Tiempo de acceso 45 nS Bajo consumo de potencia Tecnologa CMOS Corriente active 30 mA Corriente en standby 100uA VOLTAGE de programacin 12.

75V PROGRAMACION AUTOMATIZADA TIEMPO DE PROGRAMACIN de aproximadamente 6 segundos. De acuerdo al algoritmo. DESCRIPCION El M27C512 es una memoria programable a alta velocidad y borrable con luz ultravioleta con 524,288 bits ideal para aplicaciones para aplicaciones donde la experimentacin y los cambios son importantes. Esta organizada por 65,536 casillas de 8 bits. La ventana de cermica transparente permite al usuario exponer al chip a la luz ultravioleta para el borrado de la memoria. Un nuevo formato o condicin binaria puede ser escrita siguiendo los procedimientos de programacin. En aplicaciones donde el contenido es programado solo una vez y el borrado no es requerido (OTP), se ofrece el M27C512 en un paquete de plstico en doble lnea sin la ventana de borrado. Designacin de terminales A0 - A15 Q0 - Q7 E G/VPP VCC VSS Entrada de direccin Datos de salida Activacin del Chip(0) Activacin de salida(0) / Voltaje de programacin Polarizacin del integrado +5 V Polarizacin del integrado (tierra)

OPERACIN DEL DISPOSITIVO. Los modos de operacin del M27c512 se encuentran listados en la tabla de modos de operacin. Se requiere una sola fuente de alimentacin para el modo de lectura. Todas las entradas son de nivel TTL excepto GVPP y 12 V en la terminal A9 para la programacin electrnica. Modo de lectura. El M27C512 tiene 2 funciones de control; ambas pueden activarse lgicamente para la obtencin de datos de salida. Chip Enable (E) es la terminal de control de potencia utilizada para la seleccin del dispositivo. Output Enable (G) es la terminal de control que permite la salida de datos, independientemente de la activacin de que la terminal E; es decir se requiere de la activacin de las terminales E y G para una salida de datos. Entradas de direccin (A0-A15).- Este grupo de terminales permiten seleccionar a una de las 65,536 casillas para una operacin de lectura o escritura. Por ejemplo, si tenemos la siguiente condicin:
E G A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 1

Estaremos recuperando los datos almacenados en la casilla 56,092 a travs de las terminales de salida Q0-Q7. Salidas Q0 Q7.- A travs de estas terminales se recupera un grupo de 8 bits seleccionado por las entradas de direccin en el modo de lectura. Adems se utiliza para la programacin de la memoria en el modo de escritura. Modo Standby The M27C512 tiene un modo standby que reduce la corriente activa de 30 mA a 100uA . El M27C512 es puesto en el modo standby aplicando una condicin binaria alta (+5V) a la terminal de entrada E. Cuando la memoria se encuentra en este modo, las salidas Q0-Q7 se encuentran en estado de alta impedancia, independientemente del nivel de entrada en la terminal G. Cuando la memoria se encuentra en este modo se encuentra en estado de reposo y el consumo de potencia es bajo.

Lneas de control E y G. Debido a que las memorias son generalmente utilizadas en arreglos numerosos, el M27c512 cuenta con dos lneas que permite la conexin mltiple de memorias con las siguientes ventajas. a) La ms baja disipacin de potencia posible. b) Se asegura de la contencin del bus de salida evitando conflictos cuando se cuenta con un arreglo grande en la memoria. Para el ms eficiente uso de estas 2 lneas de control, E debe ser decodificada y utilizada como funcin de seleccin primaria, mientras que G debe estar conectada a un punto comn para todas las memorias y conectada a la lnea de LECTURA del sistema de control del bus. Esto asegura que todas las memorias seleccionadas se encuentren en el modo de standby y que los pins de salida sean activas solamente cuando un dato es requerido de un dispositivo de memoria en particular. Consideraciones del Sistema Las caractersticas de los cambios de voltaje en las memorias EPROM requieren de un cuidadoso desacoplamiento de los dispositivos. Las corrientes de alimentacin, Icc, tienen tres segmentos de inters para los diseadores de sistemas: El nivel de corriente de stanby, el nivel de corriente activa y los picos de corriente por transiciones que son producidos por la cada y elevacin de voltaje de la seal E. La magnitud de las corrientes pico de transicin de la carga capacitiva e inductiva depende de los dispositivos de salida. Los picos de tensin transitorios asociados pueden ser suprimidos mediante el acoplamiento de las dos lneas de control de salida y la apropiada seleccin de condensadores de desacoplamiento. Se recomienda un capacitor de cermica de 0.1uF conectado a cada dispositivo lo ms cerca posible a las terminales de la memoria entre VCC y tierra. Adems de un capacitor electroltico de 4.7 uF debe ser utilizado entre VCC y VSS por cada 8 dispositivos de memoria. Programacin Cuando se entrega ( y despus de cada borrado con UV), todos los bits del MC27512 se encuentran en estado binario 1 El dato se introduce selectivamente programando ceros dentro del bit deseado de la casilla. Aunque solo ceros sean programados, ambos, unos y ceros pueden estar presentes en la palabra de datos. S requiere cambiar ceros por unos, ser necesario exponer a la memoria a la luz ultravioleta. El M27C512 se programa cuando la entrada VPP est a 12.75 V y E es pulsada a VIL. El dato a ser programado es aplicado a los 8 bits en paralelo a las

terminales de salida de datos. Los niveles requeridos para la direccin y datos de entrada son niveles TTL. VCC es especificado a 6.25V 0.25V. Configuracin de terminales.