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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA










GUIA DE LABORATORIO
PARA LAS EXPERIENCIAS
DE MICROONDAS

PARTE I




ING. ARMANDO ALBERTO
CAJAHUARINGA CAMACO






CONTENDIDO


PROLOGO
FUNDAMENTOS DE LINEAS DE TRANSMISION Y
GUAS DE ONDA PARA ONDAS ELECTROMAGNTICAS......... 1
L1 CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR GUNN 12
L2 EXPLORAR EL CAMPO FRENTE A UN PLANO DE
CORTOCIRCUITO Y UNA TERMINACION DE GUIA DE ONDA 19
L3 SINTONIZACION MECANICA Y
MODULACION DEL OSCILADOR GUNN... 26


ANEXOS


Oscilador Gunn 737 01
Instrucciones de Servicio. 38
Unidad de alimentacin Gunn con medidor SWR 737 021
Instrucciones de Servicio. 41
Lnea de Medicin Ranurada 737 111
Instrucciones de Servicio. 47






PROLOGO
Los experimentos en el presente sistema de formacin tienen por finalidad lograr diversos
objetivos de formacin en paralelo:
(a) La comprensin de los efectos fsicos que son de importancia en la tecnologa de
microondas (por ejemplo, la difraccin y la interferencia de las ondas electromagnti-
cas, el efecto Gunn).
(b) La adquisicin del conocimiento de la funcin de los componentes y sistemas impor-
tantes en la tecnologa de microondas y los principios detrs de los mtodos de reali-
zacin de estas funciones mediante la explotacin de fenmenos fsicos (por ejem-
plo, la funcin de un acoplador direccional de gua de onda en los circuitos de micro-
ondas en la representacin de "caja-negra" y la realizacin del acoplador direccional
que usa los efectos de acoplamiento electromagntico a travs de agujeros).
(c) Adquisicin de habilidades en las tcnicas de medicin y los principios para determi-
nar las propiedades de dispositivos de microondas (por ejemplo: medicin del coefi-
ciente de reflexin con el principio de reflectmetro).
(d) Familiarizarse con las tcnicas actuales de diseo de los distintos componentes y el
uso de estos en las aplicaciones prcticas (por ejemplo: aprender a instalar correc-
tamente un aislador de ferrita de gua de ondas en un circuito de microondas, el fun-
cionamiento de un transformador de tornillo deslizante para la adaptacin de una
carga). Los componentes para la realizacin de experimentos con los objetivos antes
mencionados estn todos diseados en tecnologa de gua de onda. La configuracin
de placa placa-paralela (unidad MTS 7.4.3) son particularmente adecuados, porque
se pueden desmontar fcilmente y son extremadamente robustos.
Un discrepancia, sin embargo, haba que considerar en el diseo de este sistema de for-
macin: por un lado, la tecnologa de gua de onda es la ms adecuada de todas las tec-
nologas con propsitos de experimentacin, por otro lado, en el campo de los circuito de
radiofrecuencia, las tecnologas, con pocas excepciones, son cada vez ms superadas
por la de circuitos integrados de microondas (MMIC) utilizando la tecnologa de lnea de
microcintas o coplanares. El resultado de esta discrepancia es el concepto de sistema de
enseanza y entrenamiento basada principalmente en la tecnologa de guas de onda, en
los que se dan a los fenmenos fsicos y sus principios fundamentales de los elementos
tcnicos y mtodos de medicin, se les da prioridad, independientemente del aspecto
fsico de la lnea de transmisin (gua e onda, lnea coaxial, lnea de microcinta, etc.).
As, por ejemplo, el conocimiento ganado en experimentos con el oscilador Gunn usando
tecnologa de gua de onda, permitir a los estudiantes comprender un oscilador realiza-
do con tecnologa de microcinta, ya que los principios fundamentales de la interaccin de
los diversos elementos semiconductores y el circuito de resonancia, es la mismo. Con la
ayuda de un elemento de gua de onda sumamente especializada tal como el acoplador
direccional cruzado, los estudiantes llegaran a familiarizarse con efectos importantes en
los campos elctricos, por ejemplo, acoplamiento a travs de pequeas agujeros; ade-
ms, el comportamiento de caja-negra del acoplador direccional cruzado es tpico de
una gran clase de distintos acopladores direccionales (hbridos en la tecnologa de lnea
de microcinta, acopladores de lnea coaxial, etc.).
El grupo objetivo para este sistema de enseanza y entrenamiento son estudiantes que
tienen una amplia variedad de niveles de conocimiento previo y/o experiencia. As, el sis-
tema se aplica igualmente en la enseanza de las ciencias a nivel universitario y en las
escuelas tcnicas. Se puede suponer que la forma en que la mayora de los experimen-
tos se presentan y se llevan a cabo es adecuada para las necesidades de aprendizaje de
este amplio grupo objetivo, pero que el contenido y la interpretacin de los resultados del
experimento en el marco de una "estructura terica" deben ser tratados de manera dife-
rente en cada caso. Por esta razn, este manual contiene a veces incluso material avan-
zado. Este est dirigido a estudiantes de nivel universitario, y se puede omitir cuando se
trabaja a travs de experimentos.
Los principios tericos de los experimentos que son de carcter general, se pueden en-
contrar en los libros de texto sobre el tema. Sin embargo, en la descripcin del experi-
mento, tambin se encuentran algunos de los principios tericos para facilitar a los estu-
diantes la aplicacin de unas representaciones generales que se encuentran en los libros
de texto sobre los conocimientos especficos y necesarios para cada experimento.
Este manual est estructurado de la siguiente manera: En las descripciones de los expe-
rimentos individuales, los principios tericos necesarios se discuten primero. Esto es se-
guido por una lista de los equipos necesarios y una descripcin detallada de los pasos de
experimento individual (procedimiento de experimento). Los experimentos son evaluados
utilizando una lista de preguntas. Cada experimento incluye una seccin con su propia
bibliografa o, si es suficiente, una referencia a la bibliografa de otro experimento. Para
poder facilitar la evaluacin y proporcionar ideas para evaluar los resultados, en la lista de
preguntas se incluyen tablas a ser llenadas y diagramas.
Importante!
Instrucciones de Seguridad
Lea antes de la puesta en funcionamiento!
Debido al bajo nivel de potencia del oscilador Gunn (tpicamente, 10 mW) no hay absolu-
tamente ningn peligro para las personas que llevan a cabo el experimento, incluso para
los experimentos con radiacin en el espacio libre. Sin embargo, las siguientes reglas
deben ser observadas especialmente en vista de los ltimos experimentos con fuertes
fuentes de RF:
Es imperativo evitar mirar al interior de una apertura que est radiando, aun para los
experimentos con radiacin en el espacio libre. Esto se aplica a gua de onda abierta,
por ejemplo, y especialmente a todos los tipos de antena.
Desconecte la fuente de voltaje de alimentacin cuando realice modificaciones para
configurar experiencias en los cuales se deben de intercambiar secciones de gua de
onda.
Elementos activos en los componentes de microondas pueden destruirse por descarga
electrosttica. Los detectores y varactores estn especialmente en riesgo! NO LOS
TOQUE! Descargue cualquier cable largo antes de conectarlos a estos componentes.
Esto se lleva a cabo mediante la conexin del cable a la fuente de alimentacin. Compo-
nentes que operan con fuertes imanes permanentes, como por ejemplo, los aisladores y
circuladores, deben de mantenerse a una distancia de materiales conductores magneti-
zables. Evite sacudir o golpear a los equipos. Las superficies de las bridas deben ser tra-
tadas con cuidado. Cada cierto tiempo las partes mecnicas mviles debern ser cuida-
dosamente engrasadas. No permita ningn aceite o grasa en los contactos elctricos o
en la gua de onda.
A pesar de la pasivacin de las superficies, las superficies de aluminio todava estn suje-
tas a ligeras oxidaciones. Los tornillos de rpido cierre del oscilador Gunn son particular-
mente propensos a la oxidacin. Si se observa cualquier alteracin a su funcionamiento,
un desmontaje y montaje de sus componentes puede resultar til. Por otra parte, el aflojar
y luego ajustar los componentes del oscilador Gunn tambin podra ayudar (vea las co-
rrespondientes hojas de instrucciones de los componentes).
















1

FUNDAMENTOS DE LINEAS DE TRANSMISION Y
GUAS DE ONDA PARA ONDAS ELECTROMAGNTICAS
F1. TIPOS Y USOS DE LAS LINEAS DE TRANSMISION
Las lneas de transmisin cumplen varias funciones en la tecnologa de la radiofrecuen-
cia:
(a) Sirven en la transmisin de seales de radiofrecuencia entre ubicaciones remotas.
Ejemplos: radio enlace entre un transmisor y un remoto sistema de antena, cable de
banda ancha para la distribucin de la seal de un sistema receptor satelital a suscrip-
tores y cables submarinos. Las lneas de transmisin y los radio enlaces direccionales
en el espacio libre son frecuentemente considerados alternativas potenciales en esta
funcin, y como un medio para la transmisin de las comunicaciones.
(b) Ellos tambin sirven como elementos de circuitos (en lugar condensadores e inducto-
res) y como lneas de interconexin para la realizacin de circuitos de microondas
pasivo (por ejemplo, filtros de lneas de transmisin).
En general, las lneas de transmisin pueden considerarse como estructuras para guiar
las ondas electromagnticas de un punto a otro, idealmente sin prdidas. Para esta fun-
cin una variedad de tipos de lneas de transmisin son convenientes. En algunos otros
tipos de lnea de transmisin, sin embargo, la propagacin de la onda depende de la con-
dicin de que las dimensiones de la seccin transversal de la lnea sean mucho ms
grandes que un medio de la longitud de onda en el espacio libre (zo2). Esto conduce al
resultado de que en el rango de frecuencias mayores a 1 GHz hay un nmero ms gran-
de de tipos de lneas de transmisin disponibles que para bajas frecuencias. Esto se de-
be a que nicamente en altas frecuencias, la dimensin zo2 resulta en secciones trans-
versales manejables.
La Fig. F.1b muestra una seleccin de algunos tipos de lneas de transmisin disponibles.
La lnea coaxial y la de 2 alambres (Fig. F.1a) estn caracterizados por el hecho de que
ellos poseen dos conductores metlicos, los cuales estn aislados uno del otro. Aqu, los
llamados modos transversales electromagnticos (ondas TEM) pueden propagarse, quie-
nes no presentan frecuencias de corte (finito). Por lo tanto, ellos tambin pueden ser
usados para cualquier baja frecuencia deseada (incluida DC). La Fig. F.1b muestra varios
tipos de lneas de transmisin planares, los cuales tambin tienen dos conductores sepa-
rados uno del otro. Estas cintas conductoras pueden ser fcilmente fabricadas mediante
un material conductor metlico evaporizado en el vaco, sobre un conveniente material
para el sustrato y la subsiguiente estructuracin fotolitogrfica. Esta es la razn por el
cual tales lneas de transmisin planares son preferidos para la realizacin de circuitos
integrados de microondas (MIC: microwave integrated circuits).
Los tipos de lneas de transmisin en la Fig. F.1c son varios tipos de guas de onda, es
decir, tubos huecos consistentes en una sola superficie conductora. Las ondas en las
guas de onda pueden propagarse nicamente para frecuencias de oscilacin mayores a
una cierta frecuencia de corte (es decir, longitudes de onda ms pequeas que el doble
del ancho geomtrico lineal de la gua de onda). Mientras que el rango de frecuencia para
2

el funcionamiento de un solo modo es alrededor de una octava para guas de ondas
rectangulares y circulares; es considerablemente ms grande en el caso de guas de on-
da acanaladas (Fig. F.1c, a la derecha).
El hecho que algunas lneas de transmisin pueden ser realizadas sin ningn metal con-
ductor se muestra en la Fig. F.1d. Las guas de onda dielctricas mostradas, se basan en
el principio de la reflexin total de las ondas electromagnticas en las superficies de fron-
tera entre los aisladores con permeabilidades relativas e

de valores altos a bajos.



La Fig. F.2 ilustra la conclusin extrada de las anteriores lneas de transmisin, adems
de su funcin de transmitir seales sobre largas distancias, pueden tambin ser usadas
como elementos de circuitos para la realizacin de circuitos de microondas (como filtros).

Fig. F.1 Diversos tipos de lneas
para ondas electromagnticas.
1) = metal conductor,
2) = aislador
(a) Coaxial y lnea de 2 alambres
(mellizos)
(b) Estructuras de lneas planares:
Lnea de microcinta, lnea co-
planar, lnea ranurada.
(c) Guas de onda: Rectangular,
circular y acanalada.
(d) Guas de onda dielctrica: con
superficie de forma redondeada
y rectangular; gua de onda de
fibra ptica.
Fig. F.2 Ejemplos del uso de secciones de
lnea de transmisin para la realizacin de
componentes de microondas.

(1) Filtro pasaban da en tecnologa de
cable coaxial.
(2) Filtro pasaban da en tecnologa de
guas de ondas.
(3) Filtro pasabanda en tecnologa de
lnea de microcinta.
3

F2. FUNDAMENTOS ELEMENTALES DE LA TEORA DE LNEAS DE TRANSMISIN
La propagacin de ondas sobre varios tipos de lneas de transmisin (Fig. F.1) puede
describirse en una forma ms general, a pesar de sus diferentes implementaciones fsi-
cas. Para poder clarificar la representacin general de la propagacin de una onda en
una lnea acotada, podemos comenzar con una simple lnea de 2 alambres, sobre el cual
el voltaje y la corriente pueden ser claramente definidos para cualquier punto. Luego, la
descripcin hallada para esta simple lnea es aplicada como un modelo general para la
propagacin de ondas sobre cualquier lnea homognea (guas de onda huecas, guas de
ondas de superficie).
La Fig. F.3a muestra la estructura de lneas de transmisin homogneas, el cual es sim-
blicamente representado por dos pares de lneas dobles. El estado electromagntico
sobre esta lnea puede describirse por el valor instantneo del voltaje u(x, t) y la corrien-
te i(x, t) dependiente de la variable de tiempo y variable espaciales.
Inicialmente consideraremos el caso en el cual una sola onda se propaga sobre la lnea
de transmisin en la direccin +x. Con w = 2 como la frecuencia angular y g como la
longitud de onda en la gua de onda y bajo la suposicin que la atenuacin sobre la lnea
es despreciable, lo siguiente se aplica:
u(x, t) = u Cos _wt 2n
x
x
g
] (F.1)
La Fig. F.3a muestra la distribucin espacial del voltaje, para t = 0 y un subsiguiente ins-
tante del tiempo en t = ot. Con w ot = 2n
6x
x
g
, se sigue de la Ec. (F.1), que la velocidad
de fase est dado por:
:
ph
=
6x
6t
=
wx
g
2n
= z
g
(F.2)
Correspondiente al voltaje u(x, t), existe una corriente i(x, t), el cual tiene la misma de-
pendencia espacial y temporal que u(x, t), y cuya amplitud est relacionado con el valor
pico u del voltaje y la impedancia caracterstica de la onda
0
:
i(x, t) =
u(x,t)
z
0
(F.3)
Como es bien conocido, en la descripcin del proceso, los cuales son armnicos en el
tiempo, uno puede hacer uso de las amplitudes complejas. As, por ejemplo, un voltaje
AC de la forma u(t) = u Cos (wt + ) es descrito por una correspondiente amplitud
compleja u = uc
]q
con la siguiente relacin:
u(t) = Rc| uc
]wt
| (F.4)
Los nmeros complejos estn ahora especialmente enfatizados por un subrayado. Si-
guiendo esta notacin compleja y de acuerdo a las Ec. (F.1) y Ec. (F.3) se tendr las si-
guientes representaciones fasoriales para u(x, t):
u(x) = |u(x)|c
]q
u
(x)
(F.5)
4

La Fig. F.3b muestra la distribucin de corriente para los instantes de tiempo t = u y
t = ot.
Donde
|U(x)| = u y q
u
(x) = 2a
x
2
g
= . x (F.6)
De forma anloga para la corriente i(x, t):
I(x) = |I(x)|e
jq
I
(x)
(F.7)
Donde
|I(x)| =
u
Z

y q
I
(x) = q
u
(x) = . x (F.8)
Las Fig. F.2c y Fig. F.2d muestran la dependencia espacial de las magnitudes de |u(x)|
y de |I(x)| tambin como las fases
u
(x) y
I
(x) de las amplitudes de voltaje y corrien-
tes complejas. En las Ec. (F.6) y Ec. (F.8) se ha introducido la siguiente constante de fa-
se:

Figura F.3 Propagacin
de ondas sobre una lnea
de transmisin.

a) Dependencia espacial
del voltaje u(x,t) para
dos diferentes puntos
en el tiempo (momen-
tos)
b) Dependencia espacial
de la corriente i(x,t)
para dos diferentes
puntos en el tiempo.
c) Dependencia espacial
de la magnitud U(x) y
fase
U
(x) de la am-
plitud compleja (fasor)
del voltaje.
d) Dependencia espacial
de la magnitud I (x)
fase
I
(x) de la ampli-
tud compleja (fasor)
de la corriente.
5

=
2a
2
g
=
w
u
ph
(F.9)
como un segundo parmetro para caracterizar la propagacin de la onda en una lnea
acotada.
F3. CAMPOS ELECTROMAGNETICOS EN PLACA
METALICA (CORTOCIRCUITO)
Despus de la descripcin de una sola onda, ahora consideraremos el caso en el que
existe un cortocircuito en el extremo (x = u) de la lnea de transmisin (ver Fig. F.3). A las
distribuciones de las ondas de voltaje y de corriente propagndose en la direccin de +x
se les asignar el ndice + (ver Fig. F.4a) y a las que se propaguen en la direccin
x se les asignara el ndice -. Como el voltaje total en el plano x = u debe ser cero
(cortocircuito!) para cualquier tiempo, existir una onda reflejada propagndose a lo largo
de x, el que deber cancelar el voltaje de la onda incidente, en el plano x = u.
u(x, t) = u
+
(x, t) + u
-
(x, t)
= u cos(wt [x) u cos(wt + [x)
= 2. u. sinwt . sin [x
(F.10)
La onda reflejada de corriente est relacionado a u
-
(x, t) a travs de (
0
), debido al
cambio en la direccin de propagacin, pero de idntica definicin ha u
+
y as se sigue
que (ver Fig. F.4b):
i(x, t) = i
+
(x, t) +i
-
(x, t)
=
u
z
0

cos(wt [x) +
u
z
0

cos(wt +[x)
=
2.u
z
0
. Cos wt . Cos [x
(F.11)

Considerando la caracterstica de espacio-tiempo de los voltajes y corrientes totales; ob-
tenemos los resultados presentados en las Fig. F.4c y Fig. F.4d. Los nodos (nulos) y m-
ximos de las distribuciones de u e i estn en posiciones que no cambian respecto al
tiempo. Los nodos del voltaje estn desplazados por zg 4 con respecto a los nodos de
la corriente. Ms an existe un desfasaje de _ n2 entre el voltaje y la corriente. Esto
significa que u muestra sus valores extremos exactamente cundo i (para todo x) es cero
y viceversa. Si estas relaciones son representadas de nuevo por la magnitud y fase de
los fasores, obtendremos los resultados mostrados en las Fig. F.4e y Fig. F.4.

6

F4. PROPAGACION DE ONDAS EN LA G.O. RECTANGULARES
Por una gua de onda generalmente
lo conocemos como un tubo hue-
co en el cual pueden propagarse
las ondas electromagnticas. Una
gua de onda rectangular como se
muestra en la Fig. F.5 es una forma
especial de una gua de onda.
Esta gua de onda rectangular es el
objeto de una serie de experimen-
tos y deber por lo tanto ser anali-
zado en trminos analticos. Esto,
tambin, debido a que muchos re-
sultados hallados para guas de onda rectangulares tambin se aplican a otras guas de
Figura F.4 Ondas estacio-
narias en una lnea de trans-
misin cortocircuitada en un
extremo.

a) Curva de la onda de vol-
taje incidente u
+
(x, t) y
de la onda de voltaje re-
flejada u
-
(x, t) para el
instante t = T/8.
b) i
+
(x, t) y i

(x, t) para t =
T/8
c) Distribucin del voltaje
total u (x, t) = u
+
(x, t) +
u
-
(x, t) para 4 diferentes
momentos.
d) i (x, t) = i
+
(x, t) +i
-
(x, t)
e) Dependencia espacial de
la magnitud |U (x)| y fa-
se
U
(x) del fasor voltaje
f) Dependencia espacial de
la magnitud | I (x) | y fa-
se
I
(x) del fasor corrien-
te.
Fig. F5 Gua de onda de rectangular
7

onda de diferente seccin transversal (por ejemplo, circular). Existen diversas aproxima-
ciones usadas para explicar la propagacin de ondas en una gua de onda rectangular.
La primera aproximacin incluye una reflexin en Zig-Zag de una onda plana uniforme
(TEM planos) en las superficies laterales (x = 0, a) de una gua de onda. Para ilustrarlo, la
Fig. F.6a, presenta el caso donde una onda plana uniforme (E

perpendicular al plano de
incidencia) est incidiendo sobre una superficie metlica (idealmente, buen conductor)
para un ngulo o. A partir de esta onda incidente se originan otras superficies de fase, a
saber, uno para los mximos positivos (signo +), otra para los cruces por cero y otra
para los mnimos negativos (signo -). Debido a que el campo elctrico total deber anu-
larse en la superficie metlica, se invierte su polaridad para la amplitud de la onda refleja-
da.
Fig. F.6 Explicacin de la propagacin de ondas mediante una reflexin en zig-zag de la
onda plana uniforme en las paredes laterales ubicadas en x = 0 y x = a.
Las superficies de fase correspondientes a las ondas reflejadas, tambin se muestran en
la Fig. F.6a. La superposicin de los campos elctricos de las ondas incidentes y refleja-
da resulta en un campo nulo en la superficie metlica, para cualquier tiempo. A travs de
esta superposicin, sin embargo, el campo tambin desaparece en otros planos, los que
estn orientados paralelos al plano metlico. Un plano de este tipo localizado lo ms cer-
ca a la superficie metlica est a una distancia de:
8

a =
2
g
2cux u
(F.12)
Esta relacin puede ser fcilmente deducida de la Fig. F.6.
Uno puede ahora asumir una segunda placa de metal justo a una distancia a de la pri-
mera placa de metal de acuerdo a la Ec. (F.12). Ms an, placas de metal superior e
inferior pueden establecerse perpendiculares a las lneas de campo E, sin ninguna
perturbacin del campo. As, la gua de onda rectangular mostrada en la Fig. F.5 es
obtenida (ancho a, altura b < o).
Como la distancia a est ahora predeterminada a un valor fijo, el ngulo deber de-
terminarse para una frecuencia dada (y as, para la longitud de onda en el espacio libre
zo = c) de manera que la Ec. (F.12) se cumpla. Vemos que la Ec. (F.12) para
zo > 2o no se cumplir (cos o > 1). De esta manera obtenemos una frecuencia crti-
ca inferior c (frecuencia de corte) para la propagacin de las ondas:

C
=
c
2
c,
=
c
2a
(F.13)
Por encima del valor de c, es decir > c, inicialmente dar como resultado ngulos o
muy pequeos debido a Cos o = zo2o (lado izquierdo de la Fig. F.6c) y para las al-
tas frecuencias de >> c el ngulo o tiende ms y ms hacia n2 y as la direccin
de propagacin de la onda plena uniforme procede progresivamente a ser paralelo a la
direccin longitudinal de la gua de onda.
La velocidad de fase u
ph
en la gua de onda es la velocidad con el cual la fase del campo
total viaja (por ejemplo, cero para el punto A) en la direccin longitudinal. Para determi-
narlo, una ecuacin ser deducida con la ayuda de la Fig. F.6b. Si los frentes de onda de
la onda plana uniforme son desplazados por ox en el perodo ot, entonces y de acuerdo
a la figura, el punto A es desplazado ox = oScno. Consecuentemente, lo siguiente se
aplica para la velocidad de fase (con c como la velocidad de la luz = 3 x 108 m/s)
u
ph
=
0x
0t
=
1
xenu

0
0t
=
c
xenu

Scn o puede ser expresado de acuerdo a la Ec. (F.12) por zoo, obtenindose as:
u
ph
=
c

1- cux
2
u
=
c
1-(2

2a )
2
(F.14)
Debido a que las Ec. (F.2) y Ec. (F.9) son vlidas para todos los tipos de onda, uno puede
tambin calcular la longitud de onda en la gua de onda zg y la constante de la fase [ de
u
ph
:
2
g
=
u
ph

=
c


1
1-(2

2a )
2
=
2

1-(2

2a )
2
(F.15)
9

=
2a
2
g
=
2a
2

1 (2

2a )
2
(F.16)
Las lneas de campo resultante de la superposicin de las dos ondas planas uniformes se
muestran en la Fig. F.7.
Una aproximacin completamente diferente para la explicacin de la propagacin de on-
das en una gua de onda rectangular se muestra en la Fig. F.8.
Fig. F.8 Para la explicacin de la propagacin de ondas en gua de onda rectangulares con la
ayuda de un modelo consistente de secciones de lneas de transmisin TEM.
a) Lnea de transmisin de cintas en la direccin longitudinal
b) Stub paralelo cortocircuitado.
c) Modelos circuitales.
Fig. F.7 Lneas de campo de la
onda fundamental (modo TE
10
)
en la gua de onda rectangular.
a) Lneas de los campos E y H
b) Distribucin de la densidad
de corriente sobre las pare-
des de metal.
10

Para esto la gua de onda rectangular (Fig. F.8a) es representado por el esqueleto de
lnea en la Fig. F.8b (ver tambin las lneas punteadas en la Fig. F.8a). La estructura en
la Fig. F.8b pueden considerarse como una lnea de transmisin de cinta corriendo en la
direccin longitudinal, el cual est conectado a un stub en paralelo a una distancia de oz.
Para oz << zo4 los sectores serie representan inductores, y los stubs en paralelo,
para o2 < S4 zo, pueden ser descritos como circuitos resonantes paralelos, donde la
frecuencia de resonancia, de este circuito resonante, es para la frecuencia c = c zo
para el cual zo4 = o2 se cumple (lnea de transmisin cortocircuitada de zo 4 ).
Para zo4 > o2 (ver Fig. F.8c, derecha superior) el circuito resonante presenta un
comportamiento inductivo. El circuito equivalente de la lnea de transmisin resultante
nicamente contiene inductancias. Tal estructura de la lnea de transmisin es un divisor
de voltaje inductivo sobre el cual no es posible ninguna propagacin de onda. Para fre-
cuencias ms altas, cuando zo4 > o2 (ver Fig. F.8c, derecha inferior), el circuito re-
sonante paralelo es capacitivo. El circuito equivalente resultante de la lnea de transmi-
sin contiene inductancias serie y capacitares paralelos, por lo que es posible la propa-
gacin de ondas.
Una descripcin matemtica de la propagacin de la onda es obtenida usando una solu-
cin rigurosa de las ecuaciones de Maxwell ms las condiciones de frontera en las super-
ficies metlicas. Aqu, nicamente los resultados de este anlisis son reproducidos.
El campo elctrico tiene nicamente una componente cartesiana, oscila en la direccin y
est dado por:
F
y
(x, z) = _
2
a h
U

Sen[
a
a
x e
-jZ
(F.17)
Se puede observar que F
y
es dependiente no solo de la coordenada de propagacin z,
sino tambin de la coordenada transversal x. Debido a que las componentes tangencia-
les del campo elctrico deben desaparecer en la superficie (de un ideal) conductora, por
lo que:
F
y
(x = , z) = F
y
(x = a, z)
=
2a
2
g
=
2a
2

1 (2

2a )
2

La intensidad del campo es mximo para x = o2 en el centro de la gua de onda y as:
|F
y
|
mux
= _
2
u b
|u
0
|, donde u
0
representa un voltaje introducido arbitrariamente.

El correspondiente campo magntico tiene tanto componente transversal H
x
(x, z) como
componente longitudinal H
z
(x, z).

La componente transversal H
x
est en fase con F
y
y tambin tiene la misma dependen-
cia espacial, por lo que tendremos:
11

H
x
(x, z) =

_
2
a h
U

Sen[
a
a
x e
-jZ
(F.18)
La relacin de F
y
a (H
x
) es la misma en cada punto de la seccin transversal z = cons-
tante y dado por la impedancia de onda:
F
y
(x,z)
-H
x
(x,z)
=
w

= Z

(F.19)
Para la componente longitudinal E
z
uno obtiene:
H
Z
(x, z) = j
a
a

1
w

_
2
a h
U

Cux [
a
a
x e
-jZ
(F.20)
El cual est desfasado en /2 con respecto a las componente transversales de F y H, en
contraste con estos, posee su mximo valor (magnitud en las paredes laterales de metal
en x = 0 y x = a. Las dependencias espaciales de los componentes del campo en las Ec.
(F.17) a Ec. (F.20) estn en concordancia con las lneas de campo mostradas en la Fig.
F.7.

El tipo de onda considerado hasta ahora es referido como modo TE
10
. Aqu, se designa
TE para el campo elctrico transversal y el 1 significa que el nmero de semiondas en
la direccin x es 1. En la direccin y el ampo es constante (ndice 0). Para altas fre-
cuencias los modos de rdenes superior denominados TE
nm
y TM
nm
pueden propagarse.
Caractersticas de estos modos pueden tomarse de la literatura dado en la bibliografa.

De acuerdo a la Fig. F.9 tanto el modo TE
20
como el modo TE
10
son capaces de propa-
garse a partir de la frecuencia de
C20
= 2
C10
. Cuando exista una relacin de ob = 2,
por lo que un rango de una octava de frecuencia est disponible para funcionamiento de
un solo modo.


Fig. F.9. Rango de existencia para varios tipos de ondas de propagacin en la gua de
onda rectangular (a = 2b)
12

L1 CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR GUNN
1. INTRODUCCION
La potencia de microondas, es decir, potencia electromagntica en el rango de frecuen-
cia de GHz, puede ser generada usando diferentes fenmenos fsicos. Algunos ejemplos
de estos son los osciladores con tubos de vaco, tales como el klystrn y el magnetrn, u
osciladores con semiconductores, tales como oscilador con FET, el oscilador GUNN y el
oscilador Impatt. A continuacin se describir algunos simples experimentos para cono-
cer el funcionamiento de un oscilador a diodo Gunn, a travs de sus curvas caractersti-
cas: I
G
- V
G
, f - V
G
,

P

-

V
G.

2. EFECTO GUNN
En algunos materiales semiconductores, tales como el arseniuro de galio (GaAs), la movi-
lidad
1
de los electrones disminuye por encima de un valor umbral E
TH
de la intensidad de
campo elctrico (ver figura 1.1, lado izquierdo). As, cuando la intensidad de campo elc-
trico se incrementa, cada vez ms electrones se transfieren a un estado en el cual su
masa efectiva crece por lo que su velocidad disminuye. Para intensidad de campo con
E > E
TH
los electrones tienen una movilidad diferencial negativa, es decir, un incremento
en la intensidad de campo resulta en una disminucin de la velocidad de difusin (drift).
Cuando la intensidad de campo elctrico en un bloque con GaAs dopado homognea-
mente (sin capa de barrera!) es mayor que el valor umbral E
TH
, se produce, la inestabi-
lidad de la carga espacial como consecuencia de la movilidad diferencial negativa.
Mientras que cualquier exceso aleatorio local o deficiencia de electrones desaparecern
por s mismo cuando se presenta una movilidad diferencial positiva, este exceso o defi-
ciencia se incrementar bajo una movilidad diferencial negativa. En el lado derecho supe-
rior de la Fig. 1.1, se asume un exceso de electrones. El incremento resultante del au-

1
Movilidad de los electrones: que es igual al cociente de la velocidad de difusin u entra la intensidad de campo elctri-
co E.
13

mento de la intensidad de campo en el lado del nodo produce una disminucin de la
velocidad de difusin :
2
, en el lado del nodo, relativo a la velocidad de difusin :
1
en el
lado del ctodo (disminucin de la intensidad de campo). Esto causa una zona de racimo
(bunching) que genera una capa enriquecida de portadores (capa de acumulacin). Un
efecto anlogo ocurre ante una deficiencia aleatoria de electrones, en cuyo caso ocurre
una capa empobrecida o capa de agotamiento (ver figura 1.1; lado derecho y central).
Cuando las capas empobrecidas y enriquecidas se aproximan una al otro, ellos se atraen
uno al otro y se desplazan juntos a travs del diodo en la forma de un dominio (ver Fig.
1.1, lado derecho inferior). El campo en el interior del dominio puede ser tan alto que el
campo exterior cae por debajo del valor umbral E
TH
. As, ningn dominio nuevo se forma-
ra hasta que el existente haya desaparecido en el nodo.
Si el diodo Gunn, no estuviera conectado a un resonador (circuito sintonizado), la fre-
cuencia de la potencia de microondas generada sera determinada por el tiempo que le
toma a los dominios (velocidad aproximada de 10
7
cm/s) pasar a travs del diodo (tiempo
de trnsito). Si, por lo contrario, el diodo Gunn funciona dentro de un resonador, la fre-
cuencia del resonador se impondr sobre la del diodo Gunn. Existen diversos modos de
operacin (modo retardado, modo de hacer cola, modo LSA).
El modo de dominio retardado es brevemente descrito aqu, como un ejemplo. Ocurre
cuando la frecuencia del resonador es menor a la frecuencia de trnsito. En el momento
en que el dominio alcanza el nodo, el valor momentneo del voltaje del diodo (= voltaje
de polarizacin + voltaje de RF) es menor que el valor umbral. La formacin de un nuevo
dominio es retardada hasta que el voltaje excede el valor umbral, as impondr la fre-
cuencia de oscilacin del resonador a la del elemento Gunn.
3. CAVIDAD RESONATE PARA EL DIODO GUNN
Uno de los muchos posibles tipos de resonadores en la tecnologa de microondas es el
resonador de cavidad rectangular. En la Fig. 1.2, lado izquierdo, muestra una cavidad
rectangular encerrado en todos sus lados por paredes metlicas. Similar a un circuito
resonante conformado por una inductancia y capacitancia, oscilaciones de los campos
elctricos variables a una cierta frecuencia (=frecuencia de resonancia o) pueden tam-
bin existir en una cavidad resonante.
En este caso la energa es almacenada alternadamente en el campo elctrico y el campo
magntico. Mientras que un circuito resonante (ideal) tiene una sola frecuencia de reso-
nancia, una cavidad resonante tiene un nmero infinito de tipos de oscilacin y frecuen-
cias de resonancia. La Fig. 1.2 (izquierdo) muestra los campos elctricos y magnticos
para el tipo de oscilacin con la frecuencia de resonancia ms baja (resonancia TE
101
) y
para tres diferentes instantes de tiempo, separados a intervalos de un cuarto del perodo
I = 1
0

Una vista lateral de la cavidad resonante y las variaciones de la intensidad de campo
elctrico como una funcin de la coordenada Z se muestra en el medio de la Fig. 1.2. La
frecuencia de resonancia de este tipo de oscilacin es calculado (dielctrico el aire) de
acuerdo a la frmula:
14

=
15

r
_
1
a
2
+
1
x
2
con
0
en uBz; a, s en cm (1.1)
Detalles ms especficos sobre cavidades resonantes se tratarn en experimentos poste-
riores.

IZQUIERDA: Oscilacin TE
101

en un resonador de cavidad
rectangular.
MEDIO: Dependencia de la
intensidad de campo elc-
trico E con la coordenada
longitudinal z para la reso-
nancia TE
101
.
DERECHA: Dos posibles configu-
raciones para el oscilador Gunn.
Configuracin B se usar en esta
experiencia.
Fig. 1.2 Diseo bsico del oscilador Gunn.
Las oscilaciones electromagnticas de la cavidad resonante son atenuadas debido a las
prdidas que ocurren en las paredes metlicas. Despus de instalar el elemento Gunn, el
cual transforma la potencia DC en potencia de microondas, suficiente potencia de micro-
onda es alimentado dentro del resonador para compensar las prdidas en las paredes y
para lograr una oscilacin continua y sostenida. Para obtener un oscilador de microonda,
el resonador deber tambin tener una abertura a travs del cual la potencia puede ser
alimentada a una carga. En este caso, el elemento Gunn deber generar no slo sufi-
ciente potencia de microondas para compensar las prdidas en las paredes, sino tambin
la mayor cantidad de potencia generalmente requerida por la carga.
El conformar un oscilador Gunn a partir de una cavidad resonante requiere:
1) Que el diodo Gunn sea acoplado al resonador.
2) Que la carga sea acoplada al resonador.
15

La Fig. 1.2, lado derecho, muestra dos posibles configuraciones. En la configuracin (B),
el diodo Gunn es acoplado al resonador usando un poste metlico, y la carga es acopla-
da usando abertura (agujero o ranura, diafragma). Del bosquejo de la distribucin del
campo elctrico longitudinal en la configuracin (B), vemos que los planos del eje del pos-
te y la abertura pueden ser considerados como planos de corto circuito para el propsi-
to de estimar la frecuencia de resonancia. En la configuracin A (Fig. 1.2, superior dere-
cho) el poste metlico cumple ambas funciones, es decir el acoplamiento del resonador
al elemento Gunn como tambin a la carga.
En el presente experimento un oscilador construido de acuerdo a la configuracin (B) es
usado. En contraste a esto, en el experimento L3 se experimentar con un oscilador sin-
tonizado mecnicamente de acuerdo a la configuracin (A).
OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA
1. Caracterizar el funcionamiento del oscilador a diodo Gunn mediante las curvas de
I
G
-V
G
, f - V
G
, V
D
- V
G
.
2. Familiarizarse con el uso del frecuencmetro de absorcin para medir frecuencias de
las seales que se propagan en la gua de onda.
EQUIPOS REQUERIDOS

1 oscilador Gunn 73701
1 unidad bsica 737021
1 detector coaxial 73708
1 aislador de ferrita 73706
1 transicin GO/coaxial 737035
1 frecuencmetro 73716
1 osciloscopio
2 cables coaxiales con conectores BNC
PROCEDIMIENTO
1. Visualmente estudie el diseo del oscilador, viendo la hoja de especificaciones del
dispositivo, en el que se muestra sus partes.
1.1 Desarme el oscilador Gunn aflojando los tornillos. Retire la lmina metlica (plano de
corto circuito), el diafragma y la pieza recta de gua de onda, del oscilador Gunn.
1.2 Considere la cavidad resonante y comprelo con el de la Fig. 1.2 (lado derecho). De-
termine el ancho de la gua de onda a y la distancia s (mostrado en la Fig. 1.2,
configuracin (B)) del eje del poste al plano de la brida (en donde est ubicado el dia-
fragma)
1.3 Vuelva a ensamblar las partes del oscilador Gunn desarmado, es decir, vuelva a co-
nectar el plano de cortocircuito y la gua de onda recta en el mdulo Gunn.
2. Curvas caractersticas del oscilador Gunn, con todas sus partes.
16

2.1 Ensamble y configure el circuito como en la Fig. 1.3, con el oscilador con todas sus
partes. No encienda la unidad bsica.
2.2 Conecte la unidad bsica al oscilador Gunn usando el cable coaxial. Fije la perilla
giratorio del voltaje de alimentacin al diodo Gunn, U
G
= 0 V.
2.3 Conecte la salida del detector cuadrtico con la entrada a un canal del osciloscopio.
Establezca el acoplamiento del canal en DC y el rango de medicin para mediciones
de aproximadamente 2 a 100 mV.
2.4 Encienda la unidad de la fuente de alimentacin del Gunn. Incremente el voltaje de
alimentacin V
G
de 0 a 10V en pasos de 0.5 V. Al mismo tiempo lea la corriente DC,
I
G
y entre este resultado en la columna 2 de la tabla 1.1, hasta que se observe una
seal DC negativa de V
D
(proporcional a la potencia de microondas del oscilador
Gunn). Registre el valor de V
D
y la frecuencia de resonancia para la mxima absor-
cin, registre estos valores en las columnas 3 y 4 de la Tabla 1.1. Despus de cada
medicin de frecuencia, retire al frecuencmetro de la condicin de resonancia para
no alterar la medicin de V
D
. En el osciloscopio, mantener siempre la menor escala
de amplificacin vertical que permita ver la seal DC de V
D
.
3. Curvas caractersticas del oscilador Gunn, sin el diafragma.
3.1 Remover el diafragma retirando los 4 tornillos y vuelva a conectar el oscilador con la
gua de onda recta y la placa de cortocircuito.
3.2 Repita los experimentos como los indicados en el paso 2.4 y llene los resultados en
las columnas correspondientes de la Tabla 1.1.
4. Curvas caractersticas del oscilador Gunn, sin la placa de cortocircuito.
4.1 En el circuito anterior, reinserte el diafragma y retire la placa del cortocircuito.
4.2 Repita los experimentos como los indicados en el paso 2.4, y registre los resultados
en las columnas correspondientes de la Tabla 1.1.


Fig. 1.3 Circuito para la experiencia del paso 2.

17

TABLA 1.1 DATOS PARA GRAFICAR SUS CURVAS CARACTERISTICAS
TODOS SUS COMPONENTES SIN DIAFRAGMA SIN CORTOCIRCUITO
VG
(V)
IG
(mA)


(GHz)
VD
(mV)
IG
(mA)


(GHz)
VD
(mV)
IG
(mA)


(GHz)
VD
(mV)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0

PREGUNTAS
1. Aproximadamente calcule la frecuencia del oscilador de acuerdo a la Ec. (1.1), espe-
cificado para la frecuencia de resonancia del resonador de cavidad rectangular. Para
esto use el dato geomtrico determinado en el experimento del paso 1.2. Aqu asumi-
r una resonancia TE
101
con planos de corto circuitos efectivos para la ubicacin en
el eje del poste y el diafragma. Ver Fig. 1.2 derecha inferior, tambin.
2. Asumiendo que la capa activa en el GaAs tiene un espesor de 10 um, determine del
valor del voltaje umbral V
TH
(voltaje por encima del cual la movilidad diferencial llega
a ser negativa), el valor umbral de la intensidad de campo elctrico E
TH
en KV/cm. La
cada de voltaje fuera de la capa activa puede ser ignorado aqu, y asumir una distri-
bucin espacial homognea de la intensidad del campo.
3. Asumiendo una velocidad del dominio de 10
7
cm/s, determine la frecuencia de trnsito
del elemento Gunn.
4. Grafique las curvas caractersticas para cada caso.
18

5. Explique las diferencias de las respuestas obtenidas en el experimento de los pasos
(con diafragma y plano de corto), (sin diafragma pero con placa de cortocircui-
to) y (sin placa de cortocircuito, pero con diafragma).
6. Se comporta como un VCO el oscilador Gunn? Porque?
7. Cul es el rango de frecuencias para el que solo se propaga el modo dominante?
BIBLIOGRAFIA
Simples trabajos introductorios
[1] S. Y. Liao: Microwave Devices and Circuits. Prentice Hall, New Jersey, 1980
[2] H. V. Shurmer: Microwave Semiconductor Devices. Oldenbourg, Munich, 1971
[3] B. G. Bosch, R. W. H. Engelmann: Gunn-Effect Electronics. Pitmann Publishing, Lon-
don, 1975
[4] K. Kurokawa: Microwave Solid State Oscillator Circuits. In: M. Howes, D. Morgan
(Eds.): Microwave Devices, Device Circuit Interactions, Wiley, London 1976.
[5] J. E. Carroll: Hot Electron Microwave Generators. Edward Arnold, London 1970
[6] F. Sterzer: Transferred Electron (Gunn) Amplifiers and Oscillators for Microwave Ap-
plications. Proceedings IEEE, 59, 1155-1163 (1971).
Monografias originales
[7] C. P. Jethwa and R. L., Gunshor: An Analytical Equivalent Circuit Representation for
Waveguide-mounted Gunn Oscillators. IEEE Trans. Microwave Theory Tech.,
MTT-20, 565- 572 (1972)
[8] J. F. White: Simplified Theory for Post Coupling Gunn Diodes to Waveguides. IEEE
Trans. Microwave Theory Tech., MTT-20, 372-378 (1972)
















19

L3 SINTONIZACION MECANICA Y
MODULACION DEL OSCILADOR GUNN
1 FUNDAMENTO DE LA SINTONIZACION MECANICA
El oscilador Gunn usado en todos los experimentos realizados con este sistema de en-
trenamiento ya ha sido investigado experimentalmente en el experimento 1: curvas carac-
tersticas del oscilador Gunn.
En el ensamblado del oscilador Gunn, sus configuraciones basicas, para la cavidad
resonante, se muestran en la Fig. 2.1.
Aqu, el espacio del resonador en el
que se genera la oscilacin con una
distribucin de campo E(z) como el
mostrado en la Fig. 2.1, es formado
por el volumen delimitado entre el dio-
do Gunn y el diafragma. Cuando el
diodo Gunn es alimentado con un vol-
taje fijo, permite que el resonador osci-
le a una frecuencia fija determinado por
las dimensiones geomtricas. Para
poder tener la posibilidad de llevar a
cabo una correccin fina a la frecuen-
cia del oscilador durante su funciona-
miento, el oscilador Gunn es equipado
con un tornillo dielctrico para sintoni-
zacin como se muestra en la configu-
racin bsica de la Fig. 2.1a. Cuando
el tornillo de sintonizacin penetra pro-
fundamente dentro del resonador, la
energa almacenada en el campo elc-
trico es incrementable por lo que la
frecuencia de resonancia disminuir
para mantener el balance con la
energa del campo magntico.
La Fig. 2.1 muestra las diferentes con-
figuraciones para el oscilador Gunn:
(a) Configuracin bsica, con volu-
men del resonador entre el diodo Gunn
y el diafragma (ver tambin la
distribucin de campo E(z), placa de
cortocircuito tornillo dielctrico de
sintonizacin (Pre establecido por el fabricante)).
Fig. 2.1 Diversas configuraciones de la
cavidad resonante de un oscilador Gunn
20

(b) Configuracin con un tornillo dielctrico de sintona ajustable para variar la
frecuencia.
(c) Configuracin modificada, con el volumen del resonador entre el corto desplaza-
ble y el elemento Gunn (ver distribucin de campo E(z)).
El tornillo de sintonizacin de la configuracin (a) no debe ser ajustado durante la realiza-
cin del experimento. Para ser capaz de investigar sistemticamente los efectos de la
profundidad de penetracin del tornillo dielctrico sobre la frecuencia de oscilacin en
estos experimentos, el tornillo dielctrico de sintonizacin fijo deber ser reemplazado
por la unidad de sintonizacin dielctrica. Con esta unidad es posible realizar una posi-
cin precisa de la profundidad de penetracin usando un tornillo con micrmetro (ver Fig.
2.1b).
Para poder lograr una frecuencia de oscilacin sintonizable, variando las dimensiones del
espacio resonador, se usar la configuracin de la Fig. 2.1c en lugar de las configuracio-
nes Fig. 2.1a y Fig. 2.1b. Para ello, el diafragma es removido primero, para que no se
forme un resonador en el rea a la derecha del elemento Gunn (ver Fig. 2.1c). El volumen
del resonador esta entonces localizado en el espacio entre el corto desplazable y el diodo
Gunn. De nuestra investigacin de la resonancia TE
101
resulta la frecuencia del oscilador.

=
15

r
_
1
a
2
+
1
x
2
con
0
en GHz; a, s en cm (2.1)
Aqu a = 22.86 mm, es el ancho de la gua de onda, S es la distancia entre la posicin del
corto desplazable y la posicin del elemento Gunn; es ajustable y de acuerdo a la Ec.
(2.1), la frecuencia de oscilacin tambin.
2 FUNDAMENTO DE LA MODULACION
Una fuente de microonda modulada en amplitud es requerida para realizar algunos expe-
rimentos del laboratorio de microondas. Esta fuente genera el necesario campo electro-
magntico a frecuencia de microondas para una carga conectado en el circuito de micro-
ondas. Slo a travs de la modulacin es posible realizar una deteccin selectiva en fre-
cuencia de la seal recibida y demodulada y as lograr una supresin efectiva del ruido.
Para el diseo de una fuente de microonda modulada existen dos opciones mostradas en
las Fig. 2.5 y Fig. 2.6.
1. Modulacin directa del oscilador Gunn.
2. Modulacin indirecta, con un externo modulador a diodo PIN.
2.1 MODULACIN DIRECTA DEL OSCILADOR GUNN
La modulacin directa del oscilador Gunn es una forma de realizar la modulacin sin
equipo adicional pero tambin sin los mejores resultados. Como se sabe (de los resulta-
dos de la primera experiencia del oscilador Gunn) la potencia de microondas emitida (y el
espectro emitido) es fuertemente dependiente del voltaje del diodo Gunn. Ms aun, estn
sujetas a considerables tolerancias de los fabricantes de osciladores Gunn. Debido a
21

esta dependencia con el voltaje al diodo Gunn, la potencia de microondas emitida presen-
ta discontinuidades o irregularidades.
En otro experimento se muestra que en el caso de modulacin de amplitud del voltaje del
oscilador Gunn, y cuando el punto de operacin (voltaje de alimentacin) est en las
proximidades de una discontinuidad, una ligera variacin en el voltaje al diodo Gunn con-
duce a una considerable variacin en la potencia emitida y por ello a una seal demodu-
lada de gran tamao. Sin embargo, si el punto de trabajo es seleccionado cerca de una
discontinuidad (aproximadamente 4 V), una de las consecuencias es que el espectro emi-
tido contiene muchos diferentes componentes de frecuencia. Pero debido al hecho de
que todas las componentes de un circuito de microondas estn diseadas a una frecuen-
cia de 9.4 GHz, y normalmente tienen un ancho de banda muy angosto, los resultados de
las mediciones para este caso son con frecuencia insuficientes y requieren explicacin.
Las Fig. 2.2 y Fig. 2.3 proporcionan ejemplos de los espectros emitido por el oscilador
Gunn para voltajes V
G
de 4 V y 8 V respectivamente. El espectro ms puro (modoTE
101
a
9.4 GHz y modo TE
202
a 18.8 GHz) se obtienen generalmente para un voltaje Gunn supe-
rior a los 8 V.
As mismo, la potencia de microonda emitida slo cambia muy ligeramente en el rango de
voltajes Gunn ms altos (7 V < V
G
< 10 V), cuando el voltaje Gunn es variada (caracters-
tica plana). Esto produce una seal demodulada muy pequea. Esto significa que en el
rango donde el diodo Gunn emite un espectro puro (para V
G
8V), la modulacin directa
es posible nicamente para una desviacin de amplitud muy pequea.
Debido a que no existe un modulador con diodo PIN en el circuito de la Fig. 2.3, en estos
experimentos el punto de trabajo es establecido alrededor de los 4 V para generar una
seal modulada con ms fuertes variaciones de amplitud, a pesar de las desventajas que
conlleva.
Si se cuenta con un modulador a diodo PIN, es altamente recomendable que lo use (ver
procedimiento del paso 4) ya que con ello se lograr mejores resultados de las medicio-
nes.

Fig. 2.2 Espectro emitido para V
G
= 4 V
22



Fig. 2.3 Espectro emitido para V
G
= 8 V
En forma abreviada, el procedimiento para una modulacin directa interna de oscilador
Gunn, consiste en superponer una seal pulso rectangular a la tensin V
G
de alimenta-
cin al oscilador. El esquema para la configuracin de este experimento se muestra en la
Fig. 2.6
Como resultado de los pasos anteriores, el voltaje DC al diodo Gunn ser superpuesto
por una seal de onda cuadra con una frecuencia de 976 Hz y una amplitud de 300 mV.
Ver Fig. 2.4.

Fig. 2.4 Caracterstica principal del voltaje Gunn emitida por la unidad bsica (a travs de
la salida GUNN) para una modulacin interna. V
G
constituye el voltaje de alimentacin
establecida usando el potencimetro giratorio V
G
de la seccin GUNN POWER
SUPPLY de la unidad bsica.
2.2 MODULACION INDIRECTA CON EXTERNO MODULADOR A DIODO PIN
El esquema para la configuracin de este experimento se muestra en la Fig. 2.7. El osci-
lador Gunn genera una potencia de onda continua, es decir, su potencia de salida es
constante en el tiempo. La modulacin es realizada por un modulador externo a diodo
PIN. Dependiendo de su voltaje de control se tendr altos valores de sus coeficientes de
reflexin y transmisin. Para poder prevenir que cualquier reflexin indeseada llegue al
oscilador Gunn, este es aislado del resto del circuito por un aislador de ferrita. La unidad
que consiste del oscilador Gunn, el aislador y el modulador a diodo PIN, constituye una
configuracin tpica de uso frecuente en aplicaciones prcticas y es conocido por su fcil
manejo.
23

De este modo se evita las desventajas de la modulacin directa realizada a travs de la
alimentacin del diodo Gunn (sujeto a la discontinuidad), el cual es fuertemente depen-
diente de la tolerancia del fabricante. La seal modulada externamente es considerable-
mente mejor que la modulacin directa debido a que en este caso, las variaciones de
amplitud dependen nicamente del voltaje de control del modulador PIN. Como el diodo
Gunn puede funcionar para un punto de trabajo fijo, el espectro de microonda emitido no
es afectado por la modulacin. Informacin adicional puede obtenerse de la hoja de ins-
truccin para el modulador PIN.
Si dispone de un modulador a diodo PIN, le recomendamos usarlo en la modulacin para
obtener mejores resultados de las mediciones. El modulador PIN puede ser modulado
internamente o externamente. Para modulacin externa necesitar de un generador de
funciones adicional.
OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA
1. Realizar la sintonizacin del oscilador Gunn a otra frecuencia diferente a 9.4 GHz,
usando dos mtodos diferentes.
2. Realizar una modulacin interna y externa para el oscilador a diodo Gunn y entender
el funcionamiento del diodo PIN.
3. Familiarizarse con el uso de la lnea ranurada para medir la longitud de onda de la
gua de onda (z
g
) y calcular, indirectamente, la frecuencia de oscilacin de la seal
que se propaga en la gua de onda.
I) SINTONIZACION DEL OSCILADOR GUNN
EQUIPOS REQUERIDOS
1 Unidad Bsica 737 020
1 Oscilador Gunn 737 01
1 Unidad de sintona dielctrica 737 015
1 Aislador de Ferrita 737 06
1 Modulador a diodo PIN 737 05
1 Lnea de medicin ranurada 737 111
1 Detector en versin coaxial 737 03
1 Placa de cortocircuito 737 29
1 Cortocircuito desplazable 737 10
EQUIPO ADICIONAL REQUERIDO
3 Cables coaxiales con conectores BNC/BNC 501 022
2 Bases de soporte 301 21
2 Soportes para componentes de guas de onda 737 15
24

1 Varilla de soporte 301 26
1 Osciloscopio digital (opcional) 75 292
1 Registrador de XY (opcional) 575 663

Fig. 2.5 Configuracin para la experiencia, de acuerdo a la Fig. 2.1 (b), con el oscilador
con diafragma. a) Circuito de microondas. b) Diagrama funcional del circuito de mi-
croondas.
PROCEDIMIENTO
1. SINTONIA DEL OSCILADOR USANDO UNA UNIDAD DE SINTONIA DIELEC-
TRICA.
1.1 Ensamble el circuito para mediciones de acuerdo a la Fig. 2.5.
1.2 Altere la estructura del oscilador Gunn reemplazando el tornillo de sintona dielctri-
ca fija por la unidad de sintona dielctrica (737 015). En esta unidad, establecer
el tornillo micrmetro a 0 mm y luego insertarlo dentro del mdulo Gunn tal que la
varilla de tefln justo hace contacto con la pared superior.
25

1.3 Encienda la fuente de alimentacin del Gunn y establezca el voltaje V
G
de 810V.
Tambin conecte el modulador PIN a la unidad bsica.
1.4 Determine la frecuencia de la seal de microondas generada, en funcin de la pro-
fundidad de penetracin t (mm) del tornillo de sintona dielctrico. Lo siguiente se
aplica para la profundidad de penetracin:
t = 10 mm Valor en la escala del tornillo micrmetro.
Vare la profundidad de penetracin de 0 a 10 mm en pasos de 2 mm. Desplace la
posicin de la sonda de lnea ranurada para determinar la longitud zg de la gua de
onda zg2 es el resultado de la distancia de dos mnimos consecutivos en el pa-
trn de ondas estacionarias. Registre el valor de zg en la Tabla 2.1.
Tabla 2.1 Sintona dielctrica Tabla 2.2 Sintona mecnica
Profundidad de
penetracin
t (mm)
2
g

(mm)


(GHz)

x
(mm)
2
g

(mm)

(2
g
)
(mm)
x
(mm)

(x)
(mm)
0 10
2 12
4 14
6 16
8 18
10 20

2. SINTONIA MECANICA CON CORTOCIRCUITO MOVIL
2.1 Ensamble el circuito para mediciones de acuerdo a la Fig. 2.6.
2.2 Despus, configure el oscilador Gunn:
(a) Reemplazar la unidad de sintona dielctrica con el tornillo dielctrico de sinto-
na fija
(b) Retirar el diafragma, es decir, afloje los tornillos de conexin y retire el diafrag-
ma.
(c) Retire la placa de cortocircuito de la parte posterior del oscilador Gunn, luego
conecte el cortocircuito mvil y ajstelo al oscilador usando los dos tornillos lar-
gos.
2.3 Encienda la fuente de alimentacin del oscilador Gunn y establezca el voltaje V
G

entre 810V.
2.4 Conecte al oscilador: el modulador PIN, la lnea de medicin ranurada, el detector
cuadrtico y un cortocircuito fijo en el otro extremo. Conecte el oscilador, modulador
PIN y detector cuadrtico a la unidad bsica.
26

2.5 Determine la frecuencia de la seal de microondas como una funcin del cortotocir-
cuito mvil. Para ello, vari la distancia del plano de cortocircuito al plano del poste
del diodo Gunn, cambiando en pasos de 2 mm en el rango de 10 a 20 mm. La dis-
tancia S entre la posicin del poste del diodo Gunn y el cortocircuito mvil (ver Fig.
2.1c) est dado por la expresin:
S (mm) = X (mm) + 4.9
Desplace la sonda de la lnea ranurada para cada distancia S del cortocircuito mvil
y determine la distancia entre dos mnimos (nulos) consecutivos (= zg2) del pa-
trn de ondas estacionarias. Registre el valor de zg en la Tabla 2.2.


Fig. 2.6 Configuracin para la experiencia, de acuerdo a la Fig. 2.1c, con el oscilador
sin diafragma. a) Circuito de microondas. b) Diagrama funcional del circuito de microon-
das.
PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL
1.1. Determine la respectiva frecuencia de oscilacin o (0Ez) correspondiente a cada
particular profundidad de penetracin t(mm) del paso 1.4 (oscilador con tornillo de
27

sintonizacin dielctrico) usando los z
g
medidos y el conocido ancho de la gua de
onda a. La siguiente relacin puede serle de utilidad:
2
g
=
2

_
1 _
2

2 a
]
2
y

=
c
2


1.2. Compare los valores medidos de z
g
en el paso 2.3 con la particular distancia S del
corto mvil al eje del poste del diodo Gunn. Use la columna preparado para S en la
Tabla 2.2.
1.3. Tomando la anchura de la gua de onda en consideracin, calcula tericamente la
frecuencia del oscilador correspondiente a las varias posiciones del cortocircuito m-
vil y registre estos valores en la Tabla 2.2 (columna 5).
II) MODULACION DEL OSCILADOR GUNN
EQUIPOS REQUERIDOS
1 Unidad Bsica 737 020
1 Transicin de GO a coaxial 737 035
1 Oscilador Gunn 737 01
1 Aislador de Ferrita 737 06
1 Modulador a diodo PIN 737 05
1 Detector en versin coaxial 737 03
1 Atenuador variable 737 09
EQUIPO ADICIONAL REQUERIDO
3 Cables coaxiales con conectores BNC/BNC 501 022
2 Bases de soporte 7301 21
2 Soportes para componentes de guas de onda 737 15
1 Varilla de soporte 7301 26
1 Osciloscopio digital (opcional) 75 292
1 Registrador de XY (opcional) 575 663
1 Conector coaxial BNC tipo T.
PROCEDIMIENTOS
3. MODULACIN DIRECTA DEL OSCILADOR GUNN
3.1 Arme el circuito para el experimento de acuerdo a la Fig. 2.7.
3.2 Conecte el oscilador Gunn a la salida GUNN en la seccin GUNN POWER
SUPPLY de la unidad bsica.
28

3.3 En la seccin MODULATION de la unidad bsica, establezca el conmutador bas-
culante a GUNN INT.
3.4 Establezca el voltaje Gunn a aproximadamente 8 V (soporta hasta 10 V) usando la
perilla de control V
G
, de la seccin GUNN POWER SUPPLY de la unidad bsica.
3.5 Configure los amplificadores verticales del osciloscopio en acoplamiento DC, y sus
valores de escalas de amplitud al mnimo valor que permita ver la seal en cada
canal. En un canal se deber ver la seal moduladora (sale del conector T) y en el
otro canal, la seal demodulada (muy pequea). Mida los valores DC de cada se-
al.

Fig. 2.7 Esquema de conexin para la modulacin directa del oscilador Gunn. El conmu-
tador es establecido a GUNN INT en la seccin MODULATION de la unidad bsica.
3.6 Ahora, con acoplamiento en AC para cada canal, aumente la amplitud de las esca-
las verticales, hasta que se pueda apreciarlos adecuadamente en el osciloscopio.
La base de tiempo debe ser tal que permita ver cuatro o cinco periodos.
3.7 Dibuje las formas de onda de la seal modulada y demodulada, en ellas debern
estar indicados si sestan en fase o no. Mida las amplitudes pico-pico y los anchos
de los pulsos. Calcule el ciclo de trabajo de la seal moduladora. Registre sus resul-
tados en la Tabla 2.3

TABLA 2.3 DATOS EXPERIMENTALES DE LA SEAL MODULADORA Y DEMODULADA
Seal Vdc (V)
Amplitud
Pico-pico (V)
Ancho de pulso
en ALTO (mS)
Ancho de pulso
en BAJO (mS)
Ciclo de
trabajo (%)
Frecuencia
(Hz)
Moduladora
Modulada

29

4. MODULACION EXTERNA DEL OSCILADOR GUNN
4.1 Ensamble el circuito de la experiencia, como se muestra en la Fig. 2.8, y sin encen-
der la fuente de alimentacin de la unidad bsica, establezca la perilla de V
G
a 10 V.
4.2 Conecte el modulador a diodo PIN al conector BNC etiquetado como PIN de la
unidad bsica, en la seccin MODULATOR y fije el conmutador a la posicin
GUNN INT; establezca el atenuador a 10 dB.
4.3 Encienda la fuente de la unidad bsica.

Fig. 2.8 Esquema de conexin para modulacin con un modulador externo con diodo PIN
y seal de modulacin interna. Establezca el conmutador a PIN INT en la seccin
MODULATOR de la unidad bsica.
4.4 Con acoplamiento en DC para los amplificadores de los canales del osciloscopio,
(cercirese de estar configurado para cable X1) mostrar las dos seales, con las re-
ferencias de sus ejes en la referencia central del osciloscopio. Muestre 4 o 5 perio-
dos de la seal moduladora.
4.5 En esta experiencia, la seal moduladora es que alimenta a la unidad moduladora a
diodo PIN, y la seal demodulada (o envolvente) es la salida del detector cuadrti-
co.
4.6 Mida los valores de las caractersticas de la seal modulada y demodulada. Re-
gstrelos en la Tabla 3.2.
4.7 Dibuje las formas de onda (en un mismo eje) mostrando si estn o no en fase.

30

TABLA 3.2 DATOS EXPERIMENTALES DE LA SEAL MODULADORA Y DEMODULADA
Seal Vdc (V)
Amplitud
Pico-pico (V)
Ancho de pulso
en ALTO (mS)
Ancho de pulso
en BAJO (mS)
Ciclo de
trabajo (%)
Frecuencia
(Hz)
Moduladora
Modulada
5. MODULACION CON EL DIODO PIN Y SIN EL AISLADOR
5.1 Retire el aislador del circuito de la Fig. 3.8 y muestre el voltaje que alimenta al osci-
lador Gunn. Usted probablemente observar picos transitorios de muy corta dura-
cin (SPIKES) superpuestos a la seal DC, similar a los mostrados en la Fig. 3.9. El
origen de estos transitorios son las fuertes reflexiones de la seal de microondas
durante la fase del bloqueo del modulador PIN. Las seales reflejadas llegan al os-
cilador Gunn y a travs de un mezclado se genera indeseables voltajes spikes que
no pueden eliminarse.

Figura 3.9 Voltajes spikes en la tensin que alimenta al Gunn, sin aislador.

PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL
1. Grafique las frecuencias de sintona mecnica y terica versus distancia del corto
mvil, en una misma grfica, para comparacin. Determine el porcentaje de error e%.
2. De la gua de componentes de microondas, determine la designacin comercial de la
gua de onda para la banda X. Indique los valores estndares de a y b en mm.
3. Determine el rango de frecuencias en la que se propaga nicamente el modo domi-
nante, para la gua de onda del laboratorio.
4. Determine la potencia de una seal modulada, aplicada a una carga de impedancia

g
= 50 0. La envolvente es una seal rectangular de valor mnimo, V
m
= 0.5 V y el
valor mximo, V
M
= 2.0 V; de un periodo de 1.25 ms y ciclo de trabajo de 40 %.
5. Usando las grficas de la seal modulada con diodo PIN, indique la operacin fun-
cional del diodo PIN en el circuito de microondas.
6. Comente sus resultados.
1




















































2
























L2 EXPLORAR EL CAMPO FRENTE A UN PLANO DE
CORTOCIRCUITO Y UNA TERMINACION DE GUIA DE ONDA

1. LINEA RANURADA

Como se demostrar con particular cuidado en el posterior experimento sobre medicin
del coeficiente de reflexin, una reflexin al final de la lnea de transmisin tiene el efecto
de formar una distribucin espacial de mximos y mnimos de la intensidad de campo
total a lo largo de la lnea (ver: Fundamentos Bsicos). Basado en la relacin de los valo-
res de amplitud (mximo/mnimo) y de la ubicacin de estos valores extremos, se puede
evaluar la magnitud y fase del coeficiente de reflexin.
Fig. 2.1 Principio de la lnea de medicin ranurada
(vista despiezada)
Ranura en la gua de onda.
Sonda para campo elctrico = antena de varilla
corta.
Diodo detector cuadrtico
3


Si para este propsito, se desea medir la intensidad de campo a lo largo de la lnea de
transmisin (lnea ranurada), deber de tomar en consideracin lo siguiente:
a) El campo electromagntico en la gua de onda deber permanecer tan libre como sea
posible de perturbaciones. Este requerimiento se cumple si hacemos una ranura an-
gosta en el centro del lado ancho de la gua de onda (ver la Fig. 2.1 y comprelo con
la figura inferior de la Fig. F.7B).
b) Establecido una ranura en la gua de onda, su impedancia
0
, ver Ec. (F.18), se ver
ligeramente alterado. Esto puede ser compensado con un pequeo incremento en el
ancho a de la gua de onda, en la regin de la ranura.
c) Una sonda corta (dipolo elctrico) como el mostrado en la Fig. 2.1, proporciona un
voltaje a su salida, el cual es proporcional a la componente transversal de la intensidad
de campo elctrico |F
y
|. A la salida del detector (de ley cuadrtica) uno obtiene un vol-
taje:
I

= K. |E

|
2
(2.1)
En la Ec. (2.1), K es una constante con la dimensin
m
2
v
.
2. TERMINACION DE GUIA DE ONDA PARA
PROPAGACION LIBRE DE REFLEXIONES
Insertando un material absorbente en forma de cua, la potencia de la onda incidente es
completamente absorbida (aproximadamente). Esto en consecuencia suprime la reflexin
casi en su totalidad.
3. RELACION DE ONDAS ESTACIONARIAS (ROE)
La relacin de onda estacionaria (S, para VSWR = Voltaje Standing Wave Ratio; ROE en
espaol) para los campos elctricos electromagnticos (F

= F

+
+ F

-
) se define como:
ROF
F
max
F
m|n
=
1 + |I|
1 - |I|
(2.2)
y |I| =
ROF - 1
ROF + 1
(2.3)
OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA
1. Graficar la distribucin de la magnitud del campo elctrico transversal a lo largo del eje
de la gua de onda para Z
L
= u y Z
L
= Z
g
= Su ., carga adaptada (terminacin de
carga).
2. Medir directamente la ROE y calcular la magnitud del coeficiente de reflexin para
Z
L
Z
g
.
EQUIPO REQUERIDO
4

1 Oscilador Gunn 73701 1 Modulador a diodo PIN 73705
1 Unidad bsica 1 Lnea de medicin ranurada 73711
(fuente para el Gunn 1 Detector coaxial 73703
con medidor de SWR) 737020 1 Placa de corto circuito 73729
1 Aislador de ferrita 73706 1 Terminacin de gua de onda 73714
ACCESORIOS REQUERIDOS
3 Cables con conectores BNC, de 2 m c/u 501022
2 Soportes para componentes de gua de onda 73715
2 Bases para soportes de los componentes de gua de onda 30121
PROCEDIMIENTO
3 Monte el circuito para la experiencia, como se especifica en la Fig. 2.2.
4 Medicin con placa de cortocircuito.
4.1 Coloque la placa de cortocircuito en el extremo abierto de la lnea ranurada.
5

4.2 Fije la perilla ZERO totalmente anti horario, la ganancia (V/dB) a 25; el conmutador
a PIN INT; el selector de ganancia a 50 . Encienda la fuente de alimentacin de
la unidad bsica y fije V
G
entre 8V y 10 V (sugerencia: primero incremntelo hasta 10
V y luego ajustarlo al valor deseado).
4.3 Coloque la sonda de la lnea ranurada a su posicin ms extrema en la direccin de
la placa de cortocircuito. Empezando desde all desplace la sonda hasta la posicin
del primer valor mximo del voltaje del detector. Use la perilla ZERO para fijar el
mximo a O dB en la escala del medidor de aguja, y mantngalo durante toda la ex-
periencia (incluido para el procedimiento del paso 3).
Fig. 2.2 Montaje para la
experiencia.
a) Esquema fsico.
b) Esquema funcional.
6

De no lograr lo indicado, girar la perilla de ZERO totalmente anti horario y aumente
un paso ms de ganancia y repita el proceso. Anote la posicin x

del mximo.
4.4 Desplace la posicin de la sonda (incrementando la distancia de la placa de cortocir-
cuito a la sonda) en pasos de 2 mm, es decir, en posiciones |x
n
x

| = 2n mm.
Registre los valores (dB negativos) del voltaje del detector en la segunda columna
de la Tabla 2.1.
Lectura (dh) = 2lug_
|F(|x
n
x

|)|
F
max
_ cun F
max
= |F(x

)|
Finalice la medicin despus de exceder la posicin del segundo mximo.
4.5 Desplazando la posicin de la sonda determine la distancia Ax (mm) de las posicio-
nes de dos ceros consecutivos (valores mnimos). Registre los resultados en la lti-
ma lnea de la Tabla 2.1 (sugerencia: incrementando hasta dos pasos adicionales en
la escala de ganancia (V/dB) cuando se est cerca del mnimo, permitir determinar
con ms precisin su ubicacin).
Nota: Si valores negativos (deflexin negativa) ocurre en el indicador de aguja para
un rango establecido entre 0 u 50 dB, el voltaje V
G
deber ser cambiado para valores
entre 7 y 9V hasta que desaparezca el valor negativo.
5 MEDICION CON TERMINACION DE GUIA DE ONDA
PARA PROPAGACION LIBRE DE REFLEXIONES
5.1 Apague la fuente del oscilador Gunn y remplace la placa de cortocircuito con una
terminacin de gua de onda libre de reflexiones (carga adaptada).
5.2 Desplace la sonda en posiciones con paso de 2 mm en la misma posicin como en el
experimento del paso 2.4 (ver tambin Tabla 2.1). Lea el voltaje del detector y regis-
tre estos resultados en la Tabla 2.2.
6 MEDICION DE LA ROE PARA UNA CARGA ARBITRARIA
6.1 Usando una terminacin de carga y un paraleleppedo de color negro (muestra de
grafito), confeccionar una impedancia de carga para la gua de onda, Z
L
Z
g
=
5 u .
6.2 Apague la fuente del oscilador Gunn y remplace la carga adaptada por la carga con-
feccionada. Desplace la sonda hasta ubicar un mximo. Con la perilla ZERO posi-
cione la aguja en la escala inferior para ROE = 1 (0 dB en la escala superior).
6.3 Desplace la sonda, alejndose de la carga, hasta ubicar un mnimo. Lea directamen-
te el valor de la ROE de la carga y regstrelo en la Tabla 2.3. Calcule el valor de |I|.








7

Table 2.1
Posicin de la sonda
|x-x
0
| en mm
Lectura (dB)
2lug_
|F(|x
n
x

|)|
F
max
_

|F(|x
n
-x

|)|
F
max


Cux _
2a
2
g
|x
n
x

|_
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Distancia entre ceros
x(mm) = ---------------
g = ------------- mm


Tabla 2.2
Position de la sonda
|x-x
0
| en mm
Lectura (dB)
2lug_
|F(|x
n
x

|)|
F
max
_

|F(|x
n
-x

|)|
F
max


Cux _
2a
2
g
|x
n
x

|_
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28

Nota: V
max
es el valor del voltaje mximo de la onda estacionaria frente a la placa de cortocircuito.

Tabla 2.3
ROE = __________ |I| = ____________

8

PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL
1. Determine la longitud de onda
g
de la onda propagndose en la gua de onda, en
mm, a partir de la distancia entre ceros consecutivos.
2. Basados en el resultado para
g
, determinado en la pregunta anterior, y conocido el
ancho de la gua de onda a = 22.8 mm, calcular la longitud de onda en el espacio li-
bre

y la frecuencia de oscilacin de los campos.


3. Calcular los valores numricos de la velocidad de fase :
ph
y la constante de fase ,
de acuerdo a las Ec. (F.14) y Ec. (F.16) y tambin el ngulo (ver Fig. F.6) de
acuerdo a la Ec. (F.12).
4. Basado en las resultantes de la pregunta 3, pruebe la validez de la ecuacin.
u
ph
=
c
Senu
(Ver Fig. F.6)
5. Cul es la frecuencia de corte c de la onda TE
10
en la gua de onda rectangular, y
a partir de que frecuencia el modo TE
20
es capaz de propagarse? Para responder,
vea tambin la Fig. F.9.
6. Basado en los valores mostrados en los instrumentos de medicin determinados ex-
perimentalmente en el punto 2.4, calcule la relacin de los voltajes respectivos (in-
tensidades de campo) al valor mximo y regstrelos en la tercera columna de la Tabla
2.1.
7. De acuerdo a la Fig. F.4e la distribucin de voltaje (distribucin de la intensidad de
campo ) es
|F(|x
n
x

|)|
F
max
= Cux _
2a
2
g
|x
n
x

|_
Registre los valores resultantes de esta ecuacin en la cuarta columna de la Tabla
2.1 y compare estos valores con los de la tercera columna. Discuta las posibles cau-
sas, si ocurre desviaciones entre los valores de las ltimas dos columnas.
8. Usando los valores de las mediciones observadas y determinadas experimentalmen-
te en el paso 3.2, calcule la relacin de los voltajes respectivos (intensidades de
campo) al valor mximo y regstrelos en la tercera columna de la Tabla 2.2.
9. Discuta los resultados obtenidos en la pregunta anterior.
10. Calcule tericamente las ubicaciones de los mximos y mnimos del campo elctrico
electromagntico y comprelos con los obtenidos experimentalmente. Comente sus
resultados.
11. Calcule tericamente las ubicaciones de los mximos y mnimos del campo magnti-
co electromagntico.



9

BIBLIOGRAFIA

1. T.A. Johnk: Engineering Electromagnetic Field and Waves. Wiley & Sons, New York,
1975.
2. Altmann: Microwave Circuits, Van Norstrand, 1964.
3. F.E. Gardiol: Introduction to Microwaves, Artech House, Dedham, 1984.
4. M. Sucher, J. Fox: Handbook of Microwave Measurements, Polytechnic Press,
Brooklyn (NY), 1963.
5. C.G. Montgomery: Techniques of Microware Measurements, Mc Graw Hill, New
York, 1947.
6. R.E. Collin: Field theory of Guided Waves, Mc Graw Hill, New York, 1947.
7. R.F. Harrington: Time Harmonic Electromagnetic Fields, Mc Graw Hill, New York,
1960.
8. S.F. Adam: Microware theory and Applications. Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1969.




























10

L3 SINTONIZACION MECANICA Y
MODULACION DEL OSCILADOR GUNN
7 FUNDAMENTO DE LA SINTONIZACION MECANICA
El oscilador Gunn usado en todos los experimentos realizados con este sistema de en-
trenamiento ya ha sido investigado experimentalmente en el experimento 1: curvas carac-
tersticas del oscilador Gunn.
En el ensamblado del oscilador Gunn, sus configuraciones basicas, para la cavidad
resonante, se muestran en la Fig. 3.1.
Aqu, el espacio del resonador en el
que se genera la oscilacin con una
distribucin de campo E(z) como el
mostrado en la Fig. 3.1, es formado
por el volumen delimitado entre el dio-
do Gunn y el diafragma. Cuando el
diodo Gunn es alimentado con un vol-
taje fijo, permite que el resonador osci-
le a una frecuencia fija determinado por
las dimensiones geomtricas. Para
poder tener la posibilidad de llevar a
cabo una correccin fina a la frecuen-
cia del oscilador durante su funciona-
miento, el oscilador Gunn es equipado
con un tornillo dielctrico para sintoni-
zacin como se muestra en la configu-
racin bsica de la Fig. 3.1a. Cuando
el tornillo de sintonizacin penetra pro-
fundamente dentro del resonador, la
energa almacenada en el campo elc-
trico es incrementable por lo que la
frecuencia de resonancia disminuir
para mantener el balance con la
energa del campo magntico.
La Fig. 3.1 muestra las diferentes con-
figuraciones para el oscilador Gunn:
(d) Configuracin bsica, con volu-
men del resonador entre el diodo Gunn
y el diafragma (ver tambin la
distribucin de campo E(z), placa de
cortocircuito tornillo dielctrico de
sintonizacin (Pre establecido por el fabricante)).
Fig. 3.1 Diversas configuraciones de la
cavidad resonante de un oscilador Gunn
11

(e) Configuracin con un tornillo dielctrico de sintona ajustable para variar la
frecuencia.
(f) Configuracin modificada, con el volumen del resonador entre el corto desplaza-
ble y el elemento Gunn (ver distribucin de campo E(z)).
El tornillo de sintonizacin de la configuracin (a) no debe ser ajustado durante la realiza-
cin del experimento. Para ser capaz de investigar sistemticamente los efectos de la
profundidad de penetracin del tornillo dielctrico sobre la frecuencia de oscilacin en
estos experimentos, el tornillo dielctrico de sintonizacin fijo deber ser reemplazado
por la unidad de sintonizacin dielctrica. Con esta unidad es posible realizar una posi-
cin precisa de la profundidad de penetracin usando un tornillo con micrmetro (ver Fig.
3.1b).
Para poder lograr una frecuencia de oscilacin sintonizable, variando las dimensiones del
espacio resonador, se usar la configuracin de la Fig. 3.1c en lugar de las configuracio-
nes Fig. 3.1a y Fig. 3.1b. Para ello, el diafragma es removido primero, para que no se
forme un resonador en el rea a la derecha del elemento Gunn (ver Fig. 3.1c). El volumen
del resonador esta entonces localizado en el espacio entre el corto desplazable y el diodo
Gunn. De nuestra investigacin de la resonancia TE
101
resulta la frecuencia del oscilador.

=
15

r
_
1
a
2
+
1
x
2
con
0
en GHz; a, s en cm (3.1)
Aqu a = 22.86 mm, es el ancho de la gua de onda, S es la distancia entre la posicin del
corto desplazable y la posicin del elemento Gunn; es ajustable y de acuerdo a la Ec.
(3.1), la frecuencia de oscilacin tambin.
8 FUNDAMENTO DE LA MODULACION
Una fuente de microonda modulada en amplitud es requerida para realizar algunos expe-
rimentos del laboratorio de microondas. Esta fuente genera el necesario campo electro-
magntico a frecuencia de microondas para una carga conectado en el circuito de micro-
ondas. Slo a travs de la modulacin es posible realizar una deteccin selectiva en fre-
cuencia de la seal recibida y demodulada y as lograr una supresin efectiva del ruido.
Para el diseo de una fuente de microonda modulada existen dos opciones mostradas en
las Fig. 3.5 y Fig. 3.6.
3. Modulacin directa del oscilador Gunn.
4. Modulacin indirecta, con un externo modulador a diodo PIN.
8.1 MODULACIN DIRECTA DEL OSCILADOR GUNN
La modulacin directa del oscilador Gunn es una forma de realizar la modulacin sin
equipo adicional pero tambin sin los mejores resultados. Como se sabe (de los resulta-
dos de la primera experiencia del oscilador Gunn) la potencia de microondas emitida (y el
espectro emitido) es fuertemente dependiente del voltaje del diodo Gunn. Ms aun, estn
sujetas a considerables tolerancias de los fabricantes de osciladores Gunn. Debido a
12

esta dependencia con el voltaje al diodo Gunn, la potencia de microondas emitida presen-
ta discontinuidades o irregularidades.
En otro experimento se muestra que en el caso de modulacin de amplitud del voltaje del
oscilador Gunn, y cuando el punto de operacin (voltaje de alimentacin) est en las
proximidades de una discontinuidad, una ligera variacin en el voltaje al diodo Gunn con-
duce a una considerable variacin en la potencia emitida y por ello a una seal demodu-
lada de gran tamao. Sin embargo, si el punto de trabajo es seleccionado cerca de una
discontinuidad (aproximadamente 4 V), una de las consecuencias es que el espectro emi-
tido contiene muchos diferentes componentes de frecuencia. Pero debido al hecho de
que todas las componentes de un circuito de microondas estn diseadas a una frecuen-
cia de 9.4 GHz, y normalmente tienen un ancho de banda muy angosto, los resultados de
las mediciones para este caso son con frecuencia insuficientes y requieren explicacin.
Las Fig. 3.2 y Fig. 3.3 proporcionan ejemplos de los espectros emitido por el oscilador
Gunn para voltajes V
G
de 4 V y 8 V respectivamente. El espectro ms puro (modoTE
101
a
9.4 GHz y modo TE
202
a 18.8 GHz) se obtienen generalmente para un voltaje Gunn supe-
rior a los 8 V.
As mismo, la potencia de microonda emitida slo cambia muy ligeramente en el rango de
voltajes Gunn ms altos (7 V < V
G
< 10 V), cuando el voltaje Gunn es variada (caracters-
tica plana). Esto produce una seal demodulada muy pequea. Esto significa que en el
rango donde el diodo Gunn emite un espectro puro (para V
G
8V), la modulacin directa
es posible nicamente para una desviacin de amplitud muy pequea.
Debido a que no existe un modulador con diodo PIN en el circuito de la Fig. 3.3, en estos
experimentos el punto de trabajo es establecido alrededor de los 4 V para generar una
seal modulada con ms fuertes variaciones de amplitud, a pesar de las desventajas que
conlleva.
Si se cuenta con un modulador a diodo PIN, es altamente recomendable que lo use (ver
procedimiento del paso 4) ya que con ello se lograr mejores resultados de las medicio-
nes.

Fig. 3.2 Espectro emitido para V
G
= 4 V
13



Fig. 3.3 Espectro emitido para V
G
= 8 V
En forma abreviada, el procedimiento para una modulacin directa interna de oscilador
Gunn, consiste en superponer una seal pulso rectangular a la tensin V
G
de alimenta-
cin al oscilador. El esquema para la configuracin de este experimento se muestra en la
Fig. 3.6
Como resultado de los pasos anteriores, el voltaje DC al diodo Gunn ser superpuesto
por una seal de onda cuadra con una frecuencia de 976 Hz y una amplitud de 300 mV.
Ver Fig. 3.4.

Fig. 3.4 Caracterstica principal del voltaje Gunn emitida por la unidad bsica (a travs de
la salida GUNN) para una modulacin interna. V
G
constituye el voltaje de alimentacin
establecida usando el potencimetro giratorio V
G
de la seccin GUNN POWER
SUPPLY de la unidad bsica.
8.2 MODULACION INDIRECTA CON EXTERNO MODULADOR A DIODO PIN
El esquema para la configuracin de este experimento se muestra en la Fig. 3.7. El osci-
lador Gunn genera una potencia de onda continua, es decir, su potencia de salida es
constante en el tiempo. La modulacin es realizada por un modulador externo a diodo
PIN. Dependiendo de su voltaje de control se tendr altos valores de sus coeficientes de
reflexin y transmisin. Para poder prevenir que cualquier reflexin indeseada llegue al
oscilador Gunn, este es aislado del resto del circuito por un aislador de ferrita. La unidad
que consiste del oscilador Gunn, el aislador y el modulador a diodo PIN, constituye una
configuracin tpica de uso frecuente en aplicaciones prcticas y es conocido por su fcil
manejo.
14

De este modo se evita las desventajas de la modulacin directa realizada a travs de la
alimentacin del diodo Gunn (sujeto a la discontinuidad), el cual es fuertemente depen-
diente de la tolerancia del fabricante. La seal modulada externamente es considerable-
mente mejor que la modulacin directa debido a que en este caso, las variaciones de
amplitud dependen nicamente del voltaje de control del modulador PIN. Como el diodo
Gunn puede funcionar para un punto de trabajo fijo, el espectro de microonda emitido no
es afectado por la modulacin. Informacin adicional puede obtenerse de la hoja de ins-
truccin para el modulador PIN.
Si dispone de un modulador a diodo PIN, le recomendamos usarlo en la modulacin para
obtener mejores resultados de las mediciones. El modulador PIN puede ser modulado
internamente o externamente. Para modulacin externa necesitar de un generador de
funciones adicional.
OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA
4. Realizar la sintonizacin del oscilador Gunn a otra frecuencia diferente a 9.4 GHz,
usando dos mtodos diferentes.
5. Realizar una modulacin interna y externa para el oscilador a diodo Gunn y entender
el funcionamiento del diodo PIN.
6. Familiarizarse con el uso de la lnea ranurada para medir la longitud de onda de la
gua de onda (z
g
) y calcular, indirectamente, la frecuencia de oscilacin de la seal
que se propaga en la gua de onda.
III) SINTONIZACION DEL OSCILADOR GUNN
EQUIPOS REQUERIDOS
1 Unidad Bsica 737 020
1 Oscilador Gunn 737 01
1 Unidad de sintona dielctrica 737 015
1 Aislador de Ferrita 737 06
1 Modulador a diodo PIN 737 05
1 Lnea de medicin ranurada 737 111
1 Detector en versin coaxial 737 03
1 Placa de cortocircuito 737 29
1 Cortocircuito desplazable 737 10
EQUIPO ADICIONAL REQUERIDO
3 Cables coaxiales con conectores BNC/BNC 501 022
2 Bases de soporte 301 21
2 Soportes para componentes de guas de onda 737 15
15

1 Varilla de soporte 301 26
1 Osciloscopio digital (opcional) 75 292
1 Registrador de XY (opcional) 575 663

Fig. 3.5 Configuracin para la experiencia, de acuerdo a la Fig. 3.1 (b), con el oscilador
con diafragma. a) Circuito de microondas. b) Diagrama funcional del circuito de mi-
croondas.
PROCEDIMIENTO
6. SINTONIA DEL OSCILADOR USANDO UNA UNIDAD DE SINTONIA DIELEC-
TRICA.
6.1 Ensamble el circuito para mediciones de acuerdo a la Fig. 3.5.
6.2 Altere la estructura del oscilador Gunn reemplazando el tornillo de sintona dielctri-
ca fija por la unidad de sintona dielctrica (737 015). En esta unidad, establecer
el tornillo micrmetro a 0 mm y luego insertarlo dentro del mdulo Gunn tal que la
varilla de tefln justo hace contacto con la pared superior.
16

6.3 Encienda la fuente de alimentacin del Gunn y establezca el voltaje V
G
de 810V.
Tambin conecte el modulador PIN a la unidad bsica.
6.4 Determine la frecuencia de la seal de microondas generada, en funcin de la pro-
fundidad de penetracin t (mm) del tornillo de sintona dielctrico. Lo siguiente se
aplica para la profundidad de penetracin:
t = 10 mm Valor en la escala del tornillo micrmetro.
Vare la profundidad de penetracin de 0 a 10 mm en pasos de 2 mm. Desplace la
posicin de la sonda de lnea ranurada para determinar la longitud zg de la gua de
onda zg2 es el resultado de la distancia de dos mnimos consecutivos en el pa-
trn de ondas estacionarias. Registre el valor de zg en la Tabla 3.1.
Tabla 3.1 Sintona dielctrica Tabla 3.2 Sintona mecnica
Profundidad de
penetracin
t (mm)
2
g

(mm)


(GHz)

x
(mm)
2
g

(mm)

(2
g
)
(mm)
x
(mm)

(x)
(mm)
0 10
2 12
4 14
6 16
8 18
10 20

7. SINTONIA MECANICA CON CORTOCIRCUITO MOVIL
7.1 Ensamble el circuito para mediciones de acuerdo a la Fig. 3.6.
7.2 Despus, configure el oscilador Gunn:
(d) Reemplazar la unidad de sintona dielctrica con el tornillo dielctrico de sinto-
na fija
(e) Retirar el diafragma, es decir, afloje los tornillos de conexin y retire el diafrag-
ma.
(f) Retire la placa de cortocircuito de la parte posterior del oscilador Gunn, luego
conecte el cortocircuito mvil y ajstelo al oscilador usando los dos tornillos lar-
gos.
7.3 Encienda la fuente de alimentacin del oscilador Gunn y establezca el voltaje V
G

entre 810V.
7.4 Conecte al oscilador: el modulador PIN, la lnea de medicin ranurada, el detector
cuadrtico y un cortocircuito fijo en el otro extremo. Conecte el oscilador, modulador
PIN y detector cuadrtico a la unidad bsica.
17

7.5 Determine la frecuencia de la seal de microondas como una funcin del cortotocir-
cuito mvil. Para ello, vari la distancia del plano de cortocircuito al plano del poste
del diodo Gunn, cambiando en pasos de 2 mm en el rango de 10 a 20 mm. La dis-
tancia S entre la posicin del poste del diodo Gunn y el cortocircuito mvil (ver Fig.
3.1c) est dado por la expresin:
S (mm) = X (mm) + 4.9
Desplace la sonda de la lnea ranurada para cada distancia S del cortocircuito mvil
y determine la distancia entre dos mnimos (nulos) consecutivos (= zg2) del pa-
trn de ondas estacionarias. Registre el valor de zg en la Tabla 3.2.


Fig. 3.6 Configuracin para la experiencia, de acuerdo a la Fig. 2.1c, con el oscilador
sin diafragma. a) Circuito de microondas. b) Diagrama funcional del circuito de microon-
das.
PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL
1.4. Determine la respectiva frecuencia de oscilacin o (0Ez) correspondiente a cada
particular profundidad de penetracin t(mm) del paso 1.4 (oscilador con tornillo de
18

sintonizacin dielctrico) usando los z
g
medidos y el conocido ancho de la gua de
onda a. La siguiente relacin puede serle de utilidad:
2
g
=
2

_
1 _
2

2 a
]
2
y

=
c
2


1.5. Compare los valores medidos de z
g
en el paso 2.3 con la particular distancia S del
corto mvil al eje del poste del diodo Gunn. Use la columna preparado para S en la
Tabla 3.2.
1.6. Tomando la anchura de la gua de onda en consideracin, calcula tericamente la
frecuencia del oscilador correspondiente a las varias posiciones del cortocircuito m-
vil y registre estos valores en la Tabla 3.2 (columna 5).
IV) MODULACION DEL OSCILADOR GUNN
EQUIPOS REQUERIDOS
1 Unidad Bsica 737 020
1 Transicin de GO a coaxial 737 035
1 Oscilador Gunn 737 01
1 Aislador de Ferrita 737 06
1 Modulador a diodo PIN 737 05
1 Detector en versin coaxial 737 03
1 Atenuador variable 737 09
EQUIPO ADICIONAL REQUERIDO
3 Cables coaxiales con conectores BNC/BNC 501 022
2 Bases de soporte 7301 21
2 Soportes para componentes de guas de onda 737 15
1 Varilla de soporte 7301 26
1 Osciloscopio digital (opcional) 75 292
1 Registrador de XY (opcional) 575 663
1 Conector coaxial BNC tipo T.
PROCEDIMIENTOS
8. MODULACIN DIRECTA DEL OSCILADOR GUNN
8.1 Arme el circuito para el experimento de acuerdo a la Fig. 3.7.
8.2 Conecte el oscilador Gunn a la salida GUNN en la seccin GUNN POWER
SUPPLY de la unidad bsica.
19

8.3 En la seccin MODULATION de la unidad bsica, establezca el conmutador bas-
culante a GUNN INT.
8.4 Establezca el voltaje Gunn a aproximadamente 8 V (soporta hasta 10 V) usando la
perilla de control V
G
, de la seccin GUNN POWER SUPPLY de la unidad bsica.
8.5 Configure los amplificadores verticales del osciloscopio en acoplamiento DC, y sus
valores de escalas de amplitud al mnimo valor que permita ver la seal en cada
canal. En un canal se deber ver la seal moduladora (sale del conector T) y en el
otro canal, la seal demodulada (muy pequea). Mida los valores DC de cada se-
al.

Fig. 3.7 Esquema de conexin para la modulacin directa del oscilador Gunn. El conmu-
tador es establecido a GUNN INT en la seccin MODULATION de la unidad bsica.
8.6 Ahora, con acoplamiento en AC para cada canal, aumente la amplitud de las esca-
las verticales, hasta que se pueda apreciarlos adecuadamente en el osciloscopio.
La base de tiempo debe ser tal que permita ver cuatro o cinco periodos.
8.7 Dibuje las formas de onda de la seal modulada y demodulada, en ellas debern
estar indicados si sestan en fase o no. Mida las amplitudes pico-pico y los anchos
de los pulsos. Calcule el ciclo de trabajo de la seal moduladora. Registre sus resul-
tados en la Tabla 3.1

TABLA 3.1 DATOS EXPERIMENTALES DE LA SEAL MODULADORA Y DEMODULADA
Seal Vdc (V)
Amplitud
Pico-pico (V)
Ancho de pulso
en ALTO (mS)
Ancho de pulso
en BAJO (mS)
Ciclo de
trabajo (%)
Frecuencia
(Hz)
Moduladora
Modulada

20

9. MODULACION EXTERNA DEL OSCILADOR GUNN
9.1 Ensamble el circuito de la experiencia, como se muestra en la Fig. 3.8, y sin encen-
der la fuente de alimentacin de la unidad bsica, establezca la perilla de V
G
a 10 V.
9.2 Conecte el modulador a diodo PIN al conector BNC etiquetado como PIN de la
unidad bsica, en la seccin MODULATOR y fije el conmutador a la posicin
GUNN INT; establezca el atenuador a 10 dB.
9.3 Encienda la fuente de la unidad bsica.

Fig. 3.8 Esquema de conexin para modulacin con un modulador externo con diodo PIN
y seal de modulacin interna. Establezca el conmutador a PIN INT en la seccin
MODULATOR de la unidad bsica.
9.4 Con acoplamiento en DC para los amplificadores de los canales del osciloscopio,
(cercirese de estar configurado para cable X1) mostrar las dos seales, con las re-
ferencias de sus ejes en la referencia central del osciloscopio. Muestre 4 o 5 perio-
dos de la seal moduladora.
9.5 En esta experiencia, la seal moduladora es que alimenta a la unidad moduladora a
diodo PIN, y la seal demodulada (o envolvente) es la salida del detector cuadrti-
co.
9.6 Mida los valores de las caractersticas de la seal modulada y demodulada. Re-
gstrelos en la Tabla 3.2.
9.7 Dibuje las formas de onda (en un mismo eje) mostrando si estn o no en fase.

21

TABLA 3.2 DATOS EXPERIMENTALES DE LA SEAL MODULADORA Y DEMODULADA
Seal Vdc (V)
Amplitud
Pico-pico (V)
Ancho de pulso
en ALTO (mS)
Ancho de pulso
en BAJO (mS)
Ciclo de
trabajo (%)
Frecuencia
(Hz)
Moduladora
Modulada
10. MODULACION CON EL DIODO PIN Y SIN EL AISLADOR
10.1 Retire el aislador del circuito de la Fig. 3.8 y muestre el voltaje que alimenta al osci-
lador Gunn. Usted probablemente observar picos transitorios de muy corta dura-
cin (SPIKES) superpuestos a la seal DC, similar a los mostrados en la Fig. 3.9. El
origen de estos transitorios son las fuertes reflexiones de la seal de microondas
durante la fase del bloqueo del modulador PIN. Las seales reflejadas llegan al os-
cilador Gunn y a travs de un mezclado se genera indeseables voltajes spikes que
no pueden eliminarse.

Figura 3.9 Voltajes spikes en la tensin que alimenta al Gunn, sin aislador.

PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL
1. Grafique las frecuencias de sintona mecnica y terica versus distancia del corto
mvil, en una misma grfica, para comparacin. Determine el porcentaje de error e%.
2. De la gua de componentes de microondas, determine la designacin comercial de la
gua de onda para la banda X. Indique los valores estndares de a y b en mm.
3. Determine el rango de frecuencias en la que se propaga nicamente el modo domi-
nante, para la gua de onda del laboratorio.
4. Determine la potencia de una seal modulada, aplicada a una carga de impedancia

g
= 50 0. La envolvente es una seal rectangular de valor mnimo, V
m
= 0.5 V y el
valor mximo, V
M
= 2.0 V; de un periodo de 1.25 ms y ciclo de trabajo de 40 %.
5. Usando las grficas de la seal modulada con diodo PIN, indique la operacin fun-
cional del diodo PIN en el circuito de microondas.
6. Comente sus resultados.














ANEXOS

















38

Oscilador Gunn 737 01
Instrucciones de Servicio

Fig. 1
Antes de utilizar el equipo, lea las instrucciones de servicio detenidamente!
Uso correcto
El oscilador Gunn sirve para generar potencia de microondas para propsitos didcticos.
1. Instrucciones de seguridad
Se debe evitar mirar directamente en el extremo emisor de la gua de ondas.
El oscilador Gunn se puede desarmar en 4 componentes, segn lo requiera el expe-
rimento, por medio de cierres rpidos y con los tornillos moleteados incluidos en el
suministro.
No est permitido desarmar el oscilador en ms partes.
Durante la operacin del equipo, se debe observar que todas las piezas del oscilador
estn fijadas firmemente, es decir que los tornillos moleteados deben estar siempre
bien apretados.
La alimentacin de corriente continua del oscilador Gunn se debe realizar nicamen-
te por medio de equipos de suministro de energa LD. Con ellos se excluye la posibi-
lidad de trocar la polaridad. La presencia de sobretensiones, incluso en forma de un
transitorio de tensin muy breve, causar el dao del diodo Gunn.

39


Fig. 2: Componentes del oscilador Gunn
Mdulo de diodo Gunn con:
Espigas metlicas (incluyen el diodo Gunn)
Tornillo de sintona dielctrica
Conector hembra BNC
Pared posterior de la carcasa
Diafragma perforado
Adaptador
2. Descripcin
El equipo MTS 7.4.1 incluye un oscilador Gunn ya montado (ver fig. 1) para la frecuencia
fija de 9,40 GHz. El oscilador ha sido diseado especialmente de acuerdo con los reque-
rimientos del sistema de experimentacin.
a) El equipo puede ser desmontado por el usuario en cuatro partes, de tal manera que
se puedan realizar modificaciones parciales con otros fines experimentales. Las cua-
tro partes componentes, enlazadas mediante elementos de conexin rpidos, son las
siguientes: mdulo diodo Gunn, la pared posterior, un diafragma con abertura y una
adaptador (ver fig. 2).
b) Empleando el cursor de cortocircuito en la unidad de aprendizaje MTS 7.4.6 se pue-
de transformar el oscilador en uno de sintona mecnica, para un rango de frecuencia
de 8,5 a 12,4 GHz.
En la unidad MTS 7.4.2 se describe detalladamente el funcionamiento del oscilador Gunn
y se realizan aplicaciones prcticas. El funcionamiento est basado en la de-atenuacin
dentro de la cavidad resonante empleando el diodo Gunn.
El circuito de c.c. (fig. 3) recorre el interior del conductor (polo negativo) del conector
coaxial BNC hembra, el interior del conductor del filtro de paso bajo coaxial y la parte su-
40

perior de la barra metlica hacia el diodo Gunn, y desde all a travs de la parte inferior
de la barra metlica hacia la estructura de la cavidad. La disipacin de calor del diodo
Gunn se lleva a cabo mediante la parte inferior de la barra metlica hacia la carcasa.
La estructura del filtro de paso bajo se puede observar en la fig. 3. Este filtro impide que
una parte de la potencia de microondas generada en el diodo Gunn fluya a travs del
circuito de c.c.
Est compuesto de dos segmentos de lnea en cascada, las cuales poseen impedancias
caractersticas de lnea muy diferentes y son aproximadamente iguales a l/4 de la fre-
cuencia de operacin de 9,40 GHz. De este modo se consigue que la seal de microon-
das en la juntura entre la lnea coaxial y la gua de ondas casi se cortocircuite.
Antes de que el oscilador sea suministrado se ha sintonizado la frecuencia con precisin
mediante el ajuste de la profundidad de inmersin del tornillo de sintona dielctrico. Por
lo tanto el usuario no est autorizado para ajustar posteriormente la profundidad de in-
mersin.
Fig. 3 Circuito de c.c. del oscilador Gunn
Diodo Gunn
Par te inferior y superior de la espiga
metlica
Pasabajo
Conductor interior del conector hembra
BNC
Conductor exterior del conector hembra
BNC

3. Datos tcnicos
Tensin de c.c. de operacin del diodo Gunn: 8 hasta 10 V
Corriente continua de operacin: 115 hasta 150 mA
Frecuencia de la seal de microondas: 9,40 ( 0,002) GHz
Potencia de microondas: 6 dBm
Supresin de las seales armnicas: 30 dB
Supresin de las seales no armnicas: 50 dB
Eficiencia del oscilador: aprox. 1%
Prdidas de potencia: aprox. 1 W

41

Unidad de alimentacin Gunn con medidor SWR 737 021
Instrucciones de Servicio
Antes de poner el equipo en funcionamiento, lea detenidamente las instrucciones
de servicio!
Uso correcto
La Unidad de alimentacin Gunn con medidor SWR forma parte de los sistemas modula-
res de entrenamiento MTS 7.4 (Tecnologa de microondas) y MTS 7.6 (Tecnologa de
antenas). La unidad slo est diseada para el uso en demostraciones o en prcticas de
laboratorio.
Descripcin
Para el funcionamiento del oscilador Gunn, N Cat. 737 01, y del modulador PIN, N. Cat.
737 05, se requieren tensiones de control y tensiones continuas. El equipo descrito a con-
tinuacin sirve para generar dichas tensiones, as como para la evaluacin cuantitativa de
la seal de microondas demodulada. Adems, el aparato posee diversas salidas y entra-
das para experimentos de modulacin y con curvas caractersticas. Se suministra como
equipo de sobremesa de 19". El equipo se incorpora a los siguientes sistemas, de acuer-
do con la Fig. 1:

Fig. 1 Vista del panel frontal de la unidad de alimentacin Gunn con medidor SWR.
A la unidad de alimentacin Gunn se le denomina, tambin, Unidad Bsica. Esta unidad
tiene las siguientes secciones, rotuladas en el panel frontal:
I: GUNN POWER SUPPLY
II: MODULATION
III: POWER & SWR METER
IV: VIDEO
42

Elementos del panel frontal

Interruptor de alimentacin

Ajuste de offset anlogo amplificador de vdeo

Hembrillas para la alimentacin Gunn

Entrada amplificador de vdeo

Salida para registrador, X

Selector TTL/Analog

Salida para registrador, Y

Salida amplificador de vdeo

Correccin de punto cero

Medidor dB/SWR

Entrada de modulacin Gunn

Amplificacin variable medidor SWR

Salida para seal de radar Doppler

Selector de modulacin

Salida modular PIN

Ajuste de amplitud para modulacin EXT-PIN

Entrada para modulacin PIN, externa

Ajuste punto de operacin para modulacin EXT-PIN

Selector de impedancia de entrada de EXT

Conmutador de rango de medicin I /U

Ajuste de ganancia

Ajuste de la tensin Gunn UG

Entrada de amplificador Lock-In

LED de control UG

Salida de amplificador Lock-In

Voltmetro/ampermetro

Correccin de punto cero

LED de control IG
(I) GUNN-POWER-SUPPLY
La tensin continua, necesaria para la operacin del oscilador Gunn, se ajusta al punto
ptimo de trabajo del elemento Gunn, por medio del potencimetro de 10 pasos . La
unidad de alimentacin Gunn, ajustable entre 10 V y 0 V, es a prueba de cortocircuito
permanente. En el instrumento de medicin , se pueden leer alternadamente la co-
rriente Gunn y la tensin Gunn. Esto permite el registro punto a punto de la caracterstica
Gunn, as como el control del punto de operacin ajustado. La escala vlida para cada
caso se indica mediante los LEDs incorporados y . Por medio del conmutador bas-
culante , se conmuta entre la corriente Gunn I
G
y la tensin Gunn U
G
.
Para el registro de las caractersticas por medio del registrador XY, se dispone de 2 hem-
brillas y (marcadas X, Y). La conversin de la corriente Gunn en la tensin reque-
rida por el registrador XY, se realiza por medio de un convertidor de corriente-tensin,
cuyo factor de conversin tiene un valor de aprox. 1 V/100 mA.
Por medio de un amplificador de diferencia se evalan las diferencias de tensin, como
las que se presentan en el radar Doppler, y se transmiten a la hembrilla OUT / DOPPLER
RADAR .
43

El oscilador Gunn se puede modular externamente a travs de su tensin de alimenta-
cin. Para este fin, la unidad de alimentacin posee una entrada de modulacin , mar-
cada con MOD IN /GUNN EXT.
(II) MODULACIN
El mdulo MODULATION incorporado en la unidad de alimentacin genera una seal (de
reloj) pulstil, que se emplea para la modulacin del modulador PIN, N Cat. 737 05, y
para el control, del POWER & SWR METERs (III). Con el conmutador basculante se
puede modular el Modulador PIN, conectado a la hembrilla , o bien por medio de la
seal interna de reloj, o por medio de una seal externa alimentada a la hembrilla .
Para facilitar una modulacin interna, sin tener que emplear el modulador PIN, se debe
ajustar el conmutador basculante a la posicin GUNN-INT. De este modo, la tensin
Gunn es modulada en amplitud por la seal de reloj.
(III) POWER & SWR METER
La seal de microondas demodulada por el detector o por la sonda de campo E, se ali-
menta a un amplificador de medicin, selector de fase y de frecuencia (detector Lock-In u
homodino). El amplificador posee una capacidad dinmica de mximo 60 dB, lo que co-
rresponde a una ganancia de 1 000 000. La estructura bsica de un amplificador Lock In,
se muestra en la Fig. 2.

Fig. 2 Estructura bsica de un amplificador Lock In
En la Fig. 2, significan:
Filtro pasabanda Oscilador de sincronizacin
Amplificador Elemento de microonda que se
Rectificador de sincronizacin Modulador PIN
Filtro pasabajo Oscilador Gunn
Medidor

44

Formas de la seal
A: seal dbil, con mucho ruido
B: seal fuerte que se puede detectar, con mucho ruido
C: seal til con componente de DC constante en el tiempo
D: las componentes perturbadoras de AC se filtran en banda angosta
Los elementos 1...6 de la Fig. 2 pertenecen al receptor homodino; los componentes 7...9,
al arreglo de microondas.
Mediante el convertidor de sincronizacin, el instrumento POWER & SWR METER del
oscilador de sincronizacin es selectivo en frecuencia y en fase, es decir, la componen-
te de DC se presenta slo para la parte de la seal de entrada, cuya frecuencia sea exac-
tamente igual a la frecuencia de reloj, y tendr su valor mximo nicamente cuando no
exista desfase entre la seal de reloj y la seal til.
Debido al escaso ancho de banda del amplificador Lock-In, tambin es posible evaluar
cuantitativamente las seales de detector dbiles, de ruido muy fuerte. La visualizacin
de la potencia relativa de microondas en dB se realiza en el instrumento de medicin .
La escala se ha construido de acuerdo con la ley del cuadrado del detector. Una segunda
escala permite determinar la relacin de onda estacionaria SWR. La seal de salida se
puede tomar en la hembrilla AMP OUT , lo que posibilita la evaluacin directa de los
resultados de medicin con la interface CASSY o con el registrador XY.
(IV) VIDEO
Se dispone de un amplificador de vdeo, construido como canal de recepcin separado
del amplificador de medicin, que le suministra a la hembrilla de salida una seal ana-
lgica o una seal TTL, dependiendo de la posicin del conmutador basculante . Con
el elemento de ajuste se puede variar la componente de DC de una seal anloga. El
amplificador, al que se tiene acceso en este campo, es de banda ancha. Con l se puede
amplificar seales externas modula-das (como fuente de modulacin se pueden emplear
equipos del programa TPS 7.2 "Sistemas de transmisin", o generadores de funcin o
generadores de patrones de imagen, etc.)
DATOS TCNICOS
Tensin de la red: 230 V/50 Hz conmutable internamente a 115 V, cable de cone-
xin con enchufe con puesta a tierra.
Consumo de potencia: aprox. 20 VA
Dimensiones: 500 x 300 x 150 mm (b x p x h) incluida la carcasa de 19"
Peso: aprox. 6 kg.
I. GUNN POWER SUPPLY
Tensin Gunn: 10 V U
G
0 V ajustable con potencimetros de 10 pasos,
a prueba de cortocircuitos
45

Corriente Gunn: mx. 200 mA
Visualizacin: 0...10 V seleccin de escala mediante LED
0...200 mA seleccin de escala mediante LED
Mec. medicin: Cl. 1,5 con escala con espejo y correccin de cero
Salidas BNC: GUNN, para alimentacin de DC del oscilador Gunn, X e Y
para registro de caractersticas con registrador XY, DOPPLER RADAR
para experimentos con el radar Doppler
Entrada BNC: MOD IN para la modulacin externa del oscilador Gunn. Seal de
entrada mx. 10 V. Ancho de banda 10 kHz
II. MODULATION
Selector en:
PIN-EXT: fuente de modulacin ext., tensin diodo PIN ajustable
con y , a prueba de cortocircuitos, 10 mA, offset DC
0...900 mV ajustable
PIN-INT: Oscilador sincronizacin interno, seal rectangular 0/750
mV, 10 mA, 976 Hz.
GUNN-INT: Modulacin interna de tensin Gunn con oscilador de
sincronizacin, seal rectangular 350 mV...0 V, 976 Hz
Offset DC: 0...1 V ajustable con OP .
Salida BNC PIN para modulacin interna, por medio del oscilador de sincro-
nizacin, o modulacin externa, segn la posicin del conmutador
cm
Entrada BNC EXT para modulacin externa del modulador PIN, entrada mx.
de tensin 10 V, ancho de banda 5 MHz; impedancia de entrada,
segn posicin de conmutador , 50 o 1 k (High)
III. POWER & SWR METER
Principio: Deteccin Lock-In con sincronizacin interna por medio de oscila-
dor de reloj
Entrada: INPUT polarizada DC, 10 k, BNC
Rango dinmico: 0...55 dB ajustable en 12 pasos , 5 dB adicional a travs de
amplificacin variable .
Precisin: 0,3 dB en todos los rangos
Sensibilidad: 1 VRMS para deflexin mxima
Frecuencia media: 976 Hz
Ancho de banda: 10 Hz
46

Visualizaciones: potencia en dB calibrada para detectores segn la ley del cuadra-
do. Escala para +0,5 dB...20 dB. Escala lineal 0...100 %. 0 dB
corresponden a 100 %. Escala SWR 1,00...5.
Mec. medicin: Cl.1,5 con escala con espejo y correccin de punto cero
Salida: AMP OUT , salida DC para medicin de tensin 0...+10 V.
IV. VIDEO
Entrada: :INPUT 50 , BNC, conjunta para ANALOG y TTL
Salida: :Para conmutador selector
:ANALOG: Ancho de banda 4 MHz, seal de salida mx. 5 Vpp.
Ganancia aprox. 100, Offset ajustable 1,5 V...+1,5 V
: TTL: Nivel TTL























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Lnea de Medicin Ranurada 737 111
Instrucciones de Servicio


Por favor, lea este manual cuidadosamente antes de colocar la unidad en funcio-
namiento!
Descripcin
La lnea de medicin se emplea para anlisis de ondas estacionarias, verificacin de
condiciones de adaptacin o para la determinacin de impedancias desconocidas. Est
construida en tecnologa de gua ondas, basado en el estndar internacional de banda X
(tipo de gua de ondas R100).
Caractersticas
Brida con cierres rpidos. La compatibilidad con la brida comercial UBR 100 permite la
conexin de componentes de gua ondas de tipo comercial. Con transductor de despla-
zamiento incorporado para la fcil representacin grfica de las formas de los campos en
la gua de ondas (grficas SWR). Escala integrada en mm, con vernier, para mediciones
cuantitativas punto a punto.


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Construccin
La Fig. A es una vista lateral, mientras que la Fig. B muestra una vista superior. El cuerpo
de aluminio estable, con la superficie pasivada garantiza una operacin mecnica esta-
ble. Este es un requisito para resultados de medicin confiables. El uso de los absorbedo-
res de ferrita reduce la excitacin de los modos no deseados en la sonda de medicin.
Longitud: 183 mm, rango de desplazamiento: 70 mm, resolucin del desplazamiento: 0.1
mm

Cierre de apertura rpida

Lnea ranurada con escala en mm

Etapa con escala de vernier y conector coaxial hembra (tipo N)

Conector BNC hembra "IN". Aqu se conecta la tensin de servicio para el transductor de
desplazamiento.

Conector BNC hembra "X", seal de salida para el transductor de desplazamiento.

Conector hembra N unido a la sonda de medicin, que detecta la seal de microondas
Atencin
Evite golpear el equipo.
No introduzca herramientas u otros objetos en la ranura del dipolo de medicin ni en el
transductor de desplazamiento.
La tensin de alimentacin para el transductor de desplazamiento no debe sobrepasar
de 10 V DC (en la hembrilla "IN").
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Para obtener una relacin lineal entre la tensin de salida I
x
del transductor de des-
plazamiento y la posicin s de la sonda, las resistencias de entrada del registrador XY
o de la interface del PC conectados debern ser superiores a 100 k Ohm.
Conexiones


Puesta en servicio
La lnea de medicin se utiliza preferentemente junto con la Fuente de alimentacin Gunn
con medidor SWR 737021. Este ltimo indica directamente la relacin de ondas estacio-
narias en la escala correspondiente. Ajuste una tensin Gunn de 8...10 V. Realice el mon-
taje experimental como se indica.
Arreglo experimental
73701 Oscilador Gunn
73705 Modulador PIN
50

737111 Lnea de medicin con detector coaxial
737021 Placa de cortocircuito, de accesorios
La relacin entre la tensin de salida I
x
del transductor de desplazamiento (conector BNC
"X" en la cara posterior) y el punto s de la sonda de medicin en la gua de ondas est
definida mediante la siguiente ecuacin lineal:
S =
S
max
S
m|n
F
max
F
m|n
(F
x
F
m|n
) +S
m|n

Los valores aproximados son:
S
mux
80 mm comparar con la escala en mm, desplazndose hasta el tope derecho.
S
mn
10 mm comparar con la escala en mm, desplazndose hasta el tope izquierdo.
I
mux
10.00 V = Vx para S
mux
. Se puede ajustar con 737021 variando la tensin de U
G
.
I
mn
0.1 V = Vx para S
mn
. El valor puede diferir. Para grficas ms exactas eventual-
mente se deber corregir:
A partir de estos valores se puede deducir la siguiente expresin:
S(mm) = 7. 7 (F
x
. 1) +1
Atencin
Mueva lentamente la plataforma mvil. Los desplazamientos rpidos pueden conducir a
retardos de la seal de salida del amplificador Lock-In (737021). Esto puede ocasionar
distorsiones en las formas de las curvas. La figura muestra una curva SWR tpica. La
distorsin en las semiondas sinusoidales es causada por modos mayores, no deseados,
situados a unos 25 dB por debajo del modo fundamental (H
10
). Observe que la distancia
entre dos mnimos es de unos 22 mm, lo que constituye una buena aproximacin a la
teora. z
g
2 = 22.25 mm para f = 9400 MHz.