SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son slidos cuya resistividad est entre la de los conductores elctricos y la de los aislantes elctricos. Los transistores, los diodos de unin, los diodos Zener, los diodos de tnel, los circuitos integrados y los rectificadores metlicos son ejemplos de semiconductores. stos se emplean en computadoras, receptores de radio, aparatos de televisin, videograbadoras y otros aparatos electrnicos. Mediante dispositivos semiconductores se llevan a cabo diversas funciones de control. Pueden utilizarse como rectificadores, amplificadores, detectores, osciladores y elementos de conmutacin. Algunas caractersticas
1. 2.

Los semiconductores son slidos. Por ello, es muy poco probable que vibren. Los semiconductores consumen poca energa e irradian poco calor. No requieren tiempo de calentamiento y empiezan a funcionar en cuanto se les suministra energa. Los semiconductores son fuertes y se pueden configurar para que permanezcan hermticos ante las condiciones del medio externo. Junto con su tamao reducido (figura 1-1), estas caractersticas permiten que grandes circuitos ocupen un espacio mnimo.

3.

Materiales semiconductores e impurezas El silicio y, en menor grado, el germanio, son los materiales con los que actualmente se construyen los dispositivos semiconductores. Predomina el silicio, por ser menos sensible al calor. Antes de fabricar con ellos materiales semiconductores eficientes, el germanio y el silicio deben someterse a un proceso de alta purificacin. En su estado original, la conductividad de estos semiconductores es muy baja; es decir, su resistividad es elevada. Para aumentar la conductividad del germanio y del silicio se aaden cantidades minsculas de ciertas "impurezas". La adicin de diversas cantidades y variedades de impurezas, o contaminacin, modifica la estructura del enlace electrnico de los tomos de estos elementos, y les proporcionan portadores de corriente que aumentan su conductividad. Impurezas tales como el arsnico y el antimonio aumentan la conductividad del silicio al incrementar la cantidad de portadores (electrones libres) de carga negativos (N). Debido a lo anterior, el silicio contaminado con arsnico o con antimonio se conoce como tipo N. El silicio. tipo N contiene algunas cargas positivas (huecos), pero son la minora y se les conoce como portadores minoritarios. Se puede considerar que el flujo de corriente en el silicio tipo N se porta por los electrones libres, que son los portadores mayoritarios. Impurezas tales como el indio. y el galio elevan la conductividad del silicio mediante el incremento del nmero de portadores de carga positivos (P, huecos). El silicio contaminado con indio o. con galio se conoce como tipo P. El silicio tipo P contiene algunos electrones libres, pero se trata de portadores minoritarios, Se puede considerar que el flujo de la corriente en el silicio tipo P se lleva a cabo mediante huecos, que son portadores mayoritarios. Los huecos sienten atraccin por los electrones libres. Cuando se llegan a "encontrar" un electrn libre y un hueco, el primero "llena" el hueco y neutraliza su carga. Se dice que el electrn libre se ha combinado con el hueco, durante este proceso, tanto el hueco como el electrn libre se pierden como portadores de corriente. Mientras sucede lo anterior, tambin se estn formando nuevos portadores de corriente en otras partes del semiconductor. El movimiento de los portadores de corriente se puede controlar aplicando un voltaje de una batera externa, VAA' en el semiconductor (figura 1-2). La terminal positiva de VAA repele a los huecos del silicio tipo P que se desplazan hacia la terminal negativa. Los electrones libres entran al silicio procedente de la terminal negativa de VAA Y se desplazan hacia los huecos. Se llevan a cabo combinaciones de electrones libres y huecos. Al tiempo que se forman estas combinaciones, se liberan ms electrones y huecos mviles en el silicio, a partir de un par electrn-hueco. Los electrones liberados se desplazan hacia la terminal positiva de la batera y los huecos hacia la terminal negativa de la batera. Continan las recombinaciones y liberaciones; de esta manera se mantiene un flujo de corriente constante en el circuito externo. Funcionamiento de un diodo de unin semiconductor

Cuando se unen silicios tipo. P y tipo N como se muestra en la figura 1-3, se forma un diodo de unin. Este dispositivo de dos elementos tiene una caracterstica nica: la capacidad para permitir el paso. de la corriente slo en una direccin. Al conectar la terminal negativa de la batera al silicio tipo N y la terminal positiva al silicio tipo P el resultado es un flujo de corriente que se conoce como polarizacin directa.

Los electrones y los huecos se desplazan, al ser repelidos, en direccin a la unin PN, en donde se recombinan para formar cargas neutrales y son reemplazados por los electrones libres (cargas negativas) de la batera. Este movimiento de cargas mantiene una elevada corriente directa a travs del diodo en forma de electrones libres que pasan del material N, por la unin y el material P, a la terminal positiva de la batera. Dado que hay flujo de corriente a travs de esta conexin, se dice que el diodo tiene resistencia directa baja. La conexin para la polarizacin inversa se muestra en la figura 1-4. La terminal positiva de la batera atrae a los electrones libres del silicio tipo N, y los saca de la unin PN la terminal negativa de la batera atrae a los huecos del silicio tipo P, y los saca de la unin PN por lo tanto, no existe la combinacin de electrones libres y huecos. Entonces, los portadores de corriente mayoritarios del diodo no producen un flujo de corriente. En el caso de esta conexin de polarizacin inversa, existe una corriente minscula en el diodo. Esta corriente se debe a los portadores minoritarios, es decir, los huecos del tipo N y los electrones del tipo P. En el caso de los portadores minoritarios, la polaridad de la batera es correcta y permite el flujo de corriente. Como resultado de los portadores minoritarios, slo se obtiene un flujo de unos microampers. Lo anterior se indica mediante las flechas punteadas de la figura 1-4. La conexin de polarizacin inversa produce una resistencia inversa elevada en el diodo. La figura 1-5 es el smbolo de circuito de un diodo de semiconductor. La terminal marcada como "nodo" (representada por la punta de flecha) est conectada con el material tipo P, y la que est sealada como "ctodo" est conectada al material tipo N para que haya flujo de corriente en este diodo, la terminal positiva de la batera debe estar en el nodo y la terminal negativa en el ctodo en una configuracin de polarizacin directa.