Chapitre III Structure de bandes d'nergie

Le but de ce chapitre est dtablir les niveaux dnergie accessibles un lectron dans le cristal, cest--dire les niveaux solutions de lquation de Schrdinger du systme cristallin. Pour cela, nous allons commencer par exposer comment on peut comprendre qualitativement la formation des bandes d'nergie l'aide de la thorie LCAO (Linear Combinaison of Atomic Orbitals). Puis, nous allons rsoudre lquation de Schrdinger (simplifie) dcrivant ltat dun lectron seul dans le potentiel cristallin par la mthode de perturbation k.p. Cela nous permettra d'introduire la notion fort utile de masse effective. Nous verrons ensuite une autre approche, celle de l'lectron "presque libre", qui conduit des rsultats proches de ceux obtenus avec la mthode k.p dans un cas simple. Nous tablirons dans une partie suivante les quations rgissant la dynamique des lectrons puis dfinirons ensuite le concept de trou. Enfin, n nous dcrirons la structure de bandes d'nergie des semiconducteurs les plus usuels (Si et GaAs).

A. Approche LCAO
1. Atomes isols : rappel sur les orbitales atomiques Une orbitale atomique est ltat propre de lnergie dun lectron dans le potentiel central cr par le noyau et par la distribution moyenne des Z-1 autres atomes. Chaque orbitale est dfinie par la donne de trois nombres quantiques : n = nombre quantique principal (n 1), l = nombre quantique orbital (0 l n - 1), m = nombre quantique azimutal (-l m l). Lnergie associe une orbitale nlm ne dpend que de n et l. Ainsi le niveau Enl est dgnr g = 2(2l + 1) fois. Le facteur 2 vient de lindpendance du potentiel par rapport au spin de llectron ; le facteur 2l + 1 traduit linvariance par rotation du potentiel central. Les tats correspondant une mme valeur de n forment une couche lectronique : n = 1, 2, 3, 4, couches K, L, M, N, Les g tats correspondant une mme nergie forment une sous-couche : l = 0, 1, 2, 3, sous-couches s, p, d, f, (en notation spectroscopique). Il y a donc 2 places sur une orbitale s, 6 places sur une orbitale p, 10 places sur une orbitale d, La configuration lectronique de latome est la liste des couches et sous-couches occupes avec le nombre dlectrons qui sy trouvent. On se limite en pratique la dernire couche. Ainsi, tous les atomes de la colonne IV (C, Si, Ge, ) prsentent une couche externe incomplte ns2np2 de 4 lectrons au lieu de 8 pour une couche complte. Si lon considre N atomes isols, il y a alors N orbitales nlm (q = 1, , N) correspondant la mme nergie Enl dont le niveau de dgnrescence est gN.

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Bandes d'nergie

2. Atomes interagissant a) Cas de N = 2 atomes Si lon rapproche suffisamment 2 atomes, le potentiel global vu par un lectron nest plus central et il y a couplage entre les orbitales. Le couplage entre 2 orbitales donne lieu 2 nouvelles orbitales (Figure 1). Lune est symtrique par change des 2 atomes (orbitale liante), alors que lautre est anti-symtrique (orbitale antiliante). De plus, si V est le potentiel de couplage, lnergie de ces orbitales est modifie de E = 1nlm V 2 nlm (Figure 2). Cest un rsultat gnral : le couplage entre N tats identiques lve la dgnrescence dordre N.
Antiliante A A B A B
Liante

Antiliante 1nlm E 2nlm

Liante
Figure 1 : Couplage de 2 orbitales s en orbitales liante et antiliante. Figure 2 : Leve de dgnrescence des orbitales couples.

Le dcalage dnergie E (energy splitting), cest--dire en fait le couplage entre les deux orbitales, est dautant plus grand que, dune part, les atomes sont proches, et que, dautre part, le nombre quantique principal n des orbitales est lev. Cela est illustr qualitativement sur la Figure 3. Les couches internes sont peu affectes par le couplage : les lectrons de ces couches sont trs fortement lis leur atome dorigine. En revanche, les lectrons des couches externes ne sont plus lis un atome particulier mais la paire datomes.

3p2 3s2

2s2 d0 Distance entre atomes

Figure 3 : Effet qualitatif du couplage des orbitales externes lors du rapprochement de 2 atomes de silicium ; formation de 2 orbitales liantes pleines et de 2 orbitales antiliantes vides.

Sur lexemple typique de la Figure 3, correspondant des lments de la colonne IV, les lectrons issus des orbitales externes (ns2 et np2) se retrouvent sur les deux niveaux issus des
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couplages liants ; ces niveaux offrant 8 places eux deux sont entirement occups, alors que les deux niveaux provenant des couplages antiliants sont entirement vides. b) Cas d'un grand nombre N d'atomes Le concept dorbitales liantes et antiliantes peut tre tendu au cas dun grand nombre datomes en supposant que les orbitales de chaque atome interagissent avec celles des plus proches voisins. On arrive ainsi la formation de sries de niveaux discrets trs rapprochs que lon peut assimiler des bandes (Figure 4).
3N N Bande de conduction (4N places libres) Bande interdite 3N Bande de valence (4N places pleines) N N=1 N=2
2 2

N=4

N grand

Figure 4 : Couplage des orbitales ns et np dans le cas dun grand nombre datomes ; formation des bandes.

Les orbitales liantes offrent 4N places et sont donc entirement occupes ; elles forment la bande de valence. Les orbitales antiliantes offrent galement 4N places qui sont donc entirement vides ; elles forment la bande de conduction. Bande de conduction et bande de valence sont spares par une bande interdite. Dans une telle disposition, les lectrons de valence ne sont plus lis un atome particulier mais bien lensemble du rseau cristallin. Dune manire gnrale, dans un solide quelconque, cest la disposition et le remplissage des bandes permises qui dterminent les proprits lectriques du matriau et qui permettent de le classer en mtal, isolant, ou semiconducteur.

B. Thorie k.p
1. Fonctions de Bloch et principes de la thorie k.p dans un cas simplifi r r Dans le cas d'un lectron de fonction d'onde k ( r ) , on doit rsoudre l'quation de Schrdinger suivante :
r r r r r H . k ( r ) = E k . k ( r )

(1)

r p2 + V( r ) . Pour simplifier, on n'a considr dans l'expression de l'Hamiltonien H que avec H = 2m 0 les termes correspondant l'nergie cintique et l'nergie potentielle associe au potentiel cristallin V. m0 = 9,1 10-31 kg est la masse de l'lectron libre dans le vide et p l'oprateur impulsion.
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rr

r Dans un cristal, le potentiel cristallin V(r ) a la priodicit du rseau et on peut montrer que dans
ce cas les fonctions d'onde ont la forme d'une fonction de Bloch, produit d'une onde plane e ik . r par r r r rr r r r une fonction u k ( r ) ayant la priodicit du rseau : k ( r ) = u k ( r )e ik . r . La prsence de la fonction de Bloch complique quelque peu le traitement de la dynamique de r l'lectron. r effet, alors que pour un lectron libre dans le vide, limpulsion m 0 v est gale au En moment hk , ce nest plus le cas pour un lectron de Bloch. Dans un cas 1D, on a ainsi :
* p = p = k p k = k (x )( ih )

k (x )dx x

* p = exp( ik x )u k (x )( ih )ikexp(ik x )u k (x ) +exp(ik x ) u k (x ) dx x * * p = hk k (x )k (x )dx ih u k (x ) u k (x )dx x

* p = hk ih u k (x ) u k (x )dx hk x

(2)

L'utilisation du formalisme k.p permet de contourner cette difficult. On peut crire en effet que : rr r r rr r r r (3) p u k ( r ) e ik . r = e ik . r p + hk u k ( r )

et donc on obtient : rr r2 r rr r r r p 2 u k ( r )e ik . r = e ik . r p + hk u k ( r )

(4)

d'o encore : r r r r r H .u k ( r ) = E 'k .u k ( r ) avec : r h r h2k 2 p2 r r + V( r ) + H = k.p et E 'k = E k 2m 0 m0 2m 0

(5)

(6)

On va traiter un cas simplifi : semiconducteur dont on sait qu'il est gap direct, avec un seul tat de conduction et un seul tat de valence et o (Ox) est l'unique direction considrer. Le calcul r restera exact jusqu' ce que l'on considre in fine le terme en k.p (d'o le nom de la mthode) comme une perturbation pour k suffisamment proche de 0. L'ide est de rsoudre l'quation (5) en supposant connues les fonctions de Bloch solutions du problme pour k = 0, c'est--dire en centre de zone de Brillouin. Pour la bande de conduction, l'tat propre S associ l'nergie ES correspond une combinaison d'orbitales s antiliantes (avec les mmes symtries que la fonction xyz). L'tat propre X (symtrie yz) de la bande de valence correspondant l'nergie propre EP s'obtient de mme faon partir d'orbitales p liantes. Notons que EP est gal ES - EG o EG est la largeur de la bande interdite. On peut alors dvelopper prend bien :

l'Hamiltonien H sur la base compose de S et X qui a le bon got d'tre orthonorme si on s'y

E k xP H = S k P E P x
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(7)

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Bandes d'nergie

h S p x X est un nombre rel si on choisit bien X . L'quation aux valeurs propres, dite m0 aussi quation sculaire, est alors la suivante :

o P =

(E

r r E 'k E P E 'k k x P 2 = 0

)(

(8)

et sa rsolution conduit aux nergies propres donnes par l'expression : E + EP E EP 2 E = S S + k x P2 2 2

' r k 2

(9)

r Si dsormais on suppose k x faible devant 1/ P et que l'on revient aux valeurs propres en E k auxquelles on s'intressait initialement, on obtient les deux lois paraboliques (en kx) suivantes :

2 h2k x E0 r E k = ES + + 1 2m 0 E G 2 h2k x E0 E r = E P k E 1 2m 0 G

(10)

o E 0 =

2m 0 P 2 est une nergie gnralement de l'ordre de 20 30 eV. La largeur de bande h2 interdite EG lui est donc infrieure (sinon le matriau ne serait pas un semiconducteur). Le terme E0 r 1 dans la deuxime solution E k ci-dessus est donc positif. On peut rcrire ces expressions EG sous une forme plus explicite :
2 h 2k x r E = = Ek S C 2m* C 2 h2k x E r E = = P V k 2m* V

(11)

o l'on a dfini le concept important (et bien pratique) de masse effective : bande de conduction et

E m0 = 1 + 0 pour la EG m*
C

E m0 = 1 + 0 pour la bande de valence. Il apparat alors clairement que la EG m*

V

masse effective dans la bande de conduction est plus faible que celle dans la bande de valence. Notons que l'expression prcdente de m* fournit bien mieux que l'ordre de grandeur de la C masse effective : dans GaAs trs basse temprature, on a ainsi EG = 1,52 eV. E0 vaut de plus entre 23 et 29 eV suivant les auteurs, d'o m* variant entre 0,062m et 0,05 m alors
C

qu'exprimentalement on trouve m* gal 0,066m0. Pour ce qui est de la bande de valence, on C verra ci-dessous que la situation est plus complexe que ce qu'on a considr jusqu' prsent.
2. Gnralisation

La mthode dont les principes ont t rsums prcdemment doit tre mise en uvre dans un cadre plus gnral, avec la prise en compte d'un plus grand nombre de bandes, en tenant compte des
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Bandes d'nergie

symtries du rseau rciproque en d'autres points caractristiques de la zone de Brillouin, sans oublier des couplages supplmentaires entre tats comme le couplage spin-orbite. Le couplage spin-orbite introduit en effet un terme supplmentaire dans lHamiltonien de llectron se dplaant au voisinage dun atome : q 1 dV r r (12) L o .S Wso = 2m 0 c 2 r dr r o r est la norme du vecteur position r de l'lectron, c = 3 108 m.s-1 la vitesse de la lumire dans le vide, q = 1,6 10-19 C la valeur absolue de la charge de l'lectron, -qV son nergie potentielle, r r L o son moment cintique orbital et S son spin. Ce terme apparat lorsque lon tudie la structure fine de latome dhydrogne, pour des lectrons faiblement relativistes. r r Si lon considre un lectron se dplaant la vitesse v , dans le champ lectrostatique E cr par un proton, la relativit restreinte indique en effet quil apparat dans le rfrentiel de llectron r une induction magntique B telle que : r 1 r r (13) B = 2 vE c r r Or llectron possde un moment magntique intrinsque M S , d son spin S (pour un lectron r r r q r dans le vide M S = S ). Il existe donc une nergie dinteraction W entre M S et B . Elle est m0 dfinie par : r r (14) W = M S . B r r 1 q dV r Comme E = avec V (r ) = , on peut crire W sous la forme suivante : 4 0 r r dr r

r r q r 1 dV r p W' = m S c 2 dr r m 0 0

(15)

r r o l'on a introduit la quantit de mouvement de l'lectron p = m 0 v . On peut rcrire (15) sous la forme suivante : q 1 dV r r W' = 2 2 L o .S (16) m 0 c r dr r r r puisque lon a par dfinition : L o = r p . Si nous comparons les expressions (12) et (16), nous remarquons que Wso=W/2. Ce facteur est d au fait que le mouvement de llectron autour du proton nest pas rectiligne uniforme (le rfrentiel li llectron nest pas dans ce cas un rfrentiel dinertie). Le couplage spin-orbite a une influence notable sur la bande de valence puisque les tats qui composent cette dernire correspondent deux valeurs possibles de nombre quantique orbital : l = 1/2 et l = 3/2. Il lve en fait la dgnrescence des 3 tats de base X , Y (symtrie xz) et Z (symtrie xy) permettant de dcrire la bande de valence en centre de zone de Brillouin. La thorie k.p ne permet cependant pas une tude ab initio de la structure de bandes d'nergie des semiconducteurs. Pour la mettre en uvre, il faut en effet connatre pralablement un certain
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Bandes d'nergie

nombre d'informations sur les tats de la bande de valence ou de conduction en certains points de symtrie de l'espace rciproque, ainsi que l'intensit d'interactions "basiques" (impulsion) entre ces tats.

C. Modle de l'lectron presque libre

V 0 U L

Imaginons un lectron libre de se mouvoir avec une nergie cintique 0 lintrieur dune cuvette vide unidimensionnelle de longueur L et de hauteur de potentiel U. Au potentiel de la cuvette vide on superpose maintenant un potentiel priodique V(x) ayant la priodicit a du rseau cristallin, comme schmatis sur la Figure 5.

Figure 5 : Allure de l'nergie potentielle dans le cadre du modle de l'lectron presque libre.

Le potentiel V(x) tant priodique, on peut le dvelopper en srie de Fourier : 2 x V (x ) = 2Vn cos n a n 0

(17)

On suppose que les Vn sont faibles devant 0 et on considre donc chacune des harmoniques de V(x) comme une perturbation par rapport au cas prcdent de llectron libre. On applique alors la thorie des perturbations pour connatre lnergie de ltat perturb, qui scrit sous la forme = 0 + 1 + 2 + , o i est la correction dordre i. La correction dnergie lordre 1 est la ~ valeur moyenne du potentiel de perturbation Vn ( x ) = 2Vncos(2nx/a) dans ltat non perturb ~ ~ k0 (x ) , soit : (k ) = k V k = 0 (x )V ( x ) 0 (x )dx . La correction d'ordre 2 est de la forme :
1 n

2 (k ) =

k k

(k ) (k ) . Cette correction nest importante que si les niveaux (k ) et (k ) sont

0 0
0 0

~ k Vn k
2 2

h k h 2 k2 proches, soit 2m 2m (voir par exemple l'ouvrage de Cohen-Tannoudji et al. pour plus de 0 0 dtails sur la thorie des perturbations). Cherchons maintenant quels tats propres k de llectron libre peuvent se coupler avec un ~ autre tat propre k par le potentiel perturbateur Vn . Llment de matrice entre ces deux tats est :

~ ~ * k Vn k = k (x )Vn (x )k (x ) dx
0

(18)

c'est--dire :

Vn L 2 2 ~ k Vn k = exp i k k + n a x + exp i k k n a x dx L 0

(19)

Les deux fonctions intgrer sont des fonctions priodiques. Compte tenu des conditions limites de Born-Von Karman ((0) = (L)), lintgrale est non nulle uniquement lorsque largument dune de ces fonctions est nulle, cest--dire pour :

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Bandes d'nergie

k k = n

2 a

(20)

et l'expression (19) devient alors : ~ k Vn k = Vn Le potentiel cristallin V(x) ne couple donc que des tats distants de n

(21)

2 , ce qui traduit la a priodicit du cristal. En particulier, la correction dnergie au 1er ordre est nulle : ~ 1 = k Vn k = 0

Il faut donc considrer la correction du 2me ordre. Pour qu'elle soit non ngligeable, il faut h 2 k 2 h 2 k2 raliser simultanment la condition (20) et 2m 2m , soit encore k = k = n . 0 0 a Intressons nous en particulier au couplage entre les bandes d'nergies centres sur ces deux ~ vecteurs d'onde. L'quation sculaire du systme perturb par V2 s'crit alors sous la forme suivante :
2 h2 2 Ek k 2m 0 a dt V2

2 =0 2 h 2 k + Ek a 2m 0 V2

(22)

et sa rsolution conduit aux nergies propres donnes par l'expression :

h2 Ek = 2m 0

2 4 2 k + 2 a

h 2 k 2 4 2 2 m a 2 + V2 0

(23)

En effectuant un dveloppement limit sur l'expression prcdente pour k proche de 0, on obtient finalement :
Ek =
2 2 2 2 h 2 h 2k 2 1 4 h V2 + m 0 m 0 a 2 V2 m0a 2

(24)

On retrouve donc la mme forme d'expression qu'en (10) avec en particulier E G = 2 V2 et 8 2 h 2 E0 = . L'accord entre ce modle simple et des approches plus complexes est en fait assez m0a 2 8 2 h 2 correct du point de vue de la valeur de E0 : dans GaAs, a = 0,565 nm soit = 19 eV . m0a 2 La perturbation par l'harmonique d'ordre 2 induit donc l'ouverture d'une bande interdite en centre de zone de Brillouin. Un gap en nergie se forme galement sous l'influence de la premire harmonique de V(x), mais dans ce cas en bord de zone de Brillouin k = . La Figure 6 rsume a ces rsultats, avec le trac de ces diffrentes bandes d'nergie en fonction du vecteur d'onde, trac effectu en prenant en compte la priodicit en 2/a de la relation (k). La courbe en gris clair sur la Figure 6 correspond la relation de dispersion de l'lectron libre.

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Bandes d'nergie

Energie

k 2 a a 0 a 2 a

Figure 6 : Bandes dnergie dans un cristal 1D. La zone grise reprsente la premire zone de Brillouin.

D. Dynamique de l'lectron
1. Cas 1D
d , dk

La vitesse de llectron est alors la vitesse de groupe du paquet dondes, soit v = cest--dire :
v= 1 d h dk

(25)

Linfluence du cristal sur le mouvement de llectron est ainsi entirement contenue dans la relation de dispersion (k) qui prend donc, on le voit maintenant, toute son importance pour ltude du transport. Supposons que llectron est soumis une force F. La variation de son nergie pendant dt est gale au travail de la force : d = Fdx = Fvdt, do, daprs (25) :
dk F = dt h

(26) en utilisant (25) et (26) :

Calculons lacclration subie par llectron, dv 1 d d 1 d 2 dk 1 d 2 = = F . On a donc : = dt h dt dk h dk 2 dt h 2 dk 2

h 2 dv =F d 2 dt dk 2

(27)

On retrouve donc la relation fondamentale de la dynamique, condition dassocier llectron une masse effective m* dfinie par:
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Bandes d'nergie

m* =

h2 d 2 dk 2

(28)

Ce rsultat est trs important. Elle met nouveau en vidence l'importance de la notion de masse effective, qui dpend donc de la courbure de la relation de dispersion (k). Elle peut tre aussi bien ngative que positive.
2. Gnralisation 3D

Lexpression (25) de la vitesse s'crit alors sous la forme : r 1rr r v = k k h

()

(29)

Lexpression (26) dcrivant leffet dune force sur le vecteur donde devient : r r dk F = dt h r Calculons la composante suivant x de lacclration subie par llectron :

(30)

x =

d v x 1 d = dt h dt k x

1 2 dk x 2 dk y 2 dk z x = + + h k x 2 dt k x k y dt k x k z d t 1 2 2 2 Fx + Fy + Fz x = 2 k x k y k x k z h k x 2

r F r = il faut introduire un tenseur de Pour identifier cette relation la relation fondamentale m masse effective :
r 1 r = F * m
2 1 = 12 . avec * m ij h k i k j

(31)

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Bandes d'nergie

E. Notion de trou
Supposons que lon soit temprature non nulle et quun lectron de valence soit excit vers la bande de conduction, ce qui laisse une place vide dans la bande de valence. Cet lectron a donc t dtach dune liaison covalente (Figure 7) et il peut transporter un courant, par exemple en prsence dun champ lectrique, et ce dautant plus facilement quil voit beaucoup de places vides dnergie proche autour de lui.

Figure 7 : Apparition d'un trou dans l'ensemble des liaisons covalentes.

Lexistence dune place vide dans la bande de valence signifie quil manque un lectron dans une liaison covalente. En prsence dun champ lectrique cette place vide peut tre comble par un lectron provenant de la rupture dune autre liaison covalente (Figure 8). Ainsi, la place vide se dplace dans le sens du champ lectrique, comme une particule de charge positive que lon appelle trou. On va voir que lon peut attribuer au trou toutes les caractristiques dune vraie particule que lon traitera effectivement comme telle.
E

+ +

Figure 8 : Dplacement dun trou sous linfluence dun champ lectrique.

Supposons que lon a extrait un lectron de vecteur donde ke de la bande de valence (Figure 9). Le vecteur donde total de la bande de valence est alors -ke, que lon attribue au trou : kt = -ke (32) Si tot est lnergie totale de la bande de valence pleine, tot - (ke) est lnergie totale de la bande de valence laquelle il manque un lectron dnergie (ke). On peut donc dfinir lnergie du trou par (kt) = -(ke) + constante, o la constante dpend du choix de lorigine. En pratique, on prend comme origine des nergies dune bande lextremum de cette bande. Avec ce choix la constante est nulle et lon a, comme cela est reprsent sur la Figure 10 : (kt) = - (ke) On applique la relation (25) au trou et 1 d t (k t ) 1 d( e (k e )) 1 d e (k e ) = vt = = , cest--dire : h dk t h dk e h dk e vt = ve on utilise (32) et (33), (33) d'o

(34)

1 1 d 2 t (k t ) 1 d 2 e (k e ) 1 = 2 = 2 = . Il en rsulte On applique la relation (28) au trou : 2 2 m t h dk t me h dk e que :

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Bandes d'nergie

mt = -me

(35)

Soit F = qtE la force lectrostatique ressentie par le trou en prsence du champ lectrique E. On dk dk t = F = q t E . On a donc daprs (32) : h e = q t E . Or, applique au trou la relation (26) : h dt dt dk h e = q e E = q E et par consquent : dt qt = -qe = q (36)
BC

BC

ke

kh k

h(kh) e(ke) BV
Figure 10 : Energie du trou.

BV
Figure 9 : Vecteur donde du trou.

F. Structures de bandes de Si et GaAs

Dterminer la structure de bande dun cristal, cest trouver la correspondance entre nergie et vecteur donde en tout point de la premire zone de Brillouin. Plusieurs mthodes de calcul, essentiellement numriques, ont t dveloppes pour les cristaux rels : voir par exemple "Fundamentals of semiconductors", par Peter Yu et Manuel Cardona, dit par Springer. Nous en utiliserons les rsultats en retenant que les principes physiques invoqus et les rsultats obtenus dans les paragraphes prcdents pour des cas simples restent valables pour les semiconducteurs rels. La description des extrema des bandes de valence et de conduction est une donne de base pour ltude des proprits de transport, mais aussi des proprits optiques, des semiconducteurs. Les structures de bande schmatiques et simplifies de GaAs et Si sont reprsentes sur les Figure 11 et Figure 12.
1. Bande de conduction

Qualitativement, les structures de bande des semiconducteurs diffrent essentiellement par la bande de conduction. En effet, tous les semiconducteurs ont le maximum de leur bande de valence au centre de la zone de Brillouin, ce qui nest pas toujours le cas du minimum de la bande de conduction.
a) GaAs (et principaux composs III-V)

Le minimum de la bande de conduction se trouve au centre de la zone de Brillouin, cest--dire en . Ce minimum local est donc appel valle . Le gap est dit direct car un lectron peut passer directement de la bande de valence la bande de conduction, par exemple par absorption dun photon dnergie convenable, sans changer de vecteur donde. Dautres minima plus levs se trouvent aux points L et X (Figure 11). En bas de la valle , la masse effective m est isotrope, et les surfaces iso-nergies sont trs proches de sphres. La relation de dispersion est donc de la forme :

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Bandes d'nergie

h2 h2 2 2 2 2 kx + ky + kz = k 2m 2m

Une meilleure description est en fait obtenue en introduisant un coefficient de non-parabolicit dans la relation de dispersion : (1 + ) =

h2 2 k 2m

(37)
0,85 2 a
EX

Dans GaAs, m = 0,067 m0 et = 0,58 eV-1. Dans InP, m = 0,08 m0 et = 0,7 eV-1.

EL EL = 0,29 eV EX = 0,49 eV so = 0,35 eV EG = 1,43 eV so

EXL EG = 1,12 eV so

EXL = 1 eV so = 0,44 eV

<111>

<100>

<111>

<100>

Figure 11 : Structure de bandes de GaAs.

Figure 12 : Structure de bandes de Si.

b) Si

[100]

kx
[001] [010]

Figure 13 : Surfaces iso-nergies dans les valles de la bande de conduction de Si.

Les minima de bande de conduction se trouvent sur les axes <100>, 85% du bord de zone. Il y a donc 6 minima au bas de valles appeles . Le gap est indirect : les lectrons doivent changer de vecteur donde pour passer de la bande de valence la bande de conduction. Au dessus des minima, les surfaces qui-nergie se dcomposent en 6 ellipsodes de rvolution autour des axes <100> et centrs sur les points km = 0,85 2/a (Figure 13). Au voisinage de ces points, lnergie des lectrons est donc donne par :

= c +

2 h2 (k x k m )2 + h k y 2 + k z 2 2m l 2m t

(avec des permutations sur x, y et z suivant les diffrents axes) et leur nergie cintique par :

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Bandes d'nergie

h2 h2 2 2 2 kx + ky + kz 2m l 2m t

(38)

o ml et mt sont les masses effectives longitudinales et transverses donnes par 2 ml = h k 2 x

2

2 mt = h et k 2 y
2

2 =h k 2 z
2

Une meilleure description des valles est obtenue en introduisant, dans la relation de dispersion (38), un coefficient de non-parabolicit : (1 + ) =

h2 h2 2 2 2 kx + ky + kz 2m l 2m t

(39)

Dans les valles de Si : ml = 0,92 m0, mt = 0,19 m0 et = 0,5 eV-1.

1. Bande de valence

Il y a toujours 3 bandes de valence dont les maxima sont en . Ces bandes sont issues des orbitales p-liantes triplement dgnres. Cette dgnrescence est partiellement leve par linteraction spin-orbite. La prise en compte de lhamiltonien dinteraction spin-orbite dcale de so une des 3 bandes de valence. On lappelle bande split-off. Les 3 bandes prsentent des courbures diffrentes, donc des masses diffrentes. Les 2 bandes qui restent dgnres en k = 0 sont appeles bande de trous lourds (ou hh pour heavy holes) et bande de trous lgers (ou lh pour light holes). Ce sont essentiellement ces deux bandes qui dterminent les proprits de transport des trous dans le semiconducteur.
a) Bande de trous lourds et bande de trous lgers

Quel que soit le semiconducteur, les bandes de trous lourds et de trous lgers sont assez fortement anisotropes et les surfaces iso-nergie, des "warped spheres", sont dcrites par la relation de dispersion : =

h2 2 2 2 2 2 2 Ak 2 B 2 k 4 + C 2 k x k x + k x k x + k x k x 2m 0

)]

1/ 2

(40)

(avec un signe + pour les trous lgers et pour les trous lourds). Si l'on dfinit des masses sphriques moyennes, on obtient pour Si mlh = 0,166 m0 et mhh = 0,53 m0. Pour GaAs, mlh = 0,044 m0 et mhh = 0,317 m0.
b) Bande split-off

Cette bande, gnralement peu peuple, est souvent nglige pour ltude des proprits de transport. Les surfaces qui-nergies sont des sphres et la relation de dispersion est donne par: h2 2 = k 2m so (41) avec mso = m0/A. Pour Si, so = 0,044 eV. Pour GaAs, so = 0,317 eV.

PTC

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2005-2006