...
LUMO
...
vazia
Banda de Valncia ()
H2
Hn
banda molcula
Be2
2 tomos de Be: 1OM 1 e 1 OM 2* 2OM e 2OM * 1OM 3 e 1 OM 4*
vazio
VAZIO
500 OMs
Mistura de liganteligante/anti-ligante-antiligante
preenchido
500 OMs
preenchido
E para o Alumnio?
1000 tomos de Al = 3000 eltrons 3000 eltrons = 1500 pares 1 par por OM 1500 OM so necessrios
Notem, a banda est 2/3 preenchida!
2000 OMs Anti-ligantes
E para o Silcio?
1000 tomos de Si = 4000 eltrons 4000 eltrons = 2000 pares 1 par por OM 2000 OM so necessrios
2000 OMs Anti-ligantes
Notem, a banda de conduo est totalmente preenchida! Mas como explicar a condutividade eltrica?
Condutividade Eltrica
e-
Add energy
e+
Banda de Conduo
Banda de Valncia
Be Metal
Al Metal
Si Semicondutor
Add energy
e+
Condutividade Eltrica
No metal a condutividade DIMINUI com o aumento na T. Habilidade do eltron se mover na banda de conduo depende da uniformidade do arranjo dos tomos (impureza) e da vibrao dos ons formadores do slido (essas vibraes so os chamados fnons) Um tomo que vibra fortemente equivalente a uma impureza que atrapalha esse movimento.
Metal
Isolantes
Muitos poucos eltrons da banda de valncia tem energia suficiente para se mover para a banda de conduo
Semicondutores
Semicondutores tem estrutura de banda similar aos isolantes mas o band gap pequeno Band gap = 0.5 a 3.0 eV Ao menos alguns eltrons tem energia trmica suficiente para serem promovidos para a banda de conduo.
Semicondutores
Conduction band
Quanto
eeeSmall band gap + + +
maior
Valence band