1.

Introduo Circuitos analgicos esto presentes na maior parte dos dispositivos e sistemas atuais, seja encapsulado em um circuito integrado (CI) como o caso dos microcontroladores e chips de computadores, ou na forma de circuito eletrnico (fontes de alimentao, sistemas de controle analgicos), executando uma infinidade de funes. De maneira geral a eletrnica analgica visa a transformao ou gerao de sinais contnuos, onde transformao compreende a filtragem, amplificao e mudana de fase de um sinal, e a gerao de sinais se refere, em particular, a criao de sinais com formas de onda especficas, como no caso de osciladores. 2. Eletrnica 2.1 Circuitos Eletrnicos Maheshwari e Anand (2004) definem circuito eletrnico como componentes e dispositivos interligados, com terminais de entrada e sada, onde o sinal disponibilizado na sada definido pelo processamento do sinal aplicado na entrada do circuito. Segundo Boylestad e Nashelsky (2000), o termo sinal na eletrnica faz referncia a todas as relaes entre as tenses e correntes, que quando aplicadas ao circuito so denominadas sinais de entrada. Dependendo da funo desejada, o sinal de entrada resultar em um sinal de sada ou em uma relao entre o sinal aplicado e o sinal resultante, denominada ganho, resposta ou funo de transferncia. Com exceo das fontes de alimentao, o propsito dos circuitos eletrnicos consiste em processar, transmitir e armazenar informaes na forma de sinais, podendo ser classificados em funo da natureza dos mesmos em: Circuitos digitais: onde o sinal trabalhado restrito a um nmero finito de valores, em quantidades inteiras, como sinais binrios, de uso to difundido atualmente, que operam com apenas dois valores possveis 0 e 1. Circuitos analgicos: trabalham com sinais assumindo qualquer valor intermedirio entre os limites de uma escala. Circuitos mistos: possuem componentes que operam com sinais de natureza digital e analgica de forma simultnea. Na eletrnica os componentes de um circuito podem ser ativos ou passivos, onde a diferena fundamental consiste na capacidade dos componentes ativos controlarem eletricamente o fluxo de eltrons atravs de sinal de controle de tenso ou corrente. O controle do fluxo de eltrons possibilita a amplificao dos sinais de tenso e corrente do circuito. Entre alguns dos componentes ativos encontram-se semicondutores (diodos, transistores, SCRs) e circuitos integrados. 2.1.1 Condutibilidade

A principal caracterstica dos componentes eletrnicos a capacidade da conduo de corrente eltrica sob o efeito de uma tenso, definida como condutibilidade, proporcional a concentrao de eltrons livres do material que o constitui.

Fisicamente o tomo a menor parte da matria, sendo composto por um ncleo, onde so encontrados prtons e nutrons, e eltrons distribudos em camadas (rbitas) ao redor do ncleo, sendo considerado eletricamente neutro quando o nmero de eltrons presentes em suas rbitas igual ao nmero de prtons presentes em seu ncleo. A propriedade eltrica do tomo controlada por sua camada mais externa, denominada rbita ou camada de valncia. O nmero de eltrons da camada de valncia, eltrons de valncia, determina a condutibilidade do material, sendo classificados em trs grupos: (i) isolantes, (ii) condutores e (iii) semicondutores. 2.2 Semicondutores Os materiais semicondutores apresentam 04 eltrons em sua camada de valncia, sendo que os mais empregados em eletrnica so o Silcio e o Germnio, de forma que o Silcio tem sido preferido em razo de suas vantagens e abundncia. Em um semicondutor puro (intrnseco) os tomos encontram-se eletricamente estveis, devido s ligaes covalentes entre eles, em uma estrutura cristalina com propriedades similares a um isolante. Para que ocorra fluxo de eltrons necessrio o rompimento dessas ligaes, realizada pelo aumento da temperatura ou pelo processo de dopagem. A dopagem consiste na adio de tomos de impurezas ao semicondutor intrnseco alterando sua capacidade de conduo resultando em dois tipos de semicondutores, onde a condutibilidade proporcional ao processo de dopagem (MALVINO, 2008): TIPO N (Excesso de eltrons) A dopagem realizada com adio de tomos pentavalentes, cinco eltrons de valncia, ao semicondutor intrnseco, onde cada tomo de impureza adicionado produz um eltron livre. TIPO P (Excesso de lacunas) A dopagem realizada com adio de tomos trivalentes, trs eltrons de valncia, ao semicondutor intrnseco, onde cada tomo de impureza adicionado produz uma lacuna (ausncia de eltrons) devido aos tomos do componente apresentarem sete eltrons de valncia aps a dopagem.

2.3 Diodo de Juno Um diodo constitudo da unio de um semicondutor P com um N no mesmo componente, ou seja, uma juno PN, podendo ser denominado diodo de juno ou diodo semicondutor, permitindo um fluxo de corrente unidirecional, bloqueando a passagem de corrente em um sentido e permitindo em outro. Sua estrutura fsica composta de dois terminais, o anodo (A) e o catodo (K). A figura 02 apresenta o smbolo do diodo e relao entre seus terminais. Figura diodo

Durante a unio, prximo regio da juno formada a camada de depleo, constituda de ons positivos no lado N (resultantes dos eltrons difundidos de N para P) e ons negativos no lado P (oriundo da lacuna preenchida pelo eltron difundido). A camada de depleo apresenta um campo eltrico entre os seus ons, proporcional ao nmero de eltrons difundidos, que interrompe o processo de difuso aps o equilbrio da juno. Considera-se este campo eltrico equivalente a uma barreira de potencial com um valor definido em funo do material do semicondutor empregado. A juno PN pode ser polarizada de duas formas: Polarizao reversa: ocorre um aumento da camada de depleo devido aos eltrons e lacunas serem atrados pelos terminais da fonte. Nesse tipo de polarizao o diodo se comporta como uma resistncia muito elevada, equivalente a um circuito aberto, apresentando tenso e corrente negativas. A corrente reversa apresentada possui um valor insignificante, mesmo com uma variao significativa da tenso. Contudo existe uma tenso limite, denominada tenso de ruptura (VPIV), que quando vencida fora a uma conduo reversa no componente, podendo danific-lo. Polarizao direta: nessa regio, um valor de tenso menor que a barreira de potencial (Vy) produz uma corrente praticamente nula, onde o diodo no est conduzindo, devido aos eltrons no penetrarem na camada de depleo. Quando a tenso da fonte superior a (Vy), ocorre a difuso dos eltrons e sua recombinao com as lacunas geradas continuamente pela fonte, possibilitando o fluxo de corrente. Assim a corrente no diodo aumenta rapidamente e sua tenso fixada em valores prximos a Vy. Nessa regio o diodo comporta-se como um curto-circuito. Como pequenas alteraes de tenso provocam significativo aumento da corrente, os diodos possuem um limite de corrente mxima aplicada (IFmx, Imx) e uma potncia nominal de trabalho (Pmx), nos quais os o componente pode trabalhar de forma segura. A curva caracterstica, corrente e potncia mxima, tenso de ruptura e outros dados, so encontrados nas especificaes do fabricante do componente. 2.3.1 Aproximaes do diodo Dependendo da aplicao e da preciso desejada no circuito podem ser utilizadas trs aproximaes para o diodo durante sua polarizao direta: (i) (ii) (iii) modelo ideal: no qual o diodo considerado um curto-circuito; 2 aproximao: considera-se o diodo como um condutor em srie com uma fonte de tenso de valor Vy; e 3 aproximao: considera-se diodo como um condutor em srie com uma fonte de tenso de valor Vy e uma resistncia do componente Rd.

2.3.2 Aplicaes do diodo O diodo possui uma srie de aplicaes em eletrnica, muitas delas combinadas com outros componentes e semicondutores. A aplicao bsica destes dispositivos consiste na retificao e correo de tenses, sendo elas: circuitos de retificao, limitadores de tenso, circuitos ceifadores de tenso e circuitos dobradores de tenso.

Outro diodo muito utilizado em eletrnica o zener. Este um tipo especial de diodo construdo para trabalhar na regio de polarizao reversa, onde sua tenso de polarizao reversa mantm-se constante, assim sua aplicao principal reside na regulao e estabilizao de tenso. Mais aplicaes podem ser obtidas com a utilizao de diodos especiais como: diodos emissores de luz, fotodiodos, diodos de laser, diodos de tnel e diodo schotly.

2.4 Transistores Bipolares Tambm chamado de transistor bipolar de juno um componente que possui trs camadas semicondutoras, podendo ser do tipo NPN e PNP. Cada camada apresenta um terminal nomeado em funo de sua operao no transistor, sendo as extremidades chamadas de coletor e emissor e a camada intermediria denominada base. A figura X apresenta os smbolos e camadas internas dos dois modelos de transistor. Figura componente transistor

As camadas semicondutoras de um transistor so dopadas de modos distintos, sendo o emissor fortemente dopado enquanto a base fracamente. O coletor possui uma dopagem intermediria entre o emissor e a base, sendo fisicamente a regio mais larga do componente. Por conta das trs camadas o transistor possui duas junes PN, uma entre a baseemissor e outra entre base-coletor, sendo similar a dois diodos conectados de costa um para outro. Assim durante a difuso so criadas duas camadas de depleo e consequentemente duas barreiras de potencial. 2.4.1 Polarizao do Transistor O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos realizar o controle da corrente que passa entre o emissor e coletor atravs de sua base, sendo para isso necessrio polarizar a juno base-emissor diretamente e base-coletor reversamente A juno base-emissor funciona como um diodo polarizado diretamente onde h uma corrente IB e consequentemente um fluxo de eltrons do emissor para a base. J na juno coletor-base, a polarizao reversa aumenta a barreira de potencial da juno devido ao terminal positivo da fonte atrair os eltrons do coletor, diminuindo drasticamente o fluxo de eltrons. Como a camada da base estreita e fracamente dopada, os eltrons do emissor (fortemente dopado) recombinam-se rapidamente com as poucas lacunas fornecidas por IB, saturando a base. Os eltrons restantes dirigem-se ao coletor, atrados pela tenso positiva, formando o fluxo de corrente da fonte no coletor (IC) e no emissor (IE), sendo que a corrente no coletor um reflexo amplificado da corrente da base.

A relao entre as correntes do transistor IE=IC+IB O efeito de amplificao, tambm chamado de ganho de corrente definido pela expresso, onde B a amplificao do transistor.

Pode-se operar o transistor em trs configuraes diferentes com base em seus terminais: emissor-comum, coletor-comum e base-comum, contudo a configurao mais utilizada a emissor-comum. 2.4.2 Configurao emissor-comum A figura apresenta um transistor NPN na configurao emissor-comum. Nessa configurao a entrada caracterizada pela corrente de base e tenso VBE e a sada pela corrente de coletor e tenso VCE base o terminal de entrada de corrente e o coletor o de sada, sendo o emissor comum s tenses de entrada e sada.

Inserir circuito EC transistor NPN

A curva de entrada de entrada similar a de um diodo diretamente polarizado, onde variando o valor da barreira de potencial (VBE) varia-se a corrente de polarizao, neste caso o IB. A curva de sada do transistor NPN EC (fig 9) relaciona trs variveis de forma simultnea, onde para um valor constante de IB, variando a tenso VCE, obtm uma corrente de sada IC, definindo o ponto de operao do transistor na regio ativa entre os limites de corte e saturao. Polarizar um transistor na regio ativa consiste em definir seu ponto de operao ideal no circuito, com base nas caractersticas do transistor, tenso de alimentao (VCC) e resistores ligados de forma conveniente. Existem trs modos de polarizao do transistor na configurao emissor-comum: (i) Corrente de base constante; (ii) Corrente de emissor constante e (iii) Circuito com diviso de tenso na base. A diferena principal a reduo da influncia da temperatura na amplificao do transistor. As principais aplicaes do TBJ na eletrnica consistem na amplificao de sinais, devido ao ganho da corrente do coletor em funo de uma pequena corrente de controle na base, sendo utilizado para amplificar sinais de baixa intensidade, no controle de cargas variveis atravs de pequenos sinais. Outra aplicao comum do TBJ a sua utilizao na construo de fontes de tenso estabilizadas.

O TBJ pode ser empregado como elemento de controle on-off, operando na regio de saturao (chave fechada) e corte (chave aberta). Como exemplos dessa aplicao do TBJ podem ser citados os circuitos integrados utilizados em eletrnica digital e circuitos de isolao de controladores lgicos programveis. Na figura X so apresentados circuitos com as aplicaes citadas do transistor.

2.5 Amplificadores Operacionais Amplificadores operacionais, ou amp-ops, so dispositivos utilizados na amplificao DC quase ideal, utilizados na amplificao, comparao, condicionamento de sinais e na realizao de funes matemticas. Basicamente um amp-op um dispositivo de trs terminais, sendo duas entradas uma inversora (V-) e uma no inversora (V+), e uma sada proporcional a diferena entre essas duas tenses de entrada (Vout). Alguns autores acrescentam dois terminais de alimentao do bloco (+Vcc;-Vcc). Internamente os amp-ops apresentam um complexo circuito constitudo de inmeros transistores, diodos e resistores encapsulados em um circuito integrado. A fig X apresenta o smbolo eltrico e principais parmetros de um amp-op.

Para Millman (1972) a operao bsica de um amp-op a amplificao da tenso diferencial da entrada, definido pela frmula: Vout = A*(V+ - V-), onde A representa o ganho de tenso. Outros parmetros presentes nos amp-ops so: Zi (impedncia de entrada) infinita em um componente ideal e muito elevada em aplicaes prticas, Zo (impedncia de sada), nula no amp-op ideal e de valor muito baixo em componentes reais.

As principais especificaes de um amp-op so: Ganho de tenso em malha aberta (A ou Avo): Representa a variao da tenso de sada para uma dada variao de entrada, sendo infinito no amp-op ideal e muito elevado no amp-op real. Tenso off-set: Tenso de entrada presente nos amp-ops. Em um componente ideal quando as entradas so nulas, sua sada apresentara valor nulo, porm no amp-op real quando as entradas possuem potencial 0V, resultam em uma tenso de sada, em um valor situado entre 1 a 100mV. Largura de banda: frequncia em que todos os sinais de entrada apresentam amplificao, sendo infinita nos amp-ops ideiais, onde todos os sinais de entrada (CC at AC) so amplificados. Nos componentes reais esse valor muito elevado, contudo o ganho de tenso diminui com aumento da frequncia.

Alm de amplificar sinais, os amp-ops podem trabalha-los matematicamente (adio, subtrao, multiplicao, diviso, integrao e diferenciao), podendo ser empregados na comparao e condicionamento de sinais. Entre suas aplicaes destacam-se a rea de instrumentao e controle, telecomunicaes, tratamento de dados, sendo utilizados em circuitos para processamento de sinais. A fig X ilustra uma aplicao do amp-op como integrador.

Circuito integrador amp-op de instrumentao

2.6 Circuitos Integrados Um circuito integrado (CI) a insero de muitos componentes, como transistores, diodos, capacitores e resistores ligados juntamente condutores, inseridos em um nico chip de silcio. Um CI um sistema que pode conter milhares de circuitos eletrnicos e construdos em um chip de silcio encapsulado. As vantagens dos CIs so o tamanho, o baixo consumo de energia, alm do custo, devido a sua produo em massa. Pode-se construir um CI para implementar qualquer funo, desde um porta lgica, ou um microprocessador para um computador, sendo mais confiveis que os circuitos no-encapsulados pelo reduo de componentes e contatos utilizados na implementao do circuito. 3. Concluso A eletrnica analgica tem uma vasta gama de aplicaes, compreendendo segmentos como entretenimento, educao, medicina, instrumentao, informtica,

transportes e telecomunicaes, o que implica em afirmar que existem poucas aplicaes eletrnicas que no utilizam tcnicas, componentes ou circuitos analgicos em alguma parte de seu sistema (CRECRAFT & GERGELY, 2002). A utilizao dos semicondutores e avano na rea da eletrnica possibilitou o desenvolvimento tecnolgico da humanidade. Notebooks, celulares e muitos outros equipamentos eletrnicos compactos e acessveis surgiram graas utilizao dos semicondutores e tcnicas analgicas, que mesmo com o avano das tcnicas e sistemas digitais, ocupam um lugar fundamental na Eletrnica.

Referncias L.K. MAHESHWARI & M.M.S. ANAND. Analog Electronics. 2005. BOYLESTAD, Robert L., NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 2000. MALVINO, Albert P. Eletrnica. 2008. CRECRAFT, D. L.; GERGELY, S. Analog Eletrocnics: Circuits, Systemns and Signal Processing. 2002 MILLMAN, Jecob. Integrated Electronic. 1972