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AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO(LNA)

RUIDO El ruido es el resultado de un proceso aleatorio de cambios de estados en los electrones y sus recprocos huecos en un dispositivo de estado slido, tambin es generado por el paso de los electrones a travs de la ionosfera o a travs de campos ionizados. El ruido puede pasar a travs de los sistemas de microondas proveniente de fuentes externas o ser generado por el sistema en si, en ambos casos el nivel de ruido de un sistema determina el lmite ms bajo en el cual se puede detectar una seal en presencia del ruido RANGO DINMICO Y FUENTES DE RUIDO Existe un nivel de ruido generado por los sistemas de microondas en si mismos, el cual esta definido como ruido base (noise floor) del componente y sus valores tpicos son del orden de los 100dBm a los -70dBm en el ancho de banda del sistema- En la figura se muestra el rango dinmico para un amplificador ideal.

Por arriba de este ruido base existe un rango de potencias a las cuales el sistema trabaja de forma lineal, a este rango se le denomina rango dinmico. Arriba de este rango dinmico el sistema entra en saturacin y existe un punto en el cual el sistema trabaja de forma casi ideal, a este punto se le conoce como el lmite superior de operacin y esta 1dB por debajo del lmite de saturacin del sistema. AMPLIFICADORES DE ESTADO SLIDO PARA MICROONDAS Los amplificadores de estado slido para microondas son utilizados para aplicaciones de media y baja potencia. Los circuitos como los bulbos (tubes) son empleados en la parte final de la etapa de salida de los transmisores de potencia.

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Las caractersticas, el comportamiento, el desempeo y la construccin son diferentes para cada tipo de amplificadores, de entre los cuales podemos mencionar a los BJT (Bipolar Juction Transistor), a los FET (Field Effect Transistor), HEMTS (High Electron Mobility Transistors), a los HBT (Heterojuction Bipolar Transistor) y los IMPATTS (IMPact ionization Avalanch Transit Time).Se ha comprobado que los transistores a frecuencias de microondas, se describen de una manera ms acertada si estos estn caracterizados por parmetros S, los cuales sern descritos en particular para el transistor bipolar en la seccin posterior AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO El LNA es un dispositivo de dos puertos que amplifica seales muy dbiles. ste se suele colocar a continuacin de la antena ya que la seal captada por la antena es muy dbil debido a la influencia del espacio libre por donde se propaga. I. PARMETROS

A continuacin describiremos algunos de los parmetros elctricos de LNA: Tensin de suministro: Por lo general los LNA requieren menos tensin de funcionamiento en el intervalo de 2 - 10 V. Alimentacin de Corriente: Los LNA requieren suministro de corriente en el rango de mA, la corriente de alimentacin que requieren para LNA depende de su diseo y la aplicacin para la que tiene que ser utilizado. Frecuencia de trabajo: El rango de operacin de los LNA es muy amplio, operan desde 500 kHz a 50 GHz, es lo bsico para cualquier dispositivo electrnico especialmente entre las que se utilizan en los sistemas de comunicacin. Rango de temperatura de funcionamiento: Cada dispositivo electrnico tiene un lmite en la temperatura de funcionamiento, como los LNA que tambin tiene un lmite cuyo alcance general para el funcionamiento fiel del LNA es de -30 C a +50 C. Figura de ruido: La figura de ruido es tambin uno de los factores importantes que determinan la eficacia de un LNA particular. Por lo tanto, se puede decidir que LNA es adecuado para una aplicacin particular. Por ejemplo: Un LNA que tiene una figura de ruido en el rango de 0,9 a 1,5 dB sirve para una comunicacin por satlite. La figura de ruido vara de acuerdo a la frecuencia de funcionamiento para un LNA mismo. Las caractersticas ms importantes de los amplificadores de bajo ruido (LNA) se mencionan a continuacin.

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1. Ganancia. La Ganancia del amplificador esta definida en

Pout es la potencia de salida del sistema. Pin es la potencia de entrada al sistema. La potencia de salida del amplificador varia continuamente dependiendo del nivel de potencia de entrada, este nivel de salida depende de tres definiciones importantes que se mencionan a continuacin. Ganancia Lineal o de pequea seal que representa la regin en donde la potencia de salida es proporcional a la potencia de entrada por lo que la ganancia es independiente de la potencia de entrada Ganancia de Saturacin que es la ganancia del amplificador cuando la potencia de salida alcanza el intervalo de saturacin de la figura anterior Ganancia a 1dB de compresin que representa la ganancia del amplificador en donde alcanza el punto de 1dB de compresin. 2. Figura de Ruido La figura de ruido define la relacin seal a ruido del amplificador y su definicin se da en

3. Eficiencia La eficiencia de un amplificador est definida como:

Donde:

Pdcin es la potencia del amplificador en dc.

En donde a frecuencias de microondas, la potencia de entrada es despreciable comparada con la potencia en dc. 4. Ancho de Banda El intervalo utilizable o el ancho de banda del amplificador se define como:
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Donde:

fH es el lmite en frecuencia ms alto de operacin en Hz. fL es el lmite en frecuencia ms bajo de operacin en Hz

II.

DISEO

Los componentes del LNA se muestran a continuacin: Amplificador de Transadmitancia En un receptor de alta frecuencia es importante tener un coeficiente de reflexin lo ms pequeo posible.Para eliminar la reflexin la impedancia de carga debe estar adaptada a la impedancia vista desde la lnea de transmisin. Es importante controlar la impedancia de entrada del LNA. Para minimizar el ruido en una cadena receptora es importante que la primera etapa tenga una ganancia alta (Frmula de Friss). Impedancia de entrada La influencia de todos los parmetros de pequea seal es despreciable excepto Cgs. La parte resistiva est controlada por Ls. Una inductancia serie a la entrada Lg se encarga de de cancelar la parte reactiva.

jLs + Z in

Ls 1 jCgs Cgs + 2 Cgd Cgd 1+ 1 + C Cgs gs

Fig 1 Estructura del adaptador de impedancia de entrada

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Amplificador de transresistencia Es la segunda etapa del LNA. Est formado por un seguidor de corriente que se utiliza para aumentar la ganancia. El seguidor de corriente se comporta como una carga de la etapa inversora y transforma la corriente de entrada que ste le proporciona en una tensin a su salida mediante un resonador.

Fig 2. Amplificador de transresistencia

Seguidor de tensin Es la tercera etapa del LNA. Su funcin es la de utilizar la parte capacitiva de su impedancia de entrada para completar el resonador LC que utilizaba el seguidor de corriente de la etapa anterior, en lugar de utilizar una capacidad genrica. Introduce una serie de ventajas: Desplazar la componente en continua de la seal Aumentar la capacidad de proporcionar corriente a la etapa siguiente Aplicar una resistencia negativa al resonador de la etapa anterior y aumentar as el valor-Q

Fig 3. Seguidor de tensin

La estructura del mismo se muestra en la Figura 1 en donde se observan dos etapas de adaptacin (una de entrada y otra de salida) que transforman la impedancia caracterstica de entrada y salida en impedancias de fuente y de carga con ganancias y respectivamente, que se
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muestran en la ecuacin (1) y (2). Se observa adems un transistor con caractersticas propias como lo son: matriz de parmetros S, figura de ruido y ganancia mxima que se muestra en la ecuacin (7). Por ltimo se muestran los coeficientes de reflexin vistos hacia la fuente y a la carga que vienen caracterizados por las frmulas (3) y (4) y los coeficientes de reflexin vistos hacia el puerto 1 y puerto 2 que vienen caracterizados por las frmulas (5) y (6).

Fig. 04 Estructura de un LNA (Pozar)

En donde,

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La ganancia de potencia del LNA se muestra en la ecuacin (8) en donde se observa que se refiere a la relacin entre la potencia disipada en la carga y la potencia entregada a la entrada de la red de dos puertos.

Para el diseo del LNA es muy importante considerar la estabilidad del dispositivo debido a que si es inestable a cualquier frecuencia, se obtendrn oscilaciones que afectarn el funcionamiento del radar y producirn reflexiones no deseadas que sern transmitidas por la antena . La condicin necesaria para obtener estabilidad es que el valor utilizado para siguiente condicin: | | < 1 y | | < 1. y cumpla la

Ahora bien, si se quiere una mxima ganancia en el amplificador se requiere una mxima transferencia de potencia de la red de adaptacin de entrada al transistor, y del transistor a la red de adaptacin de salida que ocurre cuando y respectivamente. Es importante destacar que el objetivo de trabajar con un LNA es lograr una red con bajo ruido ya que segn la ecuacin de ruido de Friis mostrada en la ecuacin (9) se sabe que el factor de ruido de una serie de dispositivos en cascada, como la cadena receptora del radar, tiende a ser el factor de ruido de la primera red cuando la ganancia de ste es elevada.

En un amplificador no se puede lograr la mxima ganancia y baja figura de ruido al mismo tiempo y es por esto que tiene que existir un compromiso entre la ganancia y el factor de ruido utilizados, por lo que lo ms recomendable para disear este dispositivo es recurrir a los crculos de ganancia de potencia y los del factor de ruido con las ecuaciones 10 y 15 de sus centro, y 14 y 17 de sus radios respectivamente.

En donde,

Y radio,
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En donde,

: Resistencia de ruido normalizada del transistor, que se refiere al incremento del factor de ruido cuando se aleja de . Y radio,

III.

FUNCIONAMIENTO

Haciendo referencia a la figura 5, la antena recibe las seales provenientes del satlite y a travs del duplexor se las entrega a un amplificador de bajo ruido; ste funciona en forma similar al amplificador de bajo ruido del satlite por las mismas razones de que, a su llegada, la seal tiene una intensidad muy baja y es muy vulnerable ante cualquier ruido que se le pueda aadir antes de ser amplificada a un nivel aceptable. La antena y el amplificador de bajo ruido son los elementos ms importantes de una estacin terrena receptora, y juntos definen la calidad de su operacin (al menos, en la primera etapa de recepcin). Para fines de recepcin, la ganancia G de la antena es su parmetro ms importante. Po su parte, el amplificador de bajo ruido tiene una temperatura de ruido como su principal parmetro indicativo, y mientras sta sea ms baja, tanto mejor, porque el ruido que se aade a la seal es menor y la calidad de la recepcin aumenta.

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Fig. 05. Diagrama de bloques genrico de una estacin terrena.

Sin embargo no solamente se introduce ruido en la seal a travs del amplificador de bajo ruido, sino tambin por la antena, y su magnitud se calcula en funcin de una temperatura de ruido de la antena; la suma de la temperatura de ruido de la antena y la propia del amplificador de bajo ruido referidas al mismo punto, determinan casi completamente la temperatura total T de ruido del sistema de recepcin, para condiciones de cielo despejado, siempre y cuando las prdidas producidas por los conectores sean bajas (Fig. 6).

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Fig. 06. La temperatura total de ruido del sistema de recepcin es la suma de las contribuciones de varias fuentes indeseables. En el caso de la antena, la intensidad de las seales indeseables (representadas por medio de una temperatura de ruido equivalente de la antena) depende de la inclinacin que tenga el plato parablico y la frecuencia a la que ste funcionando. El valor del cociente G/T es una cantidad que se utiliza comnmente para definir las cualidades de recepcin de una estacin terrena, y, segn el satlite con el que se comunique, debe tener un valor mnimo para funcionar aceptablemente. Esta relacin G/T se conoce como factor de calidad, o figura o cifra de mrito, y como la ganancia de la antena est dada en decibeles y la temperatura de ruido en grados Kelvin, sus unidades son dB/K. De acuerdo con lo anterior, y como el nivel de potencia de la seal a su llegada a una estacin terrena receptora es muy bajo, el amplificador de bajo ruido debe ser altamente sensible, es decir, que el ruido interno generado por l caracterizado por su temperatura de ruido- sea lo ms bajo posible. La temperatura de ruido del amplificador es funcin de varios de sus parmetros, como su ganancia. Las caractersticas de sus componentes, y la temperatura fsica de ellas. Si la temperatura fsica se logra reducir, entonces la temperatura de ruido tambin baja; por lo tanto, es deseable enfriar al amplificador lo ms k se pueda, en ocasiones hasta temperaturas cercanas al cero absoluto, adems de colocarlo lo ms cerca posible del duplexor de la antena para reducir las prdidas por tramos de guas de ondas y conectores. Muchos de los amplificadores de bajo ruido actualmente instalados y en operacin son paramtricos (su circuito de microondas emplea un diodo varactor), o bien amplificadores con transistores de efecto de campo (FET) de arseniuro de galio (GaAs). Estos ltimos son ms estables y menos complicados para alimentarlos de energa, aunque su temperatura de ruido es ligeramente mayor que la de los amplificadores paramtrico. Por norma general, las estaciones grandes usan amplificadores paramtricos y las pequeas amplificadores FET. Sin embargo, los
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LNA fabricados con la tecnologa ms moderna, tanto para las bandas C, Ku y Ka, emplean transistores ms avanzados conocidos por sus siglas HEMT y que brindan temperaturas de ruido ms bajas. La temperatura de ruido usual con la que operan los amplificadores actuales es del orden de unas antas decenas de grados kelvin o, cuando mucho unos 150K. La tecnologa desarrollada hasta ahora en la banda C (3.7-4.2 GHz) ha permitidito fabricar fcilmente amplificadores con temperaturas inferiores a los 50K, pero en banda Ku (11.7-12.2 GHz) es ms comn encontrarlos con temperaturas mayores que 100K. Sin embargo es importante recordar que un valor elevado de la temperatura de ruido del amplificador importa menos en relacin con la temperatura de ruido de la antena cuando se utilizan las bandas Ku o Ka que cuando se emplea la banda C; es decir que en las bandas Ku y Ka no importa tanto si la temperatura del amplificador es unos 50 o 100K mayor, ya que la temperatura de la antena puede ser varios cientos de grados kelvin y comparativamente la ultima influye ms en el g/t y la calidad de operacin de la estacin . El gran aumento de la temperatura de ruido de la antena en las bandas Ku y Ka se debe principalmente al comportamiento de la atmosfera en esas frecuencias y a la atenuacin de la seal causada por la lluvia (cuando est presente)en cambio las seales que se propagan en banda C son atenuadas muy poco por lluvia y la temperatura efectiva de ruido de la antena es relativamente baja ,debido a lo anterior cuando un enlace de comunicaciones funciona en las banas Ku o Ka es necesario disearlo con un buen margen de operacin para que cuando llueva la seal no se degrade a niveles de potencia insatisfactorios a este margen de diseo se le da precisamente nombre de margen de lluvia. La temperatura del amplificador puede ser controlada por diversos medios: refrigeracin criognica, termoelctrica o compensacin de temperatura. La refrigeracin criognica incluye dispositivos con partes mviles y consiste bsicamente en un sistema de circulacin de helio gaseoso, alcanzndose temperaturas cercanas a los -250c. Se utilizaba en casi todos las estaciones internacionales del estndar a de Intelsat hasta principios de los 70 pero en las estaciones modernas ya no se emplea, principalmente porque es costosa y u mantenimiento es complejo; el avance de la tecnologa ha permitido fabricar amplificadores que, sin ser refrigerados criognicamente tienen temperaturas de ruido muy bajas.

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En la siguiente tabla 1 se concentra la informacin referente a los LNA:

Tabla 1. Valores tpicos de temperatura de los amplificadores de bajo ruido disponibles en el mercado (2001) para la regin del continente americano. Con el sistema de refrigeracin termoelctrica se logra mucho la temperatura de los componentes sensibles del amplificador; tiene la ventaja de que no requiere ninguna parte mvil, adems se instala dentro del dispositivo en una caja sellada hermticamente, lo cual le da mucha robustez y facilidad de mantenimiento. La refrigeracin opera con diodos que aprovechan el efecto Peltier descubierto por el fsico francs del mismo apellido hace mas de 100 aos y que comenz a utilizase en la dcada de los sesenta para producir comercialmente la refrigeracin termoelctrica. Este efecto consiste en que cuando se aplica una corriente elctrica en un circuito hecho con la unin de dos conductores distinta, uno se calienta y el otro se enfra y el efecto es mayor cuando los materiales de la unin son semiconductores. Los amplificadores de bajo ruido con este tipo de refrigeracin interna pueden funcionar sin ningn problema a la temperatura ambiente. En cuanto a la refrigeracin por compensacin de temperatura esta se utiliza cuando no es necesario que la temperatura de ruido sea muy baja; emplea sistemas de control ms sencillos que los de la refrigeracin termoelctrica, es muy confiable y tambin puede usrsele a la temperatura ambiente (de 0C a 50C) Actualmente la eleccin normal para las estaciones grandes o de tamao medio es la de usar amplificadores paramtricos o incluso FET con refrigeracin por compensacin de temperatura .En cualquiera de los casos es posible reducir la temperatura de ruido aun ms si se aade al dispositivo un sistema de enfriamiento exterior es decir sin estar expuesto directamente a la temperatura ambiente.
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En muchos casos la contribucin de ruido de un amplificador se expresa en funcin de un factor o figura de ruido F, en lugar de su temperatura de ruido equivalente expresada en grados Kelvin. Los dos parmetros F o T son igualmente indicativos de la propiedad del amplificador de introducir menos o ms ruido segn sus caractersticas de diseo pero por norma es ms comn que en la banda C se defina a T y en las bandas Ka y Ku se prefiere a emplear el factor de ruido F. Ambos parmetros estn relacionados por la expresin t=290 (f-1) que demuestra que usando ms pequeo sea el factor de ruido, la situacin ser mejor, este factor se expresa en dB y su valor en los amplificadores comerciales varia normalmente entre 1 y 5 dB segn la banda. IV. TIPOS DE LNA

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMTRICO El principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo ruido interno. Existen amplificadores paramtricos sin enfriar con temperatura de ruido de 50 K. Con amplificadores a transistores FET se han obtenido temperaturas de ruido de 80 a 300 K sin enfriamiento Peltier y de 55 K con celdas Peltier. El amplificador paramtrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que vara en funcin de una seal apropiada). El diodo varactor acta como una resistencia negativa ante la presencia de la seal lo cual produce la amplificacin. La seal que vara la resistencia se llama seal de bombeo.

Fig. 07. Diagrama del amplificador paramtrico en recepcin. Se muestra el circuito equivalente a un diodo varactor. La resistencia de prdida de los elementos en serie Rs es proporcional al ruido trmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de Rs disminuye cuando se enfra el conjunto con una celda Peltier o con las
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mejoras introducidas en el diseo del diodo y los materiales. En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramtrico. El amplificador consiste en 3 seales: la seal de bombeo proveniente de un oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la seal a amplificar; la seal a amplificar y la seal complementaria que se produce al mezclarse ambas seales precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la seal de bombeo se transfiere a la seal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la seal de bombeo es el doble de la otra seal y cuando ambas estn en fase. En el diodo varactor se dispone entonces de 2 seales: una senoidal que corresponde a la RF a amplificar y otra rectangular que es la seal de bombeo. Cuando la tensin del capacitor es mxima la carga tambin lo es y equivale a Q=C.V. Si en este momento se produce un salto en el valor de la capacidad C (mediante la tensin de bombeo) el valor de V se incrementa para mantener constante la carga. Cuando el valor de Q es cero se vuelve al valor original de C (mediante la tensin de bombeo). A cada paso de bombeo se obtiene una pequea amplificacin de la tensin proporcional a la variacin de la capacidad. El amplificador paramtrico donde la frecuencia de bombeo es el doble de la frecuencia de resonancia del circuito se denomina degenerado. En la prctica, como el valor de corriente que circula por la juntura del diodo varactor es muy pequea, el circuito se encuentra libre de ruido y su figura o nmero de ruido NF (Noise Figure) es muy baja. Para lograr dicha condicin es necesario que la polarizacin del diodo varactor sea inversa. AMPLIFICADOR A TRANSISTORES FET Los amplificadores ms interesantes por la relacin entre el costo, consumo, tamao, reproductividad y distorsiones son los realizados mediante transistores SSPA (Solid State Power Amplifier). El semiconductor silicio es til en transistores bipolares hasta los 3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio (As Ga) se utiliza por encima de dicha frecuencia en la configuracin de transistor de efecto de campo (FET). En los amplificadores de potencia de estado slido el nivel mximo de potencia de salida es de 10 watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14 GHz. Tienen por ello una potencia de salida limitada frente a los amplificadores tradicionales usados en estaciones terrenas. En los amplificadores de bajo ruido se selecciona la configuracin FET con barrera Schottky que permite una figura de ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas donde la primera se enfra termoelctricamente mediante celdas Peltier a -40 C se logran valores de 0,6 dB a 4 GHz con ganancia de 14 dB. AMPLIFICADORES HEMT Los amplicadores HEMT pertenecen a la familia de los dispositivos de efecto de campo (FET). Este tipo de transistores corresponden a componentes semiconductores de tres puertas, llamadas source, drain y gate. La construccin de estos componentes se realiza de modo que la corriente que fluye entre el source y el drain es modulada por medio de una pequea seal que es aplicada
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en la compuerta, gate. Esto se debe a que la aplicacin de un voltaje en la compuerta genera un canal de conduccin entre el source y el drain, donde el nmero de portadores presentes en el canal es variable y depende del voltaje aplicado en gate. Como la corriente depende directamente del nmero de portadores, entonces se tiene que la seal aplicada en la compuerta permite controlar la conductancia del dispositivo. Otra caracterstica de los transistores FET es que la impedancia de entrada de la compuerta es muy alta, generalmente de varios M, permitiendo la utilizacin de seales de baja potencia como seal moduladora. Esta cualidad hace de los transistores FET una excelente alternativa para construir amplificadores en donde la seal a amplificar es extremadamente dbil. Cuando un dispositivo FET se encuentra en estado de conduccin los portadores pueden transitar a travs del canal de conduccin. En este proceso los portadores sufren scattering, es decir chocan, ya sea con la red cristalina del transistor, o bien, con las impurezas del substrato. Estos choques limitan la movilidad () de los portadores, restringiendo la mxima frecuencia a la que puede operar el transistor. Por otro lado, estos choques son una importante fuente de ruido, pues incrementan la energa cintica de la red cristalina y por tanto la temperatura del transistor. Adems, se generan portadores que, despus de haber chocado, se mueven en forma aleatoria.En conclusin, el scattering de los portadores no solo limita la mxima frecuencia de operacin, sino que aumenta la temperatura de ruido del dispositivo. La mxima frecuencia de operacin de un amplificador FET viene dada por el tiempo de trnsito de los portadores a travs del canal. Este tiempo es determinado por dos factores: el largo del canal y la velocidad a la que se mueven los portadores. Esta velocidad, a su vez, depende del voltaje de polarizacin que se aplica entre el drain y source, y de la movilidad de los portadores. Frecuentemente se utiliza como parmetro la velocidad de saturacin del dispositivo, que corresponde a la velocidad mxima que pueden alcanzar los portadores debido al aumento del voltaje de polarizacin dada la movilidad de los portadores.

Fig. 05. Estructura de un HEMT

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Se basan en que un semiconductor puede ser dopado de tal forma que aparezca una zona, llamada hetero-juntura, que posee un scattering nulo, y por tanto, una movilidad ms alta que los dispositivos FET. Esta zona es lograda por medio de la depositacin de sucesivas capas de AlGaN AlGa y GaAs, generndose un pozo de potencial entre dos semiconductores con diferentes niveles de conduccin en sus bandas de energa. Los electrones quedan atrapados en esta zona, la que posee un ancho de 10 Armstrong, y que se caracteriza por no poseer iones donares o aceptores. Por eso los portadores pueden desplazarse sin sufrir scattering. Debido al pequeo ancho de la heterojuntura y a la ausencia de scattering, es posible decir que se genera un gas bidimensional de electrones. Al igual que en un FET, la concentracin de portadores en la hetero-juntura es modulada por medio de una seal aplicada en la compuerta, con la diferencia de que como los portadores tienen una alta movilidad, pueden transmitir seales de altas frecuencias generando una mnima cantidad de ruido. La estructura bsica de este tipo de transistores ha sido constantemente optimizada para superar algunos problemas que se suscitaron en los primeros prototipos [37]. De hecho, actualmente se fabrican complejas estructuras denominadas HEMT pseudomorcos (PHEMT) que logran obtener cada vez mejores resultados. V. CONCLUSIONES El LNA es un componente importante que se coloca en el front-end de un receptor deradio de circuito. JFET y HEMT son de uso frecuente para tener una amplificacin en su primera etapa; amplificadores de distribucin tambien pueden ser utilizados Los LNA Son conducidos en un rgimen de corrientes de alta, que no es energticamente eficiente, pero reduce la cantidad relativa de ruido de disparo. La Polarizacin en los LNA es realizada por grandes resistencias, ya que la eficiencia energtica no es necesaria, y una gran resistencia evita las fugas de la salida de la seal dbil de la ruta de seal o ruido en la seal VI. Libros: Fundamentals of Satellite Communication by K. N. Raja Rao. Comunicaciones por Satlite, Ediciones paraninfo, S.A., Rodolfo Neri Vela (2003) Sistemas de Comunicaciones Electronicas by Wayne Tomas. Enlaces: http://old.udb.edu.sv/editorial/cientifica/cientifica4/articulo1.pdf http://www.sec-sonora.gob.mx/telesecundaria/inf_tecnica/LNB.pdf
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BIBLIOGRAFA