Densité d’états d’un quanton libre

1 Quanton libre dans un espace à trois dimensions

1.1 Etats stationnaires dans une boîte parallépipédique finie

On se place à l’intérieur d’une boîte parallépipédique de volume V centrée en O,

de côtés Lx , Ly et Lz , parallèles à Ox, Oy et Oz respectivement, dans laquelle l’énergie
potentielle du quanton est nulle, et à l’extérieur de laquelle celle-ci est infinie.
Les états stationnaires du quanton, définis par leur fonction d’onde Ψ(~r, t), vérifient
l’équation de Schrödinger :

~2 ∂Ψ
− ∆Ψ = i~ = EΨ
2m ∂t

à l’intérieur de la boîte (et Ψ(~r) = 0 au-dehors). On sait que la fonction d’onde peut
alors se mettre sous la forme d’un produit entre une partie purement spatiale et une expo-
nentielle complexe dépendant du temps :
E
Ψ(~r, t) = ψ(~r ) e−i ~ t ,

la partie spatiale satisfaisant l’équation :

~2
− ∆ψ = Eψ.
2m

Celle-ci peut se résoudre en séparant les variables : les solutions sont des produits de
fonctions d’une seule variable, et des combinaisons linéaires de ceux-ci :

ψ(x, y, z) = ψx (x)ψy (y)ψz (z),

les ψx,y,z vérifiant :

~2 ∂2 ψx
− = αx ψx , avec : αx + αy + αz = E.
2m ∂x2

La solution générale est donc :

ψ (x) = A x cos(kx x + ϕ x )

 x 2mE


avec : k2x + ky2 + kz2 = ~k2 =

ψy (y) = Ay cos(ky y + ϕy ) , .
~2


 ψ (z) = A cos(k z + ϕ )

z z z z
 RRR
La constante A = A x Ay Az est déterminée par la normalisation ( |ψ|2 = 1). Nous ne
nous en soucierons pas par la suite.(1) D’autre part, les conditions aux limites (ψ nulle aux
bords de la boîte) imposent des conditions de quantification sur ~k. Par exemple, en x :

 L  !
x kx Lx
ψx ± = 0 = A x cos ± + ϕx
2 2
kx Lx π
⇒± + ϕ x ≡ [π]
 2 2 
 kx Lx ≡ π[2π]  kx Lx ≡ 0[2π]

 


⇒ ou π
 ϕ x ≡ 0[π]  ϕ x ≡ [π]
 


  2
 ψx (x) = A x cos(kx x)

  ψx (x) = A x sin(kx x)


⇒ ou 
 kx Lx ≡ π[2π]
  kx Lx ≡ 0[2π]


π
La quantification sur ~k peut donc s’écrire : kx = n x , n x ∈ IN(2)
Lx

1.2 Nombre d’états dans une bande d’énergie ; densité d’états

On a vu que les états stationnaires d’un quanton dans une boîte finie étaient déterminés
par le vecteur d’onde ~k, et que celui-ci était quantifié, ses composantes en x, y, z ne pouvant
prendre que des valeurs espacées de Lπx , Lπy , Lπz . Ceci veut dire que, dans l’espace des ~k, un
π3 π3
«volume» élémentaire L x Ly Lz
= V
contient un état. (3)
Afin de calculer la densité d’états, comptabilisons le nombre ∆N d’états dont l’énergie
est comprise entre les valeurs E et E + ∆E. Comme la relation entre l’énergie d’un état et
le module k du vecteur d’onde correspondant est bijective, on peut se ramener au nombre
d’états dont le vecteur d’ondera un module compris entre k et k + ∆k, où ∆k correspond
m
au ∆E via la relation : ∆k = ∆E.
2~2 E
Ce nombre d’états peut aisément s’obtenir en faisant le rapport entre le «volume»
correspondant dans l’espace des ~k et le «volume» élémentaire contenant un état. (4) Ce
«volume» vaut un huitième(2) de calotte sphérique de rayon k et d’épaisseur ∆k (fig. 1),
donc :

r
(1) 8
Si vous y tenez vraiment, on trouve : |A| = .
V
(2)
On ne prend que les valeurs positives pour les composantes de ~k, car il est très facile de se rendre
compte que changer k x en −k x donne exactement la même fonction d’onde, éventuellement au signe près,
donc représente le même état.
(3)
Ceci ne tient compte que des états de position. Si le quanton comporte des paramètres internes, tels que
le spin, décorrélés de sa position, il faut en tenir compte par ailleurs (voir le paragraphe 1.3).
(4)
Comme on prend une boîte de dimensions finies mais grandes, qu’on va faire tendre vers l’infini, on
peut supposer la granularité en ~k suffisamment fine.
 kz
k k + ∆k

ky

kx
F. 1 – Etats compris dans une bande d’énergie dans l’espace des ~k.

1 V
∆N = × 4πk2 ∆k × 3
8 r π
V 2mE m
= 2 2
∆E
2π ~ 2~2 E
3
V  m 2 √
= √ E ∆E
π2 2 ~2

D’où :
3
1 ∆N 1  m 2 √
D(E) = = √ E.
V ∆E π2 2 ~2
Ce résultat ne dépendant pas du volume de la boîte, il est inchangé lorsque celui-ci
tend vers l’infini ; D(E) est donc bien la densité d’états par unité de volume d’un quanton
libre.

1.3 Influence de paramètres internes du quanton

Dans l’analyse précédente, nous n’avons considéré que les états de position du quan-
ton ; en d’autres termes, nous avons considéré qu’à un ~k donné, à une fonction d’onde
Ψ(~r, t) donnée, correspondait un état unique. Ce n’est pas forcément le cas si le quanton
comporte d’autres paramètres décorrélés de sa position et de son énergie, c’est-à-dire qui
n’influent pas sur sa probabilité de présence en un point, ni ne modifient son énergie dans
la situation étudiée. Par exemple, pour un photon, chaque fonction d’onde Ψ correspond
à deux états de polarisation différents de même énergie.
En particulier, c’est aussi le cas de l’électron, car (comme tous les fermions) celui-
ci possède un spin, nombre quantique relié à son moment magnétique, qui peut prendre
deux valeurs différentes mais n’intervient pas dans la mesure de l’énergie en l’absence de
champ magnétique.
Bien que nous n’en ayons tenu aucun compte dans nos calculs de fonctions d’onde,
ceux-ci restent valables puisque le spin ne se manifeste pas dans l’équation de Schrö-
dinger pour un électron libre. En revanche, dans le décompte des états dont l’énergie est
3
comprise dans un intervalle [E; E + ∆E], si un «volume» élémentaire πV dans l’espace des
~k ne contient toujours qu’un ~k autorisé, le spin d’un électron ayant ce vecteur d’onde a
deux valeurs possibles. Ce «volume» élémentaire contient donc deux états possibles ; la
densité d’états pour un électron est donc deux fois supérieure à ce que nous avons calculé
précédemment :
√  3
2 m 2 √
D(E) = 2 E.
π ~2

2 Quanton libre dans un espace à deux dimensions

Nous avons précédemment calculé les fonctions d’onde et dénombré les états dans
un espace à trois dimensions ; étudions maintenant le cas d’un quanton évoluant dans un
espace à deux dimensions. (5)
L’équation de Schrödinger reste inchangée, mais le laplacien ne contient plus que
deux termes de différenciation au second ordre. On ne sépare plus que les deux variables
x et y, et le vecteur d’onde ~k n’a plus que deux composantes. Aussi, pour décompter les
2 2
états, devons-nous prendre une «surface» élémentaire Lπx Ly = πS contenant un seul état de
position, et les états compris dans une petite bande d’énergie sont dans un quart d’anneau
circulaire de rayon k et d’épaisseur ∆k (fig. 2). On obtient donc :
r r
1 S S 2mE m Sm
∆N = × 2πk∆k × 2 = ∆E = ∆E
4 π 2π ~2 2
2~ E 2π~2

et :
1 ∆N m
D2D (E) = =
S ∆E 2π~2
(à multiplier par 2 dans le cas d’un électron à cause du spin, comme précédemment).
On remarque que la densité d’états est constante.

3 Applications numériques à l’arséniure de gallium

Une application de la densité d’états est le calcul de la densité d’électrons et de trous
libres dans un semi-conducteur, ici l’arséniure de gallium. Paradoxalement, les électrons
y sont loin d’être libres, leurs états forment des bandes d’énergie permises, régies par une
équation de dispersion E(~k) complexe (cf. modèle de Krönig-Penney).
(5)
Ceci correspond à un cas physique : par exemple, dans une structure à puits quantiques, qui comporte
des empilements de couches minces, les électrons sont confinés dans une direction (et ont des états discrets
comme dans un puits de potentiel unidimensionnel), mais libres dans les deux autres.
 ky

k + ∆k
k

kx
F. 2 – Etats compris dans une bande d’énergie dans le plan des ~k.

Toutefois, aux extrema des bandes, cette relation peut être approchée par une para-
2~ 2
bole ; la dispersion se retrouve sous la forme : |E − E 0 | = ~2mk∗ , ce qui nous permet de
considérer que l’électron ou le trou se comporte comme s’il était libre mais avec une
masse différente m∗ , dite masse effective. Nous pouvons donc utiliser la formule de la
densité d’états que nous avons obtenue au paragraphe 1.2.
Calculons à l’équilibre la densité d’électrons dans la bande de conduction :
Z +∞
n = n(E) dE où n(E)dE est la densité moyenne
Ec d’électrons d’énergie comprise entre
E et E + dE
Z +∞
= f (E)D(E) dE f étant la fonction de Fermi
E
Z c+∞ √ !3
1 2 m∗ 2 p
= E−E F 2 2
E − E c dE m∗ étant la masse effective des élec-
Ec 1 + e kT π ~ trons dans la bande de conduction
√ !3 Z
2 m∗ 2 +∞ − E−E F
p
' e kT E − E c dE en remarquant que :
π ~
2 2
Ec E − E F > Ec − E F  kT
√ ! 23 Z +∞
2 m∗ E −E
− ckT F
√ −ε E − Ec
= kT e ε e dε avec : ε =
π ~
2 2
0 kT
! 32
1 m∗ E c −E F
n = √ kT e− kT
2 π~ 2

De même, on trouve les densités p1 et p2 de trous lourds et légers dans la bande de

valence :
! 32
1 m∗1 E v −E F
p1 = √ kT e kT

2 π~2
! 32
1 m∗2 E v −E F
p2 = √ 2
kT e kT
2 π~
 ! 32 
1 kT 3 3  E v −E F
⇒ p = √ m∗1 2 + m∗2 2 e kT
2 π~2

3.1 Semi-conducteur intrinsèque

Dans le cas d’un semi-conducteur intrinsèque, il y a à l’équilibre autant d’électrons

dans la bande de conduction que de trous dans la bande de valence : E F = E i , n = ni =
√
pi = p = np. Donc :
! 32 !3
1 m∗ −
E c −E i 1 kT 2  ∗ 32 ∗ 23
 Ev −Ei
√ kT e kT = √ m 1 + m 2 e kT
2 π~2 2 π~2
3 3
2E i m∗1 2 + m∗2 2 Ec +Ev
⇒ e kT = 3
e kT
m∗ 2
 3 3 
E c + E v kT  m∗1 2 + m∗2 2 
⇒ Ei = + ln  3 
2 2 m∗ 2

Par rapport au sommet de la bande de valence :

 3 3 
E g kT  m∗1 2 + m∗2 2 
Ei − Ev = + ln  3
 ' 0.75 eV ' 0.53 E g
2 2 m∗ 2

3.2 Semi-conducteur dopé N

Dans le cas d’un semi-conducteur dopé N, la présence d’une densité ND d’impuretés

donneuses d’électrons impose la densité d’électrons dans bande de conduction à : n = ND .
(6)

En écrivant : ! 32
1 m∗ E c −E F
ND = √ 2
kT e− kT ,
2 π~
on obtient :
 ! 32 

 √ π~ 2 

E F − E c = kT ln  2 N ' −98 meV ' −6.9 × 10−2 E g
 
D
m∗ kT

 



(6)
Les états des électrons «surnuméraires» des atomes étrangers au semi-conducteur étant énergétique-
ment proches de ceux de la bande de conduction, et ceux-ci étant beaucoup plus nombreux, on fait l’hypo-
thèse que tous ces électrons sont dans la bande de conduction.