKTOR GRAPHENE DAN APLIKASINYA PADA TRANSISTOR

Makalah ini diajukan untuk memenuhi salah satu tugas mata kuliah Fisika Zat Padat

Disusun oleh : Ahmad Ridwanullah (1209703003) Handi Pandriantama (1209703013) Miftahudin (1209703023) Norman Swarzkop (1209703029) Siti Nurhasanah (1209703038) Yuni Karlina (1209703046)

PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUNAN GUNUNG DJATI BANDUNG 2012

KATA PENGANTAR
Puji syukur kami panjatkan kehadirat Allah SWT, karena atas izinnya makalah ini dapat disusun dan terselesaikan tepat pada waktunya. Shalawat dan salam semoga tetap tercurah limpahkan kepada Nabi akhir zaman, Nabi Muhammad SAW. Termasuk kepada para pengikutnya yang akan tetap setia sampai akhir zaman. Penyusunan makalah ini dimaksudkan untuk memenuhi salah satu tugas mata kuliah Fisika Zat Padat. Makalah ini membahas salah satu aplikasi dari semikonduktor yang merupakan salah satu bab dalam fisika zat padat. Materi yang dibahas ialah mengenai material graphene dan aplikasinya pada transistor. Diharapkan makalah ini dapat memenuhi standar makalah yang diinginkan. Walaupun berbagai kekurangan tidak luput ada di dalamnya. Kami ucapkan terimakasih kepada semua pihak yang ikut serta membantu dalam penyelesaian makalah ini, baik pengarang buku, maupun sumbangsih pemikiran kawankawan. Dan besar harapan kami, semoga makalah ini bisa bermanfaat, khususnya bagi kami umumnya bagi semua pihak yang bersedia membaca dan meneliti kembali permasalahan dalam makalah ini

Bandung, 24 November 2012

PENYUSUN

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR ............................................................................................................................. i DAFTAR ISI........................................................................................................................................... ii BAB 1 1.1 1.2 1.3 BAB 2 2.1 2.2 BAB 3 3.1 BAB 4 4.1 4.2 PENDAHULUAN .................................................................................................................. 3 LATAR BELAKANG ............................................................................................................ 3 TUJUAN ................................................................................................................................. 3 RUMUSAN MASALAH ........................................................................................................ 3 TINJAUAN PUSTAKA ......................................................................................................... 4 SIFAT ELEKTRONIK PADA GRAPHENA .......................................................................... 4 PEMBUATAN DAN PEMROSESAN GRAPHENA ............................................................ 6 APLIKASI PADA TRANSISTOR GRAPHENE ................................................................. 11 BEBERAPA SIFAT SPECIAL GRAPHENA ...................................................................... 12 PENUTUP............................................................................................................................. 16 KESIMPULAN ..................................................................................................................... 16 SARAN ................................................................................................................................. 17

DAFTAR PUSTAKA ........................................................................................................................... 18

ii

BAB 1

PENDAHULUAN

1.1

LATAR BELAKANG Graphene merupakan material dengan ketebalan satu atom yang tersusun atas atom-atom karbon membentuk kisi heksagonal. Graphene pertama kali dapat dimana keduanya dapat

dibuat oleh A. Geim dan K. Novoselov pada tahun 2004 . merupakan ilmuwan

pada Universitas Manchester Inggris. Sejak graphene

dibuat, berbagai kajian teoritis maupun eksperimen telah banyak dilakukan oleh ilmuan-ilmuan di seluruh dunia, sehingga pada memperoleh tahun 2010 kedua ilmuan tersebut menjadi material yang yang unik seperti sifat

Nobel Prize di bidang Fisika. Graphene memiliki berbagai sifat

menarik untuk dikaji karena

mekanik, optik, thermal dan listrik. Pada artikel ini akan dikaji tentang sifat kelistrikan graphene dan aplikasinya untuk divais elektronik masa depan. Graphene merupakan material baru yang memiliki sifat elektronik unggul, di antaranya adalah mobilitas pembawa muatan yang tinggi, yang mencapai lebih dari 200.000 cm2/Vs. Sifat ini dan lainnya menyebabkan graphene banyak diteliti, baik secara teori maupun eksperimental. Banyak hal yang terkait dengan graphe yang di bahas. Terutama berbagai cara pembuatan untuk menghasilkan grapheme, salah satunya yaitu eksfoliasi, penumbuhan dari silikon karbida dan pada logam, dengan hasil yang bervariasi. Selain dari itu juga banyak dibahas pula apikasi dalam elektronik dengan memanfaatkan graphe yaitu untuk kapasitor dan transistor efek medan.

1.2

TUJUAN a. Dapat mengetahui sifat unsur graphene b. Dapat mengetahui susunan kristal graphene c. Dapat mengetahui cara pembuatan kristal. d. Dapat mengidentifikasi manfaat dari graphene, terutama transistor.

1.3

RUMUSAN MASALAH a. Bagaimana sifat unsur graphene? b. Bagaimana susunan kristal graphene? c. Bagaimana cara pembuatan kristal? d. Apakah manfaat dari graphene, terutama transistor?
3

BAB II
2.1 SIFAT ELEKTRONIK GRAPHENE Pemodelan

TINJAUAN PUSTAKA

Untuk memahami sifat-sifat dasar graphene, orang melakukan pemodelan terhadap struktur kristal graphene. Sifat-sifat yang diteliti adalah kurva dispersi, band gap, konduktivitas, dan mobilitas pembawa muatan. Sedangkan, parameter-parameter yang ditinjau adalah dimensi lembaran graphene, jumlah lapisan, dan keberadaan pengotor (doping). Graphene dalam bentuk lembaran (sheet) yang luasnya tidak terbatas memiliki hubungan dispersi seperti ditunjukkan dalam Gambar 1. Pada pojok-pojok zona Brillouin pertama, energi elektron pada pita konduksi tepat bertemu dengan pita valensi membentuk kerucut. Pada tempat ini, yang dinamakan titik Dirac, nilai energi berbanding lurus dengan momentum, sehingga massa efektif elektron adalah nol.

Gambar 1: Hubungan dispersi graphene. Hal ini menyebabkan graphene bersifat semilogam dengan band gap nol. Elektronelektron graphene bersifat relativistik dan mengalami sedikit saja hamburan terhadap fonon sehingga batas atas mobilitas elektron graphene sangat tinggi yaitu 200.000 cm2/Vs [3] Dalam kaitannya dengan efek medan, mobilitas elektron graphene yang didapatkan dari pemodelan mencapai 80.000 cm2/Vs . Berbagai penelitian juga telah dilakukan untuk memodelkan graphene yang bentuknya seperti pita, yang dikenal dengan sebutan Graphene Nanoribbon (GNR). Contoh susunan atom dalam GNR ditampilkan dalam Gambar 2. Pada Gambar 2 terlihat bahwa GNR bisa memiliki berbagai macam tepi. Tepi seperti pada Gambar 2a disebut zigzag, sedangkan tepi seperti pada Gambar 2b disebut armchair.

(a)

(b)

(c)

Gambar 2: Beberapa contoh Graphene Nanoribbon. (a) Tepi zigzag (b) Tepi armchair. (d) GNR dengan sudut kiral 13,90. Hasil pemodelan menunjukkan bahwa GNR satu lapis memiliki band gap yang besarnya bergantung pada lebar pita. Untuk bentuk tepi armchair, terdapat tiga kelompok yang dibedakan oleh jumlah atom yang menyusun lebar pita, yaitu 3n, 3n+1, dan 3n+2. [5, 6, 7]. Hubungan besar band gap terhadap lebar pita yang didapatkan dari hasil pemodelan

ditampilkan dalam Gambar 3.

Gambar 3: Hasil pemodelan band gap GNR satu lapis dengan bentuk tepi armchair dan zigzag Ukuran yang sempit juga mempengaruhi mobilitas elektron graphene. Jika GNR semakin sempit maka mobilitas elektronnya berkurang. Berkurangnya mobilitas juga bisa disebabkan bentuk tepi yang tidak teratur. Selain bentuk tepi, hal lain yang mempengaruhi parameter GNR adalah keberadaan atom lain. Jika atom-atom karbon di tepi pita dibiarkan saja, artinya ada valensi karbon yang tidak mendapat pasangan (dangling bond). Supaya stabil, atom-atom ini cenderung menangkap, atau sengaja dipasangi, atom lain seperti hidrogen. Dalam hal ini tepi pita disebut
5

hydrogen passivated. Pemasangan atom seperti boron dan nitrogen pada tepi pita baik bentuk armchair maupun zigzag mungkin menjadikan GNR bersifat feromagnetik.
2.2 Pembuatan Dan Pemrosesan Graphene

Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene secara terkendali dalam hal jumlah lapisan, luas, dan bentuknya. Metode-metode ini terbagi menjadi dua, yaitu pembelahan grafit menjadi lapisan-lapisan graphene (top down) dan penumbuhan graphene secara langsung dari atom-atom karbon (bottom up).
Pengelupasan

Dalam metode pengelupasan (exfoliation), kristal grafit dibelah-belah menjadi lapisanlapisan graphene. Cara yang paling awal adalah dengan selotip, yang dilakukan oleh [1]. Selotip ditempelkan pada grafit lalu dikelupas. Sebagian material yang terambil kemudian ditempel selotip lagi dan dikelupas, demikian seterusnya sampai didapatkan lapisan yang sangat tipis yang mungkin hanya terdiri dari satu lapisan graphene. Metode ini dikembangkan lebih lanjut menjadi apa yang disebut drawing method (menggambar) . Dalam metode ini, kristal grafit dipasang pada ujung Atomic Force Microscope (AFM) kemudian digoreskan seperti pensil pada substrat SiO2. Lapisan-lapisan graphene terpisah dan menempel pada substrat. Cara lain untuk membelah grafit adalah dengan pelarutan atau dispersi dalam cairan. Salah satu metode adalah pelarutan dalam larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene sulfonate). Dalam larutan ini, grafit yang hidrofobik menjadi dibasahi oleh air dan lapisan-lapisan graphene terlepas dengan sendirinya. Setelah itu dilakukan pengendapan dan pengeringan sehingga graphene dapat dikumpulkan. Eksperimen ini menghasilkan film graphene yang terlihat pada Gambar 5. Terlihat bahwa film ini merupakan gabungan dari banyak serpih-serpih graphene yang lebarnya sekitar 1 m dan jumlah lapisannya beberapa. Film ini memiliki tebal sekitar 150 nm, dan memiliki konduktivitas 1500 S/m. Nilai konduktivitas yang rendah ini disebutkan berasal dari adanya molekul surfaktan yang menempel pada film sehingga mengganggu jalannya elektron dan menurunkan konduktivitas. Walaupun demikian, cara ini memiliki keunggulan bahwa memerlukan sedikit biaya.

Gambar 5: Film graphene yang dihasilkan dari pengelupasan dengan surfaktan. Metode yang mirip dengan metode terakhir adalah pengelupasan dari graphene oksida (GO). Graphene oksida merupakan senyawa turunan dari graphene yang mengandung tidak hanya karbon, tetapi juga oksigen dan hidrogen. Dalam metode ini, GO dilarutkan dalam air. Karena GO tidak menolak air, lembaran-lembaran GO langsung terpisah dari kristal asalnya. Kemudian, untuk mendapatkan graphene, GO diendapkan dan direduksi dengan hidrazin. Graphene yang dihasilkan ternyata tidak rata dan karenanya memiliki konduktivitas yang rendah, yaitu 0,05 - 2 S/cm . Contoh graphene yang dihasilkan dari metode ini ditampilkan dalam Gambar 6.

Gambar 6: Graphene yang dihasilkan dari graphene oksida.

Penumbuhan dari Silikon Karbida Graphene telah berhasil ditumbuhkan dari silikon karbida (SiC). Dalam metode ini, substrat SiC dipoles sampai sangat rata lalu dipanaskan dalam vakum tingkat ultra (Ultra High Vacuum, 10 torr) sehingga atom-atom Si menyublim. Atom-atom Karbon yang tertinggal di permukaan membentuk graphene. Kristal SiC yang digunakan bisa merupakan polytype 4H, 6H, atau 3C. Dapat digunakan kristal SiC dengan muka silikon atau muka karbon. Cara lain adalah dengan membiarkan sedikit gas (O 2, H2O, CO2) tersisa dalam vakum tingkat sedang (10 -5 torr). Ternyata sedikit gas ini bereaksi dengan SiC menyisakan atom karbon yang membentuk graphene. Hasil-hasil
7

penumbuhan tersebut biasanya menghasilkan beberapa lapisan graphene. Graphene yang ditumbuhkan dari SiC memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai 1120 cm 2/Vs jika ditumbuhkan pada muka silikon dan 18100 cm 2/Vs jika ditumbuhkan pada muka karbon. Contoh hasil penumbuhan terlihat dalam Gambar 7. Keunggulan dari metode ini adalah bahwa substrat SiC dapat langsung digunakan sebagai substrat untuk membuat rangkaian elektronik dengan graphene. Untuk membuat pola pada graphene SiC dapat dilakukan dua cara. Pertama, dilakukan penumbuhan berpola, artinya graphene yang tumbuh langsung membentuk pola. Dalam metode ini, SiC ditutupi dengan aluminium nitrida pada bagian yang diinginkan. Ketika penumbuhan dilakukan, bagian yang tertutup tidak tumbuh. Lapisan AlN kemudian dibuang. Dalam metode kedua, graphene yang telah ditumbuhkan tanpa pola dietsa dengan plasma, misalnya oksigen atau helium. Untuk membuat jendela etsa digunakan HSQ yang dibuat berpola dengan electron beam.

Gambar 7: Hasil TEM dari graphene yang ditumbuhkan pada SiC dengan metode vakum tingkat rendah.
Penumbuhan dengan Chemical Vapor Deposition (CVD) pada logam

Penumbuhan dengan CVD telah dilakukan pada substrat logam seperti Ni danCu. Logam-logam ini dipilih karena dapat dikikis dengan etsa sehingga graphene yang dihasilkan tidak terikat pada substrat logam. Gas yang bisa digunakan adalah metana + hidrogen. Telah dapat ditumbuhkan graphene pada nikel yang mencapai lebar beberapa sentimeter yang seluruhnya bersambungan [23]. Jika menggunakan substrat Cu, dihasilkan graphene yang jumlah lapisannya lebih sedikit dan sebagian besar merupakan lapisan tunggal. Contoh graphene yang ditumbuhkan dengan cara ini ditampilkan pada Gambar 8.
8

Gambar 8: Contoh graphene yang ditumbuhkan dengan pada Cu. Mekanisme penumbuhan graphene pada logam adalah sebagai berikut. Atom karbon yang berasal dari gas larut ke dalam substrat logam pada suhu 10000C. Ketika suhu diturunkan, kelarutan karbon berkurang sehingga atom-atom karbon mengendap di permukaan logam menjadi graphene, sama seperti garam yang keluar dari es saat air asin membeku. Pertumbuhan graphene di sini bersifat membatasi diri pada satu lapisan saja. Graphene berlapis lebih dari satu ditemukan pada perbatasan kristal (grain boundary) logam. Graphene yang telah ditumbuhkan pada logam dapat dipindahkan ke substrat lain seperti SiO2/Si. Pertama, graphene di atas logam diberi lapisan PMMA, lalu logam dietsa hingga habis. Selanjutnya, graphene yang menempel pada PMMA ditelmpelkan pada substrat tujuan, lalu PMMA dikikis habis dengan aseton. Dapat pula dilakukan penumbuhan berpola pada logam yang sudah dibuat berpola sebelumnya. Contoh hasilnya ditampilkan pada Gambar 9.

Gambar 9: Hasil penumbuhan berpola pada nikel.

Graphene yang ditumbuhkan pada logam memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai 100-2000 cm2/Vs [23] yang rendah jika dibandingkan dengan nilai teoretis. Tetapi, metode ini memiliki keunggulan bahwa graphene dapat ditumbuhkan dengan luas dan jumlah lapisan yang dihasilkan adalah tunggal atau sedikit.
9

Pemrosesan

Graphene yang sudah terbentuk dapat diproses lebih lanjut sehingga memiliki sifat-sifat tambahan. Pemrosesan ini misalnya doping dan pembuatan pola. Doping dilakukan untuk mengubah konsentrasi pembawa muatan, sedangkan yang telah

pembuatan pola diperlukan untuk mencapai ukuran tertentu seperti disebutkan graphene. tentang GNR,

atau untuk membuat rangkaian elektronik berbasis

Doping terhadap graphene dapat dilakukan dengan beberapa cara. Salah satu cara adalah dengan mencampur gas selama penumbuhan dengan gas sumber atom doping. Gas yang digunakan misalnya B2H6 yang merupakan sumber boron, pyridine (sumber nitrogen), atau amoniak (sumber N). Cara lain adalah dengan menambahkan unsur doping setelah graphene dibuat. Ini dicapai misalnya dengan melapiskan HSQ (hydrogen silsesquoxane) pada graphene kemudian melakukan penyinaran dengan electron beam. Dalam metode ini, penyinaran dengan intensitas tinggi menjadikan doping tipe-p sedangkan intensitas rendah menjadikan doping tipe-n. Beberapa cara pembuatan pola pada graphene telah dibahas sebelumnya, yang merupakan bagian dari proses pembuatan itu sendiri. Beberapa cara lain adalah membuat pola pada graphene lembaran yang sudah jadi. Cara yang banyak digunakan adalah etsa dengan plasma oksigen atau helium . Metode lain menggunakan AFM bertegangan untuk mengoksidasi graphene di tempat yang diinginkan [29] atau disebut juga LAO ( local anodic oxidation).

10

BAB III

APLIKASI PADA TRANSISTOR GRAPHENA

Graphene dapat diukir ke sirkuit elektronik kecil dengan transistor individu yang memiliki ukuran tidak lebih besar daripada molekul. "Semakin kecil ukuran transistor lebih baik performanya "Seperti Kata Peneliti Manchester. dua tahun lalu Manchester memecahkan rekor ukuran transistor menggunakan graphene. Transistor graphene yang memiliki kinerja tertinggi telah dibuat pada graphene yang terbentuk dari gumpalan dipipihkan dari grafit dan menempel pada substrat. Transistor dibuat pada graphene terbentuk pada permukaan substrat yang sejauh ini berkinerja buruk dibandingkan dengan mereka graphene yang dipipihkan. Di sini kita berbicara tentang dua perusahaan yang membuat transistor graphene yang mencengangkan dan beberapa khusus sifat transistor graphene. IBM Perangkat graphene telah dibuat sebelumnya dengan menempatkan lembaran graphene di atas sebuah isolasi substrat, seperti silikon dioksida. Namun, substrat ini dapat menurunkan sifat elektronik graphene. Namun, tim peneliti telah menemukan solusi untuk meminimalkan itu. Sebuah berlian-seperti karbon yang ditempatkan sebagai puncak lapisan substrat pada wafer silikon. Karbon adalah nonpolar dielektrik dan tidak memerangrangkap atau menangkap layaknya silikon dioksida saja. Transistor graphene baru ini, dalam kaitan berlian-seperti karbon, menunjukkan stabilitas yang dalam perubahan suhu, termasuk temperatur ekstrim sangat dingin di permukaan. IBM telah mengumumkan pengembangan transistor graphene baru yang memiliki cutoff yang frekuensi, dengan mengukur kecepatan perangkat di bawah operasi kondisi dan biasanya sebagian kecil dari kecepatan intrinsik sering dilaporkan, pada 155GHz (155 miliar siklus per detik). Ini frekuensi tinggi baru transistor yang telah tercapai terutama untuk aplikasi dalam komunikasi seperti telepon, internet, dan radar. Fujitsu Fujitsu telah membuat transistor pada graphene yang erkembang pada isolasi substrat dengan struktur novel proses ini melibatkan dimulai dengan katalis film besi selama oksidasi film pada substrat silikon.

11

Gambar 10. Proses pembuatan transistor graphene Untuk membuat transistor, besi dibentuk menjadi strip menggunakan fotolitografi konvensional sebelum berkembangnya graphene. Setelah graphene telah berkembang, source dan drain elektroda titanium-gold Film dibentuk pada ujung setiap strip graphene. Ini meninggalkan pusat, yang akan akhirnya menjadi saluran, terbuka. Source dan drain logam mengikat setiap strip graphene untuk substrat, sehingga besi di bawahnya tertanam dengan asam untuk meninggalkan saluran graphene ditangguhkan sebagai jembatan. Untuk menghentikan pemecahan ini, deposisi lapisan atom digunakan untuk menggantikan besi yang hilang dengan isolasi hafnium dioksida. Pada saat yang sama, HfO2 juga ditanam pada atas saluran untuk membentuk sebuah insulator untuk gerbang yang akhirnya dibaringkan di atas. Hal ini memungkinkan pembentukan graphene transistor di seluruh permukaan besar substrat. Hubungan antara arus drain dan gerbang tegangan jelas menunjukkan sebuah karakteristik bipolar yang khusus untuk graphene. Sebagai graphene pada ketebalan beberapa nanometer adalah transparan, merupakan kandidat untuk digunakan sebagai saluran dan bahan elektroda dalam film tipis transistor yang digunakan dalam display video. 3.1 Beberapa Sifat Special Graphene Graphene memiliki banyak sifat menarik. Di sini kita menunjukkan dua sifat transistor graphene paling menarik, Sifat: self-pendinginan dan bekerja tanpa banyak noise. Pendinginan sendiri graphene

12

Panas adalah fakta yang menyedihkan dari kehidupan bagi generasi sekarang elektronik. Dan menurut standar sekarang, suhu 85 derajat Celcius cukup panas untuk memasak telur, namun "cukup bagus "Suhu operasi untuk bertenaga tinggi grafis PC unit pengolahan. Tapi itu semua bisa segera berubah. Peneliti transistor graphene membuat penemuan luar biasa yaitu graphene yang dingin. Karena graphene transistor sangat tipis. Sulit untuk menguji dan mengukur akurat tertentu sifat material. untuk mengatasi masalah ini, University of Illinois menggunakan sebuah atom mikroskop sebagai ujung probe temperatur (Gambar .5) untuk membuat skala nanometer pengukuran suhu pertama dari transistor graphene bekerja. Efek pemanasan (limbah panas) resistif pada graphene adalah lemah dibandingkan efek pendinginani. Di Silikon dan hamir semua material, pemanasan elektronik jauh lebih besar dari diri pendinginan. Namun graphene transistor memiliki daerah dimana pendinginan termoelektrik dapat lebih besar dari pemanasan resistif. Apa artinya ini adalah bahwa sirkuit graphene mungkin tidak mendapatkan panas seperti siliconbased tradisional. Hal ini memberikan motivasi lebih bagi perusahaan manufaktur semikonduktor untuk memproduksi secara massal sirkuit berdasarkan transistor graphene.

Gambar 11. pengukuran temperatur permukaan graphene dengan resolusi spasial 10 nm dan resolusi temperatur 250 mK Bekerja tanpa noise
13

Untuk transistor apapun berguna untukkomunikasi

analog atau aplikasi digital, tingkat

elektronik frekuensi rendah noise telah turun ke tingkat level yang diterima. Frekuensi noise rendah elektronik mendominasi, spektrum noise ke frekuensi sekitar 100 kHz. The NanoPerangkat Laboratorium penelitian kelompok A. Balandin di University of California Riverside (UCR) telah merancang dan membangun single-layer graphene transistor dengan dua gerbang: gerbang belakang yang terbuat dari degenerately doped silikon wafer dan gerbang atas logam dipisahkan dari perangkat saluran graphene oleh HfO2.

Gambar 12. Gambar mikroskopik top-gated graphene, coklat adalah SiO2, kuning adalah metal gtes dan hijau adalah HfO2. Prosedur khusus fabrikasi untuk topgated canggih transistor graphene (Gbr.6) telah dikembangkan. Noise frekuensi rendah dalam transistor konvensional ditandai dengan angkakebaikan-secara umum yang dikenal sebagai parameter Hooge. Meskipun masih banyak perdebatan tentang asal frekuensi rendah noise dan fisik batas penerapan parameter Hooge, dalam bahan konvensional, parameter Hooge adalah pada urutan 10-5 sampai 10-3. Dalam transistor graphene memiliki Parameter Hooge agak rendah, yaitu pada urutan 10-4 sampai 10-2. Dari ketergantungan gerbang bias dan kehadiran karakteristik generasi-rekombinasi (GR) di puncak spektrum noise kita juga menemukan bahwa itu didominasi oleh fluktuasi kepadatan pembawa muatan karena muatan dijebak dan diperangkap kembali oleh junction. Ini berarti bahwa tingkat noise dapat dikurangi lebih jauh dengan perbaikan dalam teknologi perangkat fabrikasi graphene.

14

15

BAB III

PENUTUP

3.1

Kesimpulan Telah dibahas beberapa sifat elektronik yang unggul dari graphene, yaitu konduktivitas dan mobilitas elektronnya yang tinggi. Sifat lain yaitu band gap bergantung pada bentuk graphene. Jika graphene dibuat berbentuk pita (GNR) maka band gap berbanding terbalik dengan lebar pita. Bentuk tepi juga menentukan band gap. Graphene dapat dibuat dengan berbagai cara yang dapat dibagi menjadi dua kelompok. Kelompok pertama adalah pembelahan atau pengelupasan dari kristal yang lebih besar, yang dapat dilakukan secara mekanik atau dengan cairan. Kelompok kedua adalah pembuatan graphene pada alas material lain, yaitu SiC atau logam. Penumbuhan pada SiC menghasilkan graphene berlapis beberapa sedangkan graphene pada logam bisa berlapis tunggal saja. Kualitas graphene, yang diukur dari mobilitas elektronnya, bervariasi berdasarkan cara-cara pembuatannya. Kualitas tertinggi dimiliki graphene hasil eksfoliasi mekanik, sedangkan kualitas terendah adalah graphene hasil reduksi graphene oksida. Graphene dari SiC dan graphene pada logam memiliki kualitas sedang. Perangkat graphene telah berkembang dengan pesat selama beberapa tahun terakhir, dan mereka mungkin ini taruhan terbaik yang akhirnya menggantikan Silicon. Demonstrasi seperti ini penting karena mereka menunjukkan bahwa produksi skala atom adalah mungkin, dan sifat, sementara tidak ideal, benar-benar mengesankan, karena mereka sudah mulai mendorong batas teknologi Si. Seperti Keuntungan dari graphene transistor, motilities tinggi untuk kedua elektron dan hole; memiliki elektrostatika yang ideal yang memungkinkan skala agresif, dan mudah integrasi dengan CMOS. Tetapi graphene memiliki celah pita energi yang rendah, sehingga graphene terus melakukan banyak elektron bahkan di bagian itu off. Jika ada terjadi perbandingan satu miliar transistor pada sebuah chip graphene, sebuah sejumlah besar energi akan terbuang. Hal ini dapat ditingkatkan jika pita graphene bisa dibuat lebih tipis, dan oleh menggunakan teknik seperti doping dan membuat graphene inverter.

16

3.2

Saran Dalam pembuatan makalah ini banyak kesalahan pastinya. Oleh karena itu, sebagai penyusun saya sangat mengharapkan saran dari berbagai pihak demi kebaikan materi yang ada di dalamnya.

17

DAFTAR PUSTAKA [1] Endi Suhendi. (2011). Graphena dan aplikasinya pada divais elektronik. Prosiding dan Seminar Nasional Sains dan Teknlogi PTBNR-BATAN Bandung. [2] Eko Widiatmoko, GRAPHENE: SIFAT, FABRIKASI, DAN APLIKASINYA Departmen Fisika Institut Teknologi Bandung. [3] Javad Bavaghar chahardeh. (2012). A Preview On Graphene Transistor. International Journal of Advanced Research in Computer and Communication Engineering, Volume1 (2278-1021).

18

Anda mungkin juga menyukai