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TRANSISTORES -Definicin. Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos.

Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente utilizados para elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin. A continuacin vamos a observar algunos tipos de transistores:

1. El transistor de unin bipolar (BJT).


2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin. 2.2 Configuracin de base comn. 2.3 Configuracin de emisor comn. 2.4 Configuracin de colector comn. 2.5 Lmites de operacin del transistor. 2.6 Hoja de especificaciones del transistor.

2. Polarizacin de CD del BJT.


3.1 Punto de operacin o punto Quiescente. 3.2 Circuito de polarizacin fija. 3.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor. 3.4 Polarizacin con divisor de voltaje. 3.5 Diversas configuraciones de polarizacin. 3.6 Conmutacin con transistores. 3.7 El transistor PNP

3. Modelado del transistor BJT.


4.1 Amplificador en el dominio de CA. 4.2 Modelado del transistor BJT. 4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).

4.4 El modelo re del transistor. 4.5 El modelo equivalente hbrido.

4. Anlisis de pequea seal del BJT.


5.1 Polarizacin por divisor de voltaje. 5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn. 5.3 Configuracin de emisor seguidor. Apndice al captulo 5

5. Transistor de efecto de campo (FET).


6.1 Introduccin al transistor de efecto de campo. 6.2 Construccin y caractersticas de los JFET. 6.3 Caractersticas de transferencia.

6. Polarizacin de CD del FET.


7.1 Configuracin de polarizacin fija. 7.2 Configuracin de autopolarizacin.

2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin.


Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el advenimiento de una direccin de inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo absorba menos potencia; instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; adems, eran posibles voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese en la presentacin anterior que este captulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El lector descubrir que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.

Figura 3.1 El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado de tipo p o

n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres". En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el dispositivo es unipolar.

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR

La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura 3.3 Unin polarizada directamente de un transistor pnp.

Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por tanto: Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta polarizacin directa. En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un gran nmero de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en comparacin con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se

difundir a travs de la unin polarizada inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 3.5. La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la unin polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.

Figura 3.4 Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.

Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo nodo, obtenemos I E = IC + I B

y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 3.5. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuacin (3.2). IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

2.2 Configuracin de base comn.


La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 3.6 para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor: La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura 3.6, se

requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa. La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin base comn se ilustran en la figura 3.9. La notacin usada con ms frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura 3.9. A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de

propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.

Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.

Ntese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del transistorcorriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa la da I C IE Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma: En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor estn inversamente polarizadas. La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V. En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas directamente.

Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de la figura 3.10b. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura 3. lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor ser el siguiente: VBE = 0.7 V

Alfa ( ) En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin: cd = IC / IE donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas de la figura 3.8 parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2) se convierte en IC = IE + ICBO Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero como se mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeo que es virtualmente indetectable en la grfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece tambin con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.

Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la curva de caractersticas, un alfa de ca se define por

El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn en corto circuito, por razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la ecuacin (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por otra.

Polarizacin La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la direccin de la comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarn invertidas.

Figura 3.11

A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1, IL = Ii = 10 mA V L = IL R = (10 mA)(5 kohms) = 50 V

Figura 3.12

La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1. La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir, transferencia + resistor > transistor

2.3 Configuracin de emisor comn.


La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.

Figura 3.13

Figura 3.14

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuracin de base comn. En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector.

La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente. Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o potencia. La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 3.14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno. La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir, Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico de a tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25

mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14. Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 uA se le asignar la notacin indicada por la ecuacin (3.9):

En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se muestran con su direccin de referencia asignada. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere una seal de salida sin distorsin. Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de conmutacin cuando IB = O uA o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC = ICBO. Esta condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt. Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada se aproxim por una lnea recta equivalente que result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin, resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.

Beta( )

En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y definida por la siguiente ecuacin: cd = IC / IB El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn. Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una configuracin de emisor comn y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura anterior. Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable. Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas con anterioridad. Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de = IC/IE tenemos que IE = IC / Sustituyendo en I E = IC + I B IC / = IC + (IC / ) y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en IC / = 1 + (1 / ) de modo que

encontramos que ICEO = ( + 1) ICBO ICEO ICBO como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circu Los de entrada y salida para una configuracin de emisor comn. Es decir, IC IB

Y puesto que I E = IC + I B = IB + IB IE = ( + 1) IB

2.4 Configuracin de colector comn.


La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de

entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que = 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de impedancia

2.5 Lmites de operacin del transistor.


Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor descrita en la seccin 2.6. Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como de 50 mA y vCeo como de 20 V. La linea vertical de las caractersticas definida como vCEsat especifica la mnima vCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

Figura 3.22

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin: PCmx = VCEIC

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de que PCmx = VCEIC = 300 mW

En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos VCEIC = 300 mW VCE(50 mA) = 300 mW

VCE = 6 V

Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente: (20 V)IC = 300 mW IC = 15 mA

definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos VCE(25 mA) = 300 mW VCE = 12 V

como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente todo lo que se requiere. La regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 asegurar una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin: ICEO IC Icmx VCEsat VCE VCEmx VCEIC PCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente producto de cantidades de salida; PCmax = VCBIC

2.6 Hoja de especificaciones del transistor.


Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informacin proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parmetros, un amplio nmero ser ahora familiar. Los parmetros restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parmetro. La informacin proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la publicacin Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propsito general con el encapsulado y la identificacin de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas v caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se subdividen adems en caractersticas en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las caractersticas en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la operacin de ca. Ntese en la lista de valores nominales mximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax = 200 mA. La mxima disipacin de colectora . = 625 mW. El factor de degradacin bajo los valores nominales mximos especifica que el valor nominal mximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mnimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje. Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuacin en el formato de la ecuacin (3.17) empleando hFE = 150 (el

lmite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada. Lmites de Operacin 7.5 uA IC 200 mA 0.3 V VCE 30 V VCEIC 650 mW

En las caractersticas de pequea seal el nivel de hfe ( ca) se proporciona junto con una grfica de cmo vara con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE ( ca). A temperatura ambiente (25C), advirtase que hFE ( cd) tiene un valor mximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa ms all de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. Tambin decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor con cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA habr decado a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor mximo de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.

Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.

3.1 Punto de operacin o punto Quiescente.


El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. Con demasiada frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de superposicin es aplicable y la investigacin de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener presente que durante el diseo o etapa de sntesis, la seleccin de los parmetros para los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa. El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores, incluyendo el rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del dispositivo. Una vez que se han definido los niveles deseados de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red que establecer el punto de operacin deseado (algunas de estas redes se analizan en este captulo). Cada diseo tambin determinar la estabilidad del sistema, es decir, qu tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura (otro tema que se investiga en una seccin posterior de este captulo). Aunque se analizan diversas redes en este captulo, existe una similitud fundamental en e) anlisis de cada configuracin, debida al uso recurrente de las siguientes relaciones bsicas importantes para un transistor: VBE = 0.7 V IE = ( + 1)IB IC I C = IB De hecho, una vez que el anlisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la ruta por seguir hacia la solucin de las redes comenzara a ser ms evidente. En la mayora de los casos la corriente de base IB es la primera cantidad que se determina. Una vez que IB se conoce, las relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar las restantes cantidad de inters. Las similitudes en el anlisis sern inmediatamente obvias a medida

que avancemos en este captulo. Las ecuaciones para IB son tan similares para diversas configuraciones que una ecuacin puede derivarse de otra sencillamente quitando o agregando un trmino o dos. La funcin primordial de este capitulo es desarrollar cierto nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual permitira un anlisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el amplificador BJT.

PUNTO DE OPERACIN El trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas, el cual define la regin que se emplear para la amplificacin de la seal aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la regin activa. Los valores nominales mximos se indican sobre las caractersticas de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el voltaje de colector-emisor mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define por la curva Pcmx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la regin de corte, definida por IB 0 uA, y la regin de saturacin, definida por VCE VCEsat.

Figura 4.1 Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor.

El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite mximos, pero el resultado de tal operacin causara ya sea el acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin. Concentrndonos en la regin activa es posible elegir muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se dar al circuito. No obstante, es posible considerar algunas diferencias entre la operacin en puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto de operacin y, por ello, al circuito de polarizacin. Si no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estara al principio totalmente cortado (desactivado), lo cual producira la A, esto es, corriente cero a travs del dispositivo (y voltaje cero a travs del mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una seal de entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta operacin deseada. Si se aplica una seal al circuito, ademas del nivel de polarizacin, el dispositivo variar sus valores de corriente y voltaje a partir del punto de operacin B, lo que permite que el dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva como la parte negativa de la seal de entrada. Si, como podra suceder, la seal de entrada es pequea, el voltaje y la corriente del dispositivo

variarn, pero no lo suficiente para llevarlo al nivel de corte o saturacin. El punto C permitira cierta variacin positiva y negativa de la seal de salida, pero el valor pico a pico sera limitado por la proximida de vCE = 0V/IC = 0mA. La operacin en el punto C tambin tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el hecho de que el espacio entre las curvas IB cambia rpidamente, en esta regin. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es ms constante (o lineal), de tal modo que la cantidad de amplificacin en toda la excursin de la seal de entrada es la misma. El punto B es una regin de espaciamiento ms lineal y, por consiguiente, su operacin tiene un mayor grado de linealidad, como se indica en la figura 4.1. El punto D fija el punto de operacin del dispositivo cerca del valor de voltaje y potencia mximo. La excursin del voltaje de salida en la direccin positiva est de este modo limitada si no se excede el voltaje mximo. En consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operacin en trminos de la ganancia lineal o de la excursin de voltaje y corriente ms grande posible. Esta es casi siempre la condicin que se desea en los amplificadores de pequea seal, pero no necesariamente para los amplificadores de potencia. En este anlisis, nos concentramos fundamentalmente en la polarizacin del dispositivo para la operacin de amplificacin de seales pequeas. Debe considerarse otro factor de la polarizacin muy importante. Habiendo seleccionado y polarizado un BJT en un punto de operacin deseado, tambin debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. La temperatura provoca cambios en las caractersticas del dispositivo, tales como la ganancia de corriente ( ca) y la corriente de fuga del transistor (ICEO). Las altas temperaturas conducen a un incremento de corrientes de fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condicin de operacin establecida por la polarizacin de la red. El resultado es que el diseo de la red tambin debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura de modo que los cambios de temperatura resulten en cambios mnimos en el punto de operacin. Este mantenimiento del punto de operacin puede especificarse por un factor de estabilidad, S, el cual indica la magnitud del cambio en el punto de operacin debido a una variacin de temperatura. Es deseable un circuito altamente estable y se comparar la estabilidad de algunos circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que se polarizar en su regin de operacin lineal o activa debe cumplirse: 1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin p ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.

2. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo. [Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin p-n es p-positivo, en tanto que en la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El nfasis que se hace sobre la letra inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.] La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1. 2. 3.

Operacin en la regin lineal: Unin base-colector con polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin inversa Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin inversa Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin directa

3.2 Circuito de polarizacin fija.


El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 proporciona una introduccin relativamente directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de transistor. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y clculos se aplican en forma correcta por igual a una configuracin pnp con slo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las direcciones de corriente reales, y los voltajes se definen por la notacin estndar de subndice doble. Para el anlisis de cd la red puede aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por un circuito abierto equivalente. Adems, la fuente de cd VCC puede dividirse en un par de fuentes (para propsitos del anlisis solamente), como se ilustra en la figura 4.3, para permitir una separacin de los circuitos de entrada y de salida. Esto reduce tambin el enlace entre las dos a la corriente de base IB. La separacin es ciertamente vlida, como observamos en la figura 4.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y RC del mismo modo,que en la figura 4.2.

Figura 4.2 Circuito de polarizacin fija.

Figura 4.3 Equivalente de cd de la figura 4.2

POLARIZACIN DIRECTA DE BASE-EMISOR Considrese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama de circuito parcial de la figura 4.4. Escribiendo la ecuacin de voltaje de Krchhoff para la malla obtenemos VCC -IBRB - VBE =0 Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB, como se establece por la direccin indicada de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB se tendr el siguiente resultado:

IB = (VCC - VBE) / RB En realidad, la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se considera simplemente que la corriente de base es la corriente a travs de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje a travs de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a travs de RB es el voltaje aplicado VCC en uno de los extremos menos la cada a travs de la unin base-emisor (VBE).

Figura 4.4 Malla de base-emisor

Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la seleccin de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.

Malla de colector-emisor La seccin de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la corriente IC y la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con IB por medio de I C = IB

Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de RB e IC se relaciona con IB por una constante la magnitud de IC no es una funcin de la resistencia RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectar el nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la regin activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos posteriormente, el nivel de RC determinar la magnitud de VCE, el cual es un parmetro importante.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj a lo largo de la malla indicada en la figura 4.5, se obtendr el resultado siguiente VC + ICRC - VCC = 0 VCE = VCC - ICRC el que establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colectoremisor de un transistor en la configuracin de polarizacin fija es la fuente de voltaje menos la cada a travs de RC. Como un breve repaso de la notacin de subndice y doble subndice, recurdese que VCE = VC - VE donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos VCE = VC Adems, puesto que VBE = VB - VE y VE = 0 V, entonces VBE = VB Tngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la punta roja (positiva) del voltmetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en la terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idnticas, pero en las redes que se vern ms adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes. Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones probar ser de suma importancia en la deteccin de fallas de las redes de transistores.

Figura 4.5 Malla de colector-emisor

Figura 4.6 Medicin de VCE y VC.

Saturacin del transistor


El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus valores mximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota ms de liquido. Para un transistor que opera en la regin de saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular. Modifquese el diseo y el correspondiente nivel de saturacin podr elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se define por la mxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones. Las condiciones de saturacin se evitan por lo general debido a que la unin de base a colector ya no est inversamente polarizada y la seal amplificada de salida estar distorsionada. Un punto de operacin en la regin de saturacin se representa en la figura 4.8a. Ntese que se encuentra en una regin donde se unen las "curvas de caractersticas y el voltaje de colector a

emisor se halla en o sobre VCEsat . Adems, la corriente de colector es relativamente alta sobre las caractersticas.

Figura 4.8 Regin de saturacin (a) real (b) aproximada

Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se llegar a un mtodo rpido y directo para determinar el nivel de saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue: RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms Aplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la figura 4.9.

Figura 4.9 Determinacin de ICsat.

Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.10, se utiliz el corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin resultante para la configuracin de polarizacin fija es:

ICsat = VCC / RC

Figura 4.10 Determinacin de ICsat, para la configuracin de polarizacin fija.

Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector posible para el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificacin lineal.

Anlisis por recta de carga Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de correspondiente con el punto Q resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el posible rango de puntos Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una ecuacin. para la salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera: VCE = VCC - ICRC

Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos variables IC y VCE, como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una ecuacin de red y un conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos ocurre donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una establecida por la red y otra por las caractersticas del dispositivo.

Figura 4.11 Anlisis de recta de carga (a) la red (b) las caractersticas del dispositivo.

Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura 4.11b. Ahora debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las caractersticas. El mtodo

ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es empleando el hecho de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0 mA, estaremos especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un punto. Al sustituir IC = 0 mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que VCE = VCC para IC = 0 mA definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.

Figura 4.12 Recta de carga de polarizacin fija.

Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como la lnea sobre la cual se definir el segundo punto, encontraremos que IC se determina por la siguiente ecuacin: como aparece en la figura 4.12. La lnea resultante sobre la grfica de la figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que est definida por el resistor de carga RC. Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se ilustra en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subir como se representa en la figura4,14. Si IB es la que se mantiene constante, el punto Q se trasladar como se ilustra en la misma

figura. Si RC se fija y VCC vara, la recta de carga se desplazar como se muestra en la figura 4,15.

Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE

Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el punto Q.

Figura 4.15 Efecto de la disminucin en los valores de VCC sobre la recta de carga y el punto Q.

3.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.


La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla de colector a emisor.

Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin: VCC - IBRB - VBE - IERE = 0 Recordando del capitulo 2 que IE = ( + 1)IB Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0 Agrupando trminos, nos da lo siguiente: -IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0 Multiplicando todo por (-1), obtenemos IB(RB + ( + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE)) Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor ( + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece como" ( + 1 )RE en la malla de baseemisor. Puesto que es por lo general 50 o ms, el resistor de emisor parece

ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la configuracin de la figura 4.20.

Figura 4.18 Malla de base-emisor

Figura 4.19

Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE

La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho, proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de baseemisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).

Malla de colector-emisor La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, resultar que IERE + VCE +ICRC - VCC = 0 Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0 VCE = VCC + IC(RC + RE) El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por V E = IE R E mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de VCE = VC - VE VC = VCC - ICRC

E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de VB = VCC - IBRB VB = VBE + VE

Estabilidad de polarizacin mejorada

La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin del mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.

Ejemplo Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarizacin de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor de = 50 y para un nuevo valor de = 100. Compare los cambios en IC. para el mismo incremento en . Solucin Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo despus para un valor de = 100, se produce lo siguiente:

Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de 100% en el valor de . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.

Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo despus para el valor de = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en . Ntese que el decremento de IB ayuda a mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en .

Nivel de saturacin

El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un diseo polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colector-emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la figura 4.23: ICsat = VCC / (RC +RE) La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo resistor del colector.

Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de emisor.

3.4 Polarizacin con divisor de voltaje.


En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarizacin ICQ y del voltaje Vceq eran una funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor. Sin embargo, ya que es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no est bien definido, sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los parmetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores,

que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificar con el cambio en beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros apropiados del circuito. Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al anlisis de la configuracin con divisor de voltaje. La razn para la eleccin de los nombres para esta configuracin se har evidente en cuanto avancemos en los anlisis siguientes. El primero que se demostrar es el mtodo exacto que puede aplicarse a cualquier configuracin con divisor de voltaje. El segundo se denominar como mtodo aproximado, y puede aplicarse slo si se satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un anlisis ms directo con un ahorro en tiempo y energa. Es tambin particularmente til en el modo de diseo que se describir en una seccin posterior. Sobre todo, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayora de las situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo inters que el mtodo exacto.

Figura 4.25 Configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Figura 4.26 Definicin del punto Q para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Anlisis exacto La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se muestra en la figura 4.27, para el anlisis de cd. La red de Thvenin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera: RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la figura 4.28. RTh = R1R2 ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje: ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2) La red Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del reloj para la malla indicada: ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0 Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a

Aunque inicialmente la ecuacin (4.30) parece distinta de las desarrolladas con anterioridad, ntese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1), en verdad muy parecido a la ecuacin (4.17). Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo modo que se hizo para la configuracin polarizada de emisor. Esto es: VCE = VCC - IC(RC + RE) que es exactamente igual que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son tambin las mismas que se obtuvieron para la configuracin polarizada de emisor.

Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25

Figura 4.28 Determinacin de RTh

Figura 4.29 Determinacin de ETh

Figura 4.30 Insercin del circuito equivalente de Thvenin

Anlisis aproximado La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede representarse por medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R es la resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por Ri = ( + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximacin de que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R2, que es en realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin). Es decir, VB = R2VCC / (R1 + R2) Puesto que R1 = ( + 1) RE = RE la condicin que definir si el enfoque aproximado puede aplicarse ser la siguiente:

RE 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez que se determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir de VE = VB - VBE y la comente de emisor se puede determinar a partir de IE = VE / RE ICQ IE El voltaje de colector a emisor se determina por VCE = VCC - ICRC - IERE pero, ya que IE = IC, VCEQ = VCC - IC(RC + RE) Advierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin (4.33) a la ecuacin (4.37), no aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de beta.

Saturacin del transistor El circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la seccin 4.4. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin (cuando VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para la configuracin polarizada de emisor. Es decir, ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE) Anlisis por recta de carga Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin con divisor de voltaje. La recta de carga tendr por consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con

El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la polarizacin con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.

3.5 Diversas configuraciones de polarizacin.


Hay un nmero de configuraciones de polarizacin BJT que no coinciden con el molde bsico d las que se han analizado en las secciones precedentes. De hecho, existen variaciones de diseo que requeriran muchas ms pginas de las que son posibles en un texto de esta clase. Aqu, sin embargo, el propsito primordial es enfatizar aquellas caractersticas del dispositivo que permitan un anlisis de cd de la configuracin y que establezcan un procedimiento general para encontrar la solucin deseada. Para cada configuracin discutida hasta aqu, el primer paso ha sido la derivacin de una expresin para la corriente de base. Una vez que se conoce la corriente de base, la comente de colector y los n i veles de voltaje del circuito de salida se pueden determinar ya directamente. Esto no implica que todas las soluciones tomarn este rumbo, pero s sugiere una posible ruta por seguir si llega a encontrarse una nueva configuracin. El primer ejemplo es simplemente uno donde el resistor de emisor se ha retirado de la, configuracin de retroalimentacin de voltaje de la figura 4.34. El anlisis es bastante similar, pero requiere eliminar RE de la ecuacin aplicada.

Ejemplo: Para la red de la figura 4.39:


a. b.

Determine Icq y vceq. Encuentre VB, VC, VE y VBC.

Figura 4.39 Retroalimentacin en colector con RE = 0ohms.

Solucin La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de RC, y la ecuacin para IB se reduce a

En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor, y RC directamente a tierra. Al principio, la tcnica parece un tanto heterodoxa y bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin embargo, una aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dar por resultado la corriente de base deseada.

Ejemplo: Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.

Figura 4.40 Ejemplo

Solucin Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj a la malla de base a emisor, el resultado es

El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuracin de emisorseguidor. Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca, encontraremos que las seales de entrada y salida estn en fase (una siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la seal aplicada. Para el anlisis de cd, el colector se conecta a tierra y el voltaje aplicado est en la terminal del emisor.

Ejemplo: Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41

Solucin Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos

Sustituyendo valores tenemos

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

Hasta aqu, todos los ejemplos han empleado una configuracin de colector comn o de emisor comn. En el siguiente ejemplo, investigaremos la configuracin de base comn. En esta situacin se utilizar el circuito de entrada para determinar IE ms que IB. La corriente de colector est disponible entonces para realizar un anlisis del circuito de salida.

Ejemplo Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de la figura 4.42.

Solucin Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos -VEE + IERE + VBE = 0 IE = (VEE - VBE) / RE Sustituyendo valores obtenemos IE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos -VCE + ICRC - VCC = 0 VCB = VCC - ICRC con IC = IE = 3.34 V IB = IC / = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA

El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la aplicacin del teorema de Thvenin para determinar las incgnitas deseadas.

Ejemplo:

Determine VC y VB para la red de la figura 4.43

Figura 4.43

Solucin La resistencia de Thvenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45

Figura 4.44

Figura 4.45

La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la ley de voltaje de Kirchhoff, da por resultado -ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0

Figura 4.46

Al sustituir IE = ( + 1)IB obtenemos

OPERACIONES DE DISEO Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el anlisis de las redes existentes. Todos los elementos estn en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los niveles de voltaje y corriente de la configuracin. El proceso de diseo es donde puede especificarse una comente y/o un voltaje y donde deben determinarse los elementos requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de sntesis supone un claro entendimiento de las caractersticas del Impositivo, las ecuaciones bsicas para la red y un firme conocimiento de las leyes bsicas del anlisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, etc. En la mayora de las situaciones el proceso mental se pone a prueba en alto grado en la operacin de diseo ms que en la secuencia de anlisis. La trayectoria hacia una solucin es menos definida y de hecho puede requerir algunas suposiciones bsicas que no se pueden hacer analizando sencillamente una red. La secuencia de diseo es obviamente sensible a los componentes que ya se han especificado y los elementos que van a determinarse. Si se especifican el transistor y las fuentes, el proceso de diseo simplemente determinar los resistores requeridos para un diseo particular. Una vez que se determina el

valor terico de los resistores, se elige por lo general el valor comercial estndar ms cercano y cualquier variacin debida a no usar el valor exacto de la resistencia se acepta como parte del diseo. Esto es ciertamente una aproximacin vlida si se toma en consideracin las tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y los parmetros del transistor. Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones ms poderosas es sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente: Rdesconocida = VR / IR En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor puede determinarse a menudo a partir de los niveles especificados. Si otras especificaciones definen el nivel de comente, la ecuacin (4,44) puede entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los ejemplo iniciales demostrarn cmo elementos particulares pueden determinarse a partir de nivel especificados. Luego se introducir un procedimiento completo de diseo para un par de configuraciones comunes. Ejemplo: Dadas las caractersticas del dispositivo de la figura 4.47a, determine VCC, RB y RC para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.47b.

Figura 4.47

Solucin De la recta de carga

Ejemplo:

Dados ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determine R1 y RC para la red de la figura 4.48

Figura 4.48 Solucin

Los valores comerciales estndar ms prximos para R1 son 82 k y 91 k . Sin embargo, haciendo uso de la combinacin en serie de los valores estndar de 82 k y 4.7 k = 86.7 k resultara en un valor muy cercano al nivel diseado.

Ejemplo: La configuracin con la polarizacin de emisor de la figura 4.49 tiene las siguiente s especificaciones: ICQ = ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y = 110. Determine RC, RE y RB.

Figura 4.49

Solucin

El anlisis siguiente presenta una tcnica para disear un circuito completo para operar en un punto de polarizacin especifico. Con frecuencia las hojas de especificaciones de los fabricantes brindan informacin que establece un punto de operacin apropiado (o regin de operacin) para un transistor particular. Adems, otros factores del circuito relacionados con la etapa del amplificador dado pueden dictar tambin algunas condiciones de la excursin de corriente, excursin de voltaje, el valor de voltaje de alimentacin comn,

etc., los cuales pueden utilizarse para la determinacin del punto Q en un diseo. En la prctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden influir en la seleccin del punto de operacin que se desea. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la determinacin de los valores de los componentes para obtener un punto de operacin especificado. El anlisis se limitar a las configuraciones de polarizacin de emisor y de polarizacin de divisor de voltaje, aun cuando el procedimiento puede aplicarse a otros circuitos de transistores.

Diseo de un circuito de polarizacin con resistencia de retroalimentacin en emisor Considrese primero el diseo de los componentes de polarizacin de cd de un circuito amplificador que tiene estabilizacin de polarizacin por resistencia de emisor (vase la figura 4.50), El voltaje de alimentacin y el punto de operacin se seleccionarn a partir de la informacin del fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.

Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para consideraciones de diseo.

Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para consideraciones de diseo. La seleccin de las resistencias de colector y emisor no puede desprenderse directamente de la informacin que acaba de especificarse. La ecuacin que

relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor, tiene dos cantidades desconocidas: los valores de las resistencias de colector y emisor, RC y RE. En este punto debe hacerse alguna evaluacin de ingeniera, como la del nivel del voltaje de emisor comparado con el voltaje de la fuente aplicada. Recurdese que la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra fue brindar un medio de estabilizacin de la polarizacin de cd de manera que el cambio de la comente de colector debido a las corrientes de fuga en el transistor y la del mismo no ocasionaran un gran corrimiento (si lo hay) en el punto de operacin. La resistencia del emisor no puede ser irrazonablemente grande porque el voltaje que se genera en l limita el nivel de la excursin del voltaje del colector al emisor (que se mencionar cuando se discuta la respuesta de ca). Los ejemplos examinados en este capitulo revelan que el voltaje de emisor a tierra esta por lo regular alrededor de una cuarta o una dcima parte de la fuente de voltaje. Seleccionando el caso conservador de una dcima parte, nos permitir calcular el resistor de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los ejemplos apenas vistos. En el siguiente ejemplo realizaremos un diseo completo de la red de la figura 4.49 empleando los criterios recientemente introducidos para el voltaje de emisor.

Ejemplo Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para la fuente de voltaje y el punto de operacin indicados. Solucin

Diseo de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente de )

El circuito de la figura 4.51 brinda estabilizacin tanto para la corriente de fuga como para los cambios en la ganancia de corriente . El valor de las cuatro resistencias que se muestran debe obtenerse para un punto de operacin especificado. El criterio de ingeniera en la seleccin de' un valor para el voltaje de emisor, VE, como en el criterio de diseo previo conduce a una simple solucin directa para todos los valores de la resistencia. Todos los pasos de diseo se muestran en el siguiente ejemplo.

Figura 4.51 Circuito con estabilizacin de ganancia de corriente para consideraciones de dideo.

Ejemplo: Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el punto de operacin indicado. Solucin

Las ecuaciones para los clculos de los resistores de base R1 y R2 requerirn de un poco de consideracin. Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor de la fuente de voltaje se obtendr una ecuacin, pero existen dos incgnitas, R1 y R2. Se puede tener una ecuacin adicional mediante el conocimiento de la operacin de estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere con eficacia, se supone que la corriente a travs de R1 y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporcin de 10:1). Este hecho y la ecuacin de di visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,

3.6 Conmutacin con transistores.


La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las seales. Por medio de un diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos de computadoras. Ntese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal de entrada. Adems, advirtase la ausencia de una fuente de cd conectada al circuito de base. La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o salida, y para las aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la magnitud del flanco de subida de la seal de salida, en este caso. de 5 V.

Figura 5.52 Inversor de transistor

El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de la recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros propsitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente aproximacin a la luz de las tcnicas mejoradas de construccin), como se muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.

Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturacin. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de saturacin para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se define como

ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin puede aproximarse mediante la siguiente ecuacin: IBmx = ICsat / cd Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la condicin siguiente: IB > ICsat / cd

Saturacin Suave BJT saturado ligeramente RB = (Vi - 0.7V)/IB IB ICsat / mn RB = (Vi - 0.7V) mn /ICsat

Saturacin Dura BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.

= 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat

Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga ICsat = (VCC - Vcarga)/RC

3.7 El transistor PNP.


Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn para asegurar que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores pnp sigue el mismo patrn establecido para los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp es el signo asociado a cantidades particulares. Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina como fue definida normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para reflejar las direcciones de conduccin reales. Empleando las polaridades definidas de la figura 4.63, tanto VBE como VCE sern cantidades negativas. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la siguiente ecuacin para la red de la figura 4.63: -IERE + VBE -IBRB +VCC = 0 Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo para VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los valores resultar en el mismo signo para cada trmino de la ecuacin (4.49), como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuacin: -IERE + VCE -ICRC +VCC = 0 Sustituyendo IE = IC, obtenemos VCE = -VCC + IC(RC +RE)

La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo enfrente de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC ser mayor que la magnitud del trmino siguiente, el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.

Ejemplo: Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.6

Figura 4.64 Transistor PNP en una conguracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Solucin Probando la condicin RE 10 R2 132 k 100 k (satisfactorio) Resolviendo para VB, tenemos que

Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante para VB. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a

VB - VBE -VE = 0 VE = VB - VBE VE = -3.16 V - (-0.7 V) = -2.46 V Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice sencillo y doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE sera exactamente la misma. La nica diferencia surge cuando se sustituyen los valores. La corriente IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA Para la malla de colector a emisor: -IERE + VCE -ICRC +VCC = 0 Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que VCE = -VCC + IC(RC +RE) Sustituyendo valores, obtenemos VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = -10.16 V

4.1 Amplificador en el dominio de CA.


La construccin bsica, aspectos y caractersticas del transistor se presentaron en el capitulo 1. Despus, en el capitulo 2 se examin en detalle la polarizacin de cd del dispositivo. Empezaremos ahora a estudiar la respuesta ca a pequea seal del amplificador BJT revisando los modelos que se utilizan con mayor frecuencia para representar el transistor en el dominio de ca senoidal.

Una de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes de transistores es la magnitud de la seal de entrada. Ello determinar si deben aplicarse tcnicas de pequea seal o tcnicas de gran seal. No existe una lnea divisoria entre las dos, peso la aplicacin, as como la magnitud de las variables de inters relativas a las escalas de las caractersticas del dispositivo, determinarn casi siempre con bastante claridad cul mtodo es el apropiado. La tcnica de pequea seal se presenta en este capitulo. Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de ca de pequea seal de redes de transistor: el modelo equivalente hbrido y el modelo re. Este capitulo no slo presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempea y la relacin que existe entre ellos. En el captulo 1 se demostr que el transistor puede emplearse como un dispositivo amplificador. Es decir, la seal de salida senoidal es mayor que la seal de entrada o, establecindolo de otra manera, la potencia de ca de salida es mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que surge entonces es cmo la salida de potencia de ca puede ser mayor que la potencia de ca de entrada? La conservacin de la energa dicta que en funcin del tiempo, la salida de potencia total, Po de un sistema no puede ser mayor que su entrada de potencia, Pi y que la eficiencia definida por = Po/P no puede ser mayor que 1. El factor que no se considera en la discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca mayor que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa una contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a travs del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio" de potencia de cd al dominio de ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una eficiencia-de conversin se define por medio de = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia de ca en la carga, y P(cd) la potencia suministrada de cd. Quizs el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero la red simple de cd de la figura 7.1. La direccin resultante del flujo se muestra en la figura con una grfica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la aplicacin de una seal relativamente pequea al mecanismo de control puede resultar en una oscilacin mucho ms grande en el circuito de salida.

Figura 7.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd.

Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin se controla mediante el nivel establecido de cd. Cualquier intento de exceder el lmite establecido por el nivel de cd resultar en un "recorte" aplanado de la regin pico de la seal de salida. Por lo tanto, en su totalidad, un diseo apropiado de amplificador requiere que los componentes de cd y de ca sean sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin embargo, es en verdad un hecho afortunado que los amplificadores de pequea seal de transistor puedan considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de superposicin para separar el anlisis de cd del anlisis de ca.

Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del sistema elctrico de la figura 7.1

LNEA DE CARGA DE CA. Excursin mxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico mximo, sin recortes, que puede proporcionar un amplificador. La lnea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes.

4.2 Modelado del transistor BJT.


La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes (modelos) que sern introducidos en este captulo. Un modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin, Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo grfico del dispositivo puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los mtodos bsicos del anlisis de circuitos de ca (anlisis de nodos, anlisis de mallas y el teorema de Thvenin) para determinar la respuesta del circuito. Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de sustituir al transistor. Durante muchos aos la industria y las instituciones educativas confiaron ampliamente en los parmetros hbridos (que se presentarn en breve). El circuito equivalente de parmetros hbridos seguir siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las condiciones de operacin del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen especificando los parmetros hbridos para una regin de operacin particular en sus hojas de especificaciones. Los parmetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse directamente de los parmetros hbridos en esta regin. Sin embargo, el circuito equivalente hbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacin si se considerara preciso. Los parmetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la regin activa y no estn limitados por un solo grupo de parmetros incluidos en la hoja de especificaciones. A su vez, no

obstante, el modelo re no tiene un parmetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada. Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se examinan en detalle en este libro. En algunos anlisis y ejemplos se emplear el modelo hbrido, en tanto que en otros se utilizar en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el texto se har todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y cmo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en el manejo del otro. Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el anlisis que sigue, considrese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito equivalente de ca de pequea seal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que slo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que determinan nicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin de la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de operacin adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el anlisis de ca de la red. Adems, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvo C3*** se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy pequea a la frecuencia de aplicacin. Por lo tanto, es posible tambin reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una trayectoria de baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de la resistencia de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las condiciones de operacin.

Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.

La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.

Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea seal ca.

Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de: 1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto circuito equivalente 2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2 4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente. En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido para completar el anlisis de ca de la red de la figura 7.5

4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).

Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con ms detalle, concentrmonos en los parmetros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de vista de anlisis y diseo. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6, el extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la seal) se encuentra a la izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la carga) se halla a la derecha. De hecho, para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general se tiene normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de terminales en condiciones normales de operacin es bastante importante.

Figura 7.6 Sistema de dos puertos.

Impedancia de entrada, Zi Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z se define por la ley de Ohm como se indica a continuacin: Zi = Vi / Ii Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras: Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada, el mismo valor numrico puede utilizarse para modificar los niveles de la seal aplicada. De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarizacin de cd, condiciones que no cambian slo porque la magnitud de la seal aplicada de ca se haya modificado. Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a los medios (normalmente <100 kHz):

La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden de los megaohms. Adems: No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de pequea seal de ca puesto que el hmetro opera en modo de cd. La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un mtodo para medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinacin de Ii*** empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multimetro digital (DMM) sensible puede utilizarse para medir el voltaje Vs y V. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada se determina entonces de la siguiente manera: Ii = (Vs - Vi) / Rsensor y Zi = Vi / Ii

Figura 7.7 Determinacin de Zi.

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse mejor mediante la red de la figura 7.8. La fuente de seal tiene una resistencia interna de 600 el sistema (posiblemente un amplificador de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 k .

Figura 7.8 Demostracin del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.

Impedancia de salida, Zo La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir, La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs. dentro del sistema con la seal aplicada fijada en cero. En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera: Io = (V - Vo) / Rsensor y Zo = Vo / Io

Figura 7.10 Deteminacin de Zo.

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y depende de la configuracin y de la colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2M . Adems: No puede utilizarse un hmetro para medir la impedancia de salida de pequea seal de ca debido a que el hmetro opera en modo de cd.

Ganancia de voltaje Av Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia de voltaje de pequea seal de ca, que se determina por Av = Vo / Vi Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuacin (7.6) se denomina como la ganancia de voltaje sin carga. Es decir,

Figura 7.13 Determinacin de la ganancia de voltaje sin carga

Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga.

Ganancia de corriente, Ai

La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida por Ai = Io / Ii Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un diseo. En general: Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores que I y un nivel que puede exceder los 100. Para la situacin con carga presente de la figura 7.15, Ii = Vi / Zi y Io = V o / R L

Figura 7.15 Determinacin de la ganancia de corriente con carga.

Ai = -Av(Zi / Ii) La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir de la ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.

Relacin de fase La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por 180.

La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los captulos siguientes. Resumen Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros. En las secciones y captulos siguientes, todos los parmetros se determinarn para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una comparacin de las ventajas y desventajas de cada configuracin.

4.4 Modelado transistor.

re del

El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la regin de inters. Recurdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aqulla donde los parmetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho,en general: Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.

Configuracin de base comn En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base comn dentro de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusin de las recientes secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observ en la seccin 7.3, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una aproximacin del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la regin de operacin de inters. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberan estar relativamente cercanos a los obtenidos con el

transistor real. Usted recordar, del captulo 1, que una de las uniones de un transistor en operacin se polariza en forma directa mientras que la otra se polariza inversamente. La unin directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verific mediante las curvas de la figura 3.7. Para la unin de base-emisor del transistor de la figura 7.16a, el diodo equivalente de la figura 7.16b entre las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recurdese que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo de Ic = Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la figura 7.16b establece el hecho de que Ic = Ie con la corriente de control Ie que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la figura 7.16a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la fuente controlada por corriente, proporcionando un vnculo entre las dos (una revisin inicial sugerira que el modelo de la figura 7.16b es un modelo vlido del dispositivo real).

Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base comn; (b) modelo re para la configuracin de la figura 7.16a.

Recurdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede determinarse mediante la ecuacin rca = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd a travs del diodo en el punto Q (esttico). Esta misma ecuacin puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como se muestra a continuacin: re = 26 mV / IE El subndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b se obtendr el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 7.17:

Figura 7.17 Circuito equivalente re de base comn.

A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, debera ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuracin de base comn de un transistor fuera simplemente re. Es decir, Zi = re Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z, varan entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 . Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces Ie = O A e IC = Ie = (0 A) = O A, resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el modelo de la figura 7.17, Zo En realidad: Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Zo se hallan en el orden de los megaohms. La resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina por medio de la pendiente de las lneas caractersticas de las caractersticas de salida, como se muestran en la figura 7.18. Suponiendo que las lneas sean perfectamente horizontales (una excelente aproximacin) resultara en la conclusin de la ecuacin (7.13). Si se tuviera el cuidado de medir Zo grfica o experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en el intervalo de 1 a 2 M .

Figura 7.18 Definicin de Zo.

En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es relativamente pequea mientras que la impedancia de salida es bastante alta. La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 7.19. Vo = -IoRL = -(-IC)RL = IERL Vi = IEZi = Iere Av = Vo / Vi = IeRL / Iere Av = RL / re RL / re Para la ganancia de corriente Ai = Io / Ii = -IC / Ie = Ie / Ie Ai = - -1

7.19 Definicin de Av para la configuracin de base comn.

El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la corriente IC sea la misma que se define mediante la figura 7.19 (o sea, el extremo negativo est al potencial de referencia, o tierra) revela que vo y V estn en fase para la configuracin de base comn. El equivalente para un transistor NPN en la configuracin de base comn aparecera como se ilustra en la figura 7.20.

Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuracin de transistor NPN de base comn.

Configuracin de emisor comn Para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21a, las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Adems, la terminal de emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn dar por resultado la configuracin de la figura 7.21b. Advirtase que la fuente controlada por corriente an esta conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic. Recuerde, del captulo 1, que las corrientes de base y de colector estn relacionadas por la siguiente ecuacin: I c = Ib La comente a travs del diodo se determina por lo tanto mediante Ie = ( + 1)Ib

Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la siguiente aproximacin para el anlisis de comente: Ie Ib La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin: Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib El voltaje Vbe se halla a travs de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 7.22. El nivel de re todava se determina por la corriente de cd IE***. El uso de la ley de Ohm conduce a Vi = Vbe = Ie re Ibre

Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor comn (b) modelo aproximado para la configuracin de la figura 7.21

Figura 7.22 Determinacin de Zi empleando el modelo aproximado.

La sustitucin nos lleva a Zi re En esencia, la ecuacin (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situacin tal como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el ejemplo 7.4, re = 160 (situacin bastante comn a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de Zi re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 kohms

Figura 7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.

Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms. Para la impedancia de salida las caractersticas de inters son el conjunto de salida de la figura 7.24, Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la comente de colector. Cuanto ms elevada sea la pendiente, menor ser el nivel de la impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura 7.21 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla disponible a partir de un anlisis grfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en la figura 7.25.

Figura 7.24 Definicin de ro para la configuracin de emisor comn.

Figura 7.25 Insercin de ro en el circuito equivalente de transistor.

Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los 40 a los 50 kohms. Para el modelo de la figura 7.25, si se establece a cero la seal aplicada, la corriente es de O A y la impedancia de salida es Zo = ro

Por supuesto, si la contribucin debida a ro se ignora como en el caso del modelo re la impedancia de salida se define por Zo = . La ganancia de voltaje para la configuracin de emisor comn se determinar ahora por la configuracin de la figura 7.26 haciendo uso de la suposicin que Zo = . El efecto de incluir ro se considerar en el captulo 6. Para la direccin definida por Io y polaridad de Vo,

Vo = -IoRL

Figura 7.26 Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de transistor de emisor comn.

El signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de Io en la figura 7.26 establecer un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a Vo = -IoRL = -ICRL = - IbRL Vi = IiZi = Ib re Av = Vo / Vi = - IbRL / Ib re Av = -RL / re El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida se encuentran desfasados en 180. La ganancia de corriente para la configuracin de la figura 7.26: Ai = Io / Ii = IC / Ib = Ib / Ib Ai = Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es re que la corriente de colector es Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta efectiva para el anlisis que sigue a continuacin. Para valores de parmetros tpicos la configuracin de emisor comn puede considerarse como aquella que disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el anlisis de la red.

Figura 7.27 Modelo re para la configuracin de transistor de emisor comn.

Configuracin de colector comn Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el modelo definido para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21, en vez de definir un modelo propio para la configuracin de colector comn. En captulos subsecuentes se investigarn varias configuraciones de colector comn y llegara a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.

4.5 El modelo equivalente hbrido.


En la seccin 4.4 se seal que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operacin de cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variar en el punto de operacin de cd. Para el modelo equivalente hbrido que se describir en esta seccin se definen los parmetros en un punto de operacin que puede o no reflejar 1as condiciones de operacin reales del amplificador. Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los parmetros para un circuito equivalente para todo punto de operacin posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operacin que creen que reflejarn las caractersticas generales del dispositivo.

Figura 7.32 Circuito equivalente hbrido completo.

5.1 Polarizacin por divisor de voltaje.


Los modelos de transistores que se presentan en el captulo 3 se utilizarn ahora para realizar el anlisis de ca de pequea seal de un buen nmero de configuraciones estndar de redes con transistor. Las redes que se analizarn representan la mayor parte de las que aparecen en la prctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estndar se examinarn con relativa facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya revisado y entendido. Ya que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro modelo principal para el anlisis que se realizar. Sin embargo, para cada configuracin se examina el efecto de una impedancia de salida como se proporciona mediante el parmetro hoe del modelo equivalente hbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el anlisis entre los modelos, se ha dedicado una seccin al anlisis de pequea seal de redes BJT empleando nicamente el modelo equivalente hbrido.

Circuito equivalente para CD

Circuito equivalente para CA.

Zi:

Zo: Zo = Rc

Av: Vo = -IORL IO = (ICRC)/(RC+RL) VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)

Vo = ViR'L / re Vo / Vi = -R'L / re

Av = -R'L / re

Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a re por lo tanto no puede ser ignorado. Ib = R'Ii / (R' + re) Ib / Ii = R' / (R' + re)

En la salida

Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro Rc ro = 1 / hoe

A i = Io / Ii

Ejemplo: Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:

f = 1 kHz Xc 0.1 R C1 10 / 2 f 0.22 uF C2 1.3 uF C3 1.06 uF

Anlisis de CD: RE = (90)(1.5 k ) = 135 k 10R2 = (10)(8.2 k ) = 82 k , RE > 10R2 se puede emplear el anlisis aproximado

VE = VB - VBE = 2.81 - 0.7 = 2.11 Vcd IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 k = 1.41 mA VCE = VCC - IC(RC + RE), donde IC IE VCE = 22 - (1.41mA)(6.8 k + 1.5 k ) = 10.297 Vcd Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)

Anlisis de CA: re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA

re = 18.44

re =(90)(18.44) = 1.66 k

Zi = 1.35 k Zo = Rc = 6.8 k , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el 2N4123: hoe = 14 u para Ic 1.41 mA

Av = 66.64

Ai = 59.84

5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn.

Circuito equivalente de CD

Circuito equivalente de CA

Como Vi est en paralelo con RB y con la suma de re + RE Vi = IRB RB Vi = Ib re + IeRE = Ib re + ( + 1)IbRE Zb = Vi / Ib = re + ( +1)RE Zb (re + RE), si RE >> re Zb RE

Zi:

Ejemplo Dado el siguiente circuito encuentre:


a. b. c. d. e.

Punto Q y valor exacto para IE Zi Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU Av Ai

a)

IE = ( + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA Ic = IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA VCE = Vcc - Ic (Rc + RE) = 20 - (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd

Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA) IE = 5.63 mA

b)

re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms

Zi = 94.65 kohms

c) Zo = Rc Zo = 1.3 k (sin ro)

Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 k

Zo = 1.21 k (con ro)

d)

Av = -0.3

e)

Ai = 40.52

Zo: Si Vi = 0, Ib = 0 y Ib es un corto circuito Zo = Rc

Av:

Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb, por lo tanto no se puede aproximar Ib = Ii. Es necesario aplicar la regla del divisor de corriente.

Efecto de ro: La colocacin de ro para esta configuracin es tal que para los valores de parmetros tpicos, el efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar:

5.3 Configuracin de emisor seguidor.


Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector, la red recibe el nombre de emisor seguidor. El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la seal de entrada, debido a la cada de base a emisor, a pesar de esto la aproximacin Av 1 casi siempre es satisfactoria. A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor est en fase con la seal Vi, de ah el nombre de "emisor seguidor".

En la figura se muestra la configuracin ms comn de emisor seguidor. Como se puede observar, para anlisis de CA el colector est conectado a tierra, as que sta es una configuracin de colector de colector comn. Esta configuracin se utiliza con propsitos de acoplamiento de impedancia. Presenta una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual es opuesto por completo a las configuraciones anteriores. El efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.

Circuito equivalente de CD

Malla de Entrada

Malla de Salida

Circuito equivalente de CA

Ntese que Vi est en paralelo con RB, pero tambin con re + R'L, as que: Vi = ZbIb

Zi:

As que

Zo:

, y en trminos de Ie multiplicando por + 1

Si se dibujara un circuito representando a esta ecuacin:

Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, as que:

Si se toma en cuenta ro R'L est en paralelo con ro

Av: De la figura anterior se puede obtener la ganancia de voltaje.

Ai: De la figura del circuito equivalente:

La siguiente es tambin una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor de voltaje.

En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo visto para la polarizacin por divisor de

voltaje, si RE 10R2 Anlisis aproximado. En el caso contrario se aplica el anlisis exacto.

La siguiente tambin es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarizacin por divisor de voltaje y adems se incluye una resistencia en el colector para controlar el VCE.

Para el anlisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y RB se sustituye por R1 paralela a R2. Para CD es un circuito de polarizacin por divisor de voltaje.

Ejemplo: Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule: a. Punto Q b. re c. Parmetros: Zi, Zo, Av, Ai.

a) Circuito equivalente de CD:

b)

c)

Apndice al captulo 5.
CONFIGURACIN DE EMISOR COMN CON POLARIZACIN FIJA

Circuitos Equivalentes de CA

Zi:

Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 Ib = 0, Zo = Rc

Av:

El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la definida por la direccin indicada de Io.

Ai:

Efecto de

ro: Zi no cambia, pero

TRANSISTORES DE BARRERA SUPERFICIAL. -Transistor bidireccional: realiza la funcin de conmutacin en ambos sentidos del flujo de seales, a travs de un circuito. Ampliamente utilizado en los circuitos conmutacin telefnica. -Transistor bipolar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son electrodos de contacto de punta que hacen presin en los centros de las caras de un disco delgado de material semiconductor que sirve de base. -Transistor de aleacin-difusin: es el combinado de las tcnicas de aleacin y difusin de un modo diferente a la de un transistor de difusin-aleacin. -Transistor de almacenamiento de carga: es el que la unin base-colector se carga cuando se aplica polarizacin directa estando la base a nivel alto y el colector a nivel bajo. -Transistor de barrera de unin: construido por aleacin de la base con el material terminal de un conductor. -Transistor de barrera intrnseca: transistor triodo en el que las barreras superficiales estn constituidas sobre los lados opuestos de una lmina de germanio tipo n por depresiones grabadas, y ulterior electromoldeo de los puntos de colector y emisor que funcionan como contactos rectificadores. TRANSISTORES DE BASE DIFUSA. -Transistor de base difusa: transistor en el que es obtenida una regin no uniforma de base por difusin gaseosa. La unin base-colector est tambin formada por difusin gaseosa, por tanto la unin base-emisor es una unin convencional de aleacin. -Transistor de base metlica: consistente en una base constituida por una pelcula metlica delgada interpuesta entre dos semiconductores tipo n, estando el semiconductor de emisor ms dopado que la base a fin de conseguir una mayor relacin entre la corriente de electrones y la corriente de huecos. La respuesta de frecuencia es mucho ms elevada que la de los transistores convencionales. -Transistor de campo: transistor unipolar. -Transistor de campo interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un apropiado gradiente de resistividad en la regin base entre las uniones para mejorar las respuestas a elevadas frecuencias. -Transistor de capa agotada: funciona por el movimiento de los cortadores a travs de las capas desiertas o capas agotadas tal como un espacistor. -Transistor de capa de difusin: transistor de unin en las que las uniones finales estn constituidas por difusin de impurezas cerca de una unin de crecimiento. -Transistor de cuatro capas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres terminales. Un ejemplo de este tipo es el tiristor. -Transistor de difusin: transistor en el que el flujo de corrientes es resultado de la difusin de portadores donadores o aceptadores, como en un transistor de unin. -Transistor de difusin microaleado: transistor en el que el cuerpo semiconductor es previamente sometido a difusin gaseosa a fin de producir una regin de base no uniforme.

-Transistor de doble difusin: est formado de dos uniones en la pastilla de semiconductor, por difusin gaseosa de ambos de impurezas p y n. Puede tambin formarse una regin intrnseca. -Transistor de doble emisor: transistor epitaxial planal pasivado p-n-p de silicio que tiene dos emisores para su utilizacin en interruptores de bajo nivel. -Transistor de doble superficie: transistor de puntas en los que buscadores de emisor y colector estn en contacto con los lados opuestos de la base. -Transistor de efecto de campo: transistor en el que la resistencia al paso de la corriente desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por aplicacin de un campo elctrico transversal entre los electrodos de graduador o puerta. El campo elctrico modifica la densidad de la capa empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia. TRANSISTORES DE MODULACIN DE CONDUCTIVIDAD. -Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de xido de sicilio. Cuando en el modo de empobrecimiento, una tensin negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarizacin nula de puerta. Cuando funciona en el sentido de enriquecimiento, la puerta se polariza en sentido directo para incrementar la carga del canal y aumentar la conductancia de este. Se pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un sustrato de tipo n o de tipo p, respectivamente. -Transistor de efecto de campo multicanal: es en el que se aplica tensiones adecuadas a la puerta de entrada para controlar el espacio entre los canales de flujo de corriente. La utilizacin de ms de un canal permite el empleo de corrientes ms intensas sin reducir la respuesta de frecuencia lo que normalmente ocurre cuando se aumenta el tamao de un dispositivo de canal nico para acomodarlo a mayor intensidad. -Transistor de emisor y conductor difusos: es el que tanto el emisor como el colector han sido constituidos por difusin. -Transistor de difusin: transistor de unin, obtenido por enfriamiento brusco despus de la funcin de una determinada regin. -Transistor de gancho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa flotante entre la base y el colector. Esta disposicin da lugar a altas ganancias de la corriente de entrada de emisor. TRANSISTORES DE MULTIEMISOR. -Transistor de multiemisor: tiene uno o ms emisores adicionales. Utilizado principalmente en los circuitos lgicos.

-Transistor de pelcula delgada: transistor de efecto de campo construido enteramente mediante tcnicas de pelculas delgadas para su utilizacin en circuitos de esta naturaleza. Un electrodo de puerta, de metal delgado, est separado por una pelcula delgada semiconductor que por lo general est constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a lo largo de un canal por la capa del semiconductor. Entre dos electrodos denominados fuente y drenador. La intensidad de corriente se consigue mediante la tensin aplicada a la puerta aislada.

-Transistor de potencia: transistor de unin que puede trabajar con corrientes y potencias elevadas. Se usa principalmente en circuitos de audio y conmutacin. -Transistor de precisin de aleacin de silicio: Es en el cual las tcnicas de aleacin y grabado se combinan para producir una elevada frecuencia de respuesta y un estrecho control de los parmetros de transistor, tal como se requiere para aplicaciones de conmutacin de bajo nivel y elevada resolucin. -Transistor de puerta de control: Es en el que un electrodo de puerta cubre las uniones del emisor y el colector, permitiendo la aplicacin de un campo electrnico a la superficie de la regin de la base. -Transistor de puntas: tiene un electrodo base y dos o ms puntos de contacto poco separadas entre si, sobre la superficie del germanio tipo n. La presin de los contactos crea una pequea zona de material tipo p bajo cada contacto produciendo las uniones necesarias para un transistor. -Transistor de punta y de unin: tiene un electrodo base y una punta de contacto adems de electrodos de unin. -Transistor de fusin: transistor de unin en que esta se obtiene por fusin de un semiconductor dopado en forma apropiada, permitiendo su solidificacin ulterior repetidamente. -Transistor de superficie pasivada: transistor cuya superficie semiconductoras han sido protegidas contra el agua, los iones y otras condiciones ambientales por pasivacin, en la cual un compuesto protector est qumicamente unido a la superficie del cristal semiconductor. TRANSISTORES DE UNIN ELECTROQUMICA. -Transistor de unin: construido de un transistor de unin de aleacin que se fabrica colocando grnulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y debajo de una lmina de germanio tipo n, y luego calentando la lmina hasta que la impureza se alee con el germanio dando lugar a un transistor de tipo p-n-p. -Transistor de unin difusa: es en el que los electrodos del emisor y del colector han sido obtenidos por difusin de una impureza metlica en el cuerpo del semiconductor sin calentamiento. -Transistor de tres uniones: tiene tres uniones y cuatro regiones de conductividad alternadas. La conexin del emisor puede tener lugar en la regin p a la izquierda la conexin de la base en la regin adyacente n. -Transistor de unin eletroqumica: construido por ataques de las dos caras opuesto a una placa de germanio tipo n por chorros de una solucin salina tal como cloruro de indio, la placa , primeramente positiva con respecto a los de proyeccin, pasa entonces a ser negativa con relacin al deposito de indio sobre los caracteres formados.

TRANSISTORES DE UNIN GRADUAL.

-Transistor de unin gradual: transistor por crecimiento variable. -Transistor de unin intrnseca: de cuatro capas una de las cuales est formada por semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector, como los transistores p-n-i-p, n-p-i-n, p-n-i-n y n-p-i-p. -Transistor de zona desierta: transistor de capa agotada. -Transistor del tipo de empobrecimiento: transistor metal-xido de efecto de campo en el que los portadores de carga existentes presentan una polarizacin de entrada nula, si bien estas cargas son neutralizadas por la aplicacin de una polaridad inversa. -Transistor del tipo de enriquecimiento: transistor MOS de efecto de campo en el que la puerta est polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fin de enriquecer su carga e incrementa su conductancia. -Transistor doblemente dopado: transistor de unin por crecimiento, formado por adicin sucesiva de impurezas tipo p y tipo n o la fusin durante el crecimiento del cristal. -Transistor epitaxial de unin difusa: transistor de unin obtenido por crecimiento por una capa delgada de elevada pureza de un material semiconductor fuertemente dopada del mismo tipo. -Transistor epitaxial mesa difuso: en el que la capa epitaxial delgada de elevada resistividad est depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector. -Transistor filiforme: transistor de modulacin de conductividad cuya longitud es mucho mayor que sus dimensiones transversales. -Transistor mesa: obtenido sometiendo una lmina o pastilla de germanio o sicilio a ataque qumico de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparezcan escalonadamente como mesetas por encima de la regin de colector. -Transistor MOS de efecto de campo: Transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor. TRANSISTORES N-P-N. -Transistor n-p-n: Transistor de unin que tiene una base tipo p entre un emisor tipo n y un colector tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con respecto a la base , y el colector positivo. -Transistor n-p-i-n: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est interpuesta entre la base tipo p y las capas tipo n del colector. -Transistor n-p-i-p: Transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est entre regiones p. TRANSISTORES N-P-N-P. -Transistor n-p-n-p: Transistor de unin n-p-n que tiene adems una capa de transicin o flotante entre los regiones p y n, en la que no se establece conexin hmica. Denominado tambin transistor p-n-p-n. -Transistor pasivado: Protegido contra fallos prematuros por pasivacin.

-Transistor pentodo de efecto de campo: tiene cinco terminales que tiene tres puertas. Puede trabajar como pentodo, si se polarizan independientemente cada una de las puertas. -Transistor planar de silicio: Fabricado por la tcnica planar, que implica una serie de ataques qumicos y difusiones, y que producen un transistor de silicio con una capa de xido. -Transistor planar de unin: parecido al de unin difusa, pero en el cual se consigue una penetracin localizada de las impurezas recubriendo algunas partes de la superficie del cristal con un compuesto de xido tal como dixido de silicio. Este proceso se llama pasivacin de superficie. -Transistor p-n-i-n: transistor de unin intrnseca en el que la regin intrnseca est situada entre regiones n. -Transistor p-n-i-p: Transistor de unin intrnseca en la cual la regin intrnseca est entre la base tipo n y el colector tipo p. -Transistor por crecimiento variable: de unin en la cual las impurezas (tales el galio y el antimonio) se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y desciende repentinamente para producir capas alternas de tipo p y n. Se llama tambin transistor de unin gradual. -Transistor simtrico: de unin en lo que los electrodos emisor y colector son idnticos y sus terminales intercambiables. -Transistor tetrodo: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor tetrodo de puntas o un transistor de unin de doble base. -Transistor tetrodo de efecto de campo: con cuatro conductores con dos puertas que permiten el funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarizacin separada para cada puerta. -Transistor tetrodo de puntas: transistor de puntas con un colector y dos emisores. -Transistor tetrodo de unin: transistor de unin de doble base. -Transistor unipolar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola polaridad, tal como ocurre en un transistor de efecto de campo. -Transistor uniunin: barra de semiconductor tipo n con una regin de aleacin tipo p en un lado. Las conexiones se establecen en los contactos de las bases situados en ambos extremos de la barra y en la regin p. El transistor tiene una caracterstica anloga a la de un tiratrn entre el terminal de la regin p y el terminal de la base negativa. TRANSISTOR COMPLEMENTARIOS. -Transistor complementario: dos transistores d opuesta conductividad (p-n-p y n-p-n) incorporados en la misma unidad funcional. TRANSISTORES EN CASCADA. -Transistor de cascada: dos transistores montados en una misma cpsula y conectados en serie. -Transistor en conexin compuesta: disposicin de dos transistores en la que la base de uno se conecta al emisor del otro y los dos colectores se conectan entre s. La combinacin debe ser

considerada como un transistor simple que posee un elevado factor de amplificacin de corriente.