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FUENTES REGULADAS Especificaciones y Disipacin de Potencia del Transistor de Paso

Fuentes Reguladas - Especificaciones y Disipacin de Potencia del Transistor de Paso


Ing. Ral A. Villa, Ctedra Electrnica Aplicada. Facultad de Fsica, Matemticas y Ciencias Naturales. Universidad Nacional de San Luis. E-mail: rvilla@unsl.edu.ar 1. Disipacin de potencia en el transistor de paso.

Fig. 1 Al transistor Q1 se lo denomina transistor de paso pues toda la corriente de la carga "pasa" por l. La principal desventaja de un regulador serie de tensin, es la potencia que se disipa en el transistor de paso. Esta potencia no es transferida a la carga, lo cual motiva que el rendimiento sea vastante inferior al 100%. La potencia disipada en el transistor Q1 est dada por la siguiente expresin: PQ1 = VCE IC Donde: VCE = Vent - Vsal IC = IL (corriente de carga) La potencia mxima PQ1max : Vent = Ventmax IL = ILmax (1) PQ1max = (Ventmax - Vsal) ILmax

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FUENTES REGULADAS Especificaciones y Disipacin de Potencia del Transistor de Paso 2. Especificaciones del transistor de paso
Condiciones de carga del regulador. Normal Operacin Anormal Sobrecarga Corto Circuito

Operacin normal: Condicin de carga que no exede el mximo de corriente para la cual se dise la fuente. Operacin anormal: Incluye condiciones de sobrecarga (se exede el valor mximo de corriente permitido) y en caso extremo, el corto circuito entre los terminales de salida de la fuente. Especificaciones para condiciones de carga normal. Estas especificaciones debern ser tenidas en cuenta a la hora de elegir el transistor en un diseo, as como para su reemplazo en el caso de realizar una reparacin. Se toman en cuenta las condiciones normales de operacin ya que todos los circuitos reguladores de tensin son provistos de una proteccin electrnica que limita la corriente en caso de sobrecarga o corto circuito.
q

ICmax > ILmax: Siempre la corriente mxima de colector que admite el transistor debe ser mayor que la mxima corriente prevista para la carga. VCEOmax > Ventmax: Para la tensin mxima de colector-emisor a base avierta (VCEO) del transistor se debe tener en cuenta el instante de encendido de la fuente, ya que, como la carga todaba no consume corriente la cada de tensin sobre la misma es igual a cero y toda la tensin de la fuente no regulada cae sobre el transistor de paso. hFEmin > ILmax/IBmin: Siempre es posible y de hecho se utilizan, si la ganancia no es la necesaria, colocar arreglos de transistores en configuracin darlington. Tener en cuenta que el circuito de control (ver A.O. en Fig.1) suele tener baja capacidad de corriente y los transistores de potencia tienen ganancias de corriente bajas (para el 2N3055 el hFEmin es de 20), lo cual implica que la corriente de base del elemento de paso suele ser importante. PDmax > PQ1max: PQ1max , calculado segn la expresin (1). Tener en cuenta que la especificacin de PDmax , que da el fabricante del transistor, est dada para una temperatura de encapsulado del transistor de 25C. Si se esperan temperaturas de operacin mayores, lo cual para un transistor de potencia es casi seguro, se deber reducir la potencia mxima, que se espera pueda disipar el transistor, segn las curvas que provee el fabricante en las hojas de datos (Ver Fig. 2).

Un correcto aprovechamiento del transistor de potencia deber contemplar el montaje del mismo sobre un disipador de calor, que es un sistema radiador de gran superficie en contacto con el aire.

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Fig. 2

Tabla 1

3. Transistores de Potencia y Disipadores


Todos los dispositivos de potencia son encapsulados de modo que permitan el contacto entre una superficie metlica del encapsulado, y el disipador externo. En la mayora de los casos la superficie metlica est elctricamente conectada a un terminal del dispositivo, en los transistores de potencia es casi siempre el colector. El objetivo del disipador es mantener la temperatura de la juntura del transistor por debajo del rango de temperatura de operacin mximo especificado. Para transistores de Silicio, en encapsulado metlico TO3 (Fig. 3), usualmente es de 200C y en encapsulado plstico, TO220 (Fig 4), de 150C.

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Fig. 3 Fig. 4

El clculo del disipador es simple: conociendo la potencia mxima de operacin del transistor, expresin (1), se calcula la temperatura a la que llega la juntura, considerando los efectos de la conductividad del calor en el transistor, disipador, etc. y la temperatura ambiente mxima, a la cual se espera operar. Luego se elige el disipador, lo suficientemente grande, como para mantener la temperatura de la juntura, por debajo del mximo especificado por el fabricante. Es aconsejable hacer un clculo conservador del disipador, ya que la vida til del transistor, decrece rpidamente con temperaturas de operacin cercanas a la mxima.

4. Resistencia Trmica.
Para llevar adelante el clculo del disipador se usa el concepto de RESISTENCIA TERMICA "R ", definido como el decremento de temperatura dividido por la potencia transferida. Ver expresin 2. R [C/W]=T/Pot (2)

Cuando se considera el calor transferido enteramente por conduccin (no por radiacin, ni conveccin) la R es una constante, independiente de la temperatura, que depende solo de las caractersticas de la "unin" entre las superficies de los dos medios por los que se transmite el calor. Existe una analoga entre la expresin 2 y la L de Ohm (Ver Fig. 5), que es ey frecuentemente utilizada para modelar flujo de calor. Notar que T corresponde a la cada de tensin (V) sobre la resistencia trmica R (R) y la potencia disipada a la corriente (I). Para una sucesin de uniones trmicas "en serie" la RTotal es la suma de las resistencias trmicas individuales. De todas las resistencias trmicas que intervienen en un transistor montado sobre disipador, los fabricantes de semiconductores especifican la R (Resistencia Trmica jc entre la juntura y la cpsula del transistor) ya que est determinada por la construccin y forma del dispositivo. Por otra parte, de todas las resistencias que intervienen hasta llegar con el calor disipado en la juntura, al medio ambiente; la nica verdaderamente manipuleable es la del disipador. Esto, aunque la resistencia trmica entre el fondo de la cpsula y el disipador puede ser minimizada. Esta minimizacin se lleva a cabo mejorando el acabado de las superficies en contacto de forma que el aire atrapado entre ellas sea el menor posible. Mejor todava es sustituir el aire atrapado, entre ambas superficies, por compuestos. El ms utilizado para esta funcin es la grasa de silicona mezclada con xido de cinc, que presenta ventajas respecto de otros fluidos por su estabilidad. Como en la mayora de dispositivos semiconductores de potencia la cpsula est en contacto con uno de los electrodos, el radiador a l adosado quedar tambin bajo

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tensin. Para que esto no suceda, entre cpsula y disipador pueden intercalarse materiales aislantes elctricos, buenos conductores del calor. Estos materiales suelen ser delgadas hojas de mica.

Fig. 5 Fig. 6

Para un transistor montado sobre un disipador (Ver Fig. 6) la RTotal desde la juntura hasta el ambiente es la suma de: - Rjc: Resistencia trmica juntura - cpsula. Depende del encapsulado y la provee el fabricante en las hojas de datos. - Rcd: Resistencia trmica cpsula - disipador. Depende de si el transistor v a aislado (mica) o no. Un transistor de potencia encapsulado en TO3 con mica aislante ms grasa siliconada tiene un Rcd 0.3C/W. - Rda: Resistencia trmica disipador - ambiente. Depende aproximadamente de la superficie expuesta (dimensiones) del disipador al ambiente. Tomando en cuenta que: T = T J - TA donde: T J: Temperatura de la juntura. T A: Temperatura ambiente y la resistencia trmica total es: R Total = R jc + R cd + R da La temperatura de la juntura la podemos escribir reemplazando T y R Total en la expresin (2), segn la expresin (3): T j = T A + (R jc + R cd + R da) Pot (3)

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Ejemplo: Calcular la Rda mxima que deber poseer el disipador a utilizar para las siguientes condiciones de trabajo: - PQ1max segn frmula (1) = 20W - TA 50C (Considerando el ambiente cerrado de un gabinete) - Tj 150C (Especificacin del diseo) - Rjc = 1.5C/W (Valor dado para un encapsulado TO3) - Rcd 0.3C/W (Con mica aislante + grasa siliconada) Clculo: R da = (T j - T A)/Pot - R jc - R cd = (150C - 50C) / 20W - 1.5C/W - 0.3C/W = 3.2C/W Se debe utilizar un disipador que posea una resistencia disipador - ambiente (Rda) menor a 3.2C/W. Como ejemplo podemos seleccionar el Disipador ZD-6 por 75mm de largo, del catlogo del Apndice A, que posee una Rda=2,9C/W.

5. Comentarios sobre disipadores.


Los disipadores se construyen de un metal buen conductor del calor, normalmente aluminio. La resistencia trmica de un disipador es funcin de sus dimensiones fsicas y especialmente de la superficie de contacto con el aire. Por esta razn estn normalmente provistos de aletas y se procura que la superficie sea rugosa (al contrario que en la zona de contacto con la cpsula del semiconductor, donde es pulida). Los disipadores deben instalarse en lugares con fcil acceso para la entrada y salida de aire; con sus aletas en sentido vertical para favorecer la circulacin del aire. Esto permite que se establezca un efecto de tiro por la ascensin del aire caliente. Si el disipador es montado en forma diferente, o si el flujo de aire es obstruido, la eficiencia del mismo se ver reducida (mayor resistencia trmica). Si la potencia disipada es alta el enfriamiento por aire forzado (uso de ventilador) suele ser necesario. En este caso el efecto de tiro vertical, antes mencionado, es sustituido por la direccin del flujo de aire impulsado.

Bibliografa:
1. Tomas L. Floyd. "Dispositivos Electrnicos" , 3 Edicin. Editorial Limusa. 2. Malvino Albert Paul. "Principios de Electrnica", 5 Edicin. Editorial Mc. Graw Hill. 3. Horowitz Paul and Winfield Hill. "The Art of Electronics". 2 Edicin. Editorial Cambridge University Press. 4. Bonnin Forteza F. "Fuentes de Alimentacin Reguladas Electrnicamente", 1 Edicin. Editorial Marcombo. 5. Linear Regulator Construction and Layout, Motorola Analog Interface ICs, Vol. 1, 1995. 6. Motorola Bipolar Power Transistor Data, 1995.

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