1. Describa la clasificacin de la familia de los transistores de efecto de campo FET.

Los transistores de efecto de campo se dividen en dos tipos: a. Transistores de efecto de campo de juntura: El voltaje aplicado a la juntura p-n con polarizacin inversa asociada con el terminal de compuerta determina el espesor de las capas de juntura y esto altera las dimensiones efectivas del canal conductor. Este puede estar construdo con material del tipo p o del tipo n. Este es el dispositivo que se conoce normalmente como fet o transistor de efecto de campo. En esta categora se encuentran el jfet y mesfet. La diferencia entre cada uno de estos dispositivos es que el jfet es un transistor de efecto de campo de juntura y el MESFET, es efecto de campo de juntura metal semiconductor es decir su diferencia fundamental se basa en los materiales con los cuales estn construidos. b. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada: La tensin aplicada al terminal de compuerta determina la carga inducida en un material semiconductor que est elctricamente aislado de la compuerta. La carga inducida puede establecer un canal conductor en donde no exista ninguno antes, tal como en el caso de los dispositivos tipo n o p de enriquecimiento o modular la conductividad de un canal ya existente. Este es el caso de los n y p tipo empobrecimiento. En esta categora se encuentra el IGFET o MOSFET. 2. Explique la operacin del modelo Schockley de una unin del transistor de efecto de campo. Este modelo esta representado por la forma en como se comporta el transistor de efecto de campo, en el por medio de la polarizacin de la compuerta se obtiene una variacin entre la corriente existente entre le drenador y la fuente. Los terminales de la compuerta se polarizan con el mismo voltaje y de acuerdo al valor de este se puede ampliar o reducir el ancho del canal entre el drenador y la fuente, creando de esta manera la variacin de la corriente ID El modelo schokley se define por la siguiente ecuacin: ID=IDSS(1-VGS/Vp)2 Donde: Vp: es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS: es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 V. 3. Dibuje y explique las curvas caractersticas bsicas I-V del JFET.

En las graficas anteriores se puede ver como en el jfet de canal N cuando la polarizacin vgs se hace mas positiva entonces el cana se ensancha y por lo tanto la corriente id tiende a aumentar, el voltaje vp es el voltaje en el cual entra en corte el transistor y cuando el voltaje vds alcansa dicho valor pero en sentido contrario es decir negativo entonces el transistor se satura. Lo mismo ocurre para el transistor del canal p pero en este caso el voltaje vgs se tiene que hacer mas negativo para que exista la corriente mxima idss.

Aqu se puede apreciar la variacin de id con respecto a vd para ciertos valor de vgs constantes. Cuando se alcanza cierto valor de vd ocurre una ruptura conocida como ruptura de avalancha, en ese momento el transistor se destrulle. 4. Dibuje y explique la curva caracterstica de transferencia de un JFET de canal largo.

Curva de transferencia Representa la variacin de vg con respecto a id y se puede observar que a medida aumenta vg la corriente id tiende a ids o corriente mxima por el drenador, por otra parte cuando el voltaje lleva la corriente id a cero existe entonces un voltaje llamado vp. 5. Dibuje y compare las curvas caractersticas I_V del MESFET normalmente ON y OFF.

La curva caracterstica del MESFET es similar a la del JFET ya que son del mismo tipo, en el normalmente abierto se puede observar que cuando vg=0 el canal se encuentra sin ningn tipo de estrangulamiento y id tiende a un valor mximo, la variacin de vd nos deja ver que debe existir un voltaje mnimo de umbral para lograr la corriente deseada de acuerdo al valor de vg, durante este aumento el canal se comporta de una manera hmica y por la tanto la relacin voltaje corriente es lineal, por otra parte cuando se supera el voltaje umbral en vd la corriente id permanece constante. En el MESFET normalmente cerrado el comportamiento es similar, pero la diferencia fundamental se basa en que cuando vg=0 en el normalmente abierto se tiene la corriente mxima en id por su parte en el normalmente cerrado la corriente id es minima, a valores positivos de vg se obtiene la corriente mxima en MESFET normalmente cerrado y a valores negativos de vg se obtiene la corriente mnima en el MESFET normalmente abierto

6. Dibuje y describa la curva de la velocidad de arrastre en funcin del campo elctrico para Si, GaAs y InP.

Se puede observar que en la curva del gaas en puntos a la derecha del valor mximo la velocidad se comporta inversamente proporcional al campo, esto ocurre para poder compensar que a mayores cantidades de campo la movilidad de electrones no sea tan alta para daar el dispositivo. Por su parte en el silicio la relacin entre el campo y la velocidad permanece constante y siempre es directamente proporcional, en conclusin dispositivos fabricados con GaAs presentan una mejor respuesta y por tanto una mayor eficiencia. 7. Dibuje y explique la dependencia que presenta la movilidad con el incremento del campo elctrico. En los dispositivos se requiere que la corriente se mantenga constante, por lo tanto la relacin entre movilidad y campo siempre debe inversamente proporcional, esto se da cuando los campos elctricos son muy elevados y al igual como se explicaba anteriormente el objetivo es que el dispositivo no se de destruya. 8. Dibuje y compare las curvas de corriente de drenaje, respecto a la movilidad.

La corriente id al permanecer la movilidad constante solo depende del valor de vg ahora si se tiene una movilidad variable representada en la grafica siguiente la corriente id se ver afectada tambin por la movilidad, su valor ser menor cuando existe movilidad y mayor cuando la movilidad permanece constante.

9. Dibuje y describa el modelo de dos regiones de un MESFET.

En la regin I se tiene una movilidad constante que genera una veolocidad variable por su parte en la regin II se tiene una movilidad variable y la velocidad llega a vs que es la velocidad de saturacin y se mantiene en ese valor. La regin I posee un area mayor y menor campo elctrico en cambio la regin II posee un area menor y un mayor campo. 10. Dibuje las grficas y describa el modelo de la velocidad saturada del MESFET.

El modelo se saturacin se basa en la relacin existente entre velocidad, concentracin de electrones y corriente en el drenador, cuando se tiene un Vg constante la corriente presente en el drenador slo va a depender del valor del voltaje Vds, entonces cuando Vds=Vdsmax en el cual va a existir una concentracin de portadores mucho mayor, esto har que la velocidad de los mismos sea mucho mayor, el principio fundamental es mantener la corriente contante, en este caso la concentracin har que se alcancen valores de corriente muy elevados y por lo tanto la nica manera de estabilizar dicha accin es manteniendo una velocidad constante, conocida como velocidad de saturacin.

11. Dibuje y explique el perfil del campo elctrico y la curva caracterstica corriente tensin del MESFET para diferentes condiciones de polarizacin de compuerta y drenaje. En la pregunta numero 5 se explicaron las curvas de corriente y tensin. En la pregunta numero 7 la relacin de perfil de campo elctrico. 12. dibuje y explique el comportamiento del campo elctrico, velocidad de arrastre y distribucin de carga espacial en el corte transversal del canal de un MESFET, operando en la regin de saturacin de corriente. En la pregunta numero 10 se explica esto y la distribucin de carga espacial es la concentracin de portadores. 13. Dibuje y explique el comportamiento que muestra el pico de la velocidad del electrn al entrar en la regin de alta intensidad de campo bajo la compuerta. La nica grafica que muestra la velocidad del electron con respecto al campo es el de la figura 10 el pico de la velocidad se define como la velocidad mxima que alcanzan los electrones cuando entran a regiones de alto campo, debido a que en ellos la movilidad y concentracin de portadores estn relacionadas y deacuerdo al elmento con el que se este trabajando la velocidad de saturacin obtiene valores diferentes en el silicio que en el gaas. 14. Dibuje y explique el circuito equivalente del MESFET de microondas y el origen fsico de los elementos del circuito.

Rg: Resistencia de compuerta. Rs: Resistencia de fuente. Rd: Resistencia de drenaje. Cgs y Cdg: Cacitancia compuerta fuente. Cds: Cacitancia drenador fuente. gm: transconductancia intrincica del transistor. gd: conductancia de salida. La resistencias son debidas a las resistencias que hay en los materiales, y la capacitancia por los efectos de las uniones en el material que se incrementan para altas frecuencias. 15. Dibuje y explique las limitaciones de potencia y de frecuencia del MESFET de microondas.

Se puede observar que a valores mayores de frecuencia la potencia disminuye por lo tanto se comportan de manera inversamente proporcional. 16. Dibuje y explique el circuito equivalente de anlisis de ruido del MESFET de microondas.