TRABAJO COLABORATIVO 2

CARLOS ALBERTO CASADIEGO GUERRERO. CDIGO. 5.092.235

Ing. YACIRO CABEZAS Email: yaciro.cabezas@unad.edu.co TUTOR

GRUPO COLABORATIVO 100414-124

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA PROGRAMA. INGENIERA DE SISTEMAS CURSO ELECTRNICA DIGITAL CEAD VALLEDUPAR CESAR NOVIEMBRE 2012

OBJETIVOS GENERAL Adentrarnos al conocimiento de los semiconductores que nos permita entender su funcionalidad dentro de un circuito integrado. ESPECFICOS Enunciar las principales caractersticas y diferencia existentes entre los diversos tipos de materiales aislantes, conductores y semiconductores Indagar sobre diversos tipos de diodos diferentes a los rectificadores, LED, Zner y fotodiodos Identificar las principales caractersticas y diferencias existentes entre los transistores NPN y PNP Determinar la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico Instalar el software Workbench, simular diversos circuitos electrnicos y analizar su comportamiento

INTRODUCCION La unidad 2 del mdulo de electrnica digital, nos adentra al conocimiento de los semiconductores, involucrndonos en la comprensin de su estructura anatmica, sus caractersticas, semejanzas y diferencias existentes entre ellos. El conocimiento de los mismos nos permiten determinar el grado de utilidad de estos en el mundo tecnolgico, permitindonos entender la razn por la cual los nuevos dispositivos son mucho ms pequeos y veloces. El trabajo se ubica en dos fases, una investigativa y otra de prctica. La primera se compone de 5 preguntas que involucran temticas como: caractersticas y diferencias de elementos conductores, semiconductores y aislantes, caractersticas de los semiconductores tipo N y P, la temtica sobre diversos tipos de Diodo identificando sus caractersticas, ventajas y aplicacin, seguidamente nos adentramos al conocimiento de los transistores NPN y PNP, que involucra sus caractersticas y diferencias y por ltimo el papel preponderante del os semiconductores en la nueva era tecnolgica. La segunda fase involucra el montaje de varios circuitos, con el nimo de adquirir destrezas y comprensin sobre el papel de cada uno de los dispositivos involucrados en ellos. Con la realizacin del presente trabajo se busca afirmar a travs de la prctica en los simuladores electrnicos y en los laboratorios el conocimiento adquirido en el componente terico en lo relacionado con los elementos aislantes, conductores y semiconductores.

ACTIVIDAD 10 TRABAJO COLABORATIVO 2 GUIA DE ACTIVIDADES FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica Electrnica. 1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
MATERIAL AISLANTE CARACTERISTICAS No existe aislante absoluto Su resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5x1024 veces mayor que la de los buenos conductores DIFERENCIAS Mas de 4 electrones en la capa de valencia La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV) de forma que todos los electrones de cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que al no existir portadores de carga libres, la conectividad elctrica de cristal es nula Menos de 4 electrones en la capa de valencia Todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos EJEMPLOS Mica Fibras de vidrio con un aglutinador plstico Vidrio Porcelana El agua Sales como cloruros, sulfatos y carbonatos que actan como agentes reductores (donantes de electrones) los cuales conducen la electricidad Cromo, Cobalto, Cobre, Oro, Indio, Hierro, Plomo En general todos los metales Silicio Germanio Selenio Arseniuro de galio Seleniuro de zinc Telurio de plomo

CONDUCTOR

SEMICONDUCTOR

Compuesto por los metales, su estado slido a temperatura normal excepto el mercurio que es lquido Son buenos conductores elctricos y trmicos No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin, esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada La conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero menor que un metal Incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes

Posee 4 electrones en la capa de valencia La magnitud de la banda prohibida es pequea (1eV), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P ? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro ?

SEMICONDUCTOR TIPO N 4 de los 5 electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los 4 tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin y por tanto se convertir en un portador de corriente. Caractersticas No solo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro

SEMICONDUCTOR TIPO P Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga 3 electrones externos, solo podr formar 3 uniones completas con los tomos de silicio y la unin incompleta dar lugar a un hueco Este tipo de impurezas proporcionarn entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores o impurezas de tipo p Caractersticas Al contrario de lo que suceda antes en el tipo N en un semiconductor con impurezas tipo P los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin con los que tena en semiconductor puro.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo. Diodos de Tratamiento de Seal (RF):

Los diodos de tratamiento de seal requieren algo ms de calidad de fabricacin que los tpicos rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales. etc.

Uno de los puntos ms crticos en el diodo, a la hora de trabajar con media y alta frecuencia, se centra en la capacidad de unin, la cual se debe a que en la zona de la unin PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (Radio-frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus "habilidades" rectificadoras, incluso cuando tenga que trabajar en altas frecuencias. Entre los diodos ms preparados para bregar con las altas frecuencias destaca: el diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los setenta por la firma Hewletty deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin.

Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Funcionamiento A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con

impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. Caractersticas La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conducira a su rpido deterioro. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. Diodos de capacidad variable (varicap):

El diodo varicap sustituye con gran xito a los obsoletos condensadores variables.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de

muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar). Por esta razn podemos concluir que los diodos de capacidad variable (conocidos ms popularmente como Varicaps varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin. Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintona de un viejo receptor de radio estamos variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su etapa de sintona; pero si, por el contrario, actuamos sobre la ruedecilla o, ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo Diodo Tnel

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.1 La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Diodo Gunn

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa. La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en ingls) y la sintonizacin es realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son elctricos. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. El dispositivo recibe su nombre del cientfico britnico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los clculos tericos del profesor y cientfico britnico Cyril Hilsum. Diodo Laser

El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD. Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los

electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida (vase semiconductor). Esta emisin espontnea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero slo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y habitualmente una energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energa se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase lser), es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn. En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un lado totalmente reflectante y otro slo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante tambin), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. Es importante aclarar que las dimensiones de la unin PN guardan una estrecha relacin con la longitud de onda a emitir. Este conjunto forma una gua de onda similar a un resonador de tipo FabryPerot. En ella, los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrn del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente (la que es slo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo lser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre. Ventajas Son muy eficientes. Son muy fiables. Tienen tiempos medios de vida muy largos. Son econmicos. Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, pudindose modular a dcimas de Gigahercio. Su volumen y peso son pequeos. El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo. Su consumo de energa es reducido (comparado con otras fuentes de luz)

El ancho de banda de su espectro de emisin es angosto (puede llegar a ser de slo algunos kHz)

Algunas aplicaciones Comunicaciones de datos por fibra ptica. Lectores de CD, DVD, Blue-rays, HD DVDs, entre otros. Interconexiones pticas entre circuitos integrados. Impresoras lser. Escneres o digitalizadores. Sensores. Tratamiento con lser odontolgico.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP. TRANSISTOR NPN CARACTERISTICAS Componente semiconductor que tiene 3 terminales Colector (C), Base (B), Emisor (E) Enciende con un voltaje mayor de 0.7 V, es decir un (1) lgico y se apaga con un voltaje inferior. DIFERENCIAS Su base positiva solo le puede aplicar tensin positiva internamente Formado por un cristal que contiene una regin P entre 2 regiones N Permiten el paso desde el colector hacia el emisor cuando reciben un voltaje mayor de 0.7V Por poseer una base negativa solo se puede aplicar sobre ellos una tensin negativa inferior a 0.7V Posee una regin N entre 2 regiones P Permite el paso de corriente desde el emisor al colector cuando se le aplica un voltaje inferior a 0.7V

PNP

Componente semiconductor que tiene 3 terminales Colector (C), Base (B), Emisor (E) Se enciende con un voltaje menor de 0,7V, es decir un (0) lgico y se apaga con un voltaje mayor a 0.7V

5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico ? En una etapa de la humanidad, la evolucin de esta ha ido a la par de la evolucin de la electrnica lo que ha permitido la construccin de diversos sistemas electrnicos que mejoran las condiciones de vida del hombre

En la actualidad los sistemas de cmputo interconectan una gran cantidad de hogares facilitando el acceso a la informacin, el desarrollo de la red social 2.0, contar con la disponibilidad de servicios transaccionales La radio y la televisin han permitido fortalecer la comunicacin de las personas (vivir informados e informar) La aparicin de nuevos sistemas electrnicos oblig a las empresas a fabricar nuevos circuitos a muy bajos costos De igual manera las ciencias mdicas y de investigacin han desarrollado prototipos y sistemas que mejoran las condiciones de muchas personas (Robtica) La aparicin de los CI, disminuy el tamao y aument la capacidad de procesamiento de los nuevos equipos

FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.
Indicador Zona Roja

En el simulador de la parte izquierda el indicador enciende debido a que el diodo se polariz de manera directa lo que permite que la corriente circule a travs del circuito y encienda el indicador de color rojo. En la simulacin de la parte derecha el indicador no enciende debido a que el diodo est polarizado en inversa con respecto a la fuente de voltaje lo que impide el paso de corriente a travs del circuito. 2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda

Instrumentos: "Osciloscopio"

Para la rectificacin de media se trabaja con solo diodo que da una seal de salida que es igual a la seal de entrada, para este caso 12V a 60 Hertz sin el lbulo negativo del ciclo de la onda; debido a que en el semiciclo negativo el diodo se polariza en inversa y la corriente no circula a travs del circuito lo que genera que idealmente en la seal de salida haya un 0 de voltaje que en la realidad equivale a 0.7V debido al potencia generado en la juntura del diodo.

b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

El puente rectificador cumple la funcin de invertir el lbulo perteneciente al semiciclo negativo de la onda, lo consigue gracias al arreglo de los diodos que permiten que el voltaje se invierta cuando es negativo en la salida generando una onda de salida en corriente directa (Eliminando la parte alternante de esta volvindola puros semiciclos positivos en la salida) 3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. Nota: Tenga en cuenta que la seal del Generador de Funciones es una onda seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz ( ver figura anterior )

El arreglo que se realiz en la simulacin se llama emisor comn y gracias al arreglo de los resistores el transistor PN2222A est en la zona del trabajo de amplificacin realizando una multiplicacin de una constante beta (ganancia) por la seal de entrada. Esta accin consigue que la seal de entrada con dos milivoltios de pico se transforme en una seal de salida con aproximadamente 300 milivoltios a la misma frecuencia de la seal de entrada, lo que indica que la ganancia es aproximadamente 150 milivoltios. En el circuito amplificador, la polarizacin del transistor se consigue dividiendo la tensin formada por la resistencia R1 y R2 con el crculo en reposo (Sin V e), podemos saber si el crculo funciona midiendo las tensiones de polarizacin y las intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar que Ie = Ib + Ic) Al amplificar una seal alterna en la entrada, estamos modificando la tensin de base emisor del circuito, por consiguiente la intensidad de la base depende de la conduccin del transistor.

Suponiendo que en la entrada aparezca el semiciclo positivo de una seal alterna. A travs del condensador de acople C1, se elevar la tensin de la base y por tanto, la base - emisor. Esto hace que aumente la intensidad de la base y se reduzca la barrera entre el emisor y el colector. El resultado es que el transistor conduzca ms (aumenta la Ic), aumenta la VR c y decrete entre colector y emisor (por tanto tambin decrece entre colector y masa). La tensin de colector que antes era constante, ha disminuido y el condensador de desacoplo C2 transmitiendo a la salida el descenso de Ve como el semiciclo negativo, igual que en el de entrada. A travs de C1 la tensin de base disminuir, por tanto, la tensin V b-e, con lo que tambin lo har la I b. De esta forma crece la barrera entre base y colector y el transistor conducir menos. As aumenta la V e y al haber menos corriente, baja la tensin en Rl. El efecto ese que la tensin de colector sube . el condensador de emisin se utiliza para estabilizar la tensin de emisor V e. Con las variaciones de corriente de colector se producen variaciones de tensin en Re, en colector emisor y en la resistencia del emisor. Esta ltima nos interesa mantenerla estable para que esta polarizacin contine como si estuviera en estado de reposo, en el que la polarizacin del transistor es estable. El condensador C mantiene la polarizacin de emisor constante y evita la distorsin producida por la misma tensin alterna de entrada.

CONCLUSIONES Al terminar este trabajo podemos concluir lo siguiente: Existe en el medio natural elementos aislantes, conductores y semiconductores de la electricidad Los elementos aislantes poseen ms de 4 y has 8 electrones de valencia, los conductores menos de 4 y los semiconductores 4 electrones de valencia como el caso del germanio y el silicio. Los materiales semiconductores puros se denominan intrnsecos y los que se les agrega impurezas se les denomina extrnsecos, los segundos dan origen a los semiconductores tipo N y P y sus combinaciones. Los semiconductores tipo N se les adicionan tomos de impureza que tienen 5 electrones de valencia de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrn. Los semiconductores tipo P se les agregan impurezas que contiene 3 electrones de valencia, de tal manera que vamos a tener ausencia de electrones a lo que se le llama huecos. El diodo es un semiconductor sencillo compuesto por materiales tipo N y tipo P. Se identifican diversos tipos de diodo dentro de los que se destacan: los diodos rectificadorse, los Zner, los LED, los varistores, los fotodiodos, Diodos de Tratamiento de Seal (RF), Diodo Tnel, Diodos de capacidad variable (varicap), Diodo Gunn, Diodo Laser. De igual manera se trat el tema del transistor dentro de los que se destacan los bipolares como los NPN y PNP, cada uno de ellos consta de un emisor, colector y base y son utilizados como amplificadores, conmutadores, en sistemas digitales y como adaptadores de impedancia.

BIBLIOGRAFIA Y CIBERGRAFIA http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tip_diod.html http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Gunn http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Laser TELLEZ, A. Freddy R. Mdulo de Fsica Electrnica. Universidad Nacional Abierta y a Distancia. 2008