4 - 4 Curva de un diodo y ecuacin

Tomando el modelo completo del diodo, cuando al diodo esta polarizado de manera directa hay un potencial producido por la unin PN, aproximadamente 0.7 volts , si el potencial externo aplicado rebasa este valor entonces el diodo conduce tomando en cuenta la resistencia dinmica interna del diodo. En polarizacin inversa, hay una corriente pequea (corriente de fuga o de perdida), en el orden de micro a miliamperes, IS; esta corriente de fuga aumenta de magnitud en forma gradual hasta que llega a un voltaje de ruptura. En la Fig.4-4.1 se muestra una caracterstica tpica de un diodo de unin PN, donde se distinguen tres regiones: - Zona Directa, - Zona Inversa, - Zona de Ruptura Las caractersticas V - I se pueden expresar por medio de una ecuacin, ecuacin del diodo de Schockley: ID = IS (

VD/nVT

-1 ) = IS ( exp(VD / n VT) -1 )

ID : corriente a travs del diodo (A) IS : corriente de fuga (o de saturacin en sentido inverso), de 10-6 a 10-15 Ampers) VD: voltaje del diodo, con el nodo positivo respecto al ctodo (V) n = constante emprica, coeficiente de emisin o factor de idealidad, valor entre 1 a 2 VT = 0.0258 v, voltaje trmico a 300 K La IS cuyo valor depende de la estructura, la composicin y la geometra del dispositivo. El valor de esta corriente de saturacin es tambin fuertemente dependiente de la temperatura; a mayor temperatura mayor corriente de saturacin. El coeficiente de emisin n cambia as mismo con la corriente, de las dimensiones del diodo, el material semiconductor y de la potencia que disipa. Para distintos rangos de corriente deberan usarse distintos valores de este coeficiente, pero para fines prcticos, para corrientes medias los valores para n = 1, mientras que tanto para corrientes grandes como para intensidades pequeas se obtiene n = 2. Los diodos discretos de Silicio tienen normalmente n = 2, mientras que en los integrados de Silicio suele ser n = 1. En los diodos de Germanio suele ser n=1 El voltaje trmico VT, depende de la temperatura, VT = Boltzmann, T la temperatura en Kelvin, q la carga del electrn Para VD < 0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable con respecto a la unidad. Entonces la corriente tiende al valor IS , que es la corriente inversa del diodo.

kB T , siendo kB la constante de q

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Para VD > 0, es decir en polarizacin directa, la corriente del diodo es muy pequea, si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico VA (tpicamente 0.7 v) siendo el voltaje de umbral, voltaje de activacin, voltaje de cierre o voltaje de encendido, el diodo conduce en forma total si VD es mayor que VA. As, el voltaje de umbral es aquel con el cual el diodo conduce en forma total. Imaginemos un voltaje pequeo del diodo, VD = 0.1 v con n = 1 y VT = 0.0258 v. De acuerdo con la ecuacin de Schockley se puede determinar la corriente en el diodo ID como sigue ID = IS ( exp(VD / n VT) -1 ) = IS ( exp( 0.1v / 0.0258v ) -1 ) = IS (48.229 - 1) = 47.229 IS que se puede aproximar a ID = IS exp(VD / n VT) = 48.229 IS con un error de 2%. Al aumentar el voltaje en el diodo que se aplica de forma directa, el error disminuye con rapidez. En consecuencia, cuando VD > 0.1, como suele ser el caso normal, ID >> IS , la ecuacin se puede aproximar a, ID = IS exp(VD / n VT) Ejemplo 4-4.-Los valores medidos de un diodo a 300 K (25 C), son: VD = 0.6 v cuando ID = 0.108 A; y VD = 0.7 v cuando ID = 1.433 A. Calcular a) el coeficiente de emisin y b) la corriente de fuga VT = 0.0258 v VD1 = 0.6 v cuando ID1 = 0.108 A, primera medicin (A) VD2 = 0.7 v cuando ID2 = 1.433 A, segunda medicin (B) n=? IS = ? Usando ID = IS ( exp(VD / n VT) -1 ), para ambos casos tenemos dos incgnitas , n y IS , entonces

debemos combinar las ecuaciones de tal manera que se elimine una incgnita, para esto despejamos
VD1 = (n VT ) ln (ID1 / IS ) para la primera medicin VD2 = (n VT ) ln (ID2 / IS ) para la segunda medicin restamos ambas ecuaciones VD1 - VD2 = (n VT ) { ln (ID1 / IS ) - ln (ID2 / IS ) } = (n VT ) ln (ID1 / ID2) Despejamos, n = (A) (B)

( VD1 - VD2 ) ( 0.6v - 0.7v) = = 1.499 obtenemos al sustituir VT ln(I D1/I D2 ) (0.0258v) ln(0.108/1.433)

ste resultado lo usamos para determinar la corriente de fuga en A o B, IS =

I D1 0.108 A = = 1.996 x 10 -8 A exp (VD / n VT ) exp (0.6 / 1.5 * 0.0258)

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