Contenido

DiodoIdeal DiododeUnin
Diagramade bandasde energa Curva caractersticai-v Ecuacinde Shockley Circuitos equivalentesen primera,segunda ytercera aproximacin aproximacin. Lneadecargade corrientedirecta ypuntode operacin.

Especificaciones
Hojasdedatosde losfabricantes

OtrosTiposde Diodos
DiodoZener. Varactor. DiodoPIN. Diodoemisorde luz(LED). DiodoLASER. DiodoGunn. Diododesealo RF. Celda otoe ct ca. fotoelctrica. Fotodiodo.

Circuitosde aplicacin
Rectificadores. Recortadores. Sujetadores. Multiplicadores. Reguladoresde voltaje. Sintonizadores deRF. Detectorde pico. Generadores e ado esde Ge seal. Fuentede energa elctrica.

Di d Diodo

Operacin Anlisisde circuitosconel diodoideal

Introduccin
El diodo de unin es el elemento ms simple de los dispositivos de estado slido, slido semiconductores semiconductores. La unin de dos semiconductores, uno tipo-n y otro tipo-p, crea el diodo de unin. La L relacin l i i-v hace h d del l diodo di d un elemento l de d circuito i i no-lineal. Tiene dos terminales: nodo y ctodo. Su caracterstica principal de operacin es que la corriente fluye, de manera ideal, nicamente de nodo a ctodo.

El Diodo Ideal
El diodo ideal puede ser considerado como el elemento ms fundamental de los elementos de circuito no-lineales. Su curva caracterstica i-v es como se muestra en la Figura 2. y puede ser interpretada como: Si un voltaje negativo1 es aplicado en el diodo ideal, no fluye corriente a travs de l, iD =0, y se comporta como un circuito abierto; se dice que el diodo opera en polarizacin inversa o se encuentra apagado (off). Si una corriente positiva1 es aplicada al diodo ideal, un voltaje VD =0 aparece a travs del diodo; Figura2.(a)Convencionalidaddevoltaje se dice que el diodo opera en ycorriente, corriente (b)curvacaractersticadel polarizacin directa o se encuentra diodoideal,(c)y(d)circuitoequivalente. encendido (on).
1.SeconsideravoltajenegativoyaquelaterminalnododeberdesersiemprepositivaenlaconvencionalidaddeVD delaFigura2, demismaformalacorrienteespositivasivaensentidonodoactodo,encasocontrarioesnegativa.

Figura1.Smbolodeldiodo

Circuitos con Diodos Ideales

Obtener los valores de V e I de los siguientes circuitos.

Diodo de Unin
Operacin Fsica del Diodo

(a) (b) (c) g 3.Circuitoscondiodosideales. Figura

(d)

(a) (b) (c) ( ) (d)

El diodo se encuentra apagado, I = 0 A, V = +5 V El diodo se encuentra encendido, V = +5 V, I = (5 V-(-5 V))/10k = 1 mA Los diodos se encuentran encendidos, , I = 1 mA, V = 0 V El diodo D1 se encuentra apagado, el diodo D2 se encuentra encendido, I = 0 A, IT=(10 V -(-10 V))/15k = 1.33 mA, V = -3.33 V

Diodo de Unin pn p
El diodo de unin recibe su nombre debido a la construccin del mismo, mismo es el diodo real fabricado con dos materiales semiconductores, uno tipo-p y otro tipo-n. A diferencia del diodo ideal, que slo presenta dos regiones de operacin (directa e inversa), el diodo de unin presenta tres regiones como se muestra en la Figura 4: Directa Inversa y Ruptura El proceso de conduccin y sus caractersticas principales son derivadas del funcionamiento y la reaccin de los materiales semiconductores en presencia de un campo elctrico. El smbolo para el diodo de unin, o para el diodo ideal, es el mismo, presentado en la Figura 1.

Caracterstica i-v
Curva caracterstica del diodo semiconductor donde se muestran tres regiones de operacin:

1 Polarizacin directa 1. 0 V < VD 2. Polarizacin inversa -VZK < VD 0 V 3. Regin de ruptura VD -VZK
La regin de ruptura se caracteriza por exceder el valor de umbral de voltaje negativo, negativo especfico para cada diodo, llamado voltaje de ruptura. A este voltaje se le denomina -VZK Figura4.Relacini-v deldiododeunin.

Sin Polarizacin VD= 0 V

El exceso de portadores mayoritarios en la frontera, al momento de unir los materiales tipo-p y tipo-n, hace que estos se muevan debido al mecanismo de transporte de difusin, lo que propicia que se forme un regin con carencia de portadores libres llamada regin i de d agotamiento i , lo l nico i que queda d en la l frontera f es la acumulacin de iones positivos del lado n y iones negativos del lado p.

Polarizacin Inversa VD < 0 V

Los electrones del lado n son atrados por +VD, lo que produce ms iones positivos desde la frontera hacia el lado n. Los huecos del lado p son atrados por -VD, lo l que produce d ms iones i negativos ti desde la frontera hacia el lado p. La regin de agotamiento se hace ms grande d , la l corriente i t d debida bid a portadores mayoritarios es cero. Los portadores minoritarios se movern por arrastre, t los l electrones l t del d l lado l d p son atrados por +VD, en caso opuesto, los huecos del lado n son atrados por VD, lo que compone la corriente de saturacin inversa IS (fuga), que circula de ctodo a nodo, iD=- IS

Figura5 5.Uninpn sinpolarizacin, polarizacin VD =0V.Elflujonetoexternode corrienteescero,elnicoflujoes enelinstantedeunirlosmateriales, producidoporelmecanismode difusin.

Figura g 6.Uninp pn con polarizacininversa,VD < 0V,elflujodeportadores mayoritariosescero,sin embargolosportadores minoritariossemuevena travsdelaunin.

Polarizacin Directa VD > 0 V

+VD atrae a los electrones del lado n VD los repele. - VD atrae a los huecos del lado p +VD los repele. p Los iones en la frontera desaparecern parcialmente ya que los electrones del lado n se recombinan con los iones s del lado p y los huecos del lado p se recombinan con los iones +s del lado n. La regin de agotamiento se reduce por lo que ahora existe un flujo de carga de nodo a ctodo formado por los portadores mayoritarios (Imayoritarios). ) La capacidad de conduccin queda controlado por la cantidad de impurezas del material.
Figura7.Uninpn conpolarizacin di t VD >0V, directa, V hay h unflujo fl j de d portadoresmayoritariosatravsdela uninnodoctodo.Losportadores minoritariossemuevenatravsdela uninensentidocontrario.La corrientenetaatravsdelaunines ID =Imayoritarios IS.

Ecuacin de Shockley y1
La ecuacin de Shockley define el comportamiento de la corriente iD, en funcin de vD , en las regiones de operacin directa e inversa del diodo de unin.

iD = I S ( evD / nVT 1)

IS Corriente de saturacin inversa vD Voltaje en polarizacin directa en el diodo n Factor de idealidad, vara entre 1 y 2 VT Voltaje trmico

VT =

KT q

K Constante de Boltzmann = 1.38 X 10-23 J/K T Temperatura absoluta en Kelvin = 273.3 273 3 + temperatura C q Magnitud de la carga del electrn = 1.6 X 10-19 C
1.WilliamBradfordShockley,fsicoinvestigadorensemiconductores,premioNobelenfsicaen1956.

Prctico
A temperatura de cuarto (20C) el valor de VT es 25.2 mV, para aproximacin en el anlisis de circuitos se considera VT 25mV La constante de idealidad depende del material y de la estructura fsica (para Si n=1, para Ge n=2). Para procesos de operacin en condiciones normales el valor es n=1; si no se especifica el valor de n se toma por omisin n=1. En condiciones de operacin de polarizacin directa, la corriente inversa de saturacin IS es despreciable, despreciable por lo tanto la corriente en el diodo se puede aproximar como

Cambio de VD en un Mismo Diodo

Si se tiene un mismo diodo y cambia su voltaje vD, o su corriente iD, los parmetros como IS y n permanecen constantes, constantes lo cual permite calcular el voltaje o la corriente funcin de dichos cambios. El voltaje para un diodo depende de la corriente que circula a travs de l l, si se le cambia la corriente, corriente el voltaje tambin cambia

V1D = nVT ln V2 D = nVT ln

i1D IS i2 D IS

iD  I S eVD / nVT
La relacin tambin se puede expresar como

Como se trata del mismo diodo, IS es la misma, se reescribe la ecuacin y se obtiene la diferencia de los valores de voltaje como

VD = nV VT ln l

iD IS

V2 D V1D = nV VT ln l

i2 D i = 2.3 2 3nV VT log l 2D i1D i1D

Mtodo Grfico
Obtener iD y vD del circuito que se muestra en la Figura 8.
Existen tres mtodos posibles: 1. Mtodo grfico 2. Mtodo Iterativo p 3. Mtodo modelo simplificado.

Figura8.Circuitoconundiodo.

Figura9.AnlisisgrficodelcircuitodelaFigura8. Lasolucinpuedeserobtenidaporelpuntode interseccindelasdosgrficas,lacaracterstica deldiodoyelnegativodelapendientedelarecta delaconductancia(1/R);dichopuntoesllamado puntodeoperacinQ ysonlosvaloresde corrienteyvoltajealoscualesestoperandoel diodo.

Mtodo Iterativo
Para el circuito mostrado en la Figura 8, el mtodo iterativo hace uso de dos ecuaciones para aproximacin numrica hasta que el error se mnimo. Si R = 1 K y VDD = 5 V, asumir que el diodo tiene un valor de VD = 0.7 V cuando le circula una ID=1 mA. Sean los datos del diodo n = 1 y VT = 25 mV; obtener los valores de operacin ID y VD del diodo. 1. Obtener la corriente I1D de acuerdo con los datos del diodo, VD = 0.7 V. La ecuacin que define el valor de la corriente del circuito es V VD 5 0.7 I D = DD = = 4.3 4 3 mA R 1k 2. Obtener V2D de acuerdo con el cambio de voltaje en funcin del cambio de la corriente

Modelo Simplificado p
La curva i-v del diodo se puede simplificar si la funcin exponencial se aproxima como una recta en la regin de polarizacin directa, PWL (piecewise-linear). La curva i-v caracterstica tiene dos posibles formas: a) dos rectas, una con pendiente = 1/rD (rD es un valor especfico del fabricante por cada tipo de diodo), la otra en el eje horizontal hasta VD0. El circuito de la Figura 10 (a) muestra este modelo. b) dos rectas, una vertical que intercepta al eje de vD en VD = 0.7 V, la otra en el eje horizontal; como se muestra en la Figura 10 (b)

V2 D V1D = nVT ln

i2 D i 4 3 mA 4.3 A V2 D = V1D + nVT ln 2 D = 0.7 V + 0.025ln = 0.763 V 1 mA i1D i1D

( ) ( ) (a) (b) Figura10.(a)Aproximacindelacurvadeldiodoenlaregindepolarizacindirecta conpendiente=1/rD ycircuitoequivalente.(b)Caractersticaconcadadevoltaje constante,circuitoequivalente.

3. Repetir los pasos 1 y 2, I2D I1D y V2D V1D, hasta reducir error = (V2D - V1D) < 1 mV V. Solucin ID=4.237 mA, VD=0.762 V

Diodo Rectificador en Fuentes de CA a CD

Uno de los circuitos ms importantes en la conversin de energa es el Rectificador, Rectificador el cual utiliza al diodo rectificador como elemento principal. Existen tres tipos de circuitos rectificadores para una fase: 1 Rectificador de media onda. 1. onda 2. Rectificador de onda completa con derivacin central. 3. Rectificador de onda completa tipo puente.

Figura11.DiagramaabloquesdeunafuentecompletadeCAaCD

Rectificadores p para una Fase

Rectificador de media onda +V P 0 a 180 Don VO = VS 180 a 360 Doff VO = 0 V
Rectificador onda completa con derivacin central 0 a 180 D1on y D2off VO= VS 180 a 360 D1off y D2on VO=-VS Rectificador puente 0 a 180 D1 y D2on D3 y D4off VO=VS 180 a 360 D1 y D2on D3 y D4off VO=-VS

Recortadores
Los recortadores eliminan una porcin de la forma de onda de la seal de entrada, un rectificador de media onda es tambin un recortador. El procedimiento para analizar los circuitos es: 1. Sustituir la fuente vi por una fuente de CD en el instante de tiempo que se evala. 2 Verificar 2. Ve ifi la l ope operacin in del diodo diodo, di directa e t o in inversa. e 3. Resolver por cualquier tcnica de anlisis de circuitos elctricos para vO.
+VP

vO

+VP

vs
VP

vO
+VP

vi

VP

Sujetadores j
Los sujetadores cambian el nivel de CD sin cambiar el aspecto de la forma de onda de entrada. El procedimiento de anlisis es similar al procedimiento de anlisis de recortadores, el efecto del capacitor es el que desplaza la seal. El semiciclo de 0 a T/2 polariza al diodo en directa, p , el capacitor p se carga g a un valor de vi. En el semiciclo de T/2 a T el diodo se polariza en inversa.

Multiplicadores p
Duplicador de voltaje En el E l semiciclo i i l positivo iti el l capacitor C1se carga al valor de VP a travs de D1.El circuito formado p por D1 y C1 es un sujetador. En el semiciclo negativo el valor de voltaje en C1 permanece, permanece ya que no tiene trayectoria de descarga, D1 queda en polarizacin inversa, cualquier valor negativo de la fuente polariza en directa a D2 y V0 ser la suma de ambos voltajes, el de C1 y el de entrada. El circuito formado por D2 y C2 es un rectificador de media onda detector de picos.

Circuitos Digitales g
Las funciones lgicas bsicas se pueden realizar en circuitos con diodos. Si el 1 lgico tiene un valor de entrada de 5 V y el 0 lgico un valor de 0 V, las siguientes tablas definen la funcin de acuerdo a la Figura 16
vA 0 0 0 0 5 5 5 5 vB 0 0 5 5 0 0 5 5
(a)

vC 0 5 0 5 0 5 0 5

vy 0 5 5 5 5 5 5 5

vA 0 0 0 0 5 5 5

vB 0 0 5 5 0 0 5 5
(b)

vC 0 5 0 5 0 5 0 5

vy 0 0 0 0 0 0 0 5

Figura16 16.Circuitoscondiodospara funcioneslgicas(a)OR,(b)AND.

Diodo Zener
El diodo zener hace uso de la regin de ruptura para operar. El fabricante especifica el voltaje de operacin VZ a una corriente de prueba dada IZT. El cambio en corriente produce un pequeo cambio en voltaje, lo que se refleja en una resistencia rz llamada resistencia incremental del diodo zener en el punto de operacin. Tambin es conocida como resistencia esistencia dinmica del zener. ene

Diodo Zener
El diodo Zener tiene especificado un VZ = 6.8 V a IZ = 5mA, rZ = 20 e IZK = 0.2 mA La fuente de voltaje V+ tiene un valor nominal de 10 V y vara 1 V; mA. como se muestra en el circuito de la Figura 18 (a). (a)Obtener ( )Ob el l valor l d de VO sin carga y con la fuente V+ a su valor nominal. (b)Calcular el cambio de VO cuando la fuente V+ cambia 1 V. (c) Calcular el cambio en VO resultado lt d d de conectar t la l resistencia de carga RL = 2 k (d)Calcular el valor de VO cuando RL = 0.5 k Figura18.(a)Circuitocondiodozener.(b)Eldiodo zener hasidoremplazadoconsumodeloequivalente

(a) (b) (c) Figura17.DiodoZener.(a)Caractersticaiv,(b)smbolo,(c)modeloequivalente

Tipos p de Diodos
DiodoZener LED LASER Varactor
Diodo Schottky Fotodiodo

Hoja j de Datos (datasheet) ( )

DiodoRectificador

DiodoPIN

DiodoGunn

Hoja j de Datos (datasheet) ( )

cont cont.

Hoja j de Datos (datasheet) ( )

DiodoZener

cont cont.

Hoja j de Datos (datasheet) ( )

cont cont.

Referencias

1. Sedra, Adel S. and Kenneth C. Smith, Microelectronic circuits, 6th ed., New York; Oxford University Press, 2009. 2. Boylestad Robert L., Louis Nashelsky , Electrnica : teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 10a ed., Mxico, Pearson Educacin, 2009.