ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Circuitos Electrnicos Tema: Amplificadores de potencia clase C Grupo: 3 Integrantes: Stalin Cadena Christian Meja Alex Pachacama Curso: GR - 4 Perodo: 2012 1

AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE C

Los amplificadores en clase C trabajan para una banda de frecuencias estrecha y resulta muy apropiado en equipos de radiofrecuencia. Esto es debido al fenmeno de resonancia el cual se genera a la salida del amplificador cuando es sintonizado (la impedancia capacitiva e inductiva se cancelan a una frecuencia previamente calculada), aunque no trabaja arriba de 180 grados de ciclo, este amplificador a la salida genera una seal de ciclo completo de seal para la frecuencia fundamental. No se utiliza en sonido, por su gran nivel de distorsin y porque su operacin no esta destinada para amplificadores de gran seal o gran potencia. A la salida del elemento activo del amplificador clase C, para un ciclo completo de la seal de excitacin senoidal, solo se obtendr una fraccin de medio ciclo de dicha seal, vale decir que el ngulo de conduccin en el elemento activo se reduce por debajo de 180 para lo cual el mismo se polariza dentro de la zona de corte. En clase C, como las frecuencias a amplificar son mucho ms altas, la correccin de la distorsin inherente a tamao recorte de la seal de excitacin se logra gracias al empleo de los circuitos resonantes, posicionados como carga de este amplificador que entonces se constituye mediante el empleo de un solo componente activo. Ello es posible gracias a que en dicho rango de frecuencias es posible conseguir factores de mrito Q de tales circuitos, aceptables. Es por ello que la mayora de los amplificadores Clase C son amplificadores sintonizados. Con el funcionamiento en Clase C, en una configuracin de emisor comn la corriente de colector circular durante menos de un semiciclo para una seal de excitacin senoidal. Con respecto a este tipo de seal si bien en el prrafo precedente la estbamos caracterizando como una seal de prueba debe tenerse presente que en estas aplicaciones es muy comn apelar a estas seales como portadoras de la informacin, que tanto puede ubicarse en su amplitud, o bien en su frecuencia o en su fase, o bien en una combinacin de ellas. El circuito de la figura se muestra un amplificador de potencia clase C, puede apreciarse la utilizacin de un circuito resonante paralelo conectado en su circuito de colector y cuyo objetivo es filtrar los pulsos de corriente de colector y producir as nuevamente una seal senoidal como tensin de salida del amplificador. Se observa asimismo la utilizacin del mtodo capacitivo para acoplar tanto el generador vs(t) senoidal de excitacin como la carga RL , mtodo este ltimo que puede ser modificado empleando el acople con transformador. Teniendo en cuenta que se ha denominado con RS a la resistencia ohmica del devanado correspondiente a la inductancia L del circuito resonante de salida, se ha realizado el circuito

equivalente esttico, pudindose comprobar que en reposo la unin base-emisor del transistor no se halla polarizada.

El circuito resonante en el circuito del colector del amplificador reconstituye la seal senoidal de la entrada; obsrvese que en RL se representa una senoide. Los circuitos tanque pueden reconstruir seales senoidales, pero no ondas cuadradas ni ondas de audio complicadas. El efecto que produce el circuito tanque se debe a la descarga de un condensador sobre una inductancia, que luego se descarga sobre el condensador y as sucesivamente. El condensador y la inductancia son dispositivos almacenadores de energa y, cuando esta pasa del uno al otro se produce una onda senoidal, esta onda decrece paulatinamente a las perdidas en el circuito (que presenta resistencia ohmica). En el circuito tanque de un amplificador clase C, son de gran importancia los valores de la inductancia y el capacitor. Estos deben resonar a la frecuencia de la seal de entrada. La formula de resonancia es:

En la siguiente figura (grfico de la respuesta en frecuencia del amplificador) se han indicado las frecuencia de potencia mitad o frecuencias de corte f1 y f2 de modo que el ancho de banda del amplificador AB resulta: AB = f2 - f1

Pero dicho ancho de banda tambin puede expresarse por: Siendo Q el factor de calidad del circuito. Las ecuaciones precedentes nos dicen que el ancho de banda es inversamente proporcional al factor de mrito Q y por lo tanto a mayor Q en el circuito, menor ancho de banda. Los amplificadores de clase C casi siempre tienen un circuito donde Q es superior a 10. Esto quiere decir que el ancho de banda casi siempre es menor que el 10 % del valor de la frecuencia de resonancia. Es por esta razn que los amplificadores de clase C son amplificadores de banda estrecha. En la figura se ha realizado un circuito equivalente dinmico para gran seal en donde en su parte de entrada la fuente de seal seoidal Vs (t) excita la juntura base-emisor. En forma similar a lo que ocurre en un rectificador monofsico de media onda, debido a la presencia del condensador Ci de acoplamiento de entrada, dicha juntura alcanza a permanecer polarizada en forma directa durante un medio ciclo completo solo en el primer medio ciclo. Dado que as se establece una corriente rectificada (con valor medio no nulo) a travs del condensador Ci, el mismo se carga y su diferencia de potencial tiende a polarizar a dicha juntura en forma inversa y consecuentemente el transistor as polarizado se dice que opera ms all del corte (invadiendo la zona de corte de sus caractersticas). Por ello para los restantes semiciclos (es decir en rgimen dinmico) la diferencia de potencial que acta sobre dicha juntura es la superposicin de la seal senoidal con una componente esttica de polaridad negativa (polarizacin inversa de la juntura). Esta es la razn por la cual afirmamos que este amplificador es de clase C. En la figura se muestra que en su parte de entrada, adems de realizar una representacin de la seal senoidal de Vs (t) se ha representado el valor total de la tensin en la juntura VBE.

En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t1 t2 en cada periodo T = 2/o, de forma que el semingulo de conduccin, definido como 2 = o(t1 t2) sea inferior a /2. En el clase B = /2, mientras que = en el clase A. La tensin VBB es ahora negativa, de forma que el BJT slo entra en zona activa alrededor del mximo de vi, cuando vi + VBB > 0.7 V.

Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase A. Si asumimos que en toda la zona activa la corriente de colector es proporcional a la tensin de control, para una entrada sinusoidal toma la forma representada en la figura anterior. Esta corriente puede escribirse como: iC = IPcos(ot) ID iC = 0 mientras sea IPcos(ot) ID en el resto

Y puesto que en ot = tenemos iC = 0, resulta que ID = IPcos( ). La funcin iC(t) es par y por eso puede descomponerse en serie de Fourier como iC = Io + I1cos(ot) + I2cos(2ot) + donde Io es su valor medio, I1 la componente fundamental y el resto, de I2 en adelante, armnicos.

Las tensiones vCE y vo tienen una forma sinusoidal porque el filtro LC cortocircuita todos los armnicos de iC(t) y slo deja la componente fundamental. La potencia entregada a la carga es

El consumo de potencia, despreciando la potencia empleada para polarizar el BJT, es

donde

El rendimiento mximo se obtiene cuando vo toma la mxima amplitud posible, VCC si aproximamos VCE,sat, = 0, y para eso se requiere que I1RL = VCC. En ese caso el rendimiento slo depende de

En la figura se muestra el rendimiento mximo en funcin del semingulo de conduccin. Si = 180 max = 50 % (Clase A), si = 90 max = 78 % (Clase B) y para la clase C siempre es superior. Si = 0 max = 100 %, claro que en este caso la corriente mxima que debera soportar el transistor es infinita. As que un buen compromiso consiste en emplear = 60 para obtener max = 90 %.

Rendimiento mximo del amplificador clase C en funcin del semingulo de conduccin.

Notar que, a diferencia del clase A o B, el clase C no es un amplificador lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensin de entrada supera VBB + 0.7. Este amplificador slo puede usarse para FM o PM porque emplea seales de amplitud constante o para seales digitales y de banda estrecha. Anlisis del rendimiento de conversin de potencia: La eficiencia del amplificador de potencia se seguir definiendo como:

En el anlisis que sigue a continuacin se interpreta como alta frecuencia a aquellas frecuencias comprendidas por encima de dos o tres veces la frecuencia de corte propia de la ganancia de corriente del transistor con la salida en corto circuito f . Para tales frecuencias, despreciando el efecto de recombinacin de portadores en la base, la carga elctrica que se desplaza por la base es:

y en donde to est tomado ya desde fuera del intervalo de conduccin de la juntura base-emisor. Luego utilizando el concepto de control de cargas, la corriente de colector puede expresarse segn:

en donde se ha considerado como:

como el tiempo de transito directo. A las frecuencias de anlisis resulta muy difcil encontrar una expresin analtica precisa representativa para la corriente iB ; sin embargo experimentalmente se comprueba lo siguiente: a) Durante la mayor parte del intervalo de conduccin del diodo base-emisor, la corriente de la base sigue la forma de la tensin de entrada;

b) En dicho perodo la corriente de base sigue la forma de seal de la excitacin hasta alcanzar su valor mximo negativo (de descarga de base), tras lo cual dicha corriente de base decrece rpidamente hasta hacerse cero (en realidad hasta un valor compatible con la polarizacin inversa de la juntura base-emisor); En la figura puede apreciarse lo descripto precedentemente debiendo destacarse que la forma de seal correspondiente a la corriente de colector iC que tambin se incluye en la misma grfica, se ha obtenido (aproximadamente) aplicando la ecuacin.

En esta grfica, alfa () es el ngulo de circulacin de la corriente de colector y tal como puede imaginarse resulta de muy difcil determinacin. En consideracin a las dificultades que se presentan y que por ello se han destacado, para el estudio subsiguiente se propone el empleo de un modelo aproximado, en donde en un principio se supone que la forma de seal de la corriente en la base sigue una ley simtrica, tratando de respetar que en el perodo de conduccin o de polarizacin directa de la juntura base-emisor, la forma de seal es una senoidal concordante con la excitacin. Esta aproximacin a la realidad en ocasiones se denomina modelo de sinusoide parcial y se ha representado en la figura anterior. La idea es aceptar que la forma de la seal de la corriente de base responde a una senoidal parcial que no debe confundirse con la senoidal. La diferencia en trminos de representacin grfica se puede observar en la siguiente figura, en tanto que matemticamente su expresin analtica se transcribe ms adelante.

Debe recordarse que el semiciclo positivo de tal sinusoide parcial es la que en definitiva se tiene con VBE cuando VBB + Vb supera el valor de la tensin base-emisor de umbral VBEu del transistor, instante a partir del cual comienza la circulacin de ib que sigue la forma de VBE. El semiciclo negativo no es sino para completar la simetra. Por consiguiente, se supondr de ahora en ms que nuestro modelo responde a lo ilustrado en la figura siguiente y todo el consiguiente desarrollo lo realizaremos en base a este modelo de sinusoide parcial.

En cuanto a la representacin grfica que se indica en la figura anterior, si se corre el eje de ordenadas de modo de separar a - y + tal como representamos en la siguiente figura, la funcin que representa al modelo de sinusoide parcial es:

En consecuencia la potencia que la fuente le suministra al amplificador ser: ICo

PCC = VCC .

En donde ICo es el valor medio de la corriente por colector del transistor y que se observa en la figura anterior. Por su parte la potencia de salida de seal que se desarrollar sobre la carga dinmica (rc ) viene dada por la ecuacin:

En donde Vcn e Icn son los valores mximos o de pico de la tensin colector-emisor y de la corriente de colector de la componente armnica que se est sintonizando. Al respecto cabe hacer notar que en el grfico de la grafico anterior slo se ha representado a la componente fundamental Vc1 e Ic1. En consecuencia remplazando las potencias, el rendimiento queda expresado por la ecuacin:

y como:

resultar:

mientras que:

As entonces si desarrollamos en serie de Fourier la corriente ib se tendr:

Aprecindose que dada la simetra de dicha funcin esta serie no posee ni componte de continua ni componentes cosenoidales. Luego si aplicamos la segunda expresin podemos hallar la funcin representativa de la corriente de colector o de salida.

Posteriormente, determinando los coeficientes Ibn de la serie de Fourier con el auxilio de las expresiones que se indican en la grafica anterior es posible llegar a:

y asimismo, para la componente de continua ICo :

Por ello, remplazando ambas expresiones anteriores en la ecuacin de I se obtendr una funcin nicamente dependiente del ngulo de conduccin 2 o sea: I = Fn(2) Por otra parte, del mismo sistema de ecuaciones y serie de Fourier tambin se pueden establecer los valores mximos o de pico, tanto de la corriente de colector del transistor (los picos de la corriente pulsante) as como de la corriente en la base de dicho transistor, siendo los resultados los que se aprecian a continuacin:

Consideraciones para el diseo: Supongamos que los datos que nos proporcionen para encarar el diseo sean: Ps; VCC; Fo y uso de transistor bipolar. Entonces el problema de diseo del Amplificador clase C sintonizado de RF puede encararse de la siguiente forma:

1) se adopta el transistor, para lo cual lo mejor es seguir las recomendaciones de los fabricantes ya que por lo general clasifican sus productos de acuerdo al uso especfico para lo que han sido diseados; 2) Se adopta VCEmin y por ende se determina el rendimiento V; 3) Se adopta el rendimiento y luego se determina el eficiencia de corrientes I ; 4) Se opta por proyectar un amplificador sintonizado en la frecuencia fundamental (n = 1) entonces puede trabajarse con la tabla 1 y obtener el correspondiente valor del ngulo de circulacin ; 5) Puede calcularse la potencia que debe suministrar la fuente de alimentacin (PCC) y con ella la componente de continua de la corriente de colector (ICo) as como la potencia que debe poder disipar el transistor (determinacin del disipador)

6) La corriente Ic1 puede calcularse aplicando:

y con ella verificar el valor precedentemente calculado de ICo. 7) con la Ic1 precedentemente calculada es posible determinar la Ib1 aplicando:

y con dicha Ib1 y se obtiene e Ibmax aplicando:

8) Con esta Ibmax y una estimacin de la resistencia del diodo base-emisor polarizado en directo rb es posible determinar la amplitud de la tensin de excitacin necesaria mediante la aplicacin de la siguiente ecuacin.

9) Se calcula la tensin de polarizacin inversa necesaria VBE aplicando: VBE = - Vb1 . cos (/2) + VBEu 10) Se verifica que la tensin de polarizacin inversa precedentemente calculada este por debajo de a tensin de ruptura del diodo base-emisor, es decir: VBE << BVBE

11) se determina la resistencia de carga dinmica segn:

Y de acuerdo con el Q del circuito resonante o banda pasante necesaria la correspondiente reactancia inductiva o inductancia L si se conoce RL. Mas tarde con la ecuacin de Fo la capacidad de dicho circuito tambin puede ser determinada. Ejemplo de proyecto: Veamos un ejemplo con un planteo un tanto diferente. Supongamos que se solicite disear un amplificador de potencia clase C, utilizando como elemento activo un transistor bipolar de las siguientes caractersticas: BVCEo = 24 V VCE(sat) = 2 V FT = 500 MHz rb = 2 Ohm Dicho amplificador operar a una frecuencia de 100 MHz, deber entregar a la salida una potencia de 10 W y ser alimentado con una fuente de alimentacin cuya tensin de salida es de 12 V.

BIBLIOGRAFIA: Apuntes SEC. UIB A.C.R.TULIC Electrnica, principios y aplicaciones, Charles A. Schuler