Plasmas e suas Aplicaes Tecnolgicas

Prof. Argemiro Soares da Silva Sobrinho Laboratrio de Plasmas e Processos -LPP Instituto Tecnolgico de Aeronutica - ITA argemiro@ita.br
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1. Introduo
Grupo de plasma do ITA Linhas de Pesquisa Definio de Plasmas Exemplos de Plasmas na Natureza

2. Plasmas em Laboratrio
Tipos de Plasmas Interao Plasma-Material

3. Deposio de Filmes Finos

Mtodos Fsicos Mtodos Qumicos

4. Processo de Corroso de Materiais 5. Exemplos de Aplicaes Tecnolgicas

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 Professores e pesquisadores efetivos: 6 Ps-doutorandos e professores visitantes: 7

Professores Colaboradores: 8
Doutorandos: 14 Mestrandos: 16 Iniciao cientfica e estagirios: 8

TOTAL: 59

Linhas de Pesquisa do Grupo de Plasmas do ITA

Estudo de Plasmas Trmicos e No Trmicos Caracterizao de Plasmas (Sondas Eletrostticas, Espectrmetro de Massa, Espectrofotometria) Sntese e Tratamento de Materiais por Plasmas Frios (microeletrnica, mecnica, aeroespacial, energia, odontologia, medicina, etc) Desenvolvimento de Sensores Baseados em Filmes Finos Desenvolvimento e estudo de reatores a plasma em diferentes faixas de presso de operao Estudo da Combusto e Gaseificao Assistida a Plasma Tecnologia de Oznio (aplicaes em medicina e meio ambiente) Caos e Dinmica no linear - Aplicaes: fuso termonuclear controlada e processos de dnamo no linear

plasma
(eltrons+ions)

energia
gs (vapor)

solido (gelo)

energia
energia lquido (gua)

O que plasma?
Plasma ( - substncia moldvel)

Gs parcialmente ou totalmente ionizado,

Possui densidades de cargas positivas e negativas praticamente iguais (quasi-neutro) O termo plasma foi criado em 1923 por Langmuir and Tonks quando estudavam descargas eltricas em gases. Plasmas totalmente ionizados so chamados plasmas quentes ou plasmas de altas temperaturas, como o observado nas estrelas e em reatores de fuso nuclear.

Plasmas com baixo grau de ionizao so chamados plasmas frios ou plasmas de baixas temperaturas, como o que ocorre nas auroras, chamas, arcos, descargas luminescentes, etc.

Classificao de plasmas: trmicos e no-trmicos

Plasma no-trmco: no possui equilbrio termodinmico Te>>Ti Tg Plasma trmico: possui equilbrio termodinmico Te TgTi

Classificao de Plasmas
Plasmas no-trmicos ou frios Descargas em baixa presso
Plasmas trmicos ou quentes

Microplasmas

Tocha de plasma

Grau de ionizao:

Plasmas na natureza
SOL
Estrelas

Nas estrelas

Vento solar

Calda dos cometas

Plasmas na natureza

Aurora Boreal
Vista da Terra

Nas estrelas

Vista do espao

Plasmas na natureza

Aurora boreal na Noruega, 2011

Nas estrelas

Plasmas na natureza

RAIOS

Nas estrelas

Necessidades:
Cmara (Reator) Sistema de vcuo Fonte de potncia (DC, RF, microondas) Eletrodos Gases Medidores de presso e vazo de gases

Plasma CC Entrada de gases

Nas estrelas

Espcies neutras Eltrons ons

Sistema de vcuo

Plasmas em laboratrios - Tipos

1) DC & AC Glow Cold Cathode Hot Cathode (Filament discharge) Magnetron (Magnetized cold cathode) Dielectric Barrier Discharge 2) Radio Frequency (~0.1 - 100 MHz) Capacitively Coupled (rf) Inductively Coupled Plasma (ICP) Helicon (Magnetically enhanced wave coupling) 3) Microwave (~1 - 20 GHz) Microwave Electron Cyclotron Resonance (ECR) (Magnetically enhanced wave coupling) 4) Thermal Plasmas Arcs Torches A escolha da fonte de potncia depende do processo que se deseja realizar !

 Elevada densidade de partculas de alta reatividade qumica jamais obtida por mtodos qumicos convencionais; Estas espcies quimicamente ativas produzem reaes qumicas em temperatura ambiente que em processos qumicos convencionais s ocorreriam em altas temperaturas; Possibilidade de modificao apenas na superfcie dos materiais sem alterar suas propriedades de volume.

a) Deposio

b) Corroso

Revestimento com TiN

c) Modificao de Superfcie (fsica e qumica)

Eltrons, ons, radicais livres, radiao UV, etc. interagem com a superfcie do material quebrando ligaes qumicas, criando radicais livres na superfcie e novas reaes

qumicas com a incorporao de novos elementos ou grupos proveniente do plasma.

Ions O+,Oelectrons +

photons

PLASMA o
2

atoms/radicals

O CO2

reactived layer

CO

Funcionalizao de superfcie Promoo de Adeso Melhorar molhabilidade da superfcie Melhoria de biocompatibilidade

ALD Atomic layer deposition CVD Chemical vapor deposition PVD Physical vapor deposition

 O filme formado por tomos que so diretamente transportados da fonte para o substrato atravs da fase gasosa.
Principais tcnicas: Evaporao Feixe de eltrons (Electron-beam) Pulverizao Catdica (Sputtering) Magnetron sputtering Crescimento epitaxial por feixe molecular (MBE)

Source: http://www.gencoa.com/tech/fundamental.html

Source: http://www.ajaint.com/whatis.htm

Usada com fontes DC, DC-pulsada ou RF. Objetivo: aumentar o grau de ionizao do gs. Por que? A taxa de sputtering elevada em baixas presses (abaixo de 10 mTorr) poucas colises entre as espcies do gs. Como? aumentar a probabilidade dos eltrons ionizarem o Ar atravs do aumento do caminho livre dos eltrons uso de campos eltricos e magnticos cruzados (confinamento magntico).

Nvel de Vcuo: 10-3 Torr

Raio de Larmor:

eltrons

Revestimento com TiN

Magnetron sputtering circular

Reator contendo sistema magnetron sputtering

Magnetron sputtering retangular

 O filme formado por reaes qumicas sobre a superfcie do substrato.

Deposio qumica a vapor em baixa presso Revestimento com TiN (CVD) Trmico CVD assistido a plasma (PECVD) Deposio por camadas atmicas (ALD)

Revestimento com TiN

Revestimento com TiN

Revestimento com TiN

This was the most common configuration in the semiconductor industry.

Revestimento com TiN

Defesa Automobilstica Biomedicina Aeroespacial Optica

Microeletrnica

Aplicaes Tecnolgicas de Plasmas

Energia solar

Meio ambiente Papel

Telecomunicao

Txtil

Baseados em filmes de SiC dopado e no dopado com N.

Diagrama esquemtico do sistema de deposio de filmes finos tipo catodo magnetron dual.

Interior do reator, contendo 2 catodos magnetron, 2 shutter dos catodos magnetron e 1 porta-substrato + trilho para sua movimentao.

Aplicao do acelermetro de SiC em uma turbina a gs.

Principais etapas de fabricao a serem desenvolvidas/otimizadas no LPP:

Oxidao trmica da lmina de Si; Corroso anisotrpica do Si para formao da viga e da massa inercial; Deposio do filme de SiC sobre a viga de Si.

Clulas solares fotoeletroqumicas

TiO2
Eg = 3.2 eV

TiOxNy
Eg = 2.5 eV

TiOxNy
Eg = 1.94 eV

Non-doped

Lightly doped

Heavily doped

Corroso de silcio - RIE

0.2 m

silicon

Corroso de Silcio em Plasma de SF6/O2/CHF3

SF6 isotrpico

CHF3 perfil negativo

Qumica da mistura SF6/O2/CHF3

O2 Cor. Fsica Perfil positivo

Deposio e corroso de filmes de carbono tipo diamante atravs de tcnicas assistidas por plasma

Filme a-C, 25sccm O2, 100mTorr, 50 W

M. Massi, H. S. Maciel, P. B. Verdonck LPP -ITA

Filme a-C:H, 25sccm O2, 50mTorr, 50 W

Jato de Plasma Corroso

Lubrificante Slido: Filmes de DLC, DLC/Ag e DLC/Diamante

Peas usadas em satlites

Filmes de DLC, DLC/Ag e DLC/Diamante

CH3

105 90 75 60 90 75 60 45 30 100 90 80 70 4000

(a) %T

CH2 CH3

C=C vinil

(b) %T

-OH

-COOH C=C

-C-O

(c) %T

disappearance of the CH2 CH3 peaks

3500

3000

2500 cm
-1

2000

1500

1000

FT-IR/ATR analyze of EPDM rubber (a) without treatment, (b) treated with O2/Ar plasma, (c) treated with N2/Ar plasma.

Tnel de vento a plasma Teste de materiais de proteo trmica

Atmosfera

Baixa presso

Filmes dieltricos (SiO2 e SiNX utilizados como barreira de permeao de O2 e vapor de H2O sobre PET
1E-8 2500

2000

1E-9 1500 1E-10 1000 1E-11 500

Q u a r t z W i n d o w R F E l e c t r o d e P E T F i l m

F l o w m e t e r s

P l a s m a z o n e T u r b o P u m p R o t a r y P u m p
WVTR (g/cm -s-cm Hg)
1E-12 0.0 10 100

SiH Ar4 NHO23 HMDSO

Coating thickness, d (nm)

1E-9

WVTR SiNy
MW/RF MW RF PET

1E-10

M o t o r D r i v e R F S o u r c e

1E-11

dc
1E-12

0.1
0 10 100

paisseur de la Couche d (nm)

A.S. da silva Sobrinho, J.E. Klember-Sapieha, M.R.Wertheimer, EPMontreal

Defect density, n (mm )

M i c r o w a v e G e n e r a t o r

M W A p p l i c a t o r

OTR (cc/m -s-cm Hg)

SiO2

-2

WVTR (g/m -jour)

Obrigado pela Ateno!

argemiro@ita.br

Lei de Moore: O nmero de transistores dos chips teria um aumento de 100%, pelo mesmo custo, a cada perodo de 18 meses.
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